JPH11273818A - 半導体素子検査用ソケットのコンタクト - Google Patents
半導体素子検査用ソケットのコンタクトInfo
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- JPH11273818A JPH11273818A JP10096934A JP9693498A JPH11273818A JP H11273818 A JPH11273818 A JP H11273818A JP 10096934 A JP10096934 A JP 10096934A JP 9693498 A JP9693498 A JP 9693498A JP H11273818 A JPH11273818 A JP H11273818A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、コンタクトの接点の接触面
角の傾斜を極力防止する目的とプレス成形後の熱処理工
程の削除の目的に鑑み、あらかじめ材料供給者側で時効
硬化熱処理がなされた時効硬化型合金を採用し、コンタ
クトの製造コストを低減することにある。 【解決手段】 本発明に係る半導体素子検査用ソケット
のコンタクトは、バネ部を備えたコンタクトの接触部の
接触力が３０ｇ以下となるように形成し、かつ前記接触
部の先端を球状に形成して点接触による電気接点構造に
形成したものである。
角の傾斜を極力防止する目的とプレス成形後の熱処理工
程の削除の目的に鑑み、あらかじめ材料供給者側で時効
硬化熱処理がなされた時効硬化型合金を採用し、コンタ
クトの製造コストを低減することにある。 【解決手段】 本発明に係る半導体素子検査用ソケット
のコンタクトは、バネ部を備えたコンタクトの接触部の
接触力が３０ｇ以下となるように形成し、かつ前記接触
部の先端を球状に形成して点接触による電気接点構造に
形成したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩなどの
半導体素子検査用ソケットのコンタクトに関するもの
で、例えば測定バーイン用ソケットはＩＣの検査などに
使用されるもので挿抜頻度が多く、使用回数は２〜３万
回にも及ぶ。測定バーイン用ソケットは主として絶縁基
板およびコンタクト等により構成されている。
半導体素子検査用ソケットのコンタクトに関するもの
で、例えば測定バーイン用ソケットはＩＣの検査などに
使用されるもので挿抜頻度が多く、使用回数は２〜３万
回にも及ぶ。測定バーイン用ソケットは主として絶縁基
板およびコンタクト等により構成されている。
【０００２】
【従来の技術】高信頼性を有するＩＣの大量生産販売に
は、「ＩＣ検査」を高効率で実施する必要がある。近
年、ＩＣは高密度化、多ピン化の傾向が著しい。高密度
化、多ピンＩＣの高効率の検査には、高効率のＩＣ検査
用ソケット（ＩＣ製造用、測定用、バーンインテスト用
ソケット等の呼称もある）が求められている。ＩＣ検査
用ソケットの効率を決定づける因子として、ＩＣの繰り
返し着脱が容易であり、尚かつ繰り返し検査時にソケッ
ト側から電気的接触障害を発生しないことが求められて
いる。
は、「ＩＣ検査」を高効率で実施する必要がある。近
年、ＩＣは高密度化、多ピン化の傾向が著しい。高密度
化、多ピンＩＣの高効率の検査には、高効率のＩＣ検査
用ソケット（ＩＣ製造用、測定用、バーンインテスト用
ソケット等の呼称もある）が求められている。ＩＣ検査
用ソケットの効率を決定づける因子として、ＩＣの繰り
返し着脱が容易であり、尚かつ繰り返し検査時にソケッ
ト側から電気的接触障害を発生しないことが求められて
いる。
【０００３】上記のＩＣ検査用ソケットの効率化が求め
られる結果、従来の当該ソケットに用いられるコンタク
トは、以下の製造工程を経て製造されていた。即ち、 実際ＩＣ検査はある一定の温度環境下（多くの場合
８０℃〜１２５℃）で加速試験が行われる結果、コンタ
クト用素材として主としてベリリウム銅合金（代表例は
Ｃ１７２０）かこれに代用する時効硬化型銅合金が使用
