JPH11274351A - グリッドアレイ及びその製造方法 - Google Patents
グリッドアレイ及びその製造方法Info
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- JPH11274351A JPH11274351A JP7614098A JP7614098A JPH11274351A JP H11274351 A JPH11274351 A JP H11274351A JP 7614098 A JP7614098 A JP 7614098A JP 7614098 A JP7614098 A JP 7614098A JP H11274351 A JPH11274351 A JP H11274351A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 銅箔（ランド）と半田ボールの界面で発生す
る剥がれ及びずれのない、外部電極端子を有する信頼性
の高いグリッドアレイ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 グリッドアレイにおいて、半田ボール１
０が搭載されるランド１５の中央部を開孔し、このラン
ド１５下部に半田ペースト２０を印刷し、このランド１
５上部に半田ボール１０を搭載するようにした。
る剥がれ及びずれのない、外部電極端子を有する信頼性
の高いグリッドアレイ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 グリッドアレイにおいて、半田ボール１
０が搭載されるランド１５の中央部を開孔し、このラン
ド１５下部に半田ペースト２０を印刷し、このランド１
５上部に半田ボール１０を搭載するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＢＧＡ（テープ
・ボール・グリッド・アレイ）又はランド・グリッド・
アレイの構造及び製造方法に関するものである。
・ボール・グリッド・アレイ）又はランド・グリッド・
アレイの構造及び製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
以下に示すようなものがあった。図１０は従来のＴＢＧ
Ａの断面図である。この図において、１０１はＬＳＩチ
ップ、１０２はＬＳＩチップ１０１のアルミニウム電極
（図示なし）上に形成されたバンプ電極、１０３はポリ
イミド等のベースフィルム、１０４はパターン形成され
た銅箔（ランド）、１０５は銅箔（ランド）１０４を貼
り付けるための接着剤、１０６はＬＳＩチップ１０１上
の電極とテープ上の電極を電気的に接続するインナーリ
ード、１０７はＬＳＩチップ１０１表面を保護する樹
脂、１０８はテープを平坦化するためのスティフナー、
１０９はスティフナー１０８を貼り付ける接着剤、１１
０は外部電極パッドとして使用する半田ボールである。
以下に示すようなものがあった。図１０は従来のＴＢＧ
Ａの断面図である。この図において、１０１はＬＳＩチ
ップ、１０２はＬＳＩチップ１０１のアルミニウム電極
（図示なし）上に形成されたバンプ電極、１０３はポリ
イミド等のベースフィルム、１０４はパターン形成され
た銅箔（ランド）、１０５は銅箔（ランド）１０４を貼
り付けるための接着剤、１０６はＬＳＩチップ１０１上
の電極とテープ上の電極を電気的に接続するインナーリ
ード、１０７はＬＳＩチップ１０１表面を保護する樹
脂、１０８はテープを平坦化するためのスティフナー、
１０９はスティフナー１０８を貼り付ける接着剤、１１
０は外部電極パッドとして使用する半田ボールである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のＴＢＧＡの構造では、銅箔（ランド）１０４と
半田ボール１１０の密着強度が弱く、信頼性試験におい
て、銅箔（ランド）１０４と半田ボール１１０の界面
で、剥がれ及びずれが発生するという問題点があった。
た従来のＴＢＧＡの構造では、銅箔（ランド）１０４と
半田ボール１１０の密着強度が弱く、信頼性試験におい
て、銅箔（ランド）１０４と半田ボール１１０の界面
で、剥がれ及びずれが発生するという問題点があった。
【０００４】本発明は、上記問題点を除去し、銅箔（ラ
ンド）と半田ボールの界面で発生する剥がれ及びずれの
ない外部電極端子を有する信頼性の高いグリッドアレイ
及びその製造方法を提供することを目的とする。
ンド）と半田ボールの界面で発生する剥がれ及びずれの
ない外部電極端子を有する信頼性の高いグリッドアレイ
及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕グリッドアレイにおいて、半田ボールが搭載され
るランドの中央部を開孔し、このランド下部に半田ペー
ストを印刷し、前記ランド上部に半田ボールを搭載する
ようにしたものである。
