JP3965969B2 - 研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 - Google Patents
研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3965969B2 JP3965969B2 JP2001338353A JP2001338353A JP3965969B2 JP 3965969 B2 JP3965969 B2 JP 3965969B2 JP 2001338353 A JP2001338353 A JP 2001338353A JP 2001338353 A JP2001338353 A JP 2001338353A JP 3965969 B2 JP3965969 B2 JP 3965969B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- pad
- polished
- load
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、プロセスウエハなどの被研磨物の研磨に用いられる研磨装置及び研磨方法、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法、及び、半導体デバイスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の高集積化、微細化に伴って、半導体製造プロセスの工程は、増加し、複雑になってきている。これに伴い、半導体デバイスの表面は必ずしも平坦ではなくなってきている。半導体デバイスの表面おける段差の存在は、配線の段切れ、局所的な抵抗の増大などを招き、断線や電気容量の低下などをもたらす。また、絶縁膜では耐電圧劣化やリークの発生などにもつながる。
【0003】
一方、半導体集積回路の高集積化、微細化に伴って、光リソグラフィに用いられる半導体露光装置の光源波長は短くなり、半導体露光装置の投影レンズの開口数、いわゆるNAは大きくなってきている。これにより、半導体露光装置の投影レンズの焦点深度は、実質的に浅くなってきている。焦点深度が浅くなることに対応するためには、今まで以上に半導体デバイスの表面の平坦化が要求されている。
【0004】
プロセスウエハなどの被研磨物の研磨技術として、大きな(ダイサイズレベルでの)エリアの効率的な平坦化技術として注目を集めているのが、化学的機械的研磨である。これは、CMP(Chemical Mechanical Polishing又はPlanarization)と呼ばれる研磨工程である。CMPは、物理的研磨に、化学的な作用を併用して、プロセスウエハの表面層を除いていく工程で、グローバル平坦化及び、電極形成のための重要な技術である。具体的には、酸、アルカリ、酸化剤などの研磨物の可溶性溶媒中に、研磨粒(シリカ、アルミナ、酸化セリウムなどが一般的)を分散させたスラリーと呼ばれる研磨剤を用い、更に、研磨パッドで、ウエハ表面を加圧し、相対運動で摩擦することにより研磨を進行させる。
【0005】
従来から、CMPでは、ウエハの径よりかなり大きい径を持つ研磨パッドを用いる大径パッド方式と、ウエハ径と略同じかそれより小さい径を持つ研磨パッドを用いる小径パッド方式とが知られているが、いずれの方式の場合も、単一の研磨パッドが用いられていた。大径パッド方式では、研磨パッドがウエハより大きいため、装置全体としてフットプリントが大きく、装置が大型化する。これに対し、小径パッド方式では、研磨パッドがウエハと略同じかそれより小さいため、フットプリントが小さく、装置の小型化が可能である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
プロセスウエハの表面に形成された膜には、通常、ウエハの半径方向に沿ってグローバルに分布する数百〜数千Åの厚さムラがある。通常は、ウエハを回転させつつ成膜するため、表面の膜の厚さムラは、ウエハの中心からの距離(半径上の位置)に応じて波打つようにグローバルに生ずる。このような表面の膜の厚さムラの様子の一例を、図7に模式的に示す。図7は、表面に膜2を形成したウエハ1の、直径に沿った断面を模式的に示す図である。図7中、Oはウエハ1の中心を示す。
【0007】
しかしながら、本発明者の研究の結果、従来のCMPでは、大径パッド方式及び小径パッド方式のいずれの場合も、単一の研磨パッドが用いられていたので、前述したようなウエハ表面の膜厚ムラに拘わらずにウエハ表面を均一に平坦化しかつ効率良く短時間にウエハ表面を所望の量まで研磨し、しかも装置の小型化を図ることは、非常に困難であることが、判明した。この点について、図8乃至図10を参照して説明する。
【0008】
図8は、従来の大径パッド方式による研磨中のウエハ1と研磨パッド3との関係を模式的に示す概略平面図である。この方式では、ウエハ1が研磨パッド3より小さく、ウエハ1の全面が常に研磨パッド3に接触しているため、ウエハ1の一部の領域を他の領域に対して優先的に研磨することが極めて困難である。したがって、ウエハ1の表面の膜厚の厚い領域を他の領域に対して優先的に研磨することができず、ウエハ1の表面の膜厚ムラを解消してウエハ1の表面を均一に平坦化することが非常に困難である。このため、例えば、半導体デバイスの表面の金属膜の研磨によるダマシン(damascene)の形成の際などには、ウエハ表面の膜厚ムラにより初期的に膜厚が薄い領域において、オーバーポリッシングの時間が長くなり、エロージョンやディシングが大きくなってしまう。また、前述したように、大径パッド方式の場合、装置が大型化せざるを得ない。
【0009】
図9は、従来の小径パッド方式による研磨中のウエハ1と研磨パッド4との関係を模式的に示す概略平面図である。図9に示す例では、ウエハ1に比べてかなり小さい研磨パッド4が用いられ、ウエハ1及び研磨パッド4がそれぞれ回転されるとともに、研磨パッド4が図中の左右方向に所定の幅で往復動(揺動)されている。このような小径パッド方式では、ウエハ1に比べてかなり小さい研磨パッド4が用いられているので、ウエハ1の一部の領域を他の領域に対して優先的に研磨することができる。例えば、図9に示す研磨パッド4の位置(ウエハ1の周辺側の位置)を研磨パッド4の揺動の中心として、比較的狭い幅で揺動させると、ウエハ1の周辺側の領域を他の領域に対して優先的に研磨することができる。したがって、ウエハ1の表面の膜厚の厚い領域を他の領域に対して優先的に研磨することができ、ウエハ1の表面の膜厚ムラを解消してウエハ1の表面を均一に平坦化することができるはずである。
【0010】
ところが、図9に示すような小径パッド方式では、研磨速度の点で問題が生ずる。すなわち、ウエハ1の回転速度と研磨パッド4の回転速度とが同等の場合、ウエハ1の周辺側の領域を他の領域に対して優先的に研磨する場合には、ウエハ1と研磨パッド4との間に大きな相対速度が得られるため、比較的高速に研磨することができる。しかし、ウエハ1の中心部の領域を他の領域に対して優先的に研磨する場合には、ウエハ1と研磨パッド4との間の相対速度が著しく低下し、研磨速度が非常に低下し、実際上ほとんど研磨することができない。
【0011】
