JPH11274235A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH11274235A JPH11274235A JP7722298A JP7722298A JPH11274235A JP H11274235 A JPH11274235 A JP H11274235A JP 7722298 A JP7722298 A JP 7722298A JP 7722298 A JP7722298 A JP 7722298A JP H11274235 A JPH11274235 A JP H11274235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- wiring board
- resin
- semiconductor device
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9212—Sequential connecting processes
- H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
- H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】樹脂封止型パッケージ構造を有する半導体装置
の製造に際して、チップ・基板間のギャップ高さを高く
とり、封止用樹脂を流し込んだ際の充填性を向上させ、
樹脂封止の信頼性を高めると共に充填時間を短縮して生
産性を高める。 【解決手段】素子形成面に半田バンプ１１を有する半導
体チップおよびチップ搭載面に半田バンプ２１を有し、
チップ搭載面の反対面に半田バンプに電気的に接続され
た外部接続用端子を導出・露出させた配線基板２０を製
造する工程と、配線基板上の半田バンプとチップの半田
バンプが対接するように配線基板上にチップを搭載する
工程と、チップと配線基板との間に封止用樹脂を充填す
る工程と、この後、所定の温度で加熱して配線基板の半
田バンプとチップの半田バンプを溶融させて接合させる
工程を具備する。
の製造に際して、チップ・基板間のギャップ高さを高く
とり、封止用樹脂を流し込んだ際の充填性を向上させ、
樹脂封止の信頼性を高めると共に充填時間を短縮して生
産性を高める。 【解決手段】素子形成面に半田バンプ１１を有する半導
体チップおよびチップ搭載面に半田バンプ２１を有し、
チップ搭載面の反対面に半田バンプに電気的に接続され
た外部接続用端子を導出・露出させた配線基板２０を製
造する工程と、配線基板上の半田バンプとチップの半田
バンプが対接するように配線基板上にチップを搭載する
工程と、チップと配線基板との間に封止用樹脂を充填す
る工程と、この後、所定の温度で加熱して配線基板の半
田バンプとチップの半田バンプを溶融させて接合させる
工程を具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
その製造方法に係り、特に樹脂封止型パッケージ構造を
有する半導体装置およびそのパッケージの製造方法に関
する。
その製造方法に係り、特に樹脂封止型パッケージ構造を
有する半導体装置およびそのパッケージの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】例えば集積回路カード、ゲーム用マスク
ＲＯＭカード、小型携帯電話器などに使用される半導体
装置は、パッケージの小型化・薄型化に対する要求が特
に強い。このような要求に応じるべく、ベア状態の半導
体チップ（ベア・チップ）の実装技術が発展しており、
フリップチップ（Flip Chip ；ＦＣ）実装などが知られ
ている。
ＲＯＭカード、小型携帯電話器などに使用される半導体
装置は、パッケージの小型化・薄型化に対する要求が特
に強い。このような要求に応じるべく、ベア状態の半導
体チップ（ベア・チップ）の実装技術が発展しており、
フリップチップ（Flip Chip ；ＦＣ）実装などが知られ
ている。
【０００３】上記ＦＣ実装は、ベア・チップの素子形成
面の外部電極（半田バンプ）を配線基板上のチップ搭載
面に形成されている電極に押し付けて接続（ＦＣボンデ
ィング）するものである。
面の外部電極（半田バンプ）を配線基板上のチップ搭載
面に形成されている電極に押し付けて接続（ＦＣボンデ
ィング）するものである。
【０００４】上記ＦＣ実装の改良例として、ベア・チッ
プと基板との間に樹脂を介在させて基板・チップ相互を
機械的に固定した樹脂封止型パッケージ構造が例えば特
公平２−７１８０号などにより知られている。
プと基板との間に樹脂を介在させて基板・チップ相互を
機械的に固定した樹脂封止型パッケージ構造が例えば特
公平２−７１８０号などにより知られている。
【０００５】さらに、上記樹脂封止型パッケージ構造の
改良例およびその製造方法として、本願出願人の出願に
係る特願平６−３２２９６号、特願平６−５０７５７
号、特願平６−６０４９３号などにより種々の提案がな
されている。
改良例およびその製造方法として、本願出願人の出願に
係る特願平６−３２２９６号、特願平６−５０７５７
号、特願平６−６０４９３号などにより種々の提案がな