されている。 これらの合金を板あるいは条の形に仕上げた後、加
工経済性を追求する場合はプレス加工法により打抜き、
或いは又化学的エッチング法により機械的なバネ部を備
えたコンタクトとして成形されている。
られる結果、従来の当該ソケットに用いられるコンタク
トは、以下の製造工程を経て製造されていた。即ち、 実際ＩＣ検査はある一定の温度環境下（多くの場合
８０℃〜１２５℃）で加速試験が行われる結果、コンタ
クト用素材として主としてベリリウム銅合金（代表例は
Ｃ１７２０）かこれに代用する時効硬化型銅合金が使用
されている。 これらの合金を板あるいは条の形に仕上げた後、加
工経済性を追求する場合はプレス加工法により打抜き、
或いは又化学的エッチング法により機械的なバネ部を備
えたコンタクトとして成形されている。
【０００４】 次に、ソケットの効率的使用のために
コンタクトは繰り返し使用されることを考慮して、成形
されたコンタクトを時効硬化熱処理し、コンタクト材質
を改良していた。或いは、あらかじめ材質を改良した、
板および条をプレス加工や化学的エッチング法により成
形する工法も取られていた。 いずれの成形法によるも、電気接触部（以下接点と
いう）は極力平面に近く仕上げることを目的に、プレス
法であれば剪断面比率が多く取れるシェービング法（せ
ん断面または切削面の凹凸を取り平滑で高精度の仕上げ
面を得る方法。凹凸のあるわずかな部分を削り取る。）
エッチング法であればアフターエッチングと呼ばれる仕
上げ方法がとられていた。 かくして仕上げられたコンタクトは、検査時に着脱
される被検査ＩＣの外部電極部と良好な金属接触を得る
ために、例えばＡｕやＰｄ、Ｒｕ、Ｒｈ等の貴金属やこ
れらの合金被膜を形成していた。また、これら貴金属の
皮膜形成前に、コンタクト素材（多くの場合ベリリウム
銅を初めとする銅合金）と貴金属との相互拡散を防止す
るために、拡散係数の異なる金属を下地に被覆する方法
も取られていた。
コンタクトは繰り返し使用されることを考慮して、成形
されたコンタクトを時効硬化熱処理し、コンタクト材質
を改良していた。或いは、あらかじめ材質を改良した、
板および条をプレス加工や化学的エッチング法により成
形する工法も取られていた。 いずれの成形法によるも、電気接触部（以下接点と
いう）は極力平面に近く仕上げることを目的に、プレス
法であれば剪断面比率が多く取れるシェービング法（せ
ん断面または切削面の凹凸を取り平滑で高精度の仕上げ
面を得る方法。凹凸のあるわずかな部分を削り取る。）
エッチング法であればアフターエッチングと呼ばれる仕
上げ方法がとられていた。 かくして仕上げられたコンタクトは、検査時に着脱
される被検査ＩＣの外部電極部と良好な金属接触を得る
ために、例えばＡｕやＰｄ、Ｒｕ、Ｒｈ等の貴金属やこ
れらの合金被膜を形成していた。また、これら貴金属の
皮膜形成前に、コンタクト素材（多くの場合ベリリウム
銅を初めとする銅合金）と貴金属との相互拡散を防止す
るために、拡散係数の異なる金属を下地に被覆する方法
も取られていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】（イ） 従来は、コン
タクトの接点箇所を極力平面に仕上げることで、被検査
ＩＣの外部電極面とコンタクト接点との接触方法を面対
面、或いは面対線としていた。これは接点箇所で良好な
金属接触を得るには、接点箇所を相手接触面に押し付け
る力（即ち接点圧力）を約３０ｇ以上取らなければ、金
属接触を阻害している不導体・半導体の金属生成物皮膜
を突き破ることができないと考えられていたからであ
る。
タクトの接点箇所を極力平面に仕上げることで、被検査
ＩＣの外部電極面とコンタクト接点との接触方法を面対
面、或いは面対線としていた。これは接点箇所で良好な
金属接触を得るには、接点箇所を相手接触面に押し付け
る力（即ち接点圧力）を約３０ｇ以上取らなければ、金
属接触を阻害している不導体・半導体の金属生成物皮膜
を突き破ることができないと考えられていたからであ
る。