そこで、図10に示すような小径パッド方式が考えられる。図10は、他の小径パッド方式による研磨中のウエハ1と研磨パッド5との関係を模式的に示す概略平面図である。この方式では、ウエハ1とほぼ同じ外径を持ち幅が比較的狭い円環の研磨パッド5が用いられ、ウエハ1及び研磨パッド5がそれぞれ回転されるとともに、研磨パッド5が図中の左右方向に所定の幅で往復動(揺動)されている。この方式では、研磨パッド5はその径が比較的大きくその幅が比較的狭いので、ウエハ1の一部の領域を他の領域に対して優先的に研磨することができ、しかも、ウエハ1の周辺の領域を優先的に研磨する場合のみならず、ウエハ1の中心部の領域を優先的に研磨する場合にも、研磨速度を高めることができる。例えば、研磨パッド5の揺動の中心位置を図10(a)に示すような位置にすれば、ウエハ1の中心部の領域を優先的に研磨することができ、研磨パッド5の揺動の中心位置を図10(b)に示すような位置にすれば、ウエハ1の中心部と周辺との間の中間の領域を優先的に研磨することができ、研磨パッド5の揺動の中心位置を図10(c)に示すような位置にすれば、ウエハ1の周辺の領域を優先的に研磨することができ、いずれの場合であっても、ウエハ1と研磨パッド5との間の相対速度が高くなって研磨速度が高まる。したがって、図10に示す方式によれば、前述したようなウエハ表面の膜厚ムラに拘わらずにウエハ表面を均一に平坦化することができる。
【0012】
しかし、図10に示すような方式では、研磨パッド5の揺動の中心位置を図10(a)に示す位置から図10(c)に示す位置まで移動させなければならないので、研磨パッド5の左右方向の移動可能な距離を大きくする必要がある。このため、本質的に装置を小型化することができる小径パッド方式であるにも拘わらず、装置をさほど小型化することができない。また、研磨パッド5では中抜きの領域が大きいことから、ウエハ1と研磨パッド5との接触面積が狭くなるので、ウエハ1の全領域を所望の量まで研磨しようとする場合、効率良く研磨することができず、研磨時間が長くなってしまう。また、研磨パッド5の研磨面がウエハ1の被研磨面から部分的にはみ出した状態で研磨するため、研磨パッド5の回転軸を傾ける力が働くので、ウエハ1の周辺部がダレてしまう。
【0013】
以上説明した事情は、プロセスウエハ以外の被研磨物の研磨についても、同様である。
【0014】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ウエハ表面の膜厚ムラなどの被研磨物の被研磨面の初期的なグローバルな凹凸に拘わらずに、被研磨面の表面を均一に平坦化することができるとともに、効率良く短時間に被研磨面を所望の量まで研磨することができ、しかも装置の小型化を図ることができる、研磨装置及び研磨方法を提供することを目的とする。
【0015】
また、本発明は、従来の半導体デバイス製造方法に比べて、歩留りが向上し低コストで半導体デバイスを製造することができる半導体デバイス製造方法、及び低コストの半導体デバイスを提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明の第1の態様による研磨装置は、複数の研磨パッドのうちの少なくとも1つの研磨パッドの研磨面と、被研磨物との間に、荷重を加えつつ、前記少なくとも1つの研磨パッドと前記被研磨物とを相対移動させることにより、前記被研磨物を研磨する研磨装置であって、(a)互いに相対的に所定軸線方向に移動可能に設けられ、前記所定軸線方向の前記被研磨物側に各パッド取り付け面を有する複数のパッド取り付け部と、前記複数の研磨パッドと前記被研磨物との間の荷重状態を設定する荷重設定部と、を備え、(b)前記各パッド取り付け部の前記各パッド取り付け面は、前記被研磨物側から見たとき、互いに重なることなく前記所定軸線方向に略平行な中心軸線に対して同心状の領域を形成し、(c)前記各パッド取り付け部の前記各パッド取り付け面には、前記複数の研磨パッドのうちの1つ以上の研磨パッドがそれぞれ取り付けられ、(d)前記被研磨物側から見た前記複数の研磨パッドの研磨面の全体的な大きさが、前記被研磨物の被研磨面の大きさと略々同じかあるいはそれより小さく、(e)前記荷重設定部は、前記複数のパッド取り付け部の各々に取り付けられた各研磨パッドと前記被研磨物との間の各荷重状態を、各研磨パッド間で独立して、設定するものである。
【0017】
本発明の第2の態様による研磨装置は、前記第1の態様において、前記複数のパッド取り付け部を前記中心軸線の回りに回転駆動する第1の駆動機構と、前記被研磨物を保持する保持部と、該保持部を前記中心軸線と略平行な軸線の回りに回転駆動する第2の駆動機構と、を備えたものである。
【0018】
本発明の第3の態様による研磨装置は、前記第2の態様において、前記複数のパッド取り付け部を前記中心軸線と略直交する方向へ往復駆動する第3の駆動機構を、備えたものである。
【0019】
本発明の第4の態様による研磨装置は、前記第1乃至第3のいずれかの態様において、前記複数のパッド取り付け部は、前記中心軸線の回りに共回りするように互いに係合されたものである。
【0020】
本発明の第5の態様による研磨装置は、前記第1乃至第4のいずれかの態様において、前記荷重設定部は、(a)前記複数のパッド取り付け部のうちの、互いに隣り合う前記パッド取り付け面を有する少なくとも一対のパッド取り付け部の間に、形成された流体室と、(b)前記流体室に連通した流体路と、(c)前記流体路を介して流体を出入りさせることにより前記流体室内を負圧にした第1の状態及び前記流体路を介して前記流体室内を正圧にした第2の状態のいずれかに設定し得る流体室設定部とを、含むものである。そして、前記流体室は、前記第1の状態の時に前記一対のパッド取り付け部のうちの一方が他方に対して前記中心軸線方向の前記被研磨物と反対側へ移動するとともに、前記第2の状態の時に前記一対のパッド取り付け部のうちの前記一方が前記他方に対して前記中心軸線方向の前記被研磨物側へ移動するように、形成される。
【0021】
本発明の第6の態様による研磨装置は、前記第1乃至第5のいずれかの態様において、前記荷重設定部を制御する制御部を備え、前記制御部は、前記被研磨物の被研磨面の一部の領域を他の領域に対して優先的に研磨する場合に、前記複数のパッド取り付け部のうちの少なくとも1つのパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が加わった状態となるとともに、前記複数のパッド取り付け部のうちの他の少なくとも1つのパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が実質的に加わらない状態となるように、前記荷重設定部を制御するものである。
【0022】
本発明の第7の態様による研磨装置は、前記第6の態様において、前記制御部は、前記被研磨物の被研磨面の中心側の領域を他の領域に対して優先的に研磨する場合に、前記複数のパッド取り付け部のうちの、周辺側に位置するパッド取り付け面を有するパッド取り付け部に、取り付けられた前記研磨パッドと、前記被研磨物との間に、荷重が加わった状態となるとともに、前記複数のパッド取り付け部のうちの他のパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が実質的に加わらない状態となるように、前記荷重設定部を制御するものである。
【0023】
本発明の第8の態様による研磨装置は、前記第6又は第7の態様において、前記制御部は、前記被研磨物の被研磨面の周辺側の領域を他の領域に対して優先的に研磨する場合に、前記複数のパッド取り付け部のうちの、前記中心軸線側に位置するパッド取り付け面を有するパッド取り付け部に、取り付けられた前記研磨パッドと、前記被研磨物との間に、荷重が加わった状態となるとともに、前記複数のパッド取り付け部のうちの他のパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が実質的に加わらない状態となるように、前記荷重設定部を制御するものである。
【0024】
本発明の第9の態様による研磨装置は、前記第6乃至第8のいずれかの態様において、前記制御部は、前記被研磨物の被研磨面の全領域を全体的に研磨する場合に、前記複数のパッド取り付け部のうちのいずれのパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間にも、荷重が加わった状態となるように、前記荷重設定部を制御するものである。
