JPH11277410A

JPH11277410A - 研磨装置

Info

Publication number: JPH11277410A
Application number: JP10033098A
Authority: JP
Inventors: Yukio Kuroda; 幸夫黒田; Keiichi Tanaka; 恵一田中
Original assignee: Mitsubishi Materials Silicon Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority date: 1998-03-27
Filing date: 1998-03-27
Publication date: 1999-10-12

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体ウェーハ表面をより高平坦度にする
研磨装置を提供する。【解決手段】シリコンウェーハ１４表面の研磨時に
は、研磨液を供給しながら、研磨ヘッド１２を、上面に
研磨布１３が展張された研磨定盤１１上で自転および公
転させて、シリコンウェーハ１４の研磨面を研磨布１３
により表面研磨する。この際、研磨布１３の表面温度を
略均一化するので、この研磨布１３の表面とシリコンウ
ェーハ１４との摺接面において反応速度（研磨速度）が
均一となり、これにより研磨液の研磨砥粒による研磨が
シリコンウェーハ１４の全面において略均一となって、
研磨後のシリコンウェーハ１４表面をさらに高平坦度化
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は研磨装置、詳しく
は研磨中における研磨定盤に展張された研磨布表面の温
度分布を均一化して、研磨後の半導体ウェーハの平坦度
を良好にすることができる研磨装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ウェーハ外周部が面取りされた後、ウェ
ーハ表面がエッチング加工されたシリコンウェーハに
は、次のポリッシング工程で、ウェーハ表面に機械的化
学的研磨が施される。この工程では、研磨装置により、
ウェーハ表面が平滑で無歪の鏡面に仕上げられる。

【０００３】従来、研磨装置として、例えば上面に研磨
布が張設された研磨定盤と、研磨されるシリコンウェー
ハのガイドリングが下面に設けられた研磨ヘッドとを備
え、ガイドリングの内側に、保水性を有する例えば不織
布製のバックパッドを収納したものが知られている。研
磨時には、バックパッドに純水を供給し、その表面張力
により、シリコンウェーハを裏面側から保持する。シリ
コンウェーハは、研磨面がバックパッドの下縁より突出
するようにガイドリングに保持される。研磨砥粒を含む
研磨液（スラリー）を研磨面に供給しながら、研磨ヘッ
ドを研磨定盤上で自転および公転させ、シリコンウェー
ハの研磨面を研磨布により鏡面研磨する。シリコンウェ
ーハは、バックパッドに固定された状態で研磨ヘッドに
より駆動回転される。また、研磨液中には、通常、研磨
砥粒としての焼成シリカやコロイダルシリカ（シリカゾ
ル）の他、加工促進材としてのアミン、ヘイズ抑制材と
しての有機高分子などが含まれている。通常、微粒子で
ある研磨砥粒は、この研磨砥粒より粒径が大きな有機高
分子の粒子表面に付着して存在する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような研磨装置を
用いたシリコンウェーハの研磨（機械的化学的研磨）
は、研磨布とシリコンウェーハとの摺接面において、研
磨布とシリコンウェーハとの間に介在されるスラリーの
摩擦熱により促進される。従来の研磨装置では、研磨定
盤に対して一定の位置でウェーハの研磨を行っていたの
で、研磨布表面に所定の温度分布が発生していた。すな
わち、研磨定盤と一体的に回転する研磨布上では、その
シリコンウェーハとの摺接部分がドーナツ形状の軌跡を
形成する。しかも、この摺接部分は、研磨時の摩擦熱に
より、下方の研磨定盤の部分とともに高温化する。な
お、この高温部分には、研磨定盤の半径方向に沿って一
定の温度分布が形成されている。そして、この温度分布
は、例えばシリコンウェーハを研磨布上で移動させて
も、解消することはできない。以下、この温度分布につ
いて図７，図８を参照しながら説明する。

【０００５】図７は従来装置に係る研磨布の高温域およ
び低温域を示す平面図である。図８はその研磨布上の半
径方向の位置と温度との関係を示すグラフである。図７
に示すように、回転中の研磨定盤１００に展張された研
磨布１０１の表面には、研磨ヘッド１０３に装着された
シリコンウェーハ１０２が摺接することにより、ドーナ
ツ形状の高温域ａが形成される。しかも、このドーナツ
形状をした高温域ａの内縁部および外縁部は、その熱
が、それぞれ隣接する低温域ｂである研磨布１０１の中
心部分および外周部分に奪われて、その温度は内縁また
は外縁へ行くほど徐々に低下する（図８のグラフ参
照）。