成するために、 〔１〕グリッドアレイにおいて、半田ボールが搭載され
るランドの中央部を開孔し、このランド下部に半田ペー
ストを印刷し、前記ランド上部に半田ボールを搭載する
ようにしたものである。
【０００６】〔２〕グリッドアレイの製造方法におい
て、ベースフィルムに接着剤を塗布する工程と、デバイ
スホール・パーフォレーションホール・ボール搭載ホー
ルを開孔する工程と、銅箔を接着剤に貼り付ける工程
と、フォトリソ工程で銅箔のパターンを形成し、インナ
ーリードとランドを形成する工程と、ソルダーレジスト
を塗布し、前記インナーリードとランドにメッキ処理す
る工程と、ＩＣチップと前記インナーリードを接合する
工程と、前記ＩＣチップ表面に樹脂を塗布し、前記ボー
ル搭載ホールに半田ペーストを印刷する工程と、テープ
キャリアからテープ・ボール・グリッド・アレイを打ち
抜く工程と、スティフナーを接着剤でベースフィルムに
貼り付ける工程と、前記ランドに半田ボールを搭載し、
熱を加えて前記ランドと半田ボールを密着させる工程と
を施すようにしたものである。
て、ベースフィルムに接着剤を塗布する工程と、デバイ
スホール・パーフォレーションホール・ボール搭載ホー
ルを開孔する工程と、銅箔を接着剤に貼り付ける工程
と、フォトリソ工程で銅箔のパターンを形成し、インナ
ーリードとランドを形成する工程と、ソルダーレジスト
を塗布し、前記インナーリードとランドにメッキ処理す
る工程と、ＩＣチップと前記インナーリードを接合する
工程と、前記ＩＣチップ表面に樹脂を塗布し、前記ボー
ル搭載ホールに半田ペーストを印刷する工程と、テープ
キャリアからテープ・ボール・グリッド・アレイを打ち
抜く工程と、スティフナーを接着剤でベースフィルムに
貼り付ける工程と、前記ランドに半田ボールを搭載し、
熱を加えて前記ランドと半田ボールを密着させる工程と
を施すようにしたものである。
【０００７】〔３〕グリッドアレイにおいて、半田ボー
ルが搭載されるランドの中央部に凹部を形成し、このラ
ンドの凹部に半田ボールを搭載するようにしたものであ
る。 〔４〕グリッドアレイの製造方法において、ベースフィ
ルムに接着剤を塗布する工程と、デバイスホール・パー
フォレーションホール・ボール搭載ホールを開孔する工
程と、銅箔を接着剤に貼り付ける工程と、フォトリソ工
程で銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランド
を形成する工程と、ソルダーレジストを塗布し、前記イ
ンナーリードとランドにメッキ処理する工程と、ＩＣチ
ップと前記インナーリードを接合する工程と、前記ＩＣ
チップ表面に樹脂を塗布し、前記ボール搭載ホールに半
田ペーストを印刷する工程と、テープキャリアからグリ
ッドアレイを打ち抜くと同時に前記ランドを凹状に加工
する工程と、スティフナーを接着剤でベースフィルムに
貼り付ける工程と、前記凹状に加工されたランドに半田
ボールを搭載し、熱を加えて前記ランドと半田ボールを
密着させる工程とを施すようにしたものである。
ルが搭載されるランドの中央部に凹部を形成し、このラ
ンドの凹部に半田ボールを搭載するようにしたものであ
る。 〔４〕グリッドアレイの製造方法において、ベースフィ
ルムに接着剤を塗布する工程と、デバイスホール・パー
フォレーションホール・ボール搭載ホールを開孔する工
程と、銅箔を接着剤に貼り付ける工程と、フォトリソ工
程で銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランド
を形成する工程と、ソルダーレジストを塗布し、前記イ
ンナーリードとランドにメッキ処理する工程と、ＩＣチ
ップと前記インナーリードを接合する工程と、前記ＩＣ
チップ表面に樹脂を塗布し、前記ボール搭載ホールに半
田ペーストを印刷する工程と、テープキャリアからグリ
ッドアレイを打ち抜くと同時に前記ランドを凹状に加工
する工程と、スティフナーを接着剤でベースフィルムに
貼り付ける工程と、前記凹状に加工されたランドに半田
ボールを搭載し、熱を加えて前記ランドと半田ボールを
密着させる工程とを施すようにしたものである。
【０００８】〔５〕グリッド・アレイにおいて、ランド
の中央部に凸部を形成し、この凸部を外部電極端子とす
るようにしたものである。 〔６〕グリッドアレイの製造方法において、ベースフィ
ルムに接着剤を塗布する工程と、デバイスホール・パー
フォレーションホール・ランド形成ホールを開孔する工
程と、銅箔を接着剤に貼り付ける工程と、フォトリソ工
程で銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランド
を形成する工程と、ソルダーレジストを塗布し、前記イ
ンナーリードとランドにメッキ処理する工程と、ＩＣチ
ップと前記インナーリードを接合する工程と、前記ＩＣ
チップ表面に樹脂を塗布し、前記ランド形成ホールに半
