JP3931385B2 - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3931385B2 JP3931385B2 JP17981597A JP17981597A JP3931385B2 JP 3931385 B2 JP3931385 B2 JP 3931385B2 JP 17981597 A JP17981597 A JP 17981597A JP 17981597 A JP17981597 A JP 17981597A JP 3931385 B2 JP3931385 B2 JP 3931385B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring pattern
- opening
- layer
- wiring board
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は多層配線基板の製造方法に関し、さらに詳しくは、第1の配線パターンが形成された基板上に、さらに第2の配線パターンを形成する場合において、第1の配線パターンと第2の配線パターンとを接続するために形成される導通孔の穿設方法に特徴を有する多層配線基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
配線基板を複数層重ねて形成される多層配線基板の製造方法として、全層一括に積層する方法と、配線の出来上がった基板の上に積層または樹脂コーティングなどにより、順次配線パターンを重ねていく、いわゆるビルドアップ工法とがある。
【0003】
このビルドアップ工法により製造された多層配線基板の1例について、多層配線基板の概略断面図である図3を参照して説明する。
第1の配線パターン4が形成された基板10上に絶縁層1が形成され、絶縁層1上に第2の配線パターン2が形成されている。
さらに第1の配線パターンと第2の配線パターンとを接続するための導通孔3が穿設され、この導通孔3には、第1の配線パターンと第2の配線パターンとを接続する接続層5が形成されている。本発明はこの導通孔3の穿設に関わるものであり、導通孔3はバイアホールとも呼ばれている。
【0004】
以下、多層配線基板の従来の製造方法について、導通孔3の概略断面図である図4(a)〜図5(f)を参照して説明する。
【0005】
先ず、図4(a)に示したように、第1の配線パターン4が形成された基板10上に絶縁層1を形成し、その上に導体層6を形成する。
絶縁層1は、ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ビスマレイミドトリアジンのうちのいずれか1種を含む樹脂を積層およびコーティングするいずれかの方法で形成される。
導体層6は、 Al、Cu、AgおよびAuのいずれか1種を含み、めっき膜形成、および真空成膜のいずれかの方法により形成される。
導体層6を形成する場合、絶縁層1との密着性の確保のため絶縁層1の表面の粗化や特別の処理が必要とされる。
この密着強度としては部品実装を行う上で少なくとも500g/cm以上の値が必要であり、例えば銅めっき膜を導体層6としたエポキシ系樹脂の絶縁層1を形成した場合、絶縁層1を過マンガン酸で処理すること等により達成される。
【0006】
次に、図4(b)に示したように、第1の配線パターン4上にある導体層6を、例えばフォトエッチングにより除去して開口部7を形成する。
従来、導通孔を穿設する工程では、特公平4−3676号公報および特公平4−47999号公報に記載された事例のように、レーザビームが用いられており、この開口部径ФB は、レーザビ−ムの径より小径にし、導体層6の開口部7をマスクとして導通孔3を穿設していた。
【0007】
次に、図4(c)に示したように、開口部径ФB よりも大径なレーザビーム径ФL のレーザビ−ムを照射し、基板10の第1の配線パターン4が臨んで見えるまで絶縁層1を除去して、図5(d)に示したような導通孔3を穿設する。
【0008】
次に、図5(e)に示したように、導通孔3にめっき膜等の接続層5を形成して導体層6と、第1の配線パターン4とを接続した後、図5(f)に示したように、フォトエッチング等により導体層6をパターニングして、第2の配線パターン2を形成して完成する。
【0009】
図5(d)〜図5(f)に示したように、従来、この開口部径ФB の所望の径に対して、レーザビーム径ФL は0.01mm〜0.05mm大径であり、例えば開口部径ФB を0.1mmとした場合は、レーザビーム径ФL は0.12mとして導通孔3を穿設していた。
このためレーザビームは、開口部7の周縁で回折され拡散し、開口部径ФB よりも大きく絶縁層1を抉って孔形状を悪くし、開口部7の周縁の導体層6が庇6aのようになっていた。
