JPH1127128A

JPH1127128A - 半導体集積回路装置

Info

Publication number: JPH1127128A
Application number: JP9182083A
Authority: JP
Inventors: Fumio Oyamada; 文男小山田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-07-08
Filing date: 1997-07-08
Publication date: 1999-01-29

Abstract

(57)【要約】【課題】システムに搭載して実際に稼動させながら、
半導体集積回路装置の特性の劣化を評価することがで
き、それによってシステム全体の稼動停止を未然に防ぐ
ことができるようにされた半導体集積器回路装置を提供
する。【解決手段】実際にシステムに搭載される集積回路装
置内に、本来の処理を行うための回路６とともに、特性
劣化の評価を行うための素子４を備えた評価用の回路を
形成しておき、実際の稼動中にその評価用の回路を用い
て、例えばホットキャリアによるトランジスタのしきい
値電圧Ｖthの変化量（または、エレクトロマイグレーシ
ョンによるアルミニウム配線の抵抗増加及び断線の可能
性）を検出し、動作不良が起こる危険性の高い半導体集
積回路装置に対して故障発生に至る前に交換等の処置を
行うことにより、システム全体の稼動停止を未然に防ぐ
ようにしたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体技術さらに
は半導体集積回路装置の劣化の評価に適用して特に有効
な技術に関し、例えばＡＳＩＣ（特定用途向けＩＣ）に
おけるホットキャリアによるトランジスタのしきい値電
圧Ｖthの変化及びエレクトロマイグレーションによるア
ルミニウム配線の抵抗増加の検出に利用して有用な技術
に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体集積回路装置は、使用時
間の経過とともに少しずつ劣化して故障に至る。それに
対して、従来は、製品化された半導体集積回路装置を実
際のシステムに搭載し、稼動させている間に故障しない
ように、当該集積回路装置を開発する段階で、集積回路
装置内に、実際の処理を行う回路とともに、評価用の素
子を形成しておき、種々の信頼性の試験を行いながらそ
の評価用素子の特性を測定することによって集積回路装
置の劣化の様子を評価している。そして、その劣化の評
価結果に基づいて、当該集積回路の動作条件等に制約を
設け、故障の発生を回避するようにしている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、開発段
階で信頼性の評価を行っているにもかかわらず、実際に
は、半導体集積回路装置の使用状況によっては、システ
ム搭載後の稼働中に１つの半導体集積回路装置が故障し
てしまい、システム全体の稼動停止、すなわちシステム
ダウンを引き起こしてしまうという問題点があった。こ
れは、開発が終了して製品化された半導体集積回路装置
には、特性劣化を評価する素子が設けられていないた
め、実際のシステムに搭載した後においては、その半導
体集積回路装置の使用による劣化を評価することができ
ないからである。

【０００４】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
で、システムに搭載して実際に稼動させながら、半導体
集積回路装置の特性の劣化を評価することができ、それ
によってシステム全体の稼動停止を未然に防ぐことがで
きるようにされた半導体集積器回路装置を提供すること
を主たる目的としている。

【０００５】この発明の前記ならびにそのほかの目的と
新規な特徴については、本明細書の記述及び添附図面か
ら明らかになるであろう。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。

【０００７】すなわち、本発明の半導体集積回路装置に
おいては、実際にシステムに搭載される集積回路装置内
に、本来の処理を行うための回路とともに、特性劣化の
評価を行うための素子を備えた評価用の回路を形成して
おき、実際の稼動中にその評価用の回路を用いて、例え
ばホットキャリアによるトランジスタのしきい値電圧Ｖ
thの変化量や、エレクトロマイグレーションによるアル
ミニウム配線の抵抗増加及び断線の可能性を検出し、動
作不良が起こる危険性の高い半導体集積回路装置に対し
て故障発生に至る前に交換等の処置を行うことにより、
システム全体の稼動停止を未然に防ぐようにしたもので
ある。

【０００８】本発明によれば、半導体集積回路装置を実
際のシステムに搭載して稼動させながら、その集積回路
装置内において実際に動作している回路部分が、初期状
態と比べてどれだけ劣化したかを知ることができるの
で、その集積回路装置が使用限界になっているかどうか
を判定することができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】一般に、集積回路装置は、使用と
ともに少しずつ劣化し、やがて動作不良に至り故障して
しまう。その劣化の主な原因は、ホットキャリアによる
トランジスタのしきい値電圧Ｖthの変化と、エレクトロ
マイグレーションによるアルミニウム配線の抵抗増加及
び断線である。

【００１０】本発明は、故障に至る前に、トランジスタ
のしきい値電圧Ｖthの変化による劣化を知るために、集
積回路装置内に、本来の機能を果たす内部ロジックの他
に、しきい値電圧Ｖthを測定するための評価用のトラン
ジスタを設けたものである。そして、所定時間ごと、あ
るいは所定のイベントの発生時などに、評価用トランジ
スタのしきい値電圧Ｖthを測定することにより、トラン
ジスタの劣化の程度を知ることができるようにしたもの
である。

【００１１】また、本発明は、故障に至る前に、配線抵
抗の増加による劣化を知るために、集積回路装置内に、
本来の機能を果たす内部ロジックの他に、配線抵抗を測
定するための評価用の配線パターンを設けたものであ
る。そして、所定時間ごと、あるいは所定のイベントの
発生時などに、評価用配線パターンの抵抗値や信号の伝
播遅延時間を測定することにより、アルミニウム配線の
劣化の程度を知ることができるようにしたものである。

【００１２】図１は、本発明に係る半導体集積回路装置
の第１実施形態を示す図であり、同図（Ａ）は、この半
導体集積回路装置の通常使用状態を示し、同図（Ｂ）
は、ホットキャリアによるトランジスタのしきい値電圧
Ｖthの変化を測定するモードに切り換えた状態を示して
いる。この集積回路装置は、通常の使用状態において所
定の演算等を行う内部ロジック６、通常の使用時に所定
の信号が入力される入力端子１、その入力信号を内部ロ
ジック６に伝達するゲート３ａ、内部ロジック６からの
出力信号を出力端子７へ伝達するゲート３ｂ及び出力端
子７からなる回路と、評価用のトランジスタからなるゲ
ート４、測定用信号が入力される測定信号入力端子２、
その測定用信号がゲート４へ伝達されるように信号経路
を切り替える切替えスイッチ５及びゲート４の出力信号
を外部へ出力する測定信号出力端子８からなる測定用回
路とを備えている。

【００１３】切替えスイッチ５は、図１（Ａ）に示すよ
うに、通常の使用時、すなわち非評価時には、ゲート４
（評価用トランジスタ）の入力が、通常の入力端子１に
接続され、かつ測定信号入力端子２とは遮断されるよう
に切り替わる。一方、切替えスイッチ５は、図１（Ｂ）
に示すように、トランジスタのしきい値電圧Ｖthの評価
時には、ゲート４（評価用トランジスタ）の入力が、測
定信号入力端子２に接続され、かつ通常の入力端子１と
は遮断されるように切り替わる。このスイッチ５の切替
えは、外部から切替え信号等を入力させて行うようにな
っていてもよいし、同一半導体集積回路装置内に設けら
れた図示しない制御回路において切替え信号を生成し、
その制御信号により切り替えるようになっていてもよ
い。

【００１４】通常の使用状態においては、切替えスイッ
チ５が通常の入力端子１側に切り替わっていることによ
り、評価用トランジスタ（ゲート４）の信号は、内部ロ
ジック６内の所定のトランジスタ（図示省略）と同様
に、“Ｈ（ハイ）”レベルと“Ｌ（ロー）”レベルに切
り替わっており、内部ロジック６内のトランジスタ（図
示省略）と同様に劣化していく。

【００１５】従って、評価用トランジスタ（ゲート４）
に入力される信号は、“Ｈ（ハイ）”レベルと“Ｌ（ロ
ー）”レベルの切替えが最も頻繁に起こる信号、すなわ
ち動作周波数の高いクロック信号等が好ましい。つま
り、内部ロジック６内の、“Ｈ（ハイ）”レベルと“Ｌ
（ロー）”レベルの切替えが最も頻繁に起こって最も劣
化しやすいトランジスタと同等の条件で、評価用トラン
ジスタ（ゲート４）を通常時に動作させることによっ
て、内部ロジック６内のトランジスタの最も進んだ劣化
を検知することができるからである。

【００１６】この半導体集積回路装置の作用は以下の通
りである。通常使用状態においては、上述したように、
切替えスイッチ５がクロック信号等の入力端子１側に切
り替わっていることにより、評価用トランジスタ（ゲー
ト４）は内部ロジック６内の所定のトランジスタと同じ
様に劣化していく。トランジスタのしきい値電圧Ｖthの
評価時には、スイッチ５を測定信号入力端子２側に切替
え、その端子２に印加する電圧（すなわち、ゲート４の
ゲート電圧）を徐々に上げていき、しきい値電圧Ｖth1
を検出する。このしきい値電圧Ｖth1 と、例えば当初の
しきい値電圧Ｖth0 とを比較し、その変化量に基づいて
トランジスタの劣化の程度を検出する。あるいは、評価
により検出されたしきい値電圧Ｖth1 が所定の基準値に
対する許容範囲内に納まっているか否かによって、トラ
ンジスタの劣化を判断する。

【００１７】なお、図１に示すように測定信号入力端子
２及び測定信号出力端子８を専用端子として設ける代わ
りに、他の信号の入力信号や出力端子と兼用になってい
てもよい。

【００１８】図２は、本発明に係る半導体集積回路装置
の第２実施形態を示す図であり、同図（Ａ）は、この半
導体集積回路装置の通常使用状態を示し、同図（Ｂ）
は、エレクトロマイグレーションによるアルミニウム配
線の抵抗値の変化を測定するモードに切り換えた状態を
示している。この集積回路装置が図１に示す実施形態と
異なるのは、図１のゲート４（評価用トランジスタ）の
代わりに、測定用回路内に、アルミニウムよりなる評価
用配線パターン９及びそのパターン９の入力側の一端に
接続されてなるゲート３ｃが設けられており、そのゲー
ト３ｃのゲートは切替えスイッチ５を介して通常の入力
端子１または測定信号入力端子２に択一的に接続され、
かつ評価用配線パターン９の出力側の一端は測定信号出
力端子８に接続されている点である。その他の構成につ
いては、上記第１実施形態と同じであるので、同一の符
号を付して説明を省略する。

【００１９】切替えスイッチ５は、通常の使用時、すな
わち非評価時には、図２（Ａ）に示すように、評価用配
線パターン９の入力側が、ゲート３ｃを介して通常の入
力端子１に接続され、また配線抵抗の評価時には、図２
（Ｂ）に示すように、評価用配線パターン９の入力側
が、ゲート３ｃを介して測定信号入力端子２に接続され
るように、外部から入力される切替え信号または内部の
図示しない制御回路から出力される制御信号等により、
切り替わる。

【００２０】通常の使用状態においては、切替えスイッ
チ５が通常の入力端子１側に切り替わっていることによ
り、評価用配線パターン９には、内部ロジック６内の所
定の配線経路（図示省略）に流れる電流と同様の電流が
流れ、内部ロジック６内の配線経路（図示省略）と同様
にエレクトロマイグレーションにより劣化していく。

【００２１】従って、評価用配線パターン９には、最も
エレクトロマイグレーションの起こり易いような電流が
流れるようになっているとよい。すなわち、評価用配線
パターン９に流れる電流は、一方向のみに流れ、かつで
きるだけ電流値が大きく、しかも電流が流れている時間
的割合が大きいほどよい。つまり、内部ロジック６内に
おいて、そのような電流が流れる配線経路において最も
エレクトロマイグレーションが進行するので、内部ロジ
ック６内のアルミニウム配線の最も進んだ劣化を検知す
ることができるからである。

【００２２】この半導体集積回路装置の作用は以下の通
りである。通常使用状態においては、上述したように、
切替えスイッチ５が通常の入力端子１側に切り替わって
いることにより、評価用配線パターン９は内部ロジック
６内の所定のアルミニウム配線と同じ様に劣化してい
く。配線抵抗の評価時には、スイッチ５を測定信号入力
端子２側に切替え、測定用の電圧を印加して評価用配線
パターン９に流れる電流値Ｉ1 を検出する。この抵抗値
Ｉ1 と、例えば同じ印加電圧に対する当初の電流値Ｉ0
とを比較してアルミニウム配線の劣化の程度を検出す
る。あるいは、評価により検出された電流値Ｉ1 が所定
の基準値に対する許容範囲内に納まっているか否かによ
って、アルミニウム配線の劣化を判断する。または、評
価用配線パターン９を伝播する信号の遅延時間の変動に
基づいて、配線の劣化の程度を評価するようにしてもよ
い。

【００２３】なお、図２に示すように測定信号入力端子
２及び測定信号出力端子８を専用端子として設ける代わ
りに、他の信号の入力信号や出力端子と兼用になってい
てもよい。

【００２４】図３は、本発明に係る半導体集積回路装置
の第３実施形態を示す図である。この集積回路装置は、
トランジスタのしきい値電圧Ｖthの変化によるトランジ
スタの劣化を評価する測定用回路を備えているが、以下
の点で図１に示す実施形態と異なっている。すなわち、
図１の切替えスイッチ５をなくし、評価用トランジスタ
（ゲート４）の入力（ゲート）と内部ロジック６への入
力用ゲート３ａのゲートとを通常の入力端子１に共通接
続して、通常の入力端子１を図１の測定信号入力端子２
として兼用するとともに、トランジスタのしきい値電圧
Ｖthの基準となるゲート１１（リファレンス用トランジ
スタ）を設け、そのリファレンス用トランジスタの入力
及び出力にそれぞれ端子１０２，１０８を接続してなる
リファレンス用回路を設けた点である。その他の構成に
ついては、図１に示す第１実施形態と同じであるので、
同一の符号を付して説明を省略する。

【００２５】この集積回路装置では、トランジスタのし
きい値電圧Ｖthの評価時に、評価用トランジスタ（ゲー
ト４）のしきい値電圧Ｖth1 と、リファレンス用トラン
ジスタ（ゲート１１）のしきい値電圧Ｖth2 とを比較し
て、劣化の程度を判断する。評価用トランジスタ（ゲー
ト４）は内部ロジック６内の所定のトランジスタと同じ
様に劣化している。一方、通常使用時には、リファレン
ス用回路を動作させないので、リファレンス用トランジ
スタ（ゲート１１）は初期状態の特性（しきい値電圧Ｖ
th）を保っていると考えられる。それらを比較すること
によって、集積回路装置の個体差による影響がなくな
り、より正確にトランジスタの劣化の程度を評価するこ
とができる。

【００２６】図４は、本発明に係る半導体集積回路装置
の第４実施形態を示す図である。この集積回路装置は、
エレクトロマイグレーションによるアルミニウム配線の
劣化を評価する測定用回路を備えているが、以下の点で
図２に示す第２実施形態と異なっている。すなわち、図
２の切替えスイッチ５をなくし、評価用配線パターン９
の入力側に接続されたゲート３ｃと内部ロジック６への
入力用ゲート３ａとを通常の入力端子１に共通接続し
て、通常の入力端子１を図２の測定信号入力端子２とし
て兼用するとともに、アルミニウム配線パターンの抵抗
値の基準となるリファレンス用配線パターン１０を設
け、そのリファレンス用配線パターン１０の入力にゲー
ト３ｄを介して端子１０２を接続し、さらにリファレン
ス用配線パターン１０の出力に端子１０８を接続してな
るリファレンス用回路を設けた点である。その他の構成
については、図２に示す第２実施形態と同じであるの
で、同一の符号を付して説明を省略する。

【００２７】この集積回路装置では、配線抵抗の評価時
に、評価用配線パターン９の測定結果と、リファレンス
用配線パターン１０の測定結果とを比較して、劣化の程
度を判断する。評価用配線パターン９は内部ロジック６
内の所定のアルミニウム配線と同じ様に劣化している。
一方、通常使用時には、リファレンス用回路を動作させ
ないので、リファレンス用配線パターン１０は初期状態
の特性（抵抗値）を保っていると考えられる。それらを
比較することによって、集積回路装置の個体差による影
響がなくなり、より正確にエレクトロマイグレーション
によるアルミニウム配線の劣化の程度を評価することが
できる。

【００２８】図５は、本発明に係る半導体集積回路装置
の第５実施形態を示す図である。この集積回路装置は、
図３に示す集積回路装置において、評価用トランジスタ
（ゲート４）の出力結果とリファレンス用トランジスタ
（ゲート１１）の出力結果を比較器１２に入力させ、そ
れら２つの出力結果の差を増幅させて比較器１２より出
力端子１１８に出力させるようにしたものである。その
他の構成については、図３に示す第３実施形態と同じで
あるので、同一の符号を付して説明を省略する。

【００２９】比較器１２は、例えば、評価用トランジス
タ（ゲート４）の出力結果とリファレンス用トランジス
タ（ゲート１１）の出力結果との差が許容範囲内であれ
ば“Ｌ（ロー）”レベル（または“Ｈ（ハイ）”レベ
ル）の信号を出力し、それら２つの出力結果の差が許容
範囲を超えていれば“Ｈ（ハイ）”レベル（または“Ｌ
（ロー）”レベル）の信号を出力するようになってい
る。従って、比較器１２に接続された出力端子１１８
は、ディジタル信号を出力するようになっており、図１
〜図４に示す実施形態において出力端子８，１０８がア
ナログ信号を出力するようになっているのとは異なって
いる。

【００３０】図６は、本発明に係る半導体集積回路装置
の第６実施形態を示す図である。この集積回路装置は、
図４に示す集積回路装置において、評価用配線パターン
９の出力結果とリファレンス用配線パターン１０の出力
結果を比較器１２に入力させ、それら２つの出力結果の
差を増幅させて比較器１２より出力端子１１８に出力さ
せるようにしたものである。その他の構成については、
図４に示す第４実施形態と同じであるので、同一の符号
を付して説明を省略する。

【００３１】比較器１２は、例えば、評価用配線パター
ン９の出力結果とリファレンス用配線パターン１０の出
力結果との差が許容範囲内であれば“Ｌ（ロー）”レベ
ル（または“Ｈ（ハイ）”レベル）の信号を出力し、そ
れら２つの出力結果の差が許容範囲を超えていれば“Ｈ
（ハイ）”レベル（または“Ｌ（ロー）”レベル）の信
号を出力するようになっている。従って、上記第５実施
形態で述べたように、比較器１２に接続された出力端子
１１８は、ディジタル信号を出力するようになってい
る。

【００３２】図７は、本発明に係る半導体集積回路装置
の第７実施形態を示す図である。この集積回路装置は、
図５に示す集積回路装置において、測定用信号を生成し
て評価用トランジスタ（ゲート４）とリファレンス用ト
ランジスタ（ゲート１１）に供給する測定用信号生成回
路１３と、その測定用信号生成回路１３の動作を制御す
るとともに劣化の有無を判定する制御回路１４を設け、
半導体集積回路装置の内部でトランジスタの劣化の評価
を自動的に行い、評価用トランジスタ（ゲート４）の出
力結果とリファレンス用トランジスタ（ゲート１１）の
出力結果との差が許容範囲を超えている場合に出力端子
１１８にフラグを出力するようにしたものである。その
他の構成については、図５に示す第５実施形態と同じで
あるので、同一の符号を付して説明を省略する。

【００３３】例えば、制御回路１４には、図５の比較器
１２に代わって、それと同等の機能を有する比較回路１
４ａが設けられている。また、評価用トランジスタ（ゲ
ート４）は、排他的な切替えスイッチ１５を介して、通
常の使用時には通常の入力端子１に接続され、一方、ト
ランジスタの劣化の評価時には測定用信号生成回路１３
に接続されるようになっている。この切替えスイッチ１
５の切替え動作は、制御回路１４により制御されてい
る。

【００３４】なお、内部ロジック６や測定用回路ととも
に単一の集積回路装置に制御回路１４や測定用信号生成
回路１３を集積する代わりに、制御回路１４や測定用信
号生成回路１３を別のチップで構成してもよいし、マイ
クロプロセッサ等の制御回路を用いてもよい。

【００３５】図８は、本発明に係る半導体集積回路装置
の第８実施形態を示す図である。この集積回路装置は、
図６に示す集積回路装置において、測定用信号を生成し
て評価用配線パターン９とリファレンス用配線パターン
１０に供給する測定用信号生成回路１３と、その測定用
信号生成回路１３の動作を制御するとともに劣化の有無
を判定する制御回路１４を設け、半導体集積回路装置の
内部でアルミニウム配線の劣化の評価を自動的に行い、
評価用配線パターン９の出力結果とリファレンス用配線
パターン１０の出力結果との差が許容範囲を超えている
場合に出力端子１１８にフラグを出力するようにしたも
のである。その他の構成については、図６に示す第６実
施形態と同じであるので、同一の符号を付して説明を省
略する。

【００３６】例えば、制御回路１４には、図６の比較器
１２に代わって、それと同等の機能を有する比較回路１
４ａが設けられている。また、評価用配線パターン９の
入力側に接続されたゲート３ｃは、排他的な切替えスイ
ッチ１５を介して、通常の使用時には通常の入力端子１
に接続され、一方、アルミニウム配線の劣化の評価時に
は測定用信号生成回路１３に接続されるようになってい
る。この切替えスイッチ１５の切替え動作は、制御回路
１４により制御されている。

【００３７】なお、内部ロジック６や測定用回路ととも
に単一の集積回路装置に制御回路１４や測定用信号生成
回路１３を集積する代わりに、制御回路１４や測定用信
号生成回路１３を別のチップで構成してもよいし、マイ
クロプロセッサ等の制御回路を用いてもよい。

【００３８】上記各実施形態によれば、半導体集積回路
装置を実際のシステムに搭載して稼動させながら、その
集積回路装置内において実際に動作している回路部分
が、初期状態と比べてどれだけ劣化したかを知ることが
できるので、その集積回路装置が使用限界になっている
かどうかを判定することができ、故障発生前に、壊れそ
うになっている集積回路装置を容易に発見し交換等の処
置を行うことができるので、突然のシステムダウンを回
避することができる。

【００３９】また、上記各実施形態の半導体集積回路装
置は、突然のシステムダウンを回避することができるた
め、工場やプラント等の常時稼動させている必要のある
システムに適用されるのが適当である。

【００４０】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４１】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。

【００４２】すなわち、実際のシステムに搭載されて稼
動されている半導体集積回路装置が故障する前に、シス
テムに搭載した状態のまま、特性の劣化を評価すること
ができるため、壊れそうになっている集積回路装置を容
易に発見し交換等の処置を行うことができるので、突然
のシステムダウンを回避することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体集積回路装置の第１実施形
態を示す概略図である。

【図２】本発明に係る半導体集積回路装置の第２実施形
態を示す概略図である。

【図３】本発明に係る半導体集積回路装置の第３実施形
態を示す概略図である。

【図４】本発明に係る半導体集積回路装置の第４実施形
態を示す概略図である。

【図５】本発明に係る半導体集積回路装置の第５実施形
態を示す概略図である。

【図６】本発明に係る半導体集積回路装置の第６実施形
態を示す概略図である。

【図７】本発明に係る半導体集積回路装置の第７実施形
態を示す概略図である。

【図８】本発明に係る半導体集積回路装置の第８実施形
態を示す概略図である。

【符号の説明】

１入力端子２測定信号入力端子４，９評価用素子６内部ロジック７出力端子８，１１８測定信号出力端子１０，１１リファレンス用素子１２，１４ａ比較手段１３測定用信号生成回路１４制御回路１５切替え手段

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】入力端子及び出力端子を備え、かつ通常
動作時に駆動される回路部と、通常動作時に前記回路部
内の所定の素子への入力信号が分岐されて入力される評
価用素子と、特性評価時に測定用信号を受け取って前記
評価用素子へ入力させる測定信号入力端子と、前記評価
用素子の出力信号を出力する測定信号出力端子とを具備
することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】前記評価用素子と同一の初期特性を有
し、通常動作時には信号が入力されず、かつ特性評価時
にのみ測定用信号が入力されるリファレンス用素子を具
備することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路
装置。
【請求項３】特性評価時に前記評価用素子の出力信号
と前記リファレンス用素子の出力信号とを比較し、その
比較結果を前記測定信号出力端子を介して出力する比較
手段を具備することを特徴とする請求項２記載の半導体
集積回路装置。
【請求項４】入力端子及び出力端子を備え、かつ通常
動作時に駆動される回路部と、通常動作時に前記回路部
内の所定の素子への入力信号が分岐されて入力される評
価用素子と、該評価用素子と同一の初期特性を有し、か
つ通常動作時には信号入力のないリファレンス用素子
と、特性評価時に測定用信号を生成して前記評価用素子
及び前記リファレンス用素子に入力させる測定用信号生
成回路と、前記評価用素子に入力される信号を、測定用
信号と通常動作時の入力信号のいずれか一方に切り替え
る切替え手段と、特性評価時に前記評価用素子の出力信
号と前記リファレンス用素子の出力信号とを比較する比
較手段と、該比較手段による比較結果を出力する出力端
子と、前記測定用信号生成回路と前記切替え手段と前記
比較手段を制御する制御回路とを具備することを特徴と
する半導体集積回路装置。
【請求項５】前記評価用素子は、トランジスタである
ことを特徴とする請求項１、２，３または４記載の半導
体集積回路装置。
【請求項６】前記評価用素子は、アルミニウム配線パ
ターンよりなる素子であることを特徴とする請求項１、
２，３または４記載の半導体集積回路装置。