田ペーストを印刷する工程と、グリッドアレイを逆さま
にしてテープキャリアからグリッドアレイを打ち抜くと
同時にランドを凹状に加工する工程と、グリッドアレイ
を元に戻してスティフナーを接着剤でベースフィルムに
貼り付ける工程と、前記凹状に加工されたランドを元に
戻して凸状に加工されたランドを外部電極端子とする工
程とを施すようにしたものである。
の中央部に凸部を形成し、この凸部を外部電極端子とす
るようにしたものである。 〔６〕グリッドアレイの製造方法において、ベースフィ
ルムに接着剤を塗布する工程と、デバイスホール・パー
フォレーションホール・ランド形成ホールを開孔する工
程と、銅箔を接着剤に貼り付ける工程と、フォトリソ工
程で銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランド
を形成する工程と、ソルダーレジストを塗布し、前記イ
ンナーリードとランドにメッキ処理する工程と、ＩＣチ
ップと前記インナーリードを接合する工程と、前記ＩＣ
チップ表面に樹脂を塗布し、前記ランド形成ホールに半
田ペーストを印刷する工程と、グリッドアレイを逆さま
にしてテープキャリアからグリッドアレイを打ち抜くと
同時にランドを凹状に加工する工程と、グリッドアレイ
を元に戻してスティフナーを接着剤でベースフィルムに
貼り付ける工程と、前記凹状に加工されたランドを元に
戻して凸状に加工されたランドを外部電極端子とする工
程とを施すようにしたものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１実施
例を示すＴＢＧＡの断面図である。この図において、１
はＬＳＩチップ、２はＬＳＩチップ１のアルミニウム電
極（図示なし）上に形成されたバンプ電極、３はポリイ
ミド等のベースフィルム、１５はパターン形成された銅
箔（ランド）であり、中央部が開孔している。
図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１実施
例を示すＴＢＧＡの断面図である。この図において、１
はＬＳＩチップ、２はＬＳＩチップ１のアルミニウム電
極（図示なし）上に形成されたバンプ電極、３はポリイ
ミド等のベースフィルム、１５はパターン形成された銅
箔（ランド）であり、中央部が開孔している。
【００１０】更に、５は銅箔を貼り付けるための接着
剤、６はＬＳＩチップ１上の電極とテープ上の電極を電
気的に接続するインナーリード、７はＬＳＩチップ１表
面を保護する樹脂、８はテープを平坦化するためのステ
ィフナー、９はスティフナー８を貼り付ける接着剤、２
０はスクリーン印刷した半田ペースト、１０は外部電極
パッドとして使用する半田ボールである。
剤、６はＬＳＩチップ１上の電極とテープ上の電極を電
気的に接続するインナーリード、７はＬＳＩチップ１表
面を保護する樹脂、８はテープを平坦化するためのステ
ィフナー、９はスティフナー８を貼り付ける接着剤、２
０はスクリーン印刷した半田ペースト、１０は外部電極
パッドとして使用する半田ボールである。
【００１１】図２は本発明の第１実施例を示すＴＢＧＡ
の製造工程断面図（その１）、図３はそのＴＢＧＡの製
造工程断面図（その２）である。 （１）まず、図２（ａ）に示すように、ポリイミド等の
ベースフィルム３に接着剤５を塗布する。 （２）次いで、図２（ｂ）に示すように、デバイスホー
ル１１、パーフォレーションホール１２、ボール搭載ホ
ール１３を金型等により開孔する。
の製造工程断面図（その１）、図３はそのＴＢＧＡの製
造工程断面図（その２）である。 （１）まず、図２（ａ）に示すように、ポリイミド等の
ベースフィルム３に接着剤５を塗布する。 （２）次いで、図２（ｂ）に示すように、デバイスホー
ル１１、パーフォレーションホール１２、ボール搭載ホ
ール１３を金型等により開孔する。
【００１２】（３）次に、図２（ｃ）に示すように、銅
箔１４を接着剤５に貼り合わせる。 （４）次に、図２（ｄ）に示すように、フォトレジスト
（図示なし）を塗布し、露光、現像、エッチングして銅
箔１４のパターンニングを行い、インナーリード６、及
び銅箔（ランド）１５等を形成する。 （５）次いで、図２（ｅ）に示すように、ソルダーレジ
スト１６を塗布し、その後、インナーリード６及び銅箔
（ランド）１５の表面にメッキ（錫、半田、金等）１７
を施す。
箔１４を接着剤５に貼り合わせる。 （４）次に、図２（ｄ）に示すように、フォトレジスト
（図示なし）を塗布し、露光、現像、エッチングして銅
箔１４のパターンニングを行い、インナーリード６、及
び銅箔（ランド）１５等を形成する。 （５）次いで、図２（ｅ）に示すように、ソルダーレジ
スト１６を塗布し、その後、インナーリード６及び銅箔
（ランド）１５の表面にメッキ（錫、半田、金等）１７
を施す。
【００１３】（６）次に、図２（ｆ）に示すように、Ｌ
ＳＩチップ１上のバンプ電極２とインナーリード６を位