この状態のままで、導通孔3の内面にめっき膜等の接続層5を形成すると、電流が庇6aに集中し、庇6aの部分に接続層5が厚く形成され、導通孔3の内面に接続層5がわずかしか形成されない虞れがあり、第1の配線パターン4と第2の配線パタ−ン2との接続の信頼性に著しい問題を生じる虞れがあった。したがって、この庇6aを溶解処理や研磨処理等で除去する工程が必要であったが、特に多数の小径の導通孔3を穿設して多層配線基板を製造する場合において、庇6aを完全に除去することは非常に困難であった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、多層配線基板のかかる問題に鑑み、第1の配線パターンが形成された基板にさらに第2の配線パターンを形成する多層配線基板の製造工程において、積層された絶縁層と導体層との層間密着強度を保ち、かつ、第1の配線パターンと第2の配線パターンとを接続するための導通孔形状を良好にして、高性能を有する多層配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1の発明の多層配線基板の製造方法では、少なくとも一方の面に第1の配線パターンが形成された基板に、第1の配線パターンを覆って絶縁層を形成する工程と、絶縁層の表面に過マンガン酸処理をする工程と、表面に過マンガン酸処理をした絶縁層上の全面に導体層を形成する工程と、第1の配線パターン上にある導体層を除去して開口部を形成する工程と、開口部より第1の配線パターンを臨むように絶縁層を除去して導通孔を穿設する工程と、導通孔に、めっきおよび真空成膜のいずれかの方法により接続層を形成する工程と、絶縁層に、開口部周囲にある導体層を残してフォトエッチング法等により第2の配線パターンを形成する工程とを有し、導通孔を穿設する工程は、レーザビームを用いるものであり、開口部の径がレーザビームの径より大であることを特徴とする。
【0012】
請求項2の発明の多層配線基板の製造方法では、少なくとも一方の面に第1の配線パターンが形成された基板に、第1の配線パターンを覆って、表面に過マンガン酸処理をした絶縁層上に銅箔等の導体層が形成された積層基板を絶縁層側から接合する工程と、第1の配線パターン上にある導体層を、フォトエッチング法等により除去して開口部を形成する工程と、開口部より第1の配線パターンを臨むように絶縁層を除去して導通孔を穿設する工程と、導通孔に、めっきおよび真空成膜のいずれかの方法により接続層を形成する工程と、絶縁層に、開口部周囲にある導体層を残して、フォトエッチング法等により第2の配線パターンを形成する工程とを有し、導通孔を穿設する工程は、レーザビームを用いるものであり、開口部の径がレーザビームの径より大であることを特徴とする。
【0013】
そして、請求項1または請求項2の発明における望ましい実施態様は、
レーザビームの径をФL としたとき、開口部の径が、
(ФL +0.005)mm以上、(ФL +0.2)mm以下である。
【0014】
導体層および接続層は、少なくともAl、Cu、Ag、およびAuのうちの何れか1種を含み、めっきおよび真空成膜のいずれかの方法によることが有効である。
絶縁層は、少なくともポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ビスマレイドトリアジンのうちの何れか1種を含む樹脂であることが有効である。
【0015】
基板は、複数の配線パターンが形成された多層配線基板であっても良い。また、基板の両面に絶縁層および導体層を複数層積層して形成する場合にも適用できる。
【0016】
上述した手段によれば、
導体層に形成する開口部の径をレーザビームの径よりも大とすることにより、レーザビームの開口部周縁における回折を発生させる虞れがなく、回折による悪影響を防止することができる。従って、第1の配線パターンと第2の配線パターンとを接続する導通孔のレーザビームによる穿設工程において、導通孔を良好な孔形状に形成することができる。
また、第1の配線パターンと第2の配線パターンとを確実に接続することができ、高信頼性を有する配線基板とすることができる。
また、絶縁層上に銅箔等の導体層を形成した積層基板を、絶縁層側から第1の配線パターンが形成された基板に接合する場合には、導体層と絶縁層との密着強度をより確実にすることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な多層配線基板の製造工程の1例について、導通孔の概略断面図である図1(a)〜図2(f)を参照して説明する。
【0018】
先ず、図1(a)に示したように、第1の配線パターン4が形成された基板10上に、絶縁層1を形成し、その上に導体層6を形成する。
絶縁層1は、ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ビスマレイドトリアジンのうちのいずれか1種を含む樹脂を積層およびコーティングするいずれかの方法で形成することができる。