【0025】
本発明の第10の態様による研磨方法は、前記第1乃至第5のいずれかの態様による研磨装置を用いて、前記被研磨物を研磨する研磨方法であって、前記複数のパッド取り付け部のうちの少なくとも1つのパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が加わった状態となるとともに、前記複数のパッド取り付け部のうちの他の少なくとも1つのパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が実質的に加わらない状態となるように、前記荷重設定部を制御して、前記被研磨物の被研磨面の一部の領域を他の領域に対して優先的に研磨する優先研磨段階を、備えたものである。
【0026】
本発明の第11の態様による研磨方法は、前記第10の態様において、前記優先研磨段階は、前記複数のパッド取り付け部のうちの、周辺側に位置するパッド取り付け面を有するパッド取り付け部に、取り付けられた前記研磨パッドと、前記被研磨物との間に、荷重が加わった状態となるとともに、前記複数のパッド取り付け部のうちの他のパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が実質的に加わらない状態となるように、前記荷重設定部を制御して、前記被研磨物の被研磨面の中心側の領域を他の領域に対して優先的に研磨する段階を、含むものである。
【0027】
本発明の第12の態様による研磨方法は、前記第10又は第11の態様において、前記優先研磨段階は、前記複数のパッド取り付け部のうちの、前記中心軸線側に位置するパッド取り付け面を有するパッド取り付け部に、取り付けられた前記研磨パッドと、前記被研磨物との間に、荷重が加わった状態となるとともに、前記複数のパッド取り付け部のうちの他のパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が実質的に加わらない状態となるように、前記荷重設定部を制御して、前記被研磨物の被研磨面の周辺側の領域を他の領域に対して優先的に研磨する段階を、含むものである。
【0028】
本発明の第13の態様による研磨方法は、前記第10乃至第12のいずれかの態様において、前記複数のパッド取り付け部のうちのいずれのパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間にも、荷重が加わった状態となるように、前記荷重設定部を制御して、前記被研磨物の被研磨面の全領域を全体的に研磨する段階を、備えたものである。
【0029】
本発明の第14の態様による半導体デバイス製造方法は、前記第1乃至第9のいずれかの態様による研磨装置を用いて半導体ウエハの表面を平坦化する工程を有するものである。
【0030】
本発明の第15の態様による半導体デバイスは、前記第14の態様による半導体デバイス製造方法により製造されるものである。
【0031】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法について、図面を参照して説明する。
【0032】
なお、後述する実施の形態による研磨装置は、被研磨物としてのプロセスウエハに対して化学的機械的研磨を行ういわゆるCMP研磨装置として構成されている。もっとも、本発明では被研磨物はプロセスウエハに限定されるものではないし、また、本発明は、化学的機械的研磨以外の種々の研磨についても適用することができる。
【0033】
[第1の実施の形態]
【0034】
図1は、本発明の第1の実施の形態による研磨装置を示す概略構成図である。図2は、図1中のA−A’線に沿った断面図である。図3は、図1中のB−B’矢視図である。
【0035】
本実施の形態による研磨装置は、図1に示すように、研磨ヘッド11と、研磨ステーション(研磨ゾーン)に配置されて、この研磨ステーションに位置した研磨ヘッド11の下側にウエハ1を保持するウエハホルダ12と、ウエハ1と研磨ヘッド11との間に研磨剤(スラリー)を供給する研磨剤供給部(図示せず)と、を備えている。
【0036】
研磨ヘッド11は、3つのパッド取り付け部13,14,15と、これらにそれぞれ取り付けられた3つの研磨パッド16,17,18とを有している。
【0037】
パッド取り付け部13は、円筒体19と、円筒体19の上部開口を閉塞するように、ねじ21にてパッキン(図示せず)を介して気密に円筒体19に固定された円板20と、を有している。本実施の形態では、円筒体19の下面がパッド取り付け面となっており、ここには全面に渡って、円環形状の研磨パッド16が、接着剤又は両面接着テープなどによって取り付けられている。円筒体19の中心軸線Jは、ウエハ1の面の法線と略一致している。
【0038】
本実施の形態では、パッド取り付け部13は研磨ヘッド本体として兼用され、軸部22が、パッド取り付け部13の円板20に、円筒体19の中心軸線Jと同軸をなすように固着されている。軸部22は、アクチュエータとして電動モータを用いた図示しない回転駆動機構に機械的に接続され、この回転駆動機構によって、パッド取り付け部13は、矢印Cで示すように、中心軸線Jの回りに回転できるようになっている。このように、中心軸線Jは回転中心軸線となっている。また、軸部22は、アクチュエータとして電動モータを用いた図示しない直線駆動機構に機械的に接続され、この直線駆動機構によって、矢印Dで示すように、中心軸線Jと略直交する方向に往復動できるようになっている。さらに、軸部22は、アクチュエータとして電動モータを用いた図示しない直線駆動機構に機械的に接続され、この直線駆動機構によって、矢印Eで示すように、中心軸線Jの方向に上下動できるようになっている。この上下動のための直線駆動機構は、研磨パッド16をウエハ1に押し付けて研磨パッド16とウエハ1との間に荷重をかける加圧機構を兼ねている。
【0039】
パッド取り付け部14は、パッド取り付け部13と同様に、円筒体23と、円筒体23の上部開口を閉塞するように、ねじ25にてパッキン(図示せず)を介して気密に円筒体23に固定された円板24と、を有している。円筒体23の下面がパッド取り付け面となっており、ここには全面に渡って、円環形状の研磨パッド17が、接着剤又は両面接着テープなどによって取り付けられている。パッド取り付け部14の円筒体23及び円板24の外周面が、パッド取り付け部13の円筒体19の内周面に嵌合されている。円板20の下面と円板24の上面との間には、第1の空気室26が形成されている。円板24の外周部には、第1の空気室26の気密性を保つためのOリング27が設けられている。
【0040】
図2に示すように、円筒体23の外周面に形成されたキー23aが、円筒体19の内周面に形成され中心軸線Jに略平行な方向に延びたキー溝19aに係合している。これにより、パッド取り付け部14は、パッド取り付け部13に対して中心軸線Jの方向に上下動し得るが、中心軸線Jの回りにパッド取り付け部13と共回りするようになっている。なお、キー23a及びキー溝19aは、Oリング27の付近には形成されていない。キー溝19aは円筒体19の下面までは達しておらず、キー23aの下端がキー溝19aの下端に当接することにより、パッド取り付け部14がパッド取り付け部13から抜け落ちないようになっている。キー溝19a及びキー23aの上下方向の位置や長さ等は、キー23aをキー溝19aの下方に移動させてキー溝19aの下限に達したときに、研磨パッド17とウエハ1との間に荷重をかけた状態で研磨パッド16とウエハ1との間に少なくとも所定の隙間を確保できるように、また、キー23aをキー溝19aの上方に移動させてキー溝19aの上限に達したときに、研磨パッド16とウエハ1との間に荷重をかけた状態で研磨パッド17とウエハ1との間に少なくとも所定の隙間を確保できるように、設定されている。
【0041】