置合わせし、インナーリード６をボンディングする。 （７）次に、図２（ｇ）に示すように、ＬＳＩチップ１
の表面に樹脂７を塗布する。ここで、１８はテープキャ
リアである。 （８）次に、図３（ａ）に示すように、ボール搭載ホー
ル１３に半田ペースト２０をスクリーン印刷法等で印刷
する。
ＳＩチップ１上のバンプ電極２とインナーリード６を位
置合わせし、インナーリード６をボンディングする。 （７）次に、図２（ｇ）に示すように、ＬＳＩチップ１
の表面に樹脂７を塗布する。ここで、１８はテープキャ
リアである。 （８）次に、図３（ａ）に示すように、ボール搭載ホー
ル１３に半田ペースト２０をスクリーン印刷法等で印刷
する。
【００１４】（９）次に、図３（ｂ）に示すように、必
要な部分をテープキャリア１８から打ち抜く。 （１０）次いで、図３（ｃ）に示すように、接着剤９を
用いてスティフナー８をベースフィルム３に貼り付け
る。 （１１）次いで、図３（ｄ）に示すように、銅箔（ラン
ド）１５に半田ボール１０を搭載する。
要な部分をテープキャリア１８から打ち抜く。 （１０）次いで、図３（ｃ）に示すように、接着剤９を
用いてスティフナー８をベースフィルム３に貼り付け
る。 （１１）次いで、図３（ｄ）に示すように、銅箔（ラン
ド）１５に半田ボール１０を搭載する。
【００１５】（１２）次に、図３（ｅ）に示すように、
ＴＢＧＡ全体に熱を加え、半田ボール１０と銅箔（ラン
ド）１５と半田ペースト２０を密着させる。このよう
に、第１実施例によれば、半田ペースト２０を印刷する
工程を一工程だけ増やすことにより、半田ボール１０を
搭載し、熱を加えて半田ボール１０と銅箔（ランド）１
５を密着させる際、半田ペースト２０も一緒に密着する
ため、銅箔（ランド）１５と半田ボール１０との密着強
度が大きくなり、半田ボール１０が銅箔（ランド）１５
の界面から剥がれる恐れがなくなる。
ＴＢＧＡ全体に熱を加え、半田ボール１０と銅箔（ラン
ド）１５と半田ペースト２０を密着させる。このよう
に、第１実施例によれば、半田ペースト２０を印刷する
工程を一工程だけ増やすことにより、半田ボール１０を
搭載し、熱を加えて半田ボール１０と銅箔（ランド）１
５を密着させる際、半田ペースト２０も一緒に密着する
ため、銅箔（ランド）１５と半田ボール１０との密着強
度が大きくなり、半田ボール１０が銅箔（ランド）１５
の界面から剥がれる恐れがなくなる。
【００１６】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図４は本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの断面図
である。なお、第１実施例と同様の部分については、同
一符号を付すことにする。この図において、１はＬＳＩ
チップ、２はＬＳＩチップ１のアルミニウム電極（図示
なし）上に形成されたバンプ電極、３はポリイミド等の
ベースフィルム、２１はパターン形成された銅箔（ラン
ド）であり、中央部が凹状に加工されている。５は銅箔
を貼り付けるための接着剤、６はＬＳＩチップ１上の電
極とテープ上の電極を電気的に接続するインナーリー
ド、７はＬＳＩチップ１表面を保護する樹脂、８はテー
プを平坦化するためのスティフナー、９はスティフナー
８を貼り付ける接着剤、１０は外部電極パッドとして使
用する半田ボールである。
る。図４は本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの断面図
である。なお、第１実施例と同様の部分については、同
一符号を付すことにする。この図において、１はＬＳＩ
チップ、２はＬＳＩチップ１のアルミニウム電極（図示
なし）上に形成されたバンプ電極、３はポリイミド等の
ベースフィルム、２１はパターン形成された銅箔（ラン
ド）であり、中央部が凹状に加工されている。５は銅箔
を貼り付けるための接着剤、６はＬＳＩチップ１上の電
極とテープ上の電極を電気的に接続するインナーリー
ド、７はＬＳＩチップ１表面を保護する樹脂、８はテー
プを平坦化するためのスティフナー、９はスティフナー
８を貼り付ける接着剤、１０は外部電極パッドとして使
用する半田ボールである。
【００１７】次に、本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡ
の製造方法について説明する。図５は本発明の第２実施
例を示すＴＢＧＡの製造工程断面図（その１）、図６は
そのＴＢＧＡの製造工程断面図（その２）である。 （１）まず、図５（ａ）に示すように、ポリイミド等の
ベースフィルム３に接着剤５を塗布する。
の製造方法について説明する。図５は本発明の第２実施
例を示すＴＢＧＡの製造工程断面図（その１）、図６は
そのＴＢＧＡの製造工程断面図（その２）である。 （１）まず、図５（ａ）に示すように、ポリイミド等の
ベースフィルム３に接着剤５を塗布する。