導体層6は、Al、Cu、AgおよびAuのいずれか1種を含み、めっき膜形成および真空成膜のいずれかの方法により形成することができる。
導体層6を形成する場合、絶縁層1との密着性の確保のため絶縁層1の表面の粗化や特別の処理を必要とするが、本発明の事例では過マンガン酸処理により、絶縁層1と導体層6との密着強度は800g/cm以上であった。
【0019】
次に、図1(b)に示したように、導通孔3を穿設する位置にある導体層6を、フォトエッチング等により除去して、開口部7を形成する。
この場合、図1(c)に示すように、レーザビーム径をФL とすると、開口部径ФB は、例えば(ФL +0.005)mm〜(ФL +0.2)mmの範囲が望ましい。
例えばレーザビーム径ФL を0.1mmとすると、開口部径ФB は、0.02mm大径の1.02mmとする。
【0020】
次に、図1(c)に示したように、開口部径ФB よりも小径なレーザビーム径ФL のレーザビ−ムを照射し、基板10の第1の配線パターン4を臨んで見えるまで絶縁層1を除去して、導通孔3を穿設する。
この結果、図2(d)に示すように、レーザビームの開口部7の周縁の回折による拡散を防止しつつ、開口部7の周縁の導体層6に庇を形成することなく、開口部径ФB とほぼ同径の円筒状に絶縁層1を除去して、好ましい形状の導通孔3を得ることができた。
【0021】
次に、図2(e)に示したようにように、例えばCuめっき膜等の接続層5を形成し、導体層6と第1の配線パターン4とを接続した後、図2(f)に示すようなフォトエッチング等により導体層6をパターニングし、第2の配線パターン2を形成して完成する。
【0022】
図2(d)および図2(e)に示したように、導通孔3の形状は、従来の技術で図5(d)を参照した事例のような、開口部7の周縁の導体層6に庇6aが形成されることがなく、導通孔3の内面に、めっき膜等による均一な接続層5を形成することができた。
【0023】
また、図1(a)に示したような、第1の配線パターンが形成された基板10上に、絶縁層1を形成し、その上に導体層6を形成する工程の代わりに、ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ビスマレイドトリアジンのうちの何れか1種を含む樹脂の絶縁層1上に、銅箔などの導体層6を形成した積層基板を絶縁層1側から基板10上に、例えば熱プレス工法等により形成する工程であっても良い。
この場合においても、絶縁層1と基板10を接合した後の工程は、図1(b)〜図2(f)を参照して説明した事例と同様であり、重複する説明を省略する。
なお、樹脂等の接着剤である絶縁層1と銅箔である導体層6との密着強度は、1.5kg/cm〜2.0kg/cmに達し部品実装上問題のないレベルであった。
【0024】
【発明の効果】
本発明の多層配線基板の製造方法によれば、第1の配線パターンが形成された基板に積層して形成される第2の配線パターンと第1の配線パターンとを接続するための導通孔を良好な孔形状に穿設することができる。従って、第1の配線パターンと第2の配線パターンとを接続する接続層を均一に形成することができ、基板に積層して形成される絶縁層と導体層との密着強度を保ちつつ、高信頼性を有する多層配線基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例を示し、多層配線基板に導通孔を形成する工程を示す概略断面図である。
【図2】 本発明の実施例を示し、図1に示した工程に引き続き、多層配線基板に導通孔を形成する工程を示す概略断面図である。
【図3】 ビルドアップ工法による多層配線基板の概略断面図を示す。
【図4】 従来例を示し、多層配線基板に導通孔を形成する工程を示す概略断面図である。
【図5】 従来例を示し、図4に示した工程に引き続き、多層配線基板に導通孔を形成する工程を示す概略断面図である。
【符号の説明】
1…絶縁層、2…第2の配線パターン、3…導通孔、4…第1の配線パターン、5…接続層、6…導体層、6a…庇、7…開口部、10…基板、ФB …開口部径、ФL …レーザビーム径
Claims (11)
- 少なくとも一方の面に第1の配線パターンが形成された基板に、前記第1の配線パターンを覆って絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の表面に過マンガン酸処理をする工程と、
前記表面に過マンガン酸処理をした絶縁層上の全面に導体層を形成する工程と、
前記第1の配線パターン上にある前記導体層を除去して開口部を形成する工程と、
前記開口部より前記第1の配線パターンを臨むように前記絶縁層を除去して導通孔を穿設する工程と、
前記導通孔に、接続層を形成する工程と、
前記絶縁層に、前記開口部周囲にある前記導体層を残して第2の配線パターンを形成する工程とを有し、
前記導通孔を穿設する工程は、レーザビームを用いるものであり、