パッド取り付け部15は、円板で構成されている。図1に示すように、パッド取り付け部15の下面がパッド取り付け面となっており、ここには全面に渡って、円形の研磨パッド18が、接着剤又は両面接着テープなどによって取り付けられている。パッド取り付け部15の外周面が、パッド取り付け部14の円筒体23の内周面に嵌合されている。パッド取り付け部14の円板24の下面とパッド取り付け部15の上面との間には、第2の空気室28が形成されている。パッド取り付け部15の外周部には、第2の空気室28の気密性を保つためのOリング29が設けられている。
【0042】
図2に示すように、パッド取り付け部15の外周面に形成されたキー15aが、円筒体23の内周面に形成され中心軸線Jに略平行な方向に延びたキー溝23bに係合している。これにより、パッド取り付け部15は、パッド取り付け部14に対して中心軸線Jの方向に上下動し得るが、中心軸線Jの回りにパッド取り付け部14と共回りするようになっている。なお、キー15a及びキー溝23bは、Oリング29の付近には形成されていない。キー溝23bは円筒体23の下面まで達しておらず、キー15aの下端がキー溝23bの下端に当接することにより、パッド取り付け部15がパッド取り付け部14から抜け落ちないようになっている。キー溝23b及びキー15aの上下方向の位置や長さ等は、キー15aをキー溝23bの下方に移動させてキー溝23bの下限に達したときに、研磨パッド18とウエハ1との間に荷重をかけた状態で研磨パッド17とウエハ1との間に少なくとも所定の隙間を確保できるように、また、キー15aをキー溝23bの上方に移動させてキー溝23bの上限に達したときに、研磨パッド17とウエハ1との間に荷重をかけた状態で研磨パッド18とウエハ1との間に少なくとも所定の隙間を確保できるように、設定されている。
【0043】
本実施の形態では、以上説明した構造によって、図3からもわかるように、3つのパッド取り付け部13,14,15のパッド取り付け面(円筒体19,23の下面及びパッド取り付け部15の下面)は、ウエハ1側から見たとき、互いに重なることなく回転中心軸線Jに対して同心状の領域を形成している。本実施の形態では、前述したように、研磨パッド16,17,18がパッド取り付け部13,14,15のパッド取り付け面の全面に渡ってそれぞれ形成されているが、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、研磨パッド16を複数に分割したような複数の研磨パッドを、互いに若干隙間があくように、パッド取り付け部13のパッド取り付け面に取り付けてもよい。
【0044】
研磨パッド16,17,18は、互いに材質も溝構造等も同一であってもよいし、少なくとも1つのパッドが他の少なくとも1つのパッドとは材質又は溝構造等が異なっていてもよい。
【0045】
また、本実施の形態では、図3に示すように、ウエハ1側から見た研磨パッド16,17,18の研磨面の全体的な分布領域の径(研磨パッド16の外径)が、ウエハ1の径より若干小さくなっている。
【0046】
再び図1を参照すると、パッド取り付け部13の円板20には、第1の空気室26に連通した貫通孔20aが形成されている。貫通孔20aは、空気室26に連通する第1の流体路の一部を構成している。この第1の流体路は、軸部22の内部流路や配管等を含み、圧力調整器31及び電磁開閉弁33を介して、圧縮空気を供給するコンプレッサ37に接続されている。また、この第1の流体路は、電磁開閉弁35を介して真空ポンプ38に接続されている。
【0047】
本実施の形態では、前述した要素31,33,37,35,38が、前記第1の流体路を介して第1の空気室26内の空気を吸引した第1の状態(負圧状態)及び前記第1の流体路を介して第1の空気室26内に圧縮空気を供給した第2の状態(正圧状態)のいずれかに設定し得る第1の空気室設定部を、構成している。第1の空気室26が前述した位置に形成されているので、開閉弁33を閉じるとともに開閉弁35を開いて前記第1の状態にすると、パッド取り付け部14が上方へ移動し、研磨パッド17とウエハ1との間に荷重が加わらない状態となる。また、開閉弁33を開くとともに開閉弁35を閉じて前記第2の状態にすると、パッド取り付け部14が下方へ移動し、研磨パッド17とウエハ1との間に荷重が加わった状態となる。
【0048】
パッド取り付け部14の円板24には、第2の空気室28に連通した貫通孔24aが形成されている。パッド取り付け部13の円板20に形成された貫通孔20bには管部材39が挿通され、管部材39の外壁が貫通孔20bの内壁に気密に固着されている。貫通孔20bから突出した管部材39の下端側の部分が、貫通孔24a内に挿通され、管部材39と貫通孔24aとが連通している。貫通孔24aの内壁部には、空気室26,28間を気密に保つためのOリング40が設けられている。貫通孔24aの一部及び管部材39は、第2の空気室28に連通する第2の流体路の一部を構成している。この第2の流体路は、配管等を含み、圧力調整器32及び電磁開閉弁34を介して、コンプレッサ37に接続されている。また、この第2の流体路は、電磁開閉弁36を介して真空ポンプ38に接続されている。
【0049】
本実施の形態では、前述した要素32,34,37,36,38が、前記第2の流体路を介して第2の空気室28内の空気を吸引した第1の状態(負圧状態)及び前記第2の流体路を介して第1の空気室28内に圧縮空気を供給した第2の状態(正圧状態)のいずれかに設定し得る第2の空気室設定部を、構成している。第2の空気室28が前述した位置に形成されているので、開閉弁34を閉じるとともに開閉弁36を開いて前記第1の状態にすると、パッド取り付け部15が上方へ移動し、研磨パッド18とウエハ1との間に荷重が加わらない状態となる。また、開閉弁34を開くとともに開閉弁36を閉じて前記第2の状態にすると、パッド取り付け部15が下方へ移動し、研磨パッド18とウエハ1との間に荷重が加わった状態となる。
【0050】
本実施の形態では、前述した加圧機構を兼ねる上下動のための直線駆動機構、前記第1及び第2の流体路、並びに、前記第1及び第2の空気室設定部が、各研磨パッド16,17,18とウエハ1との間の各荷重状態を、当該研磨パッド以外の研磨パッドの荷重状態と独立して設定する、荷重設定部を構成している。
【0051】
ウエハホルダ12は、アクチュエータとして電動モータを用いた図示しない回転駆動機構によって、図1中の矢印Fに示すように、中心軸線Jと略平行な軸線Kの回りに回転できるようになっている。
【0052】
本実施の形態による研磨装置は、前述した各部のモータ及び電磁開閉弁33〜36等を制御する、CPU等で構成された制御部50を、更に備えている。ウエハ1の研磨時に、制御部50による制御下で、研磨ヘッド11は、矢印Cの方向に回転しながら矢印Dの方向に揺動つつ、研磨ヘッド11の研磨パッド16,17,18のうちの少なくとも1つがウエハホルダ12上のウエハ1の上面に直線駆動機構により所定の圧力(荷重)で押し付けられる。ウエハホルダ12を矢印Fの方向に回転させてウエハ1も回転させ、ウエハ1と研磨ヘッド11の押し付けられた研磨パッドとの間で相対運動を行わせる。この状態で、研磨剤が研磨剤供給部(不図示)からウエハ1と当該研磨パッドとの間に供給され、その間で拡散し、ウエハ1の被研磨面を研磨する。すなわち、研磨ヘッド11の当該研磨パッドとウエハ1の相対運動による機械的研磨と、研磨剤の化学的作用が相乗的に作用して良好な研磨が行われる。
【0053】
このような研磨時における制御部50による、研磨パッド16,17,18とウエハ1との間の荷重の制御の例について、図5を参照して説明する。図5は、研磨パッド16,17,18のうちのウエハ1との間に荷重がかけられている研磨パッドと、ウエハ1との関係を模式的に示す概略平面図である。今、図4に示すように、ウエハ1の被研磨面の領域を、中心側の領域1a、周辺側の領域1c及び領域1a,1c間の中間の領域1bの、3つに分けて、考える。なお、図5では、符号1a,1b,1cは省略している。