されている。
【０００６】図４は、上記提案に係る特願平６−５０７
５７号に開示されている樹脂封止型パッケージ構造の一
例を示している。このパッケージ構造は、チップ搭載面
に被接続部（例えば半田バンプ１ｂ）を含む配線１ａを
有する配線基板１と、上記基板のチップ搭載面にフェー
スダウン型に実装された半導体チップ２と、上記チップ
と配線基板との間に充填された樹脂層５と、前記基板の
チップ搭載面の反対面側に導出・露出され、前記チップ
に電気的に接続された外部接続用端子４とを具備する。
なお、図４中、２ａはバンプ電極、３はスルーホール配
線である。
５７号に開示されている樹脂封止型パッケージ構造の一
例を示している。このパッケージ構造は、チップ搭載面
に被接続部（例えば半田バンプ１ｂ）を含む配線１ａを
有する配線基板１と、上記基板のチップ搭載面にフェー
スダウン型に実装された半導体チップ２と、上記チップ
と配線基板との間に充填された樹脂層５と、前記基板の
チップ搭載面の反対面側に導出・露出され、前記チップ
に電気的に接続された外部接続用端子４とを具備する。
なお、図４中、２ａはバンプ電極、３はスルーホール配
線である。
【０００７】図４中の樹脂層５の形成に際しては、樹脂
供給装置（ディスペンサ）のノズル（ニードル）から液
状の樹脂を基板１上の一辺部に供給し、毛細管現象を利
用してチップ・基板間に樹脂を流し込んで充填した後に
硬化させる。この場合、チップの露出している上面は、
緻密、堅牢な素材（例えばシリコン）からなり、樹脂封
止を行わなくても信頼性上の問題は少ない。
供給装置（ディスペンサ）のノズル（ニードル）から液
状の樹脂を基板１上の一辺部に供給し、毛細管現象を利
用してチップ・基板間に樹脂を流し込んで充填した後に
硬化させる。この場合、チップの露出している上面は、
緻密、堅牢な素材（例えばシリコン）からなり、樹脂封
止を行わなくても信頼性上の問題は少ない。
【０００８】図５は、前記提案に係る特願平６−６０４
９３号に開示されている樹脂封止型パッケージ構造の一
例を示している。このパッケージ構造は、図４のパッケ
ージ構造の改良例であり、前記基板１のチップ搭載面に
対してほぼ同一平面（平面性が±１０μｍ程度）を成す
ように前記配線１ａを埋め込み形成している。なお、図
５において、図４中と同一部分には同一符号を付してい
る。
９３号に開示されている樹脂封止型パッケージ構造の一
例を示している。このパッケージ構造は、図４のパッケ
ージ構造の改良例であり、前記基板１のチップ搭載面に
対してほぼ同一平面（平面性が±１０μｍ程度）を成す
ように前記配線１ａを埋め込み形成している。なお、図
５において、図４中と同一部分には同一符号を付してい
る。
【０００９】このパッケージ構造によれば、チップ・基
板間の平坦性がよいので、チップ・基板間に液状の樹脂
を流し込む際に樹脂が容易に流れ込み、ボイドのない緻
密な樹脂層を形成でき、チップ・基板間固定の信頼性を
高めることができる。
板間の平坦性がよいので、チップ・基板間に液状の樹脂
を流し込む際に樹脂が容易に流れ込み、ボイドのない緻
密な樹脂層を形成でき、チップ・基板間固定の信頼性を
高めることができる。
【００１０】ところで、前記したようなパッケージの従
来の製造方法は、図３に示すように、まず、ＬＳＩチッ
プの素子形成面に半田バンプを形成したものと、配線基
板の配線面に半田バンプを形成したものを形成する。
来の製造方法は、図３に示すように、まず、ＬＳＩチッ
プの素子形成面に半田バンプを形成したものと、配線基
板の配線面に半田バンプを形成したものを形成する。
【００１１】次に、配線基板２０の配線面にフラックス
を塗布（転写）あるいはディスペンサによって供給した
後、配線基板１上にチップ１０をマウントしてリフロー
することによって、チップの素子形成面の半田バンプ１
１と配線基板の配線面の半田バンプ２１を接合（ボンデ
ィング）する。
を塗布（転写）あるいはディスペンサによって供給した
後、配線基板１上にチップ１０をマウントしてリフロー
することによって、チップの素子形成面の半田バンプ１
１と配線基板の配線面の半田バンプ２１を接合（ボンデ
ィング）する。
【００１２】次に、残存しているフラックスを超音波洗
浄により除去し、チップ・基板間に液状樹脂を流し込ん
で充填（アンダーフィル）した後、樹脂を硬化（キュ
ア）することによって、樹脂封止を行う。
浄により除去し、チップ・基板間に液状樹脂を流し込ん
で充填（アンダーフィル）した後、樹脂を硬化（キュ
ア）することによって、樹脂封止を行う。
【００１３】しかし、上記したような従来の製造方法に
おいては、配線基板の半田バンプとチップの半田バンプ
とを接合する時のリフローの温度によって半田バンプが
溶融して球形になり、接合後のチップ・基板間のギャッ
プ高さ（バンプ部の高さ）Ｂが接合前のチップ・基板間
のギャップ高さＡよりもかなり低い値になる。
おいては、配線基板の半田バンプとチップの半田バンプ
とを接合する時のリフローの温度によって半田バンプが
溶融して球形になり、接合後のチップ・基板間のギャッ
プ高さ（バンプ部の高さ）Ｂが接合前のチップ・基板間
のギャップ高さＡよりもかなり低い値になる。
【００１４】ここで、チップの半田バンプ１１の高さを