【０００６】この温度差は、研磨砥粒がシリコンウェー
ハ１０２を研磨するときの研磨力に違いを来す。すなわ
ち、基本的に研磨（機械的化学的研磨）は、（ａ）研
磨砥粒による摩擦熱の発生、（ｂ）摩擦熱によるエッ
チングの促進、（ｃ）エッチングで生成された物質
（層）を研磨砥粒により強制的に除去する際の摩擦熱の
発生の繰り返しにより、進行する。したがって、シリコ
ンウェーハ１０２の研磨において、研磨量の差に大きな
影響を及ぼす要因として研磨布表面の温度が挙げられ
る。この温度が変化することで、研磨速度が変化する。
これがウェーハ面内で発生すれば、結果的に面内各位置
での研磨時の取り代（ウェーハ厚さ）がそれぞれ異な
り、シリコンウェーハ１０２の表面の平坦度が悪化す
る。

【０００７】そこで、発明者らは、研磨布の表面の温度
分布を均一化すれば、研磨液中のエッチングの作用が、
研磨布とシリコンウェーハとの摺接面の全域において略
一定化すること、また、この結果、シリコンウェーハの
研磨ムラの原因が取り除かれて、従来の研磨に比べてウ
ェーハ表面の平坦度が良くなることに着目し、この発明
を完成させた。

【０００８】

【発明の目的】そこで、この発明は、研磨中における研
磨定盤に展張された研磨布表面の温度分布を均一化し
て、半導体ウェーハ表面をより高平坦度化することがで
きる研磨装置を提供することを、その目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、研磨定盤に展張された研磨布に研磨液を供給し、こ
の研磨布を半導体ウェーハの表面に摺接させることによ
り、この半導体ウェーハ表面を研磨する研磨装置にあっ
て、研磨中、研磨布の表面温度を略均一とする温度均一
化手段を有する研磨装置である。研磨液としては、例え
ば焼成シリカやコロイダルシリカ（研磨砥粒）、アミン
（加工促進材）および有機高分子（ヘイズ抑制材）など
を混合したものが採用される。コロイダルシリカは、珪
酸微粒子が凝集しないで一次粒子のまま水中に分散した
透明もしくは不透明の乳白色のコロイド液の形で提供さ
れる。半導体ウェーハとしては、代表的なシリコンウェ
ーハ以外にも、例えばガリウムヒ素ウェーハ（ＧａＡｓ
ウェーハ）などの各種ウェーハを採用することができ
る。

【００１０】研磨布の表面温度を均一化するには、請求
項２に記載の発明のように、研磨布表面を加熱してもよ
い。または、請求項５に記載の発明のように、これを冷
却してもよい。また、これらの研磨布表面の加熱方法や
冷却方法は、限定されない。研磨布の表面温度の均一化
は、研磨定盤側からの温度調整でもよいし、研磨ヘッド
側からの温度調整でもよいし、さらには両者側からの温
度調整でもよい。研磨装置としては、接着剤としてのワ
ックスを用いて半導体ウェーハを研磨ヘッドに接着する
ワックス方式のものでもよいし、水を含んだバックパッ
ドにより半導体ウェーハを研磨ヘッドに保持するワック
スレスマウント方式のものでもよい。この研磨装置で
は、研磨定盤を下配置とし、研磨ヘッドを上配置とした
り、または、これとは上下を逆に配置してもよい。

【００１１】請求項２に記載の発明は、上記温度均一化
手段が、研磨布表面を加熱する加熱手段を有する請求項
１に記載の研磨装置である。研磨布表面を加熱する加熱
手段としては、例えばニクロム線や赤外線ランプなどを
用いた各種ヒータ、高温液体（水，スラリー）または高
温気体（空気など）を用いた熱交換装置など、その種類
は限定されない。また、研磨布表面の全域を均一に加熱
させてもよいし、前述した研磨布表面の高温域と低温域
とに温度差をつけてもよい。研磨布表面の好ましい加熱
温度は５０℃以下である。５０℃を超えると、研磨布お
よび研磨液の劣化が起きることがある。

【００１２】請求項３に記載の発明は、上記加熱手段
が、研磨布の上方に配設したランプである請求項２に記
載の研磨装置である。このランプとしては、例えばハロ
ゲンランプ、赤外線ランプなど、発熱量が大きいものが
好ましい。