【0054】
ウエハ1の中心側の領域1aを他の領域1b,1cに対して優先的に研磨する場合には、制御部50は、前述した加圧機構を兼ねる上下動のための直線駆動機構を制御してパッド取り付け部13を下降させることにより、周辺側の研磨パッド16とウエハ1との間に荷重をかける。同時に、制御部50は、開閉弁33を閉じるとともに開閉弁35を開いてパッド取り付け部14を上昇させ、中間の研磨パッド17とウエハ1との間に荷重をかけない。更に同時に、制御部50は、開閉弁34を閉じるとともに開閉弁36を開いてパッド取り付け部15を上昇させ、中心側の研磨パッド18とウエハ1との間に荷重をかけない。これにより、図5(a)に示す状態となる。このとき、制御部50は、研磨ヘッド11の矢印Dで示す方向の揺動の中心を図5(a)に示す位置に設定し、その揺動の幅を領域1aに応じて設定する。以上の動作により、図5(a)からもわかるように、ウエハ1の中心側の領域1aの研磨速度が他の領域1b,1cの研磨速度に比べて速くなり、領域1aが領域1b,1cに対して優先的に研磨される。
【0055】
ウエハ1の中間の領域1bを他の領域1a,1cに対して優先的に研磨する場合には、制御部50は、前述した加圧機構を兼ねる上下動のための直線駆動機構を制御して、周辺側の研磨パッド16とウエハ1との間に所定の隙間があく位置にパッド取り付け部13を上昇させることにより、周辺側の研磨パッド16とウエハ1との間に荷重をかけない。同時に、制御部50は、開閉弁33を開くとともに開閉弁35を閉じてパッド取り付け部14を下降させ、中間の研磨パッド17とウエハ1との間に荷重をかける。更に同時に、制御部50は、開閉弁34を閉じるとともに開閉弁36を開いてパッド取り付け部15を上昇させ、中心側の研磨パッド18とウエハ1との間に荷重をかけない。これにより、図5(b)に示す状態となる。このとき、制御部50は、研磨ヘッド11の矢印Dで示す方向の揺動の中心を図5(b)に示す位置に設定し、その揺動の幅を領域1bに応じて設定する。以上の動作により、図5(b)からもわかるように、ウエハ1の中間の領域1bが領域1a,1cに対して優先的に研磨される。
【0056】
ウエハ1の周辺側の領域1cを他の領域1a,1bに対して優先的に研磨する場合には、制御部50は、前述した加圧機構を兼ねる上下動のための直線駆動機構を制御して、周辺側の研磨パッド16とウエハ1との間に所定の隙間があく位置にパッド取り付け部13を上昇させることにより、周辺側の研磨パッド16とウエハ1との間に荷重をかけない。同時に、制御部50は、開閉弁33を閉じるとともに開閉弁35を開いてパッド取り付け部14を上昇させ、中間の研磨パッド17とウエハ1との間に荷重をかけない。更に同時に、制御部50は、開閉弁34を開くとともに開閉弁36を閉じてパッド取り付け部15を下降させ、中心側の研磨パッド18とウエハ1との間に荷重をかける。これにより、図5(c)に示す状態となる。このとき、制御部50は、研磨ヘッド11の矢印Dで示す方向の揺動の中心を図5(c)に示す位置に設定し、その揺動の幅を領域1cに応じて設定する。以上の動作により、図5(c)からもわかるように、ウエハ1の周辺側の領域1cが領域1a,1bに対して優先的に研磨される。
【0057】
また、詳細な説明は省略するが、パッド取り付け部13の上昇・下降及び開閉弁33〜36の開閉を適宜制御することにより、研磨パッド16,17,18のうちの任意の2つ研磨パッドとウエハ1との間に荷重をかけるとともに、残りの1つの研磨パッドとウエハ1との間に荷重をかけないことも可能である。これにより、ウエハ1の領域1a,1b,1cのうちの任意の2つの領域を残りの1つの領域に対して優先的に研磨することができる。
【0058】
以上の説明では、ウエハ1の被研磨面を3つの領域1a,1b,1cに分けて考えたが、研磨パッド10の揺動中心の位置の設定及び揺動幅の設定と前述した荷重制御とを適宜に組み合わせることにより、ウエハ1の被研磨面の適宜の部分的な領域を他の領域に対して優先的に研磨することができる。
【0059】
ウエハ1の被研磨面を全体的に研磨する場合には、例えば、制御部50は、パッド取り付け部13を下降させ、開閉弁33,34を開くとともに開閉弁35,36を閉じてパッド取り付け部14,15を下降させ、全ての研磨パッド16,17,18とウエハ1との間に荷重をかける。これにより、ウエハ1の被研磨面を効率良く全体的に研磨することができる。
【0060】
実際には、制御部50は、ウエハ1の表面の膜厚分布に応じて、前述した部分的な領域の優先的な研磨と全体的な研磨とを組み合わせるように、制御する。例えば、まず、前述したような荷重制御によりウエハ1の表面の膜厚が厚い領域を優先的に研磨し、ウエハ1の表面の膜厚を均一にする。これにより、例えば、図7中の破線100で示す位置までウエハ1が研磨される。その後、制御部50は、前述した全体的な研磨を行う荷重制御により、ウエハ1の被研磨面の全体的な研磨を行う。このような2段階研磨を行うことにより、例えば、半導体デバイスの表面の金属膜の研磨によるダマシン(damascene)の形成の際などに、エロージョンやディシングを低減することができる。
【0061】
本実施の形態によれば、前述したように、ウエハ1の一部の領域を他の領域に対して優先的に研磨することができる。そして、図5からわかるように、いずれの領域を優先的に研磨する場合にも、荷重をかけた研磨パッドとウエハとの間に大きな相対速度が得られるため、比較的高速に研磨することができる。したがって、ウエハ表面の膜厚ムラに拘わらずにウエハ表面を均一に平坦化することができる。
【0062】
また、本実施の形態によれば、前述したように、ウエハ1側から見た研磨パッド16,17,18の研磨面の全体的な分布領域の径(研磨パッド16の外径)が、ウエハ1の径より若干小さくなっているので、従来の小径パッド方式と同様に、フットプリントが小さく、装置の小型化が可能である。のみならず、本実施の形態によれば、図5からわかるように、ウエハ1のいずれの領域1a,1b,1cを優先的に研磨する場合であっても、研磨ヘッド11の揺動中心はほとんど変えなくてすむ。したがって、前述した図10に示すような方式に比べて、装置を小型化することができる。
【0063】
さらに、本実施の形態によれば、ウエハ1の全領域を所望の量まで研磨しようとする場合、全ての研磨パッド16,17,18とウエハ1との間に荷重をかけて、研磨パッドとウエハ1との接触面積を広くすることができるので、効率良く研磨することができ、研磨時間を短縮することができる。
【0064】
このように、本実施の形態によれば、ウエハ1の表面の膜厚ムラなどのウエハ1の被研磨面の初期的なグローバルな凹凸に拘わらずに、ウエハ1の被研磨面の表面を均一に平坦化することができるとともに、効率良く短時間に被研磨面を所望の量まで研磨することができ、しかも装置の小型化を図ることができる。
【0065】
また、本発明では、複数のパッド取り付け部をそれぞれ独立して回転駆動できるように構成することも可能であるが、本実施の形態では、前述したようにパッド取り付け部13,14,15が共回りするように係合されているので、構造がが簡単となりコストダウンを図ることができる。
【0066】
本実施の形態による研磨装置は、例えば、次のように変形することができる。第1の変形例として、研磨パッド16を取り除き、パッド取り付け部13を単に研磨ヘッド本体としてのみ用いてもよい。第2の変形例として、パッド取り付け部15及び研磨パッド18を取り除いてもよい。第3の変形例として、前述した第1の実施の形態は流体として空気を用いた例であったが、空気に代えて水やその他の任意の流体を用いてもよい。
【0067】