例えばほぼ８０μｍ、配線基板の半田バンプ２１の高さ
をほぼ３０μｍとすると、前記ギャップ高さＡはほぼ１
００μｍ、ギャップ高さＢはほぼ７０μｍになる。
例えばほぼ８０μｍ、配線基板の半田バンプ２１の高さ
をほぼ３０μｍとすると、前記ギャップ高さＡはほぼ１
００μｍ、ギャップ高さＢはほぼ７０μｍになる。
【００１５】一方、チップ・基板間に液状樹脂（図示せ
ず）を流し込んだ際の充填性は前記チップ・基板間のギ
ャップ高さＢに依存し、ギャップ高さＢが前記したよう
に低くなっていると、チップ・基板間に流し込まれる封
止用樹脂に含まれる充填材（フィラー）の目詰まりによ
る巻き込みやボイドや未充填が発生したり、さらには、
充填時間の遅延などが生じる。
ず）を流し込んだ際の充填性は前記チップ・基板間のギ
ャップ高さＢに依存し、ギャップ高さＢが前記したよう
に低くなっていると、チップ・基板間に流し込まれる封
止用樹脂に含まれる充填材（フィラー）の目詰まりによ
る巻き込みやボイドや未充填が発生したり、さらには、
充填時間の遅延などが生じる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
提案に係る樹脂封止型パッケージ構造を有する半導体装
置およびその製造方法は、チップ・基板間のギャップ高
さが低くなり、液状樹脂を流し込んだ際の充填性が悪く
なるという問題があった。
提案に係る樹脂封止型パッケージ構造を有する半導体装
置およびその製造方法は、チップ・基板間のギャップ高
さが低くなり、液状樹脂を流し込んだ際の充填性が悪く
なるという問題があった。
【００１７】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、封止用樹脂が充填されるチップ・基板間にお
ける半田バンプの接続部が縦方向に細長い形状を有し、
配線基板上の接続端子の狭ピッチ化が可能になる樹脂封
止型パッケージ構造の半導体装置を提供することを目的
とする。
たもので、封止用樹脂が充填されるチップ・基板間にお
ける半田バンプの接続部が縦方向に細長い形状を有し、
配線基板上の接続端子の狭ピッチ化が可能になる樹脂封
止型パッケージ構造の半導体装置を提供することを目的
とする。
【００１８】また、本発明は、チップ・基板間のギャッ
プ高さを高くとり、封止用樹脂を流し込んだ際の充填性
を向上させ、樹脂封止の信頼性を高めるとともに充填時
間の短縮による生産性を高めることが可能になる樹脂封
止型パッケージ構造を有する半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
プ高さを高くとり、封止用樹脂を流し込んだ際の充填性
を向上させ、樹脂封止の信頼性を高めるとともに充填時
間の短縮による生産性を高めることが可能になる樹脂封
止型パッケージ構造を有する半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、チップ搭載面に半田バンプを有し、チップ搭
載面の反対面に前記半田バンプに電気的に接続された外
部接続用端子を導出・露出させた配線基板および素子形
成面に半田バンプを有する半導体チップを製造する工程
と、前記配線基板上の半田バンプと前記半導体チップの
素子形成面の半田バンプが対接するように前記配線基板
上に半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップ
と配線基板との間に封止用樹脂を充填する工程と、この
後、前記配線基板の半田バンプと前記半導体チップの半
田バンプを溶融させて接合させるために所定の温度で加
熱する工程を具備することを特徴とする。
造方法は、チップ搭載面に半田バンプを有し、チップ搭
載面の反対面に前記半田バンプに電気的に接続された外
部接続用端子を導出・露出させた配線基板および素子形
成面に半田バンプを有する半導体チップを製造する工程
と、前記配線基板上の半田バンプと前記半導体チップの
素子形成面の半田バンプが対接するように前記配線基板
上に半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップ
と配線基板との間に封止用樹脂を充填する工程と、この
後、前記配線基板の半田バンプと前記半導体チップの半
田バンプを溶融させて接合させるために所定の温度で加
熱する工程を具備することを特徴とする。
【００２０】また、本発明の半導体装置は、チップ搭載
面に接続パッドを含む配線パターンを有する配線基板
と、前記基板のチップ搭載面に素子形成面側が対向する
ように実装された半導体チップと、前記チップと基板と
の間に樹脂が充填されて硬化された樹脂層と、前記基板
のチップ搭載面の反対面側に導出・露出され、前記チッ
プに電気的に接続された外部接続用端子を具備し、前記
配線基板のチップ搭載面の接続パッド上に予め設けられ
ていた半田バンプと前記半導体チップの素子形成面に予
め設けられていた半田バンプが溶融により接合されて縦
方向に細長い形状のバンプ接続部を形成していることを
特徴とする。
面に接続パッドを含む配線パターンを有する配線基板
と、前記基板のチップ搭載面に素子形成面側が対向する
ように実装された半導体チップと、前記チップと基板と