【００１３】請求項４に記載の発明は、上記加熱手段
が、研磨定盤にヒータを内蔵させた請求項２に記載の研
磨装置である。なお、このヒータの種類は限定されな
い。

【００１４】請求項５に記載の発明は、上記温度均一化
手段が、研磨布表面を冷却する冷却手段を有する請求項
１に記載の研磨装置である。研磨布表面の冷却手段とし
ては、例えば水冷または空冷タイプのもの、フロンガス
などの冷媒ガスタイプのもの、および、研磨液（スラリ
ー）の供給量調整タイプのものなど、その種類は限定さ
れない。また、研磨布表面の全域を均一に冷却してもよ
いし、研磨布表面の高温域と低温域とに温度差をつけて
冷却してもよい。研磨布表面の好ましい冷却温度は、１
５〜２０℃である。これ以下であると、研磨が進行しに
くい。

【００１５】請求項６に記載の発明は、上記温度均一化
手段である冷却手段が、上記研磨定盤と、この研磨定盤
に対向して配設されて、半導体ウェーハを保持する研磨
ヘッドとにそれぞれ配設された請求項５に記載の研磨装
置である。研磨定盤側の冷却手段と、研磨ヘッド側の冷
却手段とは、それぞれ同じ種類の冷却手段でも、異なる
種類の冷却手段でもよい。

【００１６】請求項７に記載の発明は、上記冷却手段
が、研磨布表面に研磨液を供給するスラリーノズルを有
し、このスラリーノズルに複数の研磨液供給口を研磨定
盤の半径方向に沿って配設し、これらの研磨液供給口か
ら研磨液を供給することにより、研磨布の表面温度を面
内で均一化する請求項５または請求項６に記載の研磨装
置である。なお、スラリーノズルに配設された研磨液供
給口の個数は限定されない。

【００１７】請求項８に記載の発明は、研磨布が展張さ
れる研磨定盤と、この研磨定盤に対向して配設され、半
導体ウェーハを保持する研磨ヘッドとを備えた研磨装置
において、上記研磨ヘッドがウォータジャケットを有す
る研磨装置である。なお、ウォータジャケットの形状
や、研磨ヘッド内部における形成範囲は限定されない。

【００１８】請求項９に記載の発明は、研磨布が展張さ
れる研磨定盤と、この研磨定盤に対向して配設され、半
導体ウェーハを保持する研磨ヘッドとを備えた研磨装置
において、上記研磨ヘッドを研磨中に研磨定盤に対して
その半径方向に往復動させる往復動手段を有する研磨装
置である。往復動手段により往復動される研磨ヘッド
は、１個でも２個以上の複数個でもよい。なお、複数個
の場合、それぞれのヘッドを単独で往復動させてもよい
し、一体的に往復動させてもよい。

【００１９】

【作用】この発明の研磨装置によれば、半導体ウェーハ
表面の研磨時には、研磨液を供給しながら、上面に研磨
布が展張された研磨定盤上で、半導体ウェーハの研磨面
を研磨布により表面研磨する。この際、研磨布の表面温
度を略均一化するので、研磨中の研磨布表面と半導体ウ
ェーハとの摺接面において、ウェーハ中央部とウェーハ
外周部との研磨速度が略等しくなり、研磨量が半導体ウ
ェーハの全面において略均一となって、研磨後の半導体
ウェーハ表面をより高平坦度化することができる。

【００２０】特に、請求項２に記載の発明では、加熱手
段により研磨布表面を加熱してその表面温度を均一化す
る。また、請求項５に記載の発明では、冷却手段により
研磨布表面を冷却してその表面温度を均一化する。請求
項６に記載の発明では、研磨定盤側および研磨ヘッド側
の双方から冷却する。研磨布表面を加熱する場合には、
請求項３に記載の発明のように研磨布の上方に設けたラ
ンプの光熱により加熱したり、請求項４に記載の発明の
ように研磨定盤に内蔵されたヒータにより加熱してもよ
い。加熱することで研磨が促進され、加工速度（生産
性）が高まる。

【００２１】また、研磨布表面を冷却する場合、請求項
７に記載の発明のようにスラリーノズルの複数の研磨液
供給口から研磨定盤の半径方向へ研磨液を供給して研磨
布の表面温度を面内で均一化したり、請求項８に記載の
発明のようにウォータジャケットを用いて研磨ヘッドを
冷却して、研磨布の表面温度を面内で均一化する。