【０００６】（ロ） 又、一方当該コンタクトの製造工
程においては通常０．１ｍｍから０．３ｍｍの板厚を有
する板および条からプレス打抜き法で成形される場合が
通常である。この場合、コンタクトに弾発力を発生させ
るバネ部を成形するに際して、そのバネ幅は板厚に近く
なるに従い難しくなるので、板厚比１２０％以上のバネ
幅を有するバネ部を形成していた。材料力学上のバネ断
面係数からこれらバネ部が発生する接点圧力を計算する
と、３０ｇ以上となる結果が得られ、上記の要求を図
らずも満足することになっていた。
程においては通常０．１ｍｍから０．３ｍｍの板厚を有
する板および条からプレス打抜き法で成形される場合が
通常である。この場合、コンタクトに弾発力を発生させ
るバネ部を成形するに際して、そのバネ幅は板厚に近く
なるに従い難しくなるので、板厚比１２０％以上のバネ
幅を有するバネ部を形成していた。材料力学上のバネ断
面係数からこれらバネ部が発生する接点圧力を計算する
と、３０ｇ以上となる結果が得られ、上記の要求を図
らずも満足することになっていた。
【０００７】（ハ） これら高接点圧力（３０ｇ以上）
を発生させる使用条件下にても、金属疲労破壊や応力緩
和等によるバネ部の障害を極力回避する目的をもって、
これらコンタクトに使用される材料として、ベリリウム
銅合金を代表とする時効硬化型合金が採用されて、前出
のように多くの場合プレス成形後に所期の金属特性を得
るための熱処理を実施していた。
を発生させる使用条件下にても、金属疲労破壊や応力緩
和等によるバネ部の障害を極力回避する目的をもって、
これらコンタクトに使用される材料として、ベリリウム
銅合金を代表とする時効硬化型合金が採用されて、前出
のように多くの場合プレス成形後に所期の金属特性を得
るための熱処理を実施していた。
【０００８】（ニ） ところが、これら従来技術の問題
として、 ａ． ベリリウム銅合金を代表とする折出硬化型合金は
高価格であり、 ｂ． 熱処理工程が不可避のため熱処理費が更にこれに
追加され、 ｃ． 更に、熱処理によってわずかな当該コンタクトの
バネ部の変形に起因する接点の接触面角の傾斜が発生
し、電気的接触障害が時折発生するという欠点があっ
た。
として、 ａ． ベリリウム銅合金を代表とする折出硬化型合金は
高価格であり、 ｂ． 熱処理工程が不可避のため熱処理費が更にこれに
追加され、 ｃ． 更に、熱処理によってわずかな当該コンタクトの
バネ部の変形に起因する接点の接触面角の傾斜が発生
し、電気的接触障害が時折発生するという欠点があっ
た。
【０００９】（ホ） これら従来技術によって製造され
たコンタクトを用いたＩＣ検査用ソケットは、従って、
ソケット本体価格が高いコンタクトの電気的接触障
害が発生するなどの問題を抱えていたため、ＩＣ検査工
程のコストを押し上げるとともに、ＩＣ製造工程のコス
トダウンに寄与することが少なかった。
たコンタクトを用いたＩＣ検査用ソケットは、従って、
ソケット本体価格が高いコンタクトの電気的接触障
害が発生するなどの問題を抱えていたため、ＩＣ検査工
程のコストを押し上げるとともに、ＩＣ製造工程のコス
トダウンに寄与することが少なかった。
【００１０】本発明は上記従来の欠点に鑑みてなされた
もので、低接点圧力例えば３０ｇ以下であっても良好な
電気的接触が得られるよう接点形状を工夫し、ＩＣ検査
用ソケット等の半導体素子検査用ソケットのコンタクト
の改良を図ると同時に、低接点圧力でのコンタクトのバ
ネ部（弾発力発生部分）の断面係数を低減するために、
板厚近傍及び板厚以下のバネ幅に成形したコンタクトを
プレス加工技術によって開発したものである。
もので、低接点圧力例えば３０ｇ以下であっても良好な
電気的接触が得られるよう接点形状を工夫し、ＩＣ検査
用ソケット等の半導体素子検査用ソケットのコンタクト
の改良を図ると同時に、低接点圧力でのコンタクトのバ
ネ部（弾発力発生部分）の断面係数を低減するために、
板厚近傍及び板厚以下のバネ幅に成形したコンタクトを
プレス加工技術によって開発したものである。
【００１１】また本発明は、コンタクトの接点の接触面