の間に樹脂が充填されて硬化された樹脂層と、前記基板
のチップ搭載面の反対面側に導出・露出され、前記チッ
プに電気的に接続された外部接続用端子を具備し、前記
配線基板のチップ搭載面の接続パッド上に予め設けられ
ていた半田バンプと前記半導体チップの素子形成面に予
め設けられていた半田バンプが溶融により接合されて縦
方向に細長い形状のバンプ接続部を形成していることを
特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の樹脂封止
型パッケージ構造を有する半導体装置の製造工程の一例
を概略的に示すフローチャートおよび断面図である。
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の樹脂封止
型パッケージ構造を有する半導体装置の製造工程の一例
を概略的に示すフローチャートおよび断面図である。
【００２２】図２は、図１中の樹脂封止工程の一例を詳
細に示す断面図である。以下、図１および図２を参照し
ながら製造工程を説明する。まず、半導体チップ１０お
よび配線基板２０を製造する。
細に示す断面図である。以下、図１および図２を参照し
ながら製造工程を説明する。まず、半導体チップ１０お
よび配線基板２０を製造する。
【００２３】上記半導体チップ１０は、素子形成面に形
成されている接続端子（パッド）上に半田バンプ１１が
搭載されたものである。前記配線基板２０は、チップ搭
載面に配線パターンを有し、この配線パターンの一部に
連なる接続パッド上に半田バンプ２１が搭載されてお
り、チップ搭載面の反対面（裏面）には前記半田バンプ
２１に電気的に接続された外部接続用端子（例えばパッ
ド、図示せず）を導出・露出させたものである。
成されている接続端子（パッド）上に半田バンプ１１が
搭載されたものである。前記配線基板２０は、チップ搭
載面に配線パターンを有し、この配線パターンの一部に
連なる接続パッド上に半田バンプ２１が搭載されてお
り、チップ搭載面の反対面（裏面）には前記半田バンプ
２１に電気的に接続された外部接続用端子（例えばパッ
ド、図示せず）を導出・露出させたものである。
【００２４】次に、例えばボンディング装置を用いて、
配線基板上の半田バンプ２１と半導体チップの半田バン
プ１１が対接するように配線基板２０上にチップ１０を
マウントする。
配線基板上の半田バンプ２１と半導体チップの半田バン
プ１１が対接するように配線基板２０上にチップ１０を
マウントする。
【００２５】そして、チップ１０と配線基板２０との間
に封止用樹脂３０を充填する。この際、液状の封止用樹
脂３０ａを毛細管現象を利用して充填する場合には、毛
細管現象を促進するために、封止用樹脂３０ａの粘度が
低下し、樹脂３０が適度の流動性などを持ち、その流し
込み速度が向上するような温度を加えるようにすればよ
く、例えば配線基板２０を所定温度（封止用樹脂の充填
が可能な温度、例えば７０℃）に加熱した状態で樹脂３
０ａを充填すればよい。
に封止用樹脂３０を充填する。この際、液状の封止用樹
脂３０ａを毛細管現象を利用して充填する場合には、毛
細管現象を促進するために、封止用樹脂３０ａの粘度が
低下し、樹脂３０が適度の流動性などを持ち、その流し
込み速度が向上するような温度を加えるようにすればよ
く、例えば配線基板２０を所定温度（封止用樹脂の充填
が可能な温度、例えば７０℃）に加熱した状態で樹脂３
０ａを充填すればよい。
【００２６】この後、リフローを行うことによって所定
の温度（例えば２２０℃）で加熱し、配線基板の半田バ
ンプ２１とチップの半田バンプ１１を溶融させて接合さ
せることにより、図２中に示すような片面樹脂封止型の
半導体装置が得られる。
の温度（例えば２２０℃）で加熱し、配線基板の半田バ
ンプ２１とチップの半田バンプ１１を溶融させて接合さ
せることにより、図２中に示すような片面樹脂封止型の
半導体装置が得られる。
【００２７】このようにして得られた半導体装置は、チ
ップ搭載面に接続パッドを含む配線パターンを有する配
線基板２０と、前記チップ搭載面に素子形成面が対向す
るように実装された半導体チップ１０と、チップ・基板
間に樹脂３０ａが充填されて硬化された樹脂層３０と、
基板のチップ搭載面の反対面（裏面）側に導出・露出さ
れ、チップ１０に電気的に接続された外部接続用端子
（例えばパッド）を具備する。
ップ搭載面に接続パッドを含む配線パターンを有する配
線基板２０と、前記チップ搭載面に素子形成面が対向す
るように実装された半導体チップ１０と、チップ・基板
間に樹脂３０ａが充填されて硬化された樹脂層３０と、
基板のチップ搭載面の反対面（裏面）側に導出・露出さ
れ、チップ１０に電気的に接続された外部接続用端子
（例えばパッド）を具備する。
【００２８】なお、基板裏面の外部接続用パッドは、例
えば二次元格子状に配列されており、その上には例えば
ボール状の半田（図示せず）が搭載されることによって
ＢＧＡパッケージが構成されている。
えば二次元格子状に配列されており、その上には例えば
ボール状の半田（図示せず）が搭載されることによって
ＢＧＡパッケージが構成されている。
【００２９】上記したような半導体装置の製造方法によ