【００２２】そして、請求項９に記載の発明のように、
研磨時に、往復動手段によって研磨ヘッドを研磨定盤に
対してその半径方向に往復動させると、研磨布表面の広
範囲に半導体ウェーハが摺接され、これにより研磨時の
摩擦熱が研磨布の略全域に分散されて、研磨布の表面温
度がこの面内で均一化される。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。まず、図１，図２に基づき、この発
明の第１実施例に係る研磨装置を説明する。図１はこの
発明の第１実施例に係る研磨装置の正面図である。図２
は第１実施例に係る研磨装置の平面図である。

【００２４】図１，図２において、１０はこの発明の第
１実施例に係る研磨装置であり、この研磨装置１０は、
研磨定盤１１と、これに対向して上方に配設された研磨
ヘッド１２とを備えている。研磨定盤１１は、その上面
に厚地のスポンジゴムを介して研磨布１３が展張・接着
されている。研磨ヘッド１２の下面にはシリコンウェー
ハ１４の固定用のガイドリング１５が設けられている。
研磨定盤１１および研磨ヘッド１２はともに円板形をし
ており、対向する各表面は平坦面となっている。これら
の研磨定盤１１，研磨ヘッド１２は、それぞれ回転軸１
６，１７を介して、各軸線を中心に回転可能に構成され
ている。また、研磨ヘッド１２は、回転軸１７の昇降に
より上下動可能に構成されている。

【００２５】ガイドリング１５の内側には、バックパッ
ド２０が、その上面を研磨ヘッド１２の下面と接触させ
て保持されている。バックパッド２０は、不織布の一例
としてのスウェード製であって、直径は６インチのシリ
コンウェーハ１４より若干大きく形成されている。研磨
するシリコンウェーハ１４は、ＣＺウェーハであって、
その厚さが６２５μｍのシリコンウェーハである。研磨
定盤１１の片側上方には、研磨布１３の表面に研磨液を
供給するスラリーノズル１８（温度均一化手段としての
冷却手段）が、その軸線を研磨定盤１１の半径方向に延
ばして配設されている。このスラリーノズル１８には、
一定ピッチで複数の研磨液供給口１８ａが形成されてい
る。また、このスラリーノズル１８には、スラリーポン
プを内蔵する研磨液供給装置１９（温度均一化手段とし
ての冷却手段）が接続されている。研磨液供給装置１９
から圧送された研磨液は、スラリーノズル１８の各研磨
液供給口１８ａを通して、研磨定盤１１の表面に展張さ
れた研磨布１３上に、その半径方向に沿って所定流量で
供給される。

【００２６】次に、この研磨装置１０を用いた半導体ウ
ェーハの研磨方法を説明する。図１，図２に示すよう
に、シリコンウェーハ１４の表面研磨時には、ガイドリ
ング１５に保持されたバックパッド２０に純水を供給し
ておく。そして、シリコンウェーハ１４をガイドリング
１５内に収容する。このとき、ウェーハ研磨面がガイド
リング１５の下端面より所定高さだけ下方に位置するよ
うにセットする。このように、水の表面張力により、シ
リコンウェーハ１４がバックパッド２０に保持される。
その後、研磨液供給装置１９から研磨液をスラリーノズ
ル１８側へ圧送し、このスラリーノズル１８の各研磨液
供給口１８ａを通して、研磨定盤１１の表面に展張され
た研磨布１３上に、その半径方向に沿って研磨液を５
（リットル／分）の供給量で供給する。そして、この研
磨液の供給を行いながら、研磨ヘッド１２を研磨定盤１
１上で自転および公転させて、シリコンウェーハ１４の
研磨面を研磨布１３により表面研磨する。

【００２７】これにより、研磨布１３の表面温度が、図
８の一点鎖線ｘに示すように比較的低温度で略均一化す
る。この結果、研磨布１３の表面とシリコンウェーハ１
４との摺接面において、ウェーハ中央部とウェーハ外周
部との研磨速度が略等しくなり、これにより研磨砥粒に
よる研磨がシリコンウェーハ１４の全面において略均一
となって、シリコンウェーハ１４の研磨ムラの要因は、
遠心力によるウェーハ外周方向への研磨液の偏りだけに
止まり、よって従来の研磨に比較して、ウェーハの平坦
度を良好にすることができる。