【００１８】（２）次いで、図５（ｂ）に示すように、
デバイスホール１１、パーフォレーションホール１２、
ボール搭載ホール１３を金型等により開孔する。 （３）次に、図５（ｃ）に示すように、銅箔１４を接着
剤５に貼り合わせる。 （４）次に、図５（ｄ）に示すように、フォトレジスト
（図示なし）を塗布し、露光、現像、エッチングして銅
箔１４のパターンニングを行い、インナーリード６、及
び銅箔（ランド）２１を形成する。
デバイスホール１１、パーフォレーションホール１２、
ボール搭載ホール１３を金型等により開孔する。 （３）次に、図５（ｃ）に示すように、銅箔１４を接着
剤５に貼り合わせる。 （４）次に、図５（ｄ）に示すように、フォトレジスト
（図示なし）を塗布し、露光、現像、エッチングして銅
箔１４のパターンニングを行い、インナーリード６、及
び銅箔（ランド）２１を形成する。
【００１９】（５）次いで、図５（ｅ）に示すように、
ソルダーレジスト１６を塗布し、その後、インナーリー
ド６及び銅箔（ランド）２１の表面にメッキ（錫、半
田、金等）１７を施す。 （６）次に、図５（ｆ）に示すように、ＬＳＩチップ１
上のバンプ電極２とインナーリード６を位置合わせし、
インナーリード６をボンディングする。
ソルダーレジスト１６を塗布し、その後、インナーリー
ド６及び銅箔（ランド）２１の表面にメッキ（錫、半
田、金等）１７を施す。 （６）次に、図５（ｆ）に示すように、ＬＳＩチップ１
上のバンプ電極２とインナーリード６を位置合わせし、
インナーリード６をボンディングする。
【００２０】（７）次に、図５（ｇ）に示すように、Ｌ
ＳＩチップ１の表面に樹脂７を塗布する。ここで、１８
はテープキャリアである。 （８）次に、図６（ａ）に示すように、図５（ｇ）に示
すＴＢＧＡを下金型３１と上金型３２で挟み、その上金
型３２内を上下動可能であり、銅箔（ランド）２１の中
央部に凹状を加工する、突起３４を有するパンチ３３を
配置する。
ＳＩチップ１の表面に樹脂７を塗布する。ここで、１８
はテープキャリアである。 （８）次に、図６（ａ）に示すように、図５（ｇ）に示
すＴＢＧＡを下金型３１と上金型３２で挟み、その上金
型３２内を上下動可能であり、銅箔（ランド）２１の中
央部に凹状を加工する、突起３４を有するパンチ３３を
配置する。
【００２１】（９）次に、図６（ｂ）に示すように、必
要な部分をテープキャリア１８から打ち抜く際に、銅箔
（ランド）２１に凹状の加工を施す。 （１０）次いで、図６（ｃ）に示すように、接着剤９を
用いてスティフナー８をベースフィルム３に貼り付け
る。 （１１）次に、図６（ｄ）に示すように、銅箔（ラン
ド）２１に半田ボール１０を搭載し、ＴＢＧＡ全体に熱
を加え半田ボール１０と銅箔（ランド）２１とを密着さ
せる。
要な部分をテープキャリア１８から打ち抜く際に、銅箔
（ランド）２１に凹状の加工を施す。 （１０）次いで、図６（ｃ）に示すように、接着剤９を
用いてスティフナー８をベースフィルム３に貼り付け
る。 （１１）次に、図６（ｄ）に示すように、銅箔（ラン
ド）２１に半田ボール１０を搭載し、ＴＢＧＡ全体に熱
を加え半田ボール１０と銅箔（ランド）２１とを密着さ
せる。
【００２２】このように、第２実施例によれば、工程数
を増やすこと無く、銅箔（ランド）２１に凹状の加工を
施すことができ、半田ボール１０を搭載する際に半田ボ
ール１０が左右方向へずれる恐れがなくなる。次に、本
発明の第３実施例について説明する。図７は本発明の第
３実施例を示すグリットアレイの断面図である。なお、
第１実施例と同様の部分については、同一符号を付すこ
とにする。
を増やすこと無く、銅箔（ランド）２１に凹状の加工を
施すことができ、半田ボール１０を搭載する際に半田ボ
ール１０が左右方向へずれる恐れがなくなる。次に、本
発明の第３実施例について説明する。図７は本発明の第
３実施例を示すグリットアレイの断面図である。なお、
第１実施例と同様の部分については、同一符号を付すこ
とにする。
【００２３】この図に示すように、１はＬＳＩチップ、
２はＬＳＩチップ１のアルミニウム電極（図示なし）上
に形成されたバンプ電極、３はポリイミド等のベースフ
ィルム、２２はパターン形成された銅箔（ランド）であ
り、中央部が凸状に加工されている。５は銅箔を貼り付
けるための接着剤、６はＬＳＩチップ１上の電極とテー
プ上の電極を電気的に接続するインナーリード、７はＬ
ＳＩチップ１表面を保護する樹脂、８はテープを平坦化
するためのスティフナー、９はスティフナー８を貼り付
ける接着剤、２３は銅箔（ランド）２２の表面に施され
た半田メッキまたは錫メッキである。
２はＬＳＩチップ１のアルミニウム電極（図示なし）上
に形成されたバンプ電極、３はポリイミド等のベースフ
ィルム、２２はパターン形成された銅箔（ランド）であ
り、中央部が凸状に加工されている。５は銅箔を貼り付
けるための接着剤、６はＬＳＩチップ１上の電極とテー
