JP2007088374A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェハWの薄膜担持面に、予めシートフィルムに塗布形成した金属薄膜を押し付け、該金属薄膜を転写する。その金属薄膜に凹凸パターンを型押しすることによって該パターンを転写し、エッチングによって配線1および隣接する配線1間の溝部を形成する。続いて、その上にシートフィルムに塗布形成した絶縁薄膜を押し付け、該絶縁薄膜8を転写する。そして、その絶縁薄膜8に凹凸パターン有するスタンパ31を押し付けることによって該パターンを転写する。このような転写形成による成膜、凹凸面を有するスタンパを使用したパターンニングおよびエッチングを金属層および絶縁層の双方について繰り返すことによって多層配線構造を構築する。
【選択図】図10
Description
半導体装置の製造プロセスについては後に詳述するが、その概略は薄膜層を転写形成することによる成膜と凹凸面を有するスタンパを使用したパターンニングとを繰り返すものである。図1は、薄膜層の転写形成を行う転写装置の構成例を示す概略図である。この転写装置10は、その内部が真空排気可能とされた処理容器11を備えている。処理容器11の側面部には排気口112が設けられるとともに、その排気口112に真空ポンプ12が接続されている。この真空ポンプ12は、図示を省略する制御ユニットからの動作指令に応じて作動し、排気口112を介して処理容器11内を真空排気することができる。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の半導体装置製造プロセスが第1実施形態と相違するのは、絶縁薄膜8へのパターンニング工程であり、残余のプロセスは同じである。第2実施形態における、絶縁薄膜8へのパターンニングについて図14から図17を参照しつつ説明する。なお、第1実施形態と同一の要素については同一の符号を付している。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。第3実施形態の半導体装置製造プロセスが第1実施形態と相違するのは、半導体ウェハWへの絶縁薄膜8の転写形成工程であり、残余のプロセスは同じである。第3実施形態における、絶縁薄膜8の転写形成について図18および図19を参照しつつ説明する。なお、第1実施形態と同一の要素については同一の符号を付している。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記第2実施形態の如きレジストを使用した間接パターンニングを金属薄膜5に対するパターンニングに適用するようにしても良い。
2 層間絶縁層
3 ビアホール
5 金属薄膜
6 溝部
7 エアギャップ
8 絶縁薄膜
9 レジスト膜
10 転写装置
30 成型装置
W 半導体ウェハ
Claims (4)
- 基板の薄膜担持面上に金属薄膜層を転写形成する第1転写工程と、
第1成型体の表面を前記金属薄膜層に押し付けて当該表面の形状を転写する第1成型工程と、
前記第1記成型体の表面形状が転写された前記金属薄膜層の上に絶縁薄膜層を転写形成する第2転写工程と、
第2成型体の表面を前記絶縁薄膜層に押し付けて当該表面の形状を転写する第2成型工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1成型工程の後に前記金属薄膜層をエッチングする第1エッチング工程と、
前記第2成型工程の後に前記絶縁薄膜層をエッチングする第2エッチング工程と、
をさらに備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板の薄膜担持面上に金属薄膜層を転写形成する第1転写工程と、
第1成型体の表面を前記金属薄膜層に押し付けて当該表面の形状を転写する第1成型工程と、
前記第1記成型体の表面形状が転写された前記金属薄膜層の上に絶縁薄膜層を転写形成する第2転写工程と、
前記絶縁薄膜層の上にレジスト膜を転写形成する第3転写工程と、
第2成型体の表面を前記レジスト膜に押し付けて当該表面の形状を転写する第2成型工程と、
前記第2記成型体の表面形状が転写された前記レジスト膜をエッチングすることによって前記絶縁薄膜層のうち前記レジスト膜の凹部直下を溝部として形成するエッチング工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2転写工程は、前記第1記成型体の表面形状が転写されることによって形成された前記金属薄膜層の溝部に空気を封入する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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