角の傾斜を極力防止する目的とプレス成形後の熱処理工
程の削除の目的に鑑み、あらかじめ材料供給者側で時効
硬化熱処理がなされた時効硬化型合金を採用し、コンタ
クトの製造コストを低減することにある。
角の傾斜を極力防止する目的とプレス成形後の熱処理工
程の削除の目的に鑑み、あらかじめ材料供給者側で時効
硬化熱処理がなされた時効硬化型合金を採用し、コンタ
クトの製造コストを低減することにある。
【００１２】更に、コンタクトのバネ部においては、金
属疲労破壊防止と初期接点圧力の応力緩和現象による低
減防止の目的でＮｉ或いはＮｉ合金の金属被膜を１０μ
ｍ以下の厚みでなし、接点部分の良好な電気的接触を得
るために貴金属を２μｍ以下の厚みとしたコンタクトと
する。これらにより、低価格で安定した電気的接触特性
が得られるＩＣ検査用ソケット等の半導体素子検査用ソ
ケットのためのコンタクトが得られる。
属疲労破壊防止と初期接点圧力の応力緩和現象による低
減防止の目的でＮｉ或いはＮｉ合金の金属被膜を１０μ
ｍ以下の厚みでなし、接点部分の良好な電気的接触を得
るために貴金属を２μｍ以下の厚みとしたコンタクトと
する。これらにより、低価格で安定した電気的接触特性
が得られるＩＣ検査用ソケット等の半導体素子検査用ソ
ケットのためのコンタクトが得られる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体素子
検査用ソケットのコンタクトは、バネ部を備えたコンタ
クトの接触部の接触力が３０ｇ以下となるように形成
し、かつ前記接触部の先端を球状に形成して点接触によ
る電気接点構造に形成したものである。
検査用ソケットのコンタクトは、バネ部を備えたコンタ
クトの接触部の接触力が３０ｇ以下となるように形成
し、かつ前記接触部の先端を球状に形成して点接触によ
る電気接点構造に形成したものである。
【００１４】また本発明に係る半導体素子検査用ソケッ
トのコンタクトは、前記接触部の接触力が３０ｇ以下と
なるように、板厚比が１１０％以下のバネ幅となるよう
にバネ部を形成したものである。
トのコンタクトは、前記接触部の接触力が３０ｇ以下と
なるように、板厚比が１１０％以下のバネ幅となるよう
にバネ部を形成したものである。
【００１５】さらに本発明に係る半導体素子検査用ソケ
ットのコンタクトは、低接触力下でも繰り返しコンタク
トの接触部の電気接触信頼性を維持するために、少なく
ともバネ部の弾発力発生箇所及び接触部に、高弾性係数
を有する金属皮膜を形成し、更にその上に電気的接触性
能の優れた貴金属皮膜を形成したものである。
ットのコンタクトは、低接触力下でも繰り返しコンタク
トの接触部の電気接触信頼性を維持するために、少なく
ともバネ部の弾発力発生箇所及び接触部に、高弾性係数
を有する金属皮膜を形成し、更にその上に電気的接触性
能の優れた貴金属皮膜を形成したものである。
【００１６】また本発明に係る半導体素子検査用ソケッ
トのコンタクトは、前記高弾性係数を有する金属膜は、
Ｎｉ又はＮｉ合金であり、貴金属皮膜はＡｕもしくはＰ
ｄ又はこれらの合金である。
トのコンタクトは、前記高弾性係数を有する金属膜は、
Ｎｉ又はＮｉ合金であり、貴金属皮膜はＡｕもしくはＰ
ｄ又はこれらの合金である。
【００１７】さらに前記コンタクト素材は、時効硬化熱
処理がなされた時効硬化型合金を採用したものである。
処理がなされた時効硬化型合金を採用したものである。
【００１８】すなわち、コンタクトの接触部の先端を球
状に形成に際しては、例えば接触接点面をＲ（半径）が
Ｏ．２５ｍｍ、ＲがＯ．２０ｍｍ或いはＲがＯ．１ｍｍ
以下に仕上げ加工することにより、接点が相手ＩＣ外部
電極に接触するに際して、３０ｇ以下の接点圧力下にお
いても真の金属接触面積を減じず、従って良好な電気的
接触が得られる。またコンタクトの接触部の先端に形成
する球状接点は本例のように、一つの場合に限定される
ことなく二個以上の複数に形成してもよい。複数とする
ことにより接点の接触の安定性等が一層増すこととな
る。