プ上の電極を電気的に接続するインナーリード、７はＬ
ＳＩチップ１表面を保護する樹脂、８はテープを平坦化
するためのスティフナー、９はスティフナー８を貼り付
ける接着剤、２３は銅箔（ランド）２２の表面に施され
た半田メッキまたは錫メッキである。
【００２４】次に、本発明の第３実施例を示すグリッド
アレイの製造方法について説明する。図８は本発明の第
３実施例を示すグリッドアレイの製造工程断面図（その
１）、図９はそのグリッドアレイの製造工程断面図（そ
の２）である。 （１）まず、図８（ａ）に示すように、ポリイミド等の
ベースフィルム３に接着剤５を塗布する。
アレイの製造方法について説明する。図８は本発明の第
３実施例を示すグリッドアレイの製造工程断面図（その
１）、図９はそのグリッドアレイの製造工程断面図（そ
の２）である。 （１）まず、図８（ａ）に示すように、ポリイミド等の
ベースフィルム３に接着剤５を塗布する。
【００２５】（２）次いで、図８（ｂ）に示すように、
デバイスホール１１、パーフォレーションホール１２、
ランド形成ホール５１を金型等により開孔する。 （３）次に、図８（ｃ）に示すように、銅箔１４を接着
剤５に貼り合わせる。 （４）次に、図８（ｄ）に示すように、フォトレジスト
（図示なし）を塗布し、露光、現像、エッチングして銅
箔１４のパターンニングを行い、インナーリード６、及
び銅箔（ランド）２２等を形成する。
デバイスホール１１、パーフォレーションホール１２、
ランド形成ホール５１を金型等により開孔する。 （３）次に、図８（ｃ）に示すように、銅箔１４を接着
剤５に貼り合わせる。 （４）次に、図８（ｄ）に示すように、フォトレジスト
（図示なし）を塗布し、露光、現像、エッチングして銅
箔１４のパターンニングを行い、インナーリード６、及
び銅箔（ランド）２２等を形成する。
【００２６】（５）次いで、図８（ｅ）に示すように、
ソルダーレジスト１６を塗布し、その後、インナーリー
ド６及び銅箔（ランド）２２の表面にメッキ（錫、半
田、金等）１７を施す。 （６）次に、図８（ｆ）に示すように、ＬＳＩチップ１
上のバンプ電極２とインナーリード６を位置合わせし、
インナーリード６をボンディングする。
ソルダーレジスト１６を塗布し、その後、インナーリー
ド６及び銅箔（ランド）２２の表面にメッキ（錫、半
田、金等）１７を施す。 （６）次に、図８（ｆ）に示すように、ＬＳＩチップ１
上のバンプ電極２とインナーリード６を位置合わせし、
インナーリード６をボンディングする。
【００２７】（７）次に、図８（ｇ）に示すように、Ｌ
ＳＩチップ１の表面に樹脂７を塗布する。ここで、１８
はテープキャリアである。ここまでは、図５と同様であ
る。 （８）次に、図９（ａ）に示すように、図５（ｇ）に示
すグリッドアレイを逆さまにして、下金型４１と上金型
４２で挟み、その上金型４２内を上下動可能な銅箔（ラ
ンド）２２の中央部に凸部を加工する高い突起４４及び
ＬＳＩチップ１を避ける凹部４５を有するパンチ４３を
配置する。
ＳＩチップ１の表面に樹脂７を塗布する。ここで、１８
はテープキャリアである。ここまでは、図５と同様であ
る。 （８）次に、図９（ａ）に示すように、図５（ｇ）に示
すグリッドアレイを逆さまにして、下金型４１と上金型
４２で挟み、その上金型４２内を上下動可能な銅箔（ラ
ンド）２２の中央部に凸部を加工する高い突起４４及び
ＬＳＩチップ１を避ける凹部４５を有するパンチ４３を
配置する。
【００２８】（９）そこで、図９（ｂ）に示すように、
必要な部分をテープキャリア１８から打ち抜く際に、銅
箔（ランド）２２に凸状の加工を施す。なお、凸状は樹
脂７より高く加工する。その後、銅箔（ランド）の表面
に半田メッキ２３を施す。 （１０）次に、図９（ｃ）に示すように、グリッドアレ
イを元に戻して、接着剤９を用いてスティフナー８をベ
ースフィルム３に貼り付ける。
必要な部分をテープキャリア１８から打ち抜く際に、銅
箔（ランド）２２に凸状の加工を施す。なお、凸状は樹
脂７より高く加工する。その後、銅箔（ランド）の表面
に半田メッキ２３を施す。 （１０）次に、図９（ｃ）に示すように、グリッドアレ
イを元に戻して、接着剤９を用いてスティフナー８をベ
ースフィルム３に貼り付ける。
【００２９】このように、第３実施例によれば、銅箔
（ランド）２２を凸状に加工し、表面に半田メッキ２３
を施すようにしたので、半田ボールを搭載する必要がな
くなり材料コストの低減を図ることができる。また、一
工程減らすことができ、半田ボールも不要となるので、
安価な製造工程を提供することが可能となる。
（ランド）２２を凸状に加工し、表面に半田メッキ２３
を施すようにしたので、半田ボールを搭載する必要がな
くなり材料コストの低減を図ることができる。また、一
工程減らすことができ、半田ボールも不要となるので、
安価な製造工程を提供することが可能となる。