れば、チップ１０を配線基板２０上に搭載した状態で、
互いに対接している半田バンプ１１、２１を溶融接合す
る前に、チップ・基板間に封止用樹脂３０ａを充填し、
この後、チップ１０と配線基板２０の互いに対接してい
る半田バンプ１１、２１を溶融させて接合させる。
れば、チップ１０を配線基板２０上に搭載した状態で、
互いに対接している半田バンプ１１、２１を溶融接合す
る前に、チップ・基板間に封止用樹脂３０ａを充填し、
この後、チップ１０と配線基板２０の互いに対接してい
る半田バンプ１１、２１を溶融させて接合させる。
【００３０】従って、従来例の製造方法と比べて、フラ
ックスおよびその洗浄工程が不要になるので、工程数を
減少させ、製造コストを低減させることができる。ま
た、前述したような工程順によれば、配線基板２０上に
チップ１０を搭載した状態で半田バンプ１１、２１を溶
融接合させる前に封止用樹脂３０ａを充填するので、樹
脂充填に際してチップ・基板間のギャップ高さＣを従来
よりも高く確保することができる。
ックスおよびその洗浄工程が不要になるので、工程数を
減少させ、製造コストを低減させることができる。ま
た、前述したような工程順によれば、配線基板２０上に
チップ１０を搭載した状態で半田バンプ１１、２１を溶
融接合させる前に封止用樹脂３０ａを充填するので、樹
脂充填に際してチップ・基板間のギャップ高さＣを従来
よりも高く確保することができる。
【００３１】これにより、チップ・基板間に流し込まれ
る封止用樹脂３０ａに含まれる充填材（フィラー）の目
詰まりによる巻き込みやボイドや未充填が発生し難くな
り、さらには、充填時間の短縮化が可能になる。
る封止用樹脂３０ａに含まれる充填材（フィラー）の目
詰まりによる巻き込みやボイドや未充填が発生し難くな
り、さらには、充填時間の短縮化が可能になる。
【００３２】因みに、接合前におけるチップ１０の半田
バンプ２１の高さをほぼ３０μｍ、チップ１０の半田バ
ンプ１１の高さをほぼ８０μｍとすると、従来例ではチ
ップ・基板間のギャップ高さＢがほぼ７０μｍで樹脂充
填時間が６０ｓｅｃであったが、本実施例ではギャップ
高さＣを９０〜１００μｍに設定することによって、樹
脂充填時間を３０ｓｅｃに短縮することができた。
バンプ２１の高さをほぼ３０μｍ、チップ１０の半田バ
ンプ１１の高さをほぼ８０μｍとすると、従来例ではチ
ップ・基板間のギャップ高さＢがほぼ７０μｍで樹脂充
填時間が６０ｓｅｃであったが、本実施例ではギャップ
高さＣを９０〜１００μｍに設定することによって、樹
脂充填時間を３０ｓｅｃに短縮することができた。
【００３３】また、樹脂充填に際してチップ・基板間の
ギャップ高さＣを高く確保することにより、バンプにか
かる圧力（ストレス）が緩和され、バンプ接続部の信頼
性が向上する。
ギャップ高さＣを高く確保することにより、バンプにか
かる圧力（ストレス）が緩和され、バンプ接続部の信頼
性が向上する。
【００３４】即ち、チップ・基板間のギャップ高さＣを
高くとり、封止用樹脂３０ａを流し込んだ際の充填性を
向上させ、樹脂封止の信頼性を高めるとともに充填時間
の短縮による生産性を高めることが可能になる。従っ
て、従来例の製造方法と比べて、半導体装置の歩留りの
向上、コストダウンを図ることが可能になる。
高くとり、封止用樹脂３０ａを流し込んだ際の充填性を
向上させ、樹脂封止の信頼性を高めるとともに充填時間
の短縮による生産性を高めることが可能になる。従っ
て、従来例の製造方法と比べて、半導体装置の歩留りの
向上、コストダウンを図ることが可能になる。
【００３５】また、前述したような工程順によれば、配
線基板の実装面に予め設けられていた半田バンプ２１と
チップの素子形成面に予め設けられていた半田バンプ１
１が溶融により接合される際に半田バンプが球形になる
ことを防止し、縦方向に細長い形状のバンプ接続部を形
成することができ、配線基板２０上の接続端子の狭ピッ
チ化を図ることができる。
線基板の実装面に予め設けられていた半田バンプ２１と
チップの素子形成面に予め設けられていた半田バンプ１
１が溶融により接合される際に半田バンプが球形になる
ことを防止し、縦方向に細長い形状のバンプ接続部を形
成することができ、配線基板２０上の接続端子の狭ピッ
チ化を図ることができる。
【００３６】なお、封止用樹脂３０ａを充填する工程に
際して、半田バンプ１１、２１が溶融可能になる荷重
（１個のバンプ当り例えば５ｇｆ）をチップ１０にかけ
た状態に保持しつつ樹脂を充填することが望ましい。
際して、半田バンプ１１、２１が溶融可能になる荷重
（１個のバンプ当り例えば５ｇｆ）をチップ１０にかけ
た状態に保持しつつ樹脂を充填することが望ましい。
【００３７】これにより、チップ・基板間のギャップ高
さを調整することができるとともに、チップ１０のバン
プ１１と基板のバンプ２１の位置ずれを防ぐことができ
る。また、封止用樹脂３０ａを充填する工程と半田バン
プ１１、２１を溶融させて接合させる工程との間で、充
填した封止用樹脂３０ａを仮に硬化させるために所定の
温度（例えば１５０℃）で加熱する工程を実施すること
が望ましい。
さを調整することができるとともに、チップ１０のバン
プ１１と基板のバンプ２１の位置ずれを防ぐことができ