状に形成に際しては、例えば接触接点面をＲ（半径）が
Ｏ．２５ｍｍ、ＲがＯ．２０ｍｍ或いはＲがＯ．１ｍｍ
以下に仕上げ加工することにより、接点が相手ＩＣ外部
電極に接触するに際して、３０ｇ以下の接点圧力下にお
いても真の金属接触面積を減じず、従って良好な電気的
接触が得られる。またコンタクトの接触部の先端に形成
する球状接点は本例のように、一つの場合に限定される
ことなく二個以上の複数に形成してもよい。複数とする
ことにより接点の接触の安定性等が一層増すこととな
る。
【００１９】接点圧力を発生せしめるコンタクトのバネ
部の加工において、そのバネ幅を使用する素材の板厚比
１１０％以下に成形することによって接点圧力を３０ｇ
以下に設定する。
部の加工において、そのバネ幅を使用する素材の板厚比
１１０％以下に成形することによって接点圧力を３０ｇ
以下に設定する。
【００２０】コンタクトのバネ部のバネ幅を使用する素
材の板厚比１１０％以下に成形することの工学的意味
は、結果的にバネ部の発生応力を減ずることに帰結する
ので、材料の耐力値が低くても使用し得ることになる。
従って、低廉な折出硬化型合金を使用することが可能と
なると同時に、予め材料供給者側で経済性に優れた折出
硬化熱処理を施した板又は条を使用することによって、
コンタクト全体の製造工程を通じてのコストダウンが可
能となる。
材の板厚比１１０％以下に成形することの工学的意味
は、結果的にバネ部の発生応力を減ずることに帰結する
ので、材料の耐力値が低くても使用し得ることになる。
従って、低廉な折出硬化型合金を使用することが可能と
なると同時に、予め材料供給者側で経済性に優れた折出
硬化熱処理を施した板又は条を使用することによって、
コンタクト全体の製造工程を通じてのコストダウンが可
能となる。
【００２１】更には、コンタクトのバネ部には繰り返し
使用下における安定した接点圧力を確保する目的でＮｉ
やＮｉ合金の金属皮膜を形成する。同時に接点部分には
これらを下地被覆材とした上層にＡｕ、Ｒｄ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ等の貴金属やこれらの合金を更に皮膜形成することで
電気接触の信頼性を高めることもできる。経済性の観点
から、これらは下地および上層ともに、一部ではなくて
全面的な皮膜形成をして使用することでもよい。
使用下における安定した接点圧力を確保する目的でＮｉ
やＮｉ合金の金属皮膜を形成する。同時に接点部分には
これらを下地被覆材とした上層にＡｕ、Ｒｄ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ等の貴金属やこれらの合金を更に皮膜形成することで
電気接触の信頼性を高めることもできる。経済性の観点
から、これらは下地および上層ともに、一部ではなくて
全面的な皮膜形成をして使用することでもよい。
【００２２】
【発明実施の形態】実施例１ 図１の形状をしたＩＣ検査用ソケットのコンタクト１は
ベリリウム銅の板材を使用し、板厚ｔ＝０．１ｍｍで、
バネ部２のバネ幅ｗ＝０．０９ｍｍとなるようにプレス
加工により打ち抜き形成した。コンタクト１の接触部３
の先端の接点３ａは球状となるように破断面に面打ちを
行い、Ｒ＝０．１ｍｍとなるように点接触形状に形成し
た（図４参照）。打ち抜き加工したコンタクト１の全体
をＮｉメッキ２．５４μｍ厚の皮膜を形成してバネ部に
高弾性を賦形した。
ベリリウム銅の板材を使用し、板厚ｔ＝０．１ｍｍで、
バネ部２のバネ幅ｗ＝０．０９ｍｍとなるようにプレス
加工により打ち抜き形成した。コンタクト１の接触部３
の先端の接点３ａは球状となるように破断面に面打ちを
行い、Ｒ＝０．１ｍｍとなるように点接触形状に形成し
た（図４参照）。打ち抜き加工したコンタクト１の全体
をＮｉメッキ２．５４μｍ厚の皮膜を形成してバネ部に
高弾性を賦形した。
【００２３】実施例２ 図３の形状をしたＩＣ検査用ソケットのコンタクト１は
ベリリウム銅の板材を使用し、板厚ｔ＝０．２ｍｍで、
バネ部２のバネ幅ｗ＝０．１８ｍｍとなるようにプレス