【００３０】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１又は２記載の発明によれば、半田ペース
トを印刷する工程を一工程だけ増やすだけで、半田ボー
ルを搭載し、熱を加えて半田ボールと銅箔（ランド）を
密着させる際、半田ペーストも一緒に密着するため、銅
箔（ランド）と半田ボールとの密着強度が大きくなり、
半田ボールが銅箔（ランド）の界面から剥がれる恐れが
なくなる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１又は２記載の発明によれば、半田ペース
トを印刷する工程を一工程だけ増やすだけで、半田ボー
ルを搭載し、熱を加えて半田ボールと銅箔（ランド）を
密着させる際、半田ペーストも一緒に密着するため、銅
箔（ランド）と半田ボールとの密着強度が大きくなり、
半田ボールが銅箔（ランド）の界面から剥がれる恐れが
なくなる。
【００３２】（２）請求項３又は４記載の発明によれ
ば、工程数を増やすこと無く、銅箔（ランド）に凹状の
加工を施すことができ、半田ボールを搭載する際に半田
ボールが左右方向へずれる恐れがなくなる。 （３）請求項５又は６記載の発明によれば、一工程減ら
すことができ、半田ボールも不要となるので、コストの
低減を図ることができる。
ば、工程数を増やすこと無く、銅箔（ランド）に凹状の
加工を施すことができ、半田ボールを搭載する際に半田
ボールが左右方向へずれる恐れがなくなる。 （３）請求項５又は６記載の発明によれば、一工程減ら
すことができ、半田ボールも不要となるので、コストの
低減を図ることができる。
【図１】本発明の第１実施例を示すＴＢＧＡの断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第１実施例を示すＴＢＧＡの製造工程
断面図（その１）である。
断面図（その１）である。
【図３】本発明の第１実施例を示すＴＢＧＡの製造工程
断面図（その２）である。
断面図（その２）である。
【図４】本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの断面図で
ある。
ある。
【図５】本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの製造工程
断面図（その１）である。
断面図（その１）である。
【図６】本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの製造工程
断面図（その２）である。
断面図（その２）である。
【図７】本発明の第３実施例を示すグリッドアレイの断
面図である。
面図である。
【図８】本発明の第３実施例を示すグリッドアレイの製
造工程断面図（その１）である。
造工程断面図（その１）である。
【図９】本発明の第３実施例を示すグリッドアレイの製
造工程断面図（その２）である。
造工程断面図（その２）である。
【図１０】従来のＴＢＧＡの断面図である。
１ ＬＳＩチップ ２ バンプ電極 ３ ベースフィルム ５，９ 接着剤 ６ インナーリード ７ 樹脂 ８ スティフナー １０ 半田ボール １１ デバイスホール １２ パーフォレーションホール １３ ボール搭載ホール １４ 銅箔 １５，２１，２２ 銅箔（ランド） １６ ソルダーレジスト １７，２３ メッキ １８ テープキャリア ２０ 半田ペースト ３１，４１ 下金型 ３２，４２ 上金型 ３３，４３ パンチ ３４ 突起 ４４ 高い突起４４ ４５ ＬＳＩチップ１を避ける凹部 ５１ ランド形成ホール
Claims (6)
- 【請求項１】 半田ボールが搭載されるランドの中央部
を開孔し、該ランド下部に半田ペーストを印刷し、前記
ランド上部に半田ボールを搭載するようにしたことを特
徴とするグリッドアレイ。 - 【請求項２】（ａ）ベースフィルムに接着剤を塗布する
工程と、（ｂ）デバイスホール・パーフォレーションホ
ール・ボール搭載ホールを開孔する工程と、（ｃ）銅箔
を接着剤に貼り付ける工程と、（ｄ）フォトリソ工程で
銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランドを形
成する工程と、（ｅ）ソルダーレジストを塗布し、前記
インナーリードとランドにメッキ処理する工程と、
（ｆ）ＩＣチップと前記インナーリードを接合する工程
と、（ｇ）前記ＩＣチップ表面に樹脂を塗布し、前記ボ
ール搭載ホールに半田ペーストを印刷する工程と、
（ｈ）テープキャリアからテープ・ボール・グリッド・
アレイを打ち抜く工程と、（ｉ）スティフナーを接着剤
でベースフィルムに貼り付ける工程と、（ｊ）前記ラン
ドに半田ボールを搭載し、熱を加えて前記ランドと半田
ボールを密着させる工程とを施すことを特徴とするグリ
ッドアレイの製造方法。 - 【請求項３】 半田ボールが搭載されるランドの中央部
に凹部を形成し、該ランドの凹部に半田ボールを搭載す