る。また、封止用樹脂３０ａを充填する工程と半田バン
プ１１、２１を溶融させて接合させる工程との間で、充
填した封止用樹脂３０ａを仮に硬化させるために所定の
温度（例えば１５０℃）で加熱する工程を実施すること
が望ましい。
【００３８】これにより、配線基板２０とチップ１０を
仮に固定した状態で、チップ１０のバンプ１１と基板の
バンプ２１との位置ずれを防ぎながら以後の工程を実施
することが可能になる。
仮に固定した状態で、チップ１０のバンプ１１と基板の
バンプ２１との位置ずれを防ぎながら以後の工程を実施
することが可能になる。
【００３９】また、配線基板２０上にチップ１０を搭載
する前に、配線基板２０の配線パターンおよび半田バン
プ２１の形成面にフラックスを供給しておくことによ
り、半田バンプ２１の接合を活性化することも可能であ
る。この場合には、半田バンプ２１を溶融させて接合さ
せる際に、チップ・基板間に充填されている封止用樹脂
３０ａ中にフラックスが混入するようになるので、従来
は必要としたフラックスの洗浄工程を省略することが可
能になる。なお、封止用樹脂３０ａ中にフラックスが混
入しても、支障は生じない。
する前に、配線基板２０の配線パターンおよび半田バン
プ２１の形成面にフラックスを供給しておくことによ
り、半田バンプ２１の接合を活性化することも可能であ
る。この場合には、半田バンプ２１を溶融させて接合さ
せる際に、チップ・基板間に充填されている封止用樹脂
３０ａ中にフラックスが混入するようになるので、従来
は必要としたフラックスの洗浄工程を省略することが可
能になる。なお、封止用樹脂３０ａ中にフラックスが混
入しても、支障は生じない。
【００４０】また、チップ・基板間に封止用樹脂３０ａ
を充填する際、予めフラックスが混入された樹脂を使用
するようにすれば、配線基板２０の配線パターンおよび
半田バンプ２１の形成面にフラックスを塗布しておかな
くてもよくなり、この場合にも、従来は必要としたフラ
ックスの塗布工程およびフラックスの洗浄工程を省略す
ることが可能になる。
を充填する際、予めフラックスが混入された樹脂を使用
するようにすれば、配線基板２０の配線パターンおよび
半田バンプ２１の形成面にフラックスを塗布しておかな
くてもよくなり、この場合にも、従来は必要としたフラ
ックスの塗布工程およびフラックスの洗浄工程を省略す
ることが可能になる。
【００４１】さらに、配線基板２０上にチップ１０を搭
載する前に、配線基板２０の半田バンプ２１の表面を半
田が酸化し難いように加工しておくようにしてもよい。
なお、上記実施例において、チップ１０および配線基板
２０は、外形が正方形のものに限らず、長方形のものを
用いてもよい。また、配線基板２０は、アルミナ系、窒
化アルミ系のものに限らず、樹脂系のもの（ＢＴレジン
基板など）を用いてもよい。
載する前に、配線基板２０の半田バンプ２１の表面を半
田が酸化し難いように加工しておくようにしてもよい。
なお、上記実施例において、チップ１０および配線基板
２０は、外形が正方形のものに限らず、長方形のものを
用いてもよい。また、配線基板２０は、アルミナ系、窒
化アルミ系のものに限らず、樹脂系のもの（ＢＴレジン
基板など）を用いてもよい。
【００４２】また、配線基板２０は、図５に示したよう
に、配線パターンおよび外部接続用端子が基板に対して
ほぼ同一平面を成すように埋め込まれているもの（例え
ばアルミナ系の絶縁基材に対してグリーンシート法によ
り形成されたものとか、樹脂系の絶縁基材に対してプリ
プレグ法により形成されたもの）に限らず、図４に示し
たように、配線パターンおよび外部接続用端子が基板か
ら突出する状態で形成されているものを用いてもよい。
また、配線基板は、ブラインドビアホールを介して上下
面が電気的に接続されているものや多層構造のものを用
いてもよい。
に、配線パターンおよび外部接続用端子が基板に対して
ほぼ同一平面を成すように埋め込まれているもの（例え
ばアルミナ系の絶縁基材に対してグリーンシート法によ
り形成されたものとか、樹脂系の絶縁基材に対してプリ
プレグ法により形成されたもの）に限らず、図４に示し
たように、配線パターンおよび外部接続用端子が基板か
ら突出する状態で形成されているものを用いてもよい。
また、配線基板は、ブラインドビアホールを介して上下
面が電気的に接続されているものや多層構造のものを用
いてもよい。
【００４３】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、封止用
樹脂が充填されるチップ・基板間における半田バンプの
接続部が縦方向に細長い形状を有し、配線基板上の接続
端子の狭ピッチ化が可能になる樹脂封止型パッケージ構
造の半導体装置を提供することができる。
樹脂が充填されるチップ・基板間における半田バンプの
接続部が縦方向に細長い形状を有し、配線基板上の接続
端子の狭ピッチ化が可能になる樹脂封止型パッケージ構
造の半導体装置を提供することができる。
【００４４】また、本発明によれば、チップ・基板間の
ギャップ高さを高くとり、封止用樹脂を流し込んだ際の
充填性を向上させ、樹脂封止の信頼性を高めるとともに
充填時間の短縮による生産性を高めることが可能になる