加工により打ち抜き形成した。コンタクト１の接触部３
の先端の接点３ａは球状となるように破断面に面打ち行
い、Ｒ＝０．１ｍｍとなるように点接触形状に形成した
（図４参照）。打ち抜き加工したコンタクト１の全体を
Ｎｉメッキ１．２７μｍ厚の皮膜を形成してバネ部に高
弾性を賦形した。
ベリリウム銅の板材を使用し、板厚ｔ＝０．２ｍｍで、
バネ部２のバネ幅ｗ＝０．１８ｍｍとなるようにプレス
加工により打ち抜き形成した。コンタクト１の接触部３
の先端の接点３ａは球状となるように破断面に面打ち行
い、Ｒ＝０．１ｍｍとなるように点接触形状に形成した
（図４参照）。打ち抜き加工したコンタクト１の全体を
Ｎｉメッキ１．２７μｍ厚の皮膜を形成してバネ部に高
弾性を賦形した。
【００２４】従来例１ 図５の形状をしたＩＣ検査用ソケットのコンタクト１は
ベリリウム銅の板材を使用し、板厚ｔ＝０．１ｍｍ、
０．１５ｍｍ、０．２ｍｍのそれぞれに板厚を変え、バ
ネ部２のバネ幅はｔ＝０．１ｍｍに対してはｗ＝０．１
２ｍｍ、ｔ＝０．１５ｍｍに対してはｗ＝０．２ｍｍ、
ｔ＝０．２ｍｍに対してはｗ＝０．２５ｍｍとなるよう
にプレス加工により打ち抜き形成した。コンタクト１の
接触部３の先端の接点は板厚幅を維持した状態で表面仕
上げをした。
ベリリウム銅の板材を使用し、板厚ｔ＝０．１ｍｍ、
０．１５ｍｍ、０．２ｍｍのそれぞれに板厚を変え、バ
ネ部２のバネ幅はｔ＝０．１ｍｍに対してはｗ＝０．１
２ｍｍ、ｔ＝０．１５ｍｍに対してはｗ＝０．２ｍｍ、
ｔ＝０．２ｍｍに対してはｗ＝０．２５ｍｍとなるよう
にプレス加工により打ち抜き形成した。コンタクト１の
接触部３の先端の接点は板厚幅を維持した状態で表面仕
上げをした。
【００２５】従来例２ 図６の形状をしたＩＣ検査用ソケットのコンタクト１は
ベリリウム銅の板材を使用し、板厚ｔ＝０．２ｍｍ、
０．２５ｍｍ、０．３ｍｍのそれぞれに板厚を変え、バ
ネ部２のバネ幅はｔ＝０．２ｍｍに対してはｗ＝０．２
２ｍｍ、ｔ＝０．２５ｍｍに対してはｗ＝０．３ｍｍ、
ｔ＝０．３ｍｍに対してはｗ＝０．３５ｍｍとなるよう
にプレス加工により打ち抜き形成した。コンタクト１の
接触部３の先端の接点は板厚幅を維持した状態で表面仕
上げをした。
ベリリウム銅の板材を使用し、板厚ｔ＝０．２ｍｍ、
０．２５ｍｍ、０．３ｍｍのそれぞれに板厚を変え、バ
ネ部２のバネ幅はｔ＝０．２ｍｍに対してはｗ＝０．２
２ｍｍ、ｔ＝０．２５ｍｍに対してはｗ＝０．３ｍｍ、
ｔ＝０．３ｍｍに対してはｗ＝０．３５ｍｍとなるよう
にプレス加工により打ち抜き形成した。コンタクト１の
接触部３の先端の接点は板厚幅を維持した状態で表面仕
上げをした。
【００２６】
【発明の効果】実施例１では、接点圧力を１０ｇと下げ
ることができ、尚かつ１０００回の繰り返しＩＣ検査に
使用した結果、金属疲労破壊にもとづくバネの折損や応
力緩和による電気接触抵抗の増大が観測できず、極めて
良好なＩＣ検査用ソケットに用いられるコンタクトを得
ることができた。又、この時のコンタクト製造価格は、
従来技術による場合に比較して、大幅に低減することが
できた。
ることができ、尚かつ１０００回の繰り返しＩＣ検査に
使用した結果、金属疲労破壊にもとづくバネの折損や応
力緩和による電気接触抵抗の増大が観測できず、極めて
良好なＩＣ検査用ソケットに用いられるコンタクトを得
ることができた。又、この時のコンタクト製造価格は、
従来技術による場合に比較して、大幅に低減することが
できた。
【００２７】実施例２では、接点圧力を１５ｇに下げる
ことができ、尚かつ１０００００回の繰り返しＩＣ検査
に使用した結果、上記と同様に極めて良好なコンタクト
を得ることができた。又、製造コストを従来技術と比較
した結果、大幅なコスト低減を実現できた。
ことができ、尚かつ１０００００回の繰り返しＩＣ検査
に使用した結果、上記と同様に極めて良好なコンタクト
を得ることができた。又、製造コストを従来技術と比較
した結果、大幅なコスト低減を実現できた。
【００２８】本発明は上記の説明から判るように、低接
点圧力である３０ｇ以下であっても良好な電気的接触が