るようにしたことを特徴とするグリッドアレイ。 - 【請求項４】（ａ）ベースフィルムに接着剤を塗布する
工程と、（ｂ）デバイスホール・パーフォレーションホ
ール・ボール搭載ホールを開孔する工程と、（ｃ）銅箔
を接着剤に貼り付ける工程と、（ｄ）フォトリソ工程で
銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランドを形
成する工程と、（ｅ）ソルダーレジストを塗布し、前記
インナーリードとランドにメッキ処理する工程と、
（ｆ）ＩＣチップと前記インナーリードを接合する工程
と、（ｇ）前記ＩＣチップ表面に樹脂を塗布し、前記ボ
ール搭載ホールに半田ペーストを印刷する工程と、
（ｈ）テープキャリアからテープ・ボール・グリッド・
アレイを打ち抜くと同時に前記ランドを凹状に加工する
工程と、（ｉ）スティフナーを接着剤でベースフィルム
に貼り付ける工程と、（ｊ）前記凹状に加工されたラン
ドに半田ボールを搭載し、熱を加えて前記ランドと半田
ボールを密着させる工程とを施すことを特徴とするグリ
ッドアレイの製造方法。 - 【請求項５】 ランドの中央部に凸部を形成し、該凸部
を外部電極端子とすることを特徴とするグリッドアレ
イ。 - 【請求項６】（ａ）ベースフィルムに接着剤を塗布する
工程と、（ｂ）デバイスホール・パーフォレーションホ
ール・ランド形成ホールを開孔する工程と、（ｃ）銅箔
を接着剤に貼り付ける工程と、（ｄ）フォトリソ工程で
銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランドを形
成する工程と、（ｅ）ソルダーレジストを塗布し、前記
インナーリードとランドにメッキ処理する工程と、
（ｆ）ＩＣチップと前記インナーリードを接合する工程
と、（ｇ）前記ＩＣチップ表面に樹脂を塗布し、前記ラ
ンド形成ホールに半田ペーストを印刷する工程と、
（ｈ）グリッドアレイを逆さまにしてテープキャリアか
らグリッドアレイを打ち抜くと同時にランドを凹状に加
工する工程と、（ｉ）グリッドアレイを元に戻してステ
ィフナーを接着剤でベースフィルムに貼り付ける工程
と、（ｊ）前記凹状に加工されたランドを元に戻した状
態の凸状に加工されたランドを外部電極端子とする工程
とを施すことを特徴とするグリッドアレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07614098A JP3936060B2 (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | グリッドアレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07614098A JP3936060B2 (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | グリッドアレイの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274351A true JPH11274351A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3936060B2 JP3936060B2 (ja) | 2007-06-27 |
Family
ID=13596691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07614098A Expired - Fee Related JP3936060B2 (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | グリッドアレイの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3936060B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100781146B1 (ko) * | 2001-08-09 | 2007-11-30 | 삼성테크윈 주식회사 | 탭 본딩을 이용한 비지에이 패키지 및 그 제조방법 |
-
1998
- 1998-03-24 JP JP07614098A patent/JP3936060B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100781146B1 (ko) * | 2001-08-09 | 2007-11-30 | 삼성테크윈 주식회사 | 탭 본딩을 이용한 비지에이 패키지 및 그 제조방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3936060B2 (ja) | 2007-06-27 |
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