また、本実施の形態の同心状のパッド取り付け面として略同心円状のものを示したが、同心状であれさえすれば、対称軸を持たない形状でも良い。より好ましい形状は、同心状でありかつ四角形などの多角形状等で2本以上の対称軸を持つ形状であり、最も好ましくは円板と円環形状から構成される同心円状のものである。
【0068】
[第2の実施の形態]
【0069】
図6は、半導体デバイス製造プロセスを示すフローチャートである。半導体デバイス製造プロセスをスタートして、まずステップS200で、次に挙げるステップS201〜S204の中から適切な処理工程を選択する。選択に従って、ステップS201〜S204のいずれかに進む。
【0070】
ステップS201はシリコンウエハの表面を酸化させる酸化工程である。ステップS202はCVD等によりシリコンウエハ表面に絶縁膜を形成するCVD工程である。ステップS203はシリコンウエハ上に電極膜を蒸着等の工程で形成する電極形成工程である。ステップS204はシリコンウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込み工程である。
【0071】
CVD工程もしくは電極形成工程の後で、ステップS209に進み、CMP工程を行うかどうかを判断する。行わない場合はステップS206に進むが、行う場合はステップS205に進む。ステップS205はCMP工程であり、この工程では、本発明に係る研磨装置を用いて、層間絶縁膜の平坦化や、半導体デバイスの表面の金属膜の研磨によるダマシン(damascene)の形成等が行われる。
【0072】
CMP工程または酸化工程の後でステップS206に進む。ステップS206はフォトリソ工程である。フォトリソ工程では、シリコンウエハへのレジストの塗布、露光装置を用いた露光によるシリコンウエハへの回路パターンの焼き付け、露光したシリコンウエハの現像が行われる。さらに次のステップS207は、現像したレジスト像以外の部分をエッチングにより削り、その後レジスト剥離を行い、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くエッチング工程である。
【0073】
次にステップS208で必要な全工程が完了したかを判断し、完了していなければステップS200に戻り、先のステップを繰り返して、シリコンウエハ上に回路パターンが形成される。ステップS208で全工程が完了したと判断されればエンドとなる。
【0074】
本発明に係る半導体デバイス製造方法では、CMP工程において本発明に係る研磨装置を用いているため、CMP工程での歩留まりが向上し、従来の半導体デバイス製造方法に比べて低コストで半導体デバイスを製造することができるという効果がある。
【0075】
なお、前記の半導体デバイス製造プロセス以外の半導体デバイス製造プロセスのCMP工程に本発明に係る研磨装置を用いても良い。
【0076】
本発明に係る半導体デバイスは、本発明に係る半導体デバイス製造方法により製造される。これにより、従来の半導体デバイス製造方法に比べて低コストで半導体デバイスを製造することができ、半導体デバイスの製造原価を低下することができるという効果がある。
【0077】
以上、本発明の各実施の形態及び変形例について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
【0078】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ウエハ表面の膜厚ムラなどの被研磨物の被研磨面の初期的なグローバルな凹凸に拘わらずに、被研磨面の表面を均一に平坦化することができるとともに、効率良く短時間に被研磨面を所望の量まで研磨することができ、しかも装置の小型化を図ることができる、研磨装置及び研磨方法を提供することができる。
【0079】
また、本発明によれば、従来の半導体デバイス製造方法に比べて、歩留りが向上し低コストで半導体デバイスを製造することができる半導体デバイス製造方法、及び低コストの半導体デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態による研磨装置を示す概略構成図である。
【図2】図1中のA−A’線に沿った断面図である。
【図3】図1中のB−B’矢視図である。
【図4】ウエハの被研磨面の各領域を示す図である。
【図5】ウエハとの間に荷重がかけられている研磨パッドとウエハとの関係を模式的に示す概略平面図である。
【図6】半導体デバイス製造プロセスを示すフローチャートである。
【図7】表面に膜を形成したウエハの、直径に沿った断面を模式的に示す図である。
【図8】従来の大径パッド方式による研磨中のウエハと研磨パッドとの関係を模式的に示す概略平面図である。
【図9】従来の小径パッド方式による研磨中のウエハと研磨パッドとの関係を模式的に示す概略平面図である。
【図10】他の方式による研磨中のウエハと研磨パッドとの関係を模式的に示す概略平面図である。
【符号の説明】
1 プロセスウエハ
2 膜
11 研磨ヘッド
12 ウエハホルダ
13,14,15 パッド取り付け部
16,17,18 研磨パッド
26,28 空気室
33〜36 電磁開閉弁
37 コンプレッサ
38 真空ポンプ
50 制御部
Claims (12)
- 複数の研磨パッドのうちの少なくとも1つの研磨パッドの研磨面と、被研磨物との間に、荷重を加えつつ、前記少なくとも1つの研磨パッドと前記被研磨物とを相対移動させることにより、前記被研磨物を研磨する研磨装置であって、
互いに相対的に所定軸線方向に移動可能に設けられ、前記所定軸線方向の前記被研磨物側に各パッド取り付け面を有する複数のパッド取り付け部と、
前記複数の研磨パッドと前記被研磨物との間の荷重状態を設定する荷重設定部と、
前記荷重設定部を制御する制御部と、
を備え、
前記各パッド取り付け部の前記各パッド取り付け面は、前記被研磨物側から見たとき、互いに重なることなく前記所定軸線方向に略平行な中心軸線に対して同心状の領域を形成し、
前記各パッド取り付け部の前記各パッド取り付け面には、前記複数の研磨パッドのうちの1つ以上の研磨パッドがそれぞれ取り付けられ、
前記被研磨物側から見た前記複数の研磨パッドの研磨面の全体的な大きさが、前記被研磨物の被研磨面の大きさと略々同じかあるいはそれより小さく、
前記荷重設定部は、前記複数のパッド取り付け部の各々に取り付けられた各研磨パッドと前記被研磨物との間の各荷重状態を、各研磨パッド間で独立して、設定し、
前記制御部は、前記被研磨物の被研磨面の一部の領域を他の領域に対して優先的に研磨する場合に、前記複数のパッド取り付け部のうちの少なくとも1つのパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が加わった状態となるとともに、前記複数のパッド取り付け部のうちの他の少なくとも1つのパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が加わらない状態となるように、前記荷重設定部を制御することを特徴とする研磨装置。 - 前記複数のパッド取り付け部を前記中心軸線の回りに回転駆動する第1の駆動機構と、前記被研磨物を保持する保持部と、該保持部を前記中心軸線と略平行な軸線の回りに回転駆動する第2の駆動機構と、を備えたことを特徴とする請求項1記載の研磨装置。
- 前記複数のパッド取り付け部を前記中心軸線と略直交する方向へ往復駆動する第3の駆動機構であって、前記第1及び第2の駆動機構とは独立した第3の駆動機構を、備えたことを特徴とする請求項2記載の研磨装置。
- 前記複数のパッド取り付け部の互いに対向する面にキーとキー溝が設けられ、前記複数のパッド取り付け部が前記中心軸線の回りに共回りするように、前記キーと前記キー溝が互いに係合されたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の研磨装置。