得られる。また、低接点圧力でのコンタクトのバネ部
（弾発力発生部分）の断面係数を低減するために、板厚
近傍及び板厚以下のバネ幅に成形したコンタクトをプレ
ス加工技術によって得ることができた。
点圧力である３０ｇ以下であっても良好な電気的接触が
得られる。また、低接点圧力でのコンタクトのバネ部
（弾発力発生部分）の断面係数を低減するために、板厚
近傍及び板厚以下のバネ幅に成形したコンタクトをプレ
ス加工技術によって得ることができた。
【００２９】また本発明は、コンタクトの接点の接触面
角の傾斜を極力防止する目的とプレス成形後の熱処理工
程の削除の目的に鑑み、あらかじめ材料供給者側で時効
硬化熱処理がなされた時効硬化型合金を採用することに
よりコンタクトの製造コストを低減することができた。
角の傾斜を極力防止する目的とプレス成形後の熱処理工
程の削除の目的に鑑み、あらかじめ材料供給者側で時効
硬化熱処理がなされた時効硬化型合金を採用することに
よりコンタクトの製造コストを低減することができた。
【００３０】更に、コンタクトのバネ部においては、金
属疲労破壊防止と初期接点圧力の応力緩和現象による低
減防止の目的でＮｉ或いはＮｉ合金等の高弾性賦形金属
皮膜を１０μｍ以下の厚みでなすことにより、低価格で
安定した電気的接触特性が得られるＩＣ検査用ソケット
等の半導体素子検査用ソケットのためのコンタクトが得
られる。
属疲労破壊防止と初期接点圧力の応力緩和現象による低
減防止の目的でＮｉ或いはＮｉ合金等の高弾性賦形金属
皮膜を１０μｍ以下の厚みでなすことにより、低価格で
安定した電気的接触特性が得られるＩＣ検査用ソケット
等の半導体素子検査用ソケットのためのコンタクトが得
られる。
【００３１】これにより金属疲労破壊現象や接点圧力の
応力緩和現象の起因となる力学量応力は、その最大値が
バネ部断面表面において発生し、バネ部表面を薄い皮膜
であっても高弾性係数を有する金属で被覆することで、
これら現象そのものを防止し得ることが確認できた（図
２参照）。
応力緩和現象の起因となる力学量応力は、その最大値が
バネ部断面表面において発生し、バネ部表面を薄い皮膜
であっても高弾性係数を有する金属で被覆することで、
これら現象そのものを防止し得ることが確認できた（図
２参照）。
【図１】 本発明の一実施例を示すコンタクトの拡大要
部斜視図である。
部斜視図である。
【図２】 図１のＸ−Ｘ´断面における応力分布を示す
説明図である。
説明図である。
【図３】 図１及び図３におけるコンタクトのＡ部分の
拡大要部斜視図である。
拡大要部斜視図である。
【図４】 本発明に係るコンタクトの球状接点の拡大斜
視図である。
視図である。
【図５】 従来例を示すコンタクトの拡大要部斜視図で
ある。
ある。
【図６】 従来例を示すコンタクトの拡大要部斜視図で
ある。
ある。
１ コンタクト ２ バネ部 ３ 接触部 ３ａ 球状接点
Claims (5)
- 【請求項１】 バネ部を備えたコンタクトの接触部の接
触力が３０ｇ以下となるように形成し、かつ前記接触部
の先端を球状に形成して点接触による電気接点構造に形
成したことを特徴とする半導体素子検査用ソケットのコ
ンタクト。 - 【請求項２】 前記接触部の接触力が３０ｇ以下となる
ように、板厚比が１１０％以下のバネ幅となるようにバ
ネ部を形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体
素子検査用ソケットのコンタクト。 - 【請求項３】 低接触力下でも繰り返しコンタクトの接
触部の電気接触信頼性を維持するために、少なくともバ
ネ部の弾発力発生箇所に、高弾性係数を有する金属皮膜
を形成したことを特徴とする請求項１又は２記載の半導
体素子検査用ソケットのコンタクト。 - 【請求項４】 前記高弾性係数を有する金属皮膜は、Ｎ
ｉ又はＮｉ合金であることを特徴とする請求項１、２又
は３記載の半導体素子検査用ソケットのコンタクト。 - 【請求項５】 前記コンタクト素材は、時効硬化熱処理
がなされた時効硬化型合金であることを特徴とする請求