樹脂封止型パッケージ構造を有する半導体装置の製造方
法を提供することができる。
ギャップ高さを高くとり、封止用樹脂を流し込んだ際の
充填性を向上させ、樹脂封止の信頼性を高めるとともに
充填時間の短縮による生産性を高めることが可能になる
樹脂封止型パッケージ構造を有する半導体装置の製造方
法を提供することができる。
【図１】本発明の半導体装置の製造工程の一例を概略的
に示すフローチャートおよび断面図。
に示すフローチャートおよび断面図。
【図２】図１中の樹脂封止工程の一例を概略的に示す断
面図。
面図。
【図３】従来の半導体装置の製造工程の一例を概略的に
示すフローチャートおよび断面図。
示すフローチャートおよび断面図。
【図４】先願に係る樹脂封止型パッケージ構造の一例を
示す断面図。
示す断面図。
【図５】他の先願に係る樹脂封止型パッケージ構造の一
例を示す断面図。
例を示す断面図。
１０…半導体チップ、 ２０…配線基板、 １１、２１…半田バンプ、 ３０、３０ａ…封止用樹脂。
Claims (7)
- 【請求項１】 チップ搭載面に半田バンプを有し、チッ
プ搭載面の反対面に前記半田バンプに電気的に接続され
た外部接続用端子を導出・露出させた配線基板および素
子形成面に半田バンプを有する半導体チップを製造する
工程と、 前記配線基板上の半田バンプと前記半導体チップの素子
形成面の半田バンプが対接するように前記配線基板上に
半導体チップを搭載する工程と、 前記半導体チップと配線基板との間に封止用樹脂を充填
する工程と、 この後、前記配線基板の半田バンプと前記半導体チップ
の半田バンプを溶融させて接合させるために所定の温度
で加熱する工程とを具備することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記封止用樹脂を充填する工程に際して、前記半導体チ
ップに前記各半田バンプが溶融可能になる荷重をかけた
状態に保持しつつ樹脂を充填することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置の製
造方法において、 前記封止用樹脂を充填する工程と前記半田バンプを溶融
させて接合させる工程との間で、前記充填した封止用樹
脂を仮に硬化させるために所定の温度で加熱する工程を
さらに具備することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
半導体装置の製造方法において、 前記配線基板上に半導体チップを搭載する前に、前記配
線基板の配線パターンおよび半田バンプの形成面にフラ
ックスを供給しておくことを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
半導体装置の製造方法において、 前記封止用樹脂を充填する際、予めフラックスが混入さ
れた樹脂を使用することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
半導体装置の製造方法において、 前記配線基板上に半導体チップを搭載する前に、前記配
線基板の半田バンプの表面を半田が酸化し難いように加
工しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 チップ搭載面に接続パッドを含む配線パ
ターンを有する配線基板と、 前記基板のチップ搭載面に素子形成面側が対向するよう
に実装された半導体チップと、 前記チップと基板との間に樹脂が充填されて硬化された
樹脂層と、 前記基板のチップ搭載面の反対面側に導出・露出され、
前記チップに電気的に接続された外部接続用端子とを具
備し、 前記配線基板のチップ搭載面の接続パッド上に予め設け
られていた半田バンプと前記半導体チップの素子形成面
に予め設けられていた半田バンプが溶融により接合され
て縦方向に細長い形状のバンプ接続部を形成しているこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7722298A JPH11274235A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7722298A JPH11274235A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274235A true JPH11274235A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13627836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7722298A Pending JPH11274235A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274235A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002050892A1 (fr) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Sony Corporation | Resine de scellement utile pour installer une bascule |