【００２８】このように、スラリーノズル１８に、研磨
定盤１１の半径方向に沿った複数の研磨液供給口１８ａ
を配設するという簡単な構成を採用したので、比較的低
コストで、この研磨布１３の表面温度の均一化を図るこ
とができる。

【００２９】次に、図３に基づいて、この発明の第２実
施例に係る研磨装置を説明する。図３はこの発明の第２
実施例に係る研磨装置の一部断面図を含む要部拡大平面
図である。この第２実施例に係る研磨装置５０は、第１
実施例のようにスラリーノズル１８から研磨液を流して
研磨布１３の表面を冷却するのではなく、研磨ヘッド１
３にウォータジャケット５１（冷却水通路：温度均一化
手段としての冷却手段）を内蔵させ、このウォータジャ
ケット５１内に冷却水を流すことにより、研磨ヘッド１
２側から研磨布１３を均一に冷却しようとするものであ
る。

【００３０】このように、ウォータジャケット５１によ
り、研磨布１３のドーナツ形状をした高温域ａを研磨ヘ
ッド１３側から直接冷却することができるので、効果的
に研磨布１３の表面温度を均一化することができる。こ
の結果、シリコンウェーハ１４表面をより高平坦度に形
成することができる。また、ウォータジャケット５１を
採用したことで、上記バックパッド２０の場合ほどはな
いにしても、比較的安価な設備コストで研磨布１３の表
面温度の均一化を図ることができる。なお、このウォー
タジャケット５１と第１実施例のスラリーノズル１８と
を組み合わせて用いてもよい。その他の構成、作用効果
は、第１実施例と同様であるので説明を省略する。

【００３１】次に、図４に基づいて、この発明の第３実
施例に係る研磨装置を説明する。図４はこの発明の第３
実施例に係る研磨装置の正面図である。この第３実施例
に係る研磨装置３０は、第１，第２実施例のように研磨
布１３の表面を冷却して研磨布１３の表面温度の均一化
を図るのではなく、研磨布１３を加熱して同一の効果を
得ようとするものである。具体的には、研磨定盤１１の
片側上方に、研磨定盤１１の半径方向に沿った長尺なラ
ンプ取り付け部材３１を配置し、このランプ取り付け部
材３１に一定ピッチで多数個の赤外線ランプ３２（温度
均一化手段としての加熱手段）を配設する。なお、ここ
での赤外線ランプ３２のワット数は１０００Ｗである。
研磨定盤１１と一体に回転する研磨布１３に対して、研
磨定盤１１の半径方向に沿って整列された赤外線ランプ
３２から赤外線が照射されることにより、この研磨布１
３の表面温度が略均一に昇温される。その他の構成およ
び作用効果は、第１，第２実施例と同様であり、その説
明を省略する。

【００３２】次に、図５に基づいて、この発明の第４実
施例に係る研磨装置を説明する。図５はこの発明の第４
実施例に係る研磨装置の正面図である。この第４実施例
に係る研磨装置４０は、第３実施例のように、赤外線ラ
ンプ３２を用いて研磨定盤１１および研磨ヘッド１２の
上方から研磨布１３の表面を加熱するのではなく、上記
研磨定盤１１の内部にニクロム線（１０００Ｗ）を有す
るヒータ４１（温度均一化手段としての加熱手段）を設
けることにより、研磨布１３をその裏面側から加熱する
ものである。このヒータ４１のニクロム線は、研磨定盤
１１および研磨ヘッド１２の略全面に亘って配線されて
いる。このように、研磨定盤１１の全域に配線されたヒ
ータ４１によって、研磨布１３の全域を加熱するように
したので、その熱で研磨布１３の表面温度を略均一化す
ることができる（図８の二点鎖線ｙ参照）。その他の構
成、作用効果は、第３実施例と同様であるので説明を省
略する。

【００３３】次に、図６に基づいて、この発明の第５実
施例に係る研磨装置を説明する。図６はこの発明の第５
実施例に係る研磨装置の平面図である。この第５実施例
に係る研磨装置６０は、一対の研磨ヘッド１２同士が、
各回転軸１７の部分において、一対の軸受６１ａを有す
る連結部材６１を介して連結されたデュアルヘッドと称
する研磨装置である。この２連ヘッド式の研磨装置６０
は、図外の往復動手段により、研磨定盤１１の上方で一
対の研磨ヘッド１２を一体として矢印方向（定盤の半径
方向）へ往復動させることにより、研磨布１３の略全域
をシリコンウェーハ１４との摺動面とするものである。
このように、研磨布１３の略全域が摺動面となることに
より、この研磨布１３の表面温度を略均一化することが
できる。その他の構成、作用効果は、第３実施例と略同
様であるので説明を省略する。