前記開口部の径が前記レーザビームの径より大であること
を特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 少なくとも一方の面に第1の配線パターンが形成された基板に、前記第1の配線パターンを覆って、表面に過マンガン酸処理をした絶縁層上に導体層が形成された積層基板を前記絶縁層側から接合する工程と、
前記第1の配線パターン上にある前記導体層を除去して開口部を形成する工程と、
前記開口部より前記第1の配線パターンを臨むように前記絶縁層を除去して導通孔を穿設する工程と、
前記導通孔に、接続層を形成する工程と、
前記絶縁層に、前記開口部周囲にある前記導体層を残して第2の配線パターンを形成する工程とを有し、
前記導通孔を穿設する工程は、レーザビームを用いるものであり、
前記開口部の径が前記レーザビームの径より大であること
を特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 前記レーザビームの径をΦLとしたとき、
前記開口部の径が、(ΦL+0.005)mm以上、(ΦL+0.2)mm以下であること
を特徴とする請求項1または請求項2に記載の多層配線基板の製造方法。 - 前記開口部を形成する工程および前記第2の配線パターンを形成する工程とが、フォトエッチング法によること
を特徴とする請求項1または請求項2に記載の多層配線基板の製造方法。 - 前記導体層は、めっき膜および真空成膜のいずれか1種であること
を特徴とする請求項1に記載の多層配線基板の製造方法。 - 前記導体層は、導体箔であること
を特徴とする請求項2に記載の多層配線基板の製造方法。 - 前記接続層は、めっき膜および真空成膜のいずれか1種であること
を特徴とする請求項1に記載の多層配線基板の製造方法。 - 前記接続層は、めっき膜および真空成膜のいずれか1種であること
を特徴とする請求項2に記載の多層配線基板の製造方法。 - 前記導体層は、少なくともAl、Cu、AgおよびAuのうちの何れか1種を含むこと
を特徴とする請求項5または請求項6に記載の多層配線基板の製造方法。 - 前記接続層は、少なくともAl、Cu、AgおよびAuのうちの何れか1種を含むこと
を特徴とする請求項7または請求項8に記載の多層配線基板の製造方法。 - 前記絶縁層は、少なくともポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ビスマレイミドトリアジンのうちの何れか1種を含む樹脂であること
を特徴とする請求項1または請求項2に記載の多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17981597A JP3931385B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17981597A JP3931385B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1126941A JPH1126941A (ja) | 1999-01-29 |
JP3931385B2 true JP3931385B2 (ja) | 2007-06-13 |
Family
ID=16072381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17981597A Expired - Lifetime JP3931385B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3931385B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5171226B2 (ja) * | 2007-11-28 | 2013-03-27 | 京セラ株式会社 | 配線基板の製造方法 |
-
1997
- 1997-07-04 JP JP17981597A patent/JP3931385B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1126941A (ja) | 1999-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI482542B (zh) | 多層配線基板 | |
US5260518A (en) | Multilayer circuit board for mounting ICs and method of manufacturing the same | |
WO2000003572A1 (fr) | Carte de circuits imprimes et procede de fabrication associe | |
US6831235B1 (en) | Printed-circuