JPH1126941A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JPH1126941A JPH1126941A JP17981597A JP17981597A JPH1126941A JP H1126941 A JPH1126941 A JP H1126941A JP 17981597 A JP17981597 A JP 17981597A JP 17981597 A JP17981597 A JP 17981597A JP H1126941 A JPH1126941 A JP H1126941A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 積層する第２の配線パターンと基板上の第１
の配線パターンとを接続する導通孔を良好な形状に形成
し、高信頼性を有する多層配線基板を提供する。 【解決手段】 第１の配線パターン４が形成された基板
１０に、第１の配線パターン４を覆って絶縁層１を形成
する工程と、絶縁層１上に全面に導体層６を形成する工
程と、第１の配線パターン４上にある導体層６を除去し
て開口部７を形成する工程と、開口部７より第１の配線
パターン４を臨むように絶縁層１を除去して導通孔を穿
設する工程と、絶縁層１に開口部７周囲にある導体層６
を残して第２の配線パターンを形成する工程と、導通孔
に第１の配線パターン４と第２の配線パターンとをめっ
き等により接続する接続層を形成する工程とを有し、導
通孔を穿設する工程はレーザビームを用いるものであ
り、開口部径ФB がレーザビーム径ФL より大径とす
る。
の配線パターンとを接続する導通孔を良好な形状に形成
し、高信頼性を有する多層配線基板を提供する。 【解決手段】 第１の配線パターン４が形成された基板
１０に、第１の配線パターン４を覆って絶縁層１を形成
する工程と、絶縁層１上に全面に導体層６を形成する工
程と、第１の配線パターン４上にある導体層６を除去し
て開口部７を形成する工程と、開口部７より第１の配線
パターン４を臨むように絶縁層１を除去して導通孔を穿
設する工程と、絶縁層１に開口部７周囲にある導体層６
を残して第２の配線パターンを形成する工程と、導通孔
に第１の配線パターン４と第２の配線パターンとをめっ
き等により接続する接続層を形成する工程とを有し、導
通孔を穿設する工程はレーザビームを用いるものであ
り、開口部径ФB がレーザビーム径ФL より大径とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板の製造
方法に関し、さらに詳しくは、第１の配線パターンが形
成された基板上に、さらに第２の配線パターンを形成す
る場合において、第１の配線パターンと第２の配線パタ
ーンとを接続するために形成される導通孔の穿設方法に
特徴を有する多層配線基板の製造方法に関する。
方法に関し、さらに詳しくは、第１の配線パターンが形
成された基板上に、さらに第２の配線パターンを形成す
る場合において、第１の配線パターンと第２の配線パタ
ーンとを接続するために形成される導通孔の穿設方法に
特徴を有する多層配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】配線基板を複数層重ねて形成される多層
配線基板の製造方法として、全層一括に積層する方法
と、配線の出来上がった基板の上に積層または樹脂コー
ティングなどにより、順次配線パターンを重ねていく、
いわゆるビルドアップ工法とがある。
配線基板の製造方法として、全層一括に積層する方法
と、配線の出来上がった基板の上に積層または樹脂コー
ティングなどにより、順次配線パターンを重ねていく、
いわゆるビルドアップ工法とがある。
【０００３】このビルドアップ工法により製造された多
層配線基板の１例について、多層配線基板の概略断面図
である図３を参照して説明する。第１の配線パターン４
が形成された基板１０上に絶縁層１が形成され、絶縁層
１上に第２の配線パターン２が形成されている。さらに
第１の配線パターンと第２の配線パターンとを接続する
ための導通孔３が穿設され、この導通孔３には、第１の
配線パターンと第２の配線パターンとを接続する接続層
５が形成されている。本発明はこの導通孔３の穿設に関
わるものであり、導通孔３はバイアホールとも呼ばれて
いる。
層配線基板の１例について、多層配線基板の概略断面図
である図３を参照して説明する。第１の配線パターン４
が形成された基板１０上に絶縁層１が形成され、絶縁層
１上に第２の配線パターン２が形成されている。さらに
第１の配線パターンと第２の配線パターンとを接続する
ための導通孔３が穿設され、この導通孔３には、第１の
配線パターンと第２の配線パターンとを接続する接続層
５が形成されている。本発明はこの導通孔３の穿設に関
わるものであり、導通孔３はバイアホールとも呼ばれて
いる。
【０００４】以下、多層配線基板の従来の製造方法につ
いて、導通孔３の概略断面図である図４（ａ）〜図５
（ｆ）を参照して説明する。
いて、導通孔３の概略断面図である図４（ａ）〜図５
（ｆ）を参照して説明する。
【０００５】先ず、図４（ａ）に示したように、第１の
配線パターン４が形成された基板１０上に絶縁層１を形
成し、その上に導体層６を形成する。絶縁層１は、ポリ
イミド、ポリエステル、エポキシ、ビスマレイミドトリ
アジンのうちのいずれか１種を含む樹脂を積層およびコ
ーティングするいずれかの方法で形成される。導体層６
は、 Ａｌ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕのいずれか１種を含
み、めっき膜形成、および真空成膜のいずれかの方法に
より形成される。導体層６を形成する場合、絶縁層１と
の密着性の確保のため絶縁層１の表面の粗化や特別の処
理が必要とされる。この密着強度としては部品実装を行
う上で少なくとも５００ｇ／ｃｍ以上の値が必要であ
り、例えば銅めっき膜を導体層６としたエポキシ系樹脂
の絶縁層１を形成した場合、絶縁層１を過マンガン酸で
処理すること等により達成される。
配線パターン４が形成された基板１０上に絶縁層１を形
成し、その上に導体層６を形成する。絶縁層１は、ポリ
イミド、ポリエステル、エポキシ、ビスマレイミドトリ
アジンのうちのいずれか１種を含む樹脂を積層およびコ
ーティングするいずれかの方法で形成される。導体層６
は、 Ａｌ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕのいずれか１種を含
み、めっき膜形成、および真空成膜のいずれかの方法に
より形成される。導体層６を形成する場合、絶縁層１と
の密着性の確保のため絶縁層１の表面の粗化や特別の処
理が必要とされる。この密着強度としては部品実装を行
う上で少なくとも５００ｇ／ｃｍ以上の値が必要であ
り、例えば銅めっき膜を導体層６としたエポキシ系樹脂
の絶縁層１を形成した場合、絶縁層１を過マンガン酸で
処理すること等により達成される。
【０００６】次に、図４（ｂ）に示したように、第１の
配線パターン４上にある導体層６を、例えばフォトエッ
チングにより除去して開口部７を形成する。従来、導通
孔を穿設する工程では、特公平４−３６７６号公報およ
び特公平４−４７９９９号公報に記載された事例のよう
に、レーザビームが用いられており、この開口部径ФB
は、レーザビ−ムの径より小径にし、導体層６の開口部
７をマスクとして導通孔３を穿設していた。
配線パターン４上にある導体層６を、例えばフォトエッ
チングにより除去して開口部７を形成する。従来、導通
孔を穿設する工程では、特公平４−３６７６号公報およ
び特公平４−４７９９９号公報に記載された事例のよう
に、レーザビームが用いられており、この開口部径ФB
は、レーザビ−ムの径より小径にし、導体層６の開口部
７をマスクとして導通孔３を穿設していた。
【０００７】次に、図４（ｃ）に示したように、開口部
径ФB よりも大径なレーザビーム径ФL のレーザビ−ム
を照射し、基板１０の第１の配線パターン４が臨んで見
えるまで絶縁層１を除去して、図５（ｄ）に示したよう
な導通孔３を穿設する。
径ФB よりも大径なレーザビーム径ФL のレーザビ−ム
を照射し、基板１０の第１の配線パターン４が臨んで見
えるまで絶縁層１を除去して、図５（ｄ）に示したよう
な導通孔３を穿設する。
【０００８】次に、図５（ｅ）に示したように、導通孔
３にめっき膜等の接続層５を形成して導体層６と、第１
の配線パターン４とを接続した後、図５（ｆ）に示した
ように、フォトエッチング等により導体層６をパターニ
ングして、第２の配線パターン２を形成して完成する。
３にめっき膜等の接続層５を形成して導体層６と、第１
の配線パターン４とを接続した後、図５（ｆ）に示した
ように、フォトエッチング等により導体層６をパターニ
ングして、第２の配線パターン２を形成して完成する。
【０００９】図５（ｄ）〜図５（ｆ）に示したように、
従来、この開口部径ФB の所望の径に対して、レーザビ
ーム径ФL は０．０１ｍｍ〜０．０５ｍｍ大径であり、
例えば開口部径ФB を０．１ｍｍとした場合は、レーザ
ビーム径ФL は０．１２ｍとして導通孔３を穿設してい
た。このためレーザビームは、開口部７の周縁で回折さ
れ拡散し、開口部径ФB よりも大きく絶縁層１を抉って
孔形状を悪くし、開口部７の周縁の導体層６が庇６ａの
ようになっていた。この状態のままで、導通孔３の内面
にめっき膜等の接続層５を形成すると、電流が庇６ａに
集中し、庇６ａの部分に接続層５が厚く形成され、導通
孔３の内面に接続層５がわずかしか形成されない虞れが
あり、第１の配線パターン４と第２の配線パタ−ン２と
の接続の信頼性に著しい問題を生じる虞れがあった。し
たがって、この庇６ａを溶解処理や研磨処理等で除去す
る工程が必要であったが、特に多数の小径の導通孔３を
穿設して多層配線基板を製造する場合において、庇６ａ
を完全に除去することは非常に困難であった。
従来、この開口部径ФB の所望の径に対して、レーザビ
ーム径ФL は０．０１ｍｍ〜０．０５ｍｍ大径であり、
例えば開口部径ФB を０．１ｍｍとした場合は、レーザ
ビーム径ФL は０．１２ｍとして導通孔３を穿設してい
た。このためレーザビームは、開口部７の周縁で回折さ
れ拡散し、開口部径ФB よりも大きく絶縁層１を抉って
孔形状を悪くし、開口部７の周縁の導体層６が庇６ａの
ようになっていた。この状態のままで、導通孔３の内面
にめっき膜等の接続層５を形成すると、電流が庇６ａに
集中し、庇６ａの部分に接続層５が厚く形成され、導通
孔３の内面に接続層５がわずかしか形成されない虞れが
あり、第１の配線パターン４と第２の配線パタ−ン２と
の接続の信頼性に著しい問題を生じる虞れがあった。し
たがって、この庇６ａを溶解処理や研磨処理等で除去す
る工程が必要であったが、特に多数の小径の導通孔３を
穿設して多層配線基板を製造する場合において、庇６ａ
を完全に除去することは非常に困難であった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、多層配線基
板のかかる問題に鑑み、第１の配線パターンが形成され
た基板にさらに第２の配線パターンを形成する多層配線
基板の製造工程において、積層された絶縁層と導体層と
の層間密着強度を保ち、かつ、第１の配線パターンと第
２の配線パターンとを接続するための導通孔形状を良好
にして、高性能を有する多層配線基板の製造方法を提供
することを課題とする。
板のかかる問題に鑑み、第１の配線パターンが形成され
た基板にさらに第２の配線パターンを形成する多層配線
基板の製造工程において、積層された絶縁層と導体層と
の層間密着強度を保ち、かつ、第１の配線パターンと第
２の配線パターンとを接続するための導通孔形状を良好
にして、高性能を有する多層配線基板の製造方法を提供
することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明の多層配線基板の製造方法では、少
なくとも一方の面に第１の配線パターンが形成された基
板に、第１の配線パターンを覆って、絶縁層を形成する
工程と、絶縁層上に全面に導体層を形成する工程と、第
１の配線パターン上にある導体層を、フォトエッチング
法等により除去して開口部を形成する工程と、開口部よ
り第１の配線パターンを臨むように絶縁層を除去して導
通孔を穿設する工程と、導通孔に、めっきおよび真空成
膜のいずれかの方法により接続層を形成する工程と、絶
縁層に、開口部周囲にある導体層を残して、フォトエッ
チング法等により第２の配線パターンを形成する工程と
を有し、導通孔を穿設する工程は、レーザビームを用い
るものであり、開口部の径がレーザビームの径より大で
あることを特徴とする。
に、請求項１の発明の多層配線基板の製造方法では、少
なくとも一方の面に第１の配線パターンが形成された基
板に、第１の配線パターンを覆って、絶縁層を形成する
工程と、絶縁層上に全面に導体層を形成する工程と、第
１の配線パターン上にある導体層を、フォトエッチング
法等により除去して開口部を形成する工程と、開口部よ
り第１の配線パターンを臨むように絶縁層を除去して導
通孔を穿設する工程と、導通孔に、めっきおよび真空成
膜のいずれかの方法により接続層を形成する工程と、絶
縁層に、開口部周囲にある導体層を残して、フォトエッ
チング法等により第２の配線パターンを形成する工程と
を有し、導通孔を穿設する工程は、レーザビームを用い
るものであり、開口部の径がレーザビームの径より大で
あることを特徴とする。
【００１２】請求項２の発明の多層配線基板の製造方法
では、少なくとも一方の面に第１の配線パターンが形成
された基板に、第１の配線パターンを覆って、絶縁層上
に銅箔等の導体層が形成された積層基板を絶縁層側から
接合する工程と、第１の配線パターン上にある導体層
を、フォトエッチング法等により除去して開口部を形成
する工程と、開口部より第１の配線パターンを臨むよう
に絶縁層を除去して導通孔を穿設する工程と、導通孔
に、めっきおよび真空成膜のいずれかの方法により接続
層を形成する工程と、絶縁層に、開口部周囲にある導体
層を残して、フォトエッチング法等により第２の配線パ
ターンを形成する工程とを有し、導通孔を穿設する工程
は、レーザビームを用いるものであり、開口部の径がレ
ーザビームの径より大であることを特徴とする。
では、少なくとも一方の面に第１の配線パターンが形成
された基板に、第１の配線パターンを覆って、絶縁層上
に銅箔等の導体層が形成された積層基板を絶縁層側から
接合する工程と、第１の配線パターン上にある導体層
を、フォトエッチング法等により除去して開口部を形成
する工程と、開口部より第１の配線パターンを臨むよう
に絶縁層を除去して導通孔を穿設する工程と、導通孔
に、めっきおよび真空成膜のいずれかの方法により接続
層を形成する工程と、絶縁層に、開口部周囲にある導体
層を残して、フォトエッチング法等により第２の配線パ
ターンを形成する工程とを有し、導通孔を穿設する工程
は、レーザビームを用いるものであり、開口部の径がレ
ーザビームの径より大であることを特徴とする。
【００１３】そして、請求項１または請求項２の発明に
おける望ましい実施態様は、レーザビームの径をФL と
したとき、開口部の径が、（ФL ＋０．００５）ｍｍ以
上、（ФL ＋０．２）ｍｍ以下である。
おける望ましい実施態様は、レーザビームの径をФL と
したとき、開口部の径が、（ФL ＋０．００５）ｍｍ以
上、（ФL ＋０．２）ｍｍ以下である。
【００１４】導体層および接続層は、少なくともＡｌ、
Ｃｕ、Ａｇ、およびＡｕのうちの何れか１種を含み、め
っきおよび真空成膜のいずれかの方法によることが有効
である。絶縁層は、少なくともポリイミド、ポリエステ
ル、エポキシ、ビスマレイドトリアジンのうちの何れか
１種を含む樹脂であることが有効である。
Ｃｕ、Ａｇ、およびＡｕのうちの何れか１種を含み、め
っきおよび真空成膜のいずれかの方法によることが有効
である。絶縁層は、少なくともポリイミド、ポリエステ
ル、エポキシ、ビスマレイドトリアジンのうちの何れか
１種を含む樹脂であることが有効である。
【００１５】基板は、複数の配線パターンが形成された
多層配線基板であっても良い。また、基板の両面に絶縁
層および導体層を複数層積層して形成する場合にも適用
できる。
多層配線基板であっても良い。また、基板の両面に絶縁
層および導体層を複数層積層して形成する場合にも適用
できる。
【００１６】上述した手段によれば、導体層に形成する
開口部の径をレーザビームの径よりも大とすることによ
り、レーザビームの開口部周縁における回折を発生させ
る虞れがなく、回折による悪影響を防止することができ
る。従って、第１の配線パターンと第２の配線パターン
とを接続する導通孔のレーザビームによる穿設工程にお
いて、導通孔を良好な孔形状に形成することができる。
また、第１の配線パターンと第２の配線パターンとを確
実に接続することができ、高信頼性を有する配線基板と
することができる。また、絶縁層上に銅箔等の導体層を
形成した積層基板を、絶縁層側から第１の配線パターン
が形成された基板に接合する場合には、導体層と絶縁層
との密着強度をより確実にすることができる。
開口部の径をレーザビームの径よりも大とすることによ
り、レーザビームの開口部周縁における回折を発生させ
る虞れがなく、回折による悪影響を防止することができ
る。従って、第１の配線パターンと第２の配線パターン
とを接続する導通孔のレーザビームによる穿設工程にお
いて、導通孔を良好な孔形状に形成することができる。
また、第１の配線パターンと第２の配線パターンとを確
実に接続することができ、高信頼性を有する配線基板と
することができる。また、絶縁層上に銅箔等の導体層を
形成した積層基板を、絶縁層側から第１の配線パターン
が形成された基板に接合する場合には、導体層と絶縁層
との密着強度をより確実にすることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な多層配線
基板の製造工程の１例について、導通孔の概略断面図で
ある図１（ａ）〜図２（ｆ）を参照して説明する。
基板の製造工程の１例について、導通孔の概略断面図で
ある図１（ａ）〜図２（ｆ）を参照して説明する。
【００１８】先ず、図１（ａ）に示したように、第１の
配線パターン４が形成された基板１０上に、絶縁層１を
形成し、その上に導体層６を形成する。絶縁層１は、ポ
リイミド、ポリエステル、エポキシ、ビスマレイドトリ
アジンのうちのいずれか１種を含む樹脂を積層およびコ
ーティングするいずれかの方法で形成することができ
る。導体層６は、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕのいずれ
か１種を含み、めっき膜形成および真空成膜のいずれか
の方法により形成することができる。導体層６を形成す
る場合、絶縁層１との密着性の確保のため絶縁層１の表
面の粗化や特別の処理を必要とするが、本発明の事例で
は過マンガン酸処理により、絶縁層１と導体層６との密
着強度は８００ｇ／ｃｍ以上であった。
配線パターン４が形成された基板１０上に、絶縁層１を
形成し、その上に導体層６を形成する。絶縁層１は、ポ
リイミド、ポリエステル、エポキシ、ビスマレイドトリ
アジンのうちのいずれか１種を含む樹脂を積層およびコ
ーティングするいずれかの方法で形成することができ
る。導体層６は、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕのいずれ
か１種を含み、めっき膜形成および真空成膜のいずれか
の方法により形成することができる。導体層６を形成す
る場合、絶縁層１との密着性の確保のため絶縁層１の表
面の粗化や特別の処理を必要とするが、本発明の事例で
は過マンガン酸処理により、絶縁層１と導体層６との密
着強度は８００ｇ／ｃｍ以上であった。
【００１９】次に、図１（ｂ）に示したように、導通孔
３を穿設する位置にある導体層６を、フォトエッチング
等により除去して、開口部７を形成する。この場合、図
１（ｃ）に示すように、レーザビーム径をФL とする
と、開口部径ФB は、例えば（ФL ＋０．００５）ｍｍ
〜（ФL ＋０．２）ｍｍの範囲が望ましい。例えばレー
ザビーム径ФL を０．１ｍｍとすると、開口部径Ф
B は、０．０２ｍｍ大径の１．０２ｍｍとする。
３を穿設する位置にある導体層６を、フォトエッチング
等により除去して、開口部７を形成する。この場合、図
１（ｃ）に示すように、レーザビーム径をФL とする
と、開口部径ФB は、例えば（ФL ＋０．００５）ｍｍ
〜（ФL ＋０．２）ｍｍの範囲が望ましい。例えばレー
ザビーム径ФL を０．１ｍｍとすると、開口部径Ф
B は、０．０２ｍｍ大径の１．０２ｍｍとする。
【００２０】次に、図１（ｃ）に示したように、開口部
径ФB よりも小径なレーザビーム径ФL のレーザビ−ム
を照射し、基板１０の第１の配線パターン４を臨んで見
えるまで絶縁層１を除去して、導通孔３を穿設する。こ
の結果、図２（ｄ）に示すように、レーザビームの開口
部７の周縁の回折による拡散を防止しつつ、開口部７の
周縁の導体層６に庇を形成することなく、開口部径ФB
とほぼ同径の円筒状に絶縁層１を除去して、好ましい形
状の導通孔３を得ることができた。
径ФB よりも小径なレーザビーム径ФL のレーザビ−ム
を照射し、基板１０の第１の配線パターン４を臨んで見
えるまで絶縁層１を除去して、導通孔３を穿設する。こ
の結果、図２（ｄ）に示すように、レーザビームの開口
部７の周縁の回折による拡散を防止しつつ、開口部７の
周縁の導体層６に庇を形成することなく、開口部径ФB
とほぼ同径の円筒状に絶縁層１を除去して、好ましい形
状の導通孔３を得ることができた。
【００２１】次に、図２（ｅ）に示したようにように、
例えばＣｕめっき膜等の接続層５を形成し、導体層６と
第１の配線パターン４とを接続した後、図２（ｆ）に示
すようなフォトエッチング等により導体層６をパターニ
ングし、第２の配線パターン２を形成して完成する。
例えばＣｕめっき膜等の接続層５を形成し、導体層６と
第１の配線パターン４とを接続した後、図２（ｆ）に示
すようなフォトエッチング等により導体層６をパターニ
ングし、第２の配線パターン２を形成して完成する。
【００２２】図２（ｄ）および図２（ｅ）に示したよう
に、導通孔３の形状は、従来の技術で図５（ｄ）を参照
した事例のような、開口部７の周縁の導体層６に庇６ａ
が形成されることがなく、導通孔３の内面に、めっき膜
等による均一な接続層５を形成することができた。
に、導通孔３の形状は、従来の技術で図５（ｄ）を参照
した事例のような、開口部７の周縁の導体層６に庇６ａ
が形成されることがなく、導通孔３の内面に、めっき膜
等による均一な接続層５を形成することができた。
【００２３】また、図１（ａ）に示したような、第１の
配線パターンが形成された基板１０上に、絶縁層１を形
成し、その上に導体層６を形成する工程の代わりに、ポ
リイミド、ポリエステル、エポキシ、ビスマレイドトリ
アジンのうちの何れか１種を含む樹脂の絶縁層１上に、
銅箔などの導体層６を形成した積層基板を絶縁層１側か
ら基板１０上に、例えば熱プレス工法等により形成する
工程であっても良い。この場合においても、絶縁層１と
基板１０を接合した後の工程は、図１（ｂ）〜図２
（ｆ）を参照して説明した事例と同様であり、重複する
説明を省略する。なお、樹脂等の接着剤である絶縁層１
と銅箔である導体層６との密着強度は、１．５ｋｇ／ｃ
ｍ〜２．０ｋｇ／ｃｍに達し部品実装上問題のないレベ
ルであった。
配線パターンが形成された基板１０上に、絶縁層１を形
成し、その上に導体層６を形成する工程の代わりに、ポ
リイミド、ポリエステル、エポキシ、ビスマレイドトリ
アジンのうちの何れか１種を含む樹脂の絶縁層１上に、
銅箔などの導体層６を形成した積層基板を絶縁層１側か
ら基板１０上に、例えば熱プレス工法等により形成する
工程であっても良い。この場合においても、絶縁層１と
基板１０を接合した後の工程は、図１（ｂ）〜図２
（ｆ）を参照して説明した事例と同様であり、重複する
説明を省略する。なお、樹脂等の接着剤である絶縁層１
と銅箔である導体層６との密着強度は、１．５ｋｇ／ｃ
ｍ〜２．０ｋｇ／ｃｍに達し部品実装上問題のないレベ
ルであった。
【００２４】
【発明の効果】本発明の多層配線基板の製造方法によれ
ば、第１の配線パターンが形成された基板に積層して形
成される第２の配線パターンと第１の配線パターンとを
接続するための導通孔を良好な孔形状に穿設することが
できる。従って、第１の配線パターンと第２の配線パタ
ーンとを接続する接続層を均一に形成することができ、
基板に積層して形成される絶縁層と導体層との密着強度
を保ちつつ、高信頼性を有する多層配線基板を提供でき
る。
ば、第１の配線パターンが形成された基板に積層して形
成される第２の配線パターンと第１の配線パターンとを
接続するための導通孔を良好な孔形状に穿設することが
できる。従って、第１の配線パターンと第２の配線パタ
ーンとを接続する接続層を均一に形成することができ、
基板に積層して形成される絶縁層と導体層との密着強度
を保ちつつ、高信頼性を有する多層配線基板を提供でき
る。
【図１】 本発明の実施例を示し、多層配線基板に導通
孔を形成する工程を示す概略断面図である。
孔を形成する工程を示す概略断面図である。
【図２】 本発明の実施例を示し、図１に示した工程に
引き続き、多層配線基板に導通孔を形成する工程を示す
概略断面図である。
引き続き、多層配線基板に導通孔を形成する工程を示す
概略断面図である。
【図３】 ビルドアップ工法による多層配線基板の概略
断面図を示す。
断面図を示す。
【図４】 従来例を示し、多層配線基板に導通孔を形成
する工程を示す概略断面図である。
する工程を示す概略断面図である。
【図５】 従来例を示し、図４に示した工程に引き続
き、多層配線基板に導通孔を形成する工程を示す概略断
面図である。
き、多層配線基板に導通孔を形成する工程を示す概略断
面図である。
１…絶縁層、２…第２の配線パターン、３…導通孔、４
…第１の配線パターン、５…接続層、６…導体層、６ａ
…庇、７…開口部、１０…基板、ФB …開口部径、ФL
…レーザビーム径
…第１の配線パターン、５…接続層、６…導体層、６ａ
…庇、７…開口部、１０…基板、ФB …開口部径、ФL
…レーザビーム径
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｎ
Claims (11)
- 【請求項１】 少なくとも一方の面に第１の配線パター
ンが形成された基板に、前記第１の配線パターンを覆っ
て絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層上の全面に導体層を形成する工程と、 前記第１の配線パターン上にある前記導体層を除去して
開口部を形成する工程と、 前記開口部より前記第１の配線パターンを臨むように前
記絶縁層を除去して導通孔を穿設する工程と、 前記導通孔に、接続層を形成する工程と、 前記導体層に、前記開口部周囲にある前記導体層を残し
て第２の配線パターンを形成する工程とを有する多層配
線基板の製造方法において、 前記導通孔を穿設する工程は、レーザビームを用いるも
のであり、 前記開口部の径が前記レーザビームの径より大であるこ
とを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項２】 少なくとも一方の面に第１の配線パター
ンが形成された基板に、前記第１の配線パターンを覆っ
て、絶縁層上に導体層が形成された積層基板を前記絶縁
層側から接合する工程と、 前記第１の配線パターン上にある前記導体層を除去して
開口部を形成する工程と、 前記開口部より前記第１の配線パターンを臨むように前
記絶縁層を除去して導通孔を穿設する工程と、 前記導通孔に、接続層を形成する工程と 、 前記導体層に、前記開口部周囲にある前記導体層を残し
て第２の配線パターンを形成する工程とを有する多層配
線基板の製造方法において、 前記導通孔を穿設する工程は、レーザビームを用いるも
のであり、 前記開口部の径が前記レーザビームの径より大であるこ
とを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記レーザビームの径をФL としたと
き、 前記開口部の径が、（ФL ＋０．００５）ｍｍ以上、
（ФL ＋０．２）ｍｍ以下であることを特徴とする請求
項１または請求項２に記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記開口部を形成する工程および前記第
２の配線パターンを形成する工程とが、フォトエッチン
グ法によることを特徴とする請求項１または請求項２に
記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項５】 前記導体層は、めっき膜および真空成膜
のいずれか１種であることを特徴とする請求項１に記載
の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記導体層は、導体箔であることを特徴
とする請求項２に記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項７】 前記接続層は、めっき膜および真空成膜
のいずれか１種であることを特徴とする請求項１に記載
の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項８】 前記接続層は、めっき膜および真空成膜
のいずれか１種であることを特徴とする請求項２に記載
の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項９】 前記導体層は、少なくともＡｌ、Ｃｕ、
ＡｇおよびＡｕのうちの何れか１種を含むことを特徴と
する請求項５または請求項６に記載の多層配線基板の製
造方法。 - 【請求項１０】 前記接続層は、少なくともＡｌ、Ｃ
ｕ、ＡｇおよびＡｕのうちの何れか１種を含むことを特
徴とする請求項７または請求項８に記載の多層配線基板
の製造方法。 - 【請求項１１】 前記絶縁層は、少なくともポリイミ
ド、ポリエステル、エポキシ、ビスマレイミドトリアジ
ンのうちの何れか１種を含む樹脂であることを特徴とす
る請求項１または請求項２に記載の多層配線基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17981597A JP3931385B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17981597A JP3931385B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126941A true JPH1126941A (ja) | 1999-01-29 |
| JP3931385B2 JP3931385B2 (ja) | 2007-06-13 |
Family
ID=16072381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17981597A Expired - Lifetime JP3931385B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3931385B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009130323A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Kyocera Corp | 配線基板の製造方法 |
-
1997
- 1997-07-04 JP JP17981597A patent/JP3931385B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009130323A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Kyocera Corp | 配線基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3931385B2 (ja) | 2007-06-13 |
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