【００３４】

【発明の効果】この発明の研磨装置によれば、半導体ウ
ェーハ表面の研磨時に研磨布の表面温度を略均一化する
ようにしたので、研磨布の表面と半導体ウェーハとの摺
接面において、ウェーハ中央部とウェーハ外周部との研
磨速度が略等しくなる。これにより研磨砥粒による研磨
が半導体ウェーハの全面において略均一となって、研磨
後の半導体ウェーハ表面をより高平坦度に形成すること
ができる。

【００３５】特に、請求項３に記載の発明のランプ，請
求項４に記載の発明の研磨定盤内蔵のヒータ，請求項７
に記載の発明のスラリーノズル，請求項８に記載の発明
のウォータジャケットのように構成すれば、比較的低コ
ストで半導体ウェーハ表面を高平坦度化することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例に係る研磨装置の正面図
である。

【図２】この発明の第１実施例に係る研磨装置の平面図
である。

【図３】この発明の第２実施例に係る研磨装置の一部断
面図を含む要部拡大平面図である。

【図４】この発明の第３実施例に係る研磨装置の正面図
である。

【図５】この発明の第４実施例に係る研磨装置の正面図
である。

【図６】この発明の第５実施例に係る研磨装置の平面図
である。

【図７】従来手段に係る研磨布の高温域および低温域を
示す平面図である。

【図８】研磨布上の半径方向の位置と温度との関係を示
すグラフである。

【符号の説明】

１０研磨装置、１１研磨定盤、１３研磨布、１４シリコンウェーハ（半導体ウェーハ）、１８スラリーノズル（温度均一化手段としての冷却手
段）、１８ａ研磨液供給口、１９研磨液供給装置（温度均一化手段としての冷却手
段）、２０バックパッド、３２赤外線ランプ（温度均一化手段としての加熱手
段）、４１ヒータ（温度均一化手段としての加熱手段）、５１ウォータジャケット（温度均一化手段としての冷
却手段）。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】研磨定盤に展張された研磨布に研磨液を
供給し、この研磨布を半導体ウェーハの表面に摺接させ
ることにより、この半導体ウェーハ表面を研磨する研磨
装置にあって、研磨中、研磨布の表面温度を略均一とする温度均一化手
段を有する研磨装置。
【請求項２】上記温度均一化手段は、研磨布表面を加
熱する加熱手段を有する請求項１に記載の研磨装置。
【請求項３】上記加熱手段は、研磨布の上方に配設し
たランプである請求項２に記載の研磨装置。
【請求項４】上記加熱手段は、研磨定盤にヒータを内
蔵させた請求項２に記載の研磨装置。
【請求項５】上記温度均一化手段は、研磨布表面を冷
却する冷却手段を有する請求項１に記載の研磨装置。
【請求項６】上記温度均一化手段である冷却手段は、
上記研磨定盤と、この研磨定盤に対向して配設されて、
半導体ウェーハを保持する研磨ヘッドとのそれぞれに配
設された請求項５に記載の研磨装置。
【請求項７】上記冷却手段は、研磨布表面に研磨液を
供給するスラリーノズルを有し、このスラリーノズルに
複数の研磨液供給口を研磨定盤の半径方向に沿って配設
し、これらの研磨液供給口から研磨液を供給することに
より、研磨布の表面温度を面内で均一化する請求項５ま
たは請求項６に記載の研磨装置。
【請求項８】研磨布が展張される研磨定盤と、この研磨定盤に対向して配設され、半導体ウェーハを保
持する研磨ヘッドとを備えた研磨装置において、上記研磨ヘッドがウォータジャケットを有する研磨装
置。
【請求項９】研磨布が展張される研磨定盤と、この研磨定盤に対向して配設され、半導体ウェーハを保
持する研磨ヘッドとを備えた研磨装置において、上記研磨ヘッドを研磨中に研磨定盤に対してその半径方
向に往復動させる往復動手段を有する研磨装置。