- 前記荷重設定部は、(a)前記複数のパッド取り付け部のうちの、互いに隣り合う前記パッド取り付け面を有する少なくとも一対のパッド取り付け部の間に、形成された流体室と、(b)前記流体室に連通した流体路と、(c)前記流体路を介して流体を出入りさせることにより前記流体室内を負圧にした第1の状態及び前記流体路を介して前記流体室内を正圧にした第2の状態のいずれかに設定し得る流体室設定部とを、含み、
前記流体室は、前記第1の状態の時に前記一対のパッド取り付け部のうちの一方が他方に対して前記中心軸線方向の前記被研磨物と反対側へ移動するとともに、前記第2の状態の時に前記一対のパッド取り付け部のうちの前記一方が前記他方に対して前記中心軸線方向の前記被研磨物側へ移動するように、形成されたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の研磨装置。 - 前記制御部は、前記被研磨物の被研磨面の中心側の領域を他の領域に対して優先的に研磨する場合に、前記複数のパッド取り付け部のうちの、周辺側に位置するパッド取り付け面を有するパッド取り付け部に、取り付けられた前記研磨パッドと、前記被研磨物との間に、荷重が加わった状態となるとともに、前記複数のパッド取り付け部のうちの他のパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が加わらない状態となるように、前記荷重設定部を制御することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の研磨装置。
- 前記制御部は、前記被研磨物の被研磨面の周辺側の領域を他の領域に対して優先的に研磨する場合に、前記複数のパッド取り付け部のうちの、前記中心軸線側に位置するパッド取り付け面を有するパッド取り付け部に、取り付けられた前記研磨パッドと、前記被研磨物との間に、荷重が加わった状態となるとともに、前記複数のパッド取り付け部のうちの他のパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が加わらない状態となるように、前記荷重設定部を制御することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに研磨装置。
- 複数の研磨パッドのうちの少なくとも1つの研磨パッドの研磨面と、被研磨物との間に、荷重を加えつつ、前記少なくとも1つの研磨パッドと前記被研磨物とを相対移動させることにより、前記被研磨物を研磨する研磨装置であって、互いに相対的に所定軸線方向に移動可能に設けられ、前記所定軸線方向の前記被研磨物側に各パッド取り付け面を有する複数のパッド取り付け部と、前記複数の研磨パッドと前記被研磨物との間の荷重状態を設定する荷重設定部と、を備え、前記各パッド取り付け部の前記各パッド取り付け面は、前記被研磨物側から見たとき、互いに重なることなく前記所定軸線方向に略平行な中心軸線に対して同心状の領域を形成し、前記各パッド取り付け部の前記各パッド取り付け面には、前記複数の研磨パッドのうちの1つ以上の研磨パッドがそれぞれ取り付けられ、前記被研磨物側から見た前記複数の研磨パッドの研磨面の全体的な大きさが、前記被研磨物の被研磨面の大きさと略々同じかあるいはそれより小さく、前記荷重設定部は、前記複数のパッド取り付け部の各々に取り付けられた各研磨パッドと前記被研磨物との間の各荷重状態を、各研磨パッド間で独立して、設定する研磨装置を用いて、前記被研磨物を研磨する研磨方法であって、
前記複数のパッド取り付け部のうちの少なくとも1つのパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が加わった状態となるとともに、前記複数のパッド取り付け部のうちの他の少なくとも1つのパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が加わらない状態となるように、前記荷重設定部を制御して、前記被研磨物の被研磨面の一部の領域を他の領域に対して優先的に研磨する優先研磨段階を、備えたことを特徴とする研磨方法。 - 前記優先研磨段階は、前記複数のパッド取り付け部のうちの、周辺側に位置するパッド取り付け面を有するパッド取り付け部に、取り付けられた前記研磨パッドと、前記被研磨物との間に、荷重が加わった状態となるとともに、前記複数のパッド取り付け部のうちの他のパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が加わらない状態となるように、前記荷重設定部を制御して、前記被研磨物の被研磨面の中心側の領域を他の領域に対して優先的に研磨する段階を、含むことを特徴とする請求項8記載の研磨方法。
- 前記優先研磨段階は、前記複数のパッド取り付け部のうちの、前記中心軸線側に位置するパッド取り付け面を有するパッド取り付け部に、取り付けられた前記研磨パッドと、前記被研磨物との間に、荷重が加わった状態となるとともに、前記複数のパッド取り付け部のうちの他のパッド取り付け部に取り付けられた前記研磨パッドと前記被研磨物との間に、荷重が加わらない状態となるように、前記荷重設定部を制御して、前記被研磨物の被研磨面の周辺側の領域を他の領域に対して優先的に研磨する段階を、含むことを特徴とする請求項8記載の研磨方法。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載の研磨装置を用いて半導体ウエハの表面を平坦化する工程を有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
- 請求項11記載の半導体デバイス製造方法により製造されることを特徴とする半導体デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001338353A JP3965969B2 (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | 研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001338353A JP3965969B2 (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | 研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003136395A JP2003136395A (ja) | 2003-05-14 |
JP3965969B2 true JP3965969B2 (ja) | 2007-08-29 |
Family
ID=19152861
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001338353A Expired - Lifetime JP3965969B2 (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | 研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3965969B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4862404B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2012-01-25 | 旭硝子株式会社 | Fpd用ガラス基板の研磨方法及びその装置 |
JP2021045806A (ja) * | 2019-09-17 | 2021-03-25 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0757464B2 (ja) * | 1988-01-29 | 1995-06-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 基板上の薄膜の研磨方法 |