項１、２、３又は４記載の半導体素子検査用ソケットの
コンタクト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10096934A JPH11273818A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半導体素子検査用ソケットのコンタクト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10096934A JPH11273818A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半導体素子検査用ソケットのコンタクト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11273818A true JPH11273818A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=14178178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10096934A Withdrawn JPH11273818A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半導体素子検査用ソケットのコンタクト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11273818A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343478A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Tyco Electronics Amp Kk | 電気コンタクトおよびそれを用いた電気接続部材 |
| US6812723B2 (en) | 2000-10-24 | 2004-11-02 | Nec Electronics Corporation | Probe pin for a probe card |
| JP2005032708A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-02-03 | Alps Electric Co Ltd | 接続装置及びその製造方法 |
| JP2006228743A (ja) * | 2003-06-20 | 2006-08-31 | Alps Electric Co Ltd | 接続装置 |
| JP2020091245A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 株式会社協成 | 高速通信半導体用コンタクト及び半導体検査システム |
| JP2021124499A (ja) * | 2020-02-04 | 2021-08-30 | ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー | クラッドワイヤ及びクラッドワイヤの製造方法 |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP10096934A patent/JPH11273818A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
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| US12020829B2 (en) | 2020-02-04 | 2024-06-25 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Clad wire and method for producing clad wires |
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