| WO2012160817A1 (ja) * | 2011-05-26 | 2012-11-29 | パナソニック株式会社 | 電子部品実装方法、電子部品搭載装置および電子部品実装システム |
| CN103548430A (zh) * | 2011-06-02 | 2014-01-29 | 松下电器产业株式会社 | 电子部件安装方法、电子部件搭载装置以及电子部件安装系统 |
-
1998
- 1998-03-25 JP JP7722298A patent/JPH11274235A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002050892A1 (fr) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Sony Corporation | Resine de scellement utile pour installer une bascule |
| WO2012160817A1 (ja) * | 2011-05-26 | 2012-11-29 | パナソニック株式会社 | 電子部品実装方法、電子部品搭載装置および電子部品実装システム |
| CN103518424A (zh) * | 2011-05-26 | 2014-01-15 | 松下电器产业株式会社 | 电子部件安装方法、电子部件搭载装置以及电子部件安装系统 |
| JP5719999B2 (ja) * | 2011-05-26 | 2015-05-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電子部品実装方法、電子部品搭載装置および電子部品実装システム |
| CN103548430A (zh) * | 2011-06-02 | 2014-01-29 | 松下电器产业株式会社 | 电子部件安装方法、电子部件搭载装置以及电子部件安装系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4659262B2 (ja) | 電子部品の実装方法及びペースト材料 | |
| US7736950B2 (en) | Flip chip interconnection | |
| TWI478254B (zh) | 引線上凸塊之倒裝晶片互連 | |
| US8033016B2 (en) | Method for manufacturing an electrode and electrode component mounted body | |
| JP2004356529A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2004158716A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11274241A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003007902A (ja) | 電子部品の実装基板及び実装構造 | |
| JP2000260819A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4569605B2 (ja) | 半導体装置のアンダーフィルの充填方法 | |
| JPH08153830A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001332583A (ja) | 半導体チップの実装方法 | |
| JP5228479B2 (ja) | 電子装置の製造方法 | |
| JP4882570B2 (ja) | モジュールの製造方法と、それにより製造したモジュール | |
| JP2003100810A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH09246319A (ja) | フリップチップ実装方法 | |
| JP4752717B2 (ja) | モジュールの製造方法 | |
| JPH11274235A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000260817A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001015641A (ja) | 電子部品の接続構造及び接続方法 | |
| JPH0831871A (ja) | 電子部品を表面実装する際に使用する界面封止用フィルム、及び電子部品の表面実装構造 | |
| JP4200090B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1098077A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08153738A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000208544A (ja) | ベアｉｃチップおよび半導体装置 |