JPH0757465B2 (ja) * | 1988-05-31 | 1995-06-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 薄膜の研磨方法及び装置 |
JPH08257901A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-10-08 | Ebara Corp | トップリング装置 |
JPH09115862A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-05-02 | Hitachi Ltd | 研磨工具と、それを用いた研磨方法および研磨装置 |
JP3027551B2 (ja) * | 1997-07-03 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置ならびに該基板保持装置を用いた研磨方法および研磨装置 |
JP3472451B2 (ja) * | 1997-09-10 | 2003-12-02 | 東芝機械株式会社 | 平面研磨装置 |
JP2000167765A (ja) * | 1998-12-02 | 2000-06-20 | Toshiba Mach Co Ltd | ポリッシングヘッドおよびポリッシング装置 |
JP3047902B1 (ja) * | 1999-01-25 | 2000-06-05 | 日本電気株式会社 | 研磨装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2000246619A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-09-12 | Nikon Corp | 加工工具および加工方法 |
-
2001
- 2001-11-02 JP JP2001338353A patent/JP3965969B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003136395A (ja) | 2003-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI386989B (zh) | 研磨裝置及研磨方法 | |
KR101000420B1 (ko) | 가압 시트 | |
US8382554B2 (en) | Substrate polishing apparatus and method of polishing substrate using the same | |
US6135858A (en) | Substrate holding device and polishing method and polishing apparatus using the same | |
JP4762647B2 (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
JP4757580B2 (ja) | 研磨方法及び研磨装置、並びに研磨装置制御用プログラム | |
JP2009233849A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
JP2007152498A (ja) | 研磨装置、研磨方法、この研磨方法を用いた半導体デバイスの製造方法及びこの半導体デバイスの製造方法により製造された半導体デバイス | |
JP4107835B2 (ja) | 基板保持装置及びポリッシング装置 | |
US6136138A (en) | Method and apparatus for chemical mechanical polishing of a semiconductor wafer | |
JP3965969B2 (ja) | 研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 | |
US6147001A (en) | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device | |
JP2006015457A (ja) | 吸着装置、研磨装置、半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス | |
JPH0911117A (ja) | 平坦化方法及び平坦化装置 | |
JP4049579B2 (ja) | 基板保持装置及びポリッシング装置 | |
JP2007258467A (ja) | 吸着装置、研磨装置、半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス | |
JP2002217141A (ja) | 研磨方法、研磨装置、半導体デバイス製造方法、及び半導体デバイス | |
JP2008294093A (ja) | 研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 | |
TW202013488A (zh) | 在晶圓上執行化學機械研磨之方法以及系統 | |
JP2003086549A (ja) | 研磨工具、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 | |
JP2004327774A (ja) | 研磨装置、これを用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス | |
JP3902715B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
JP2008188767A (ja) | 基板保持装置 | |
JP2008066761A (ja) | 基板保持装置 | |
JP2007242658A (ja) | 研磨装置、これを用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040709 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060711 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060906 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070116 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070314 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070508 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070521 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3965969 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100608 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130608 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130608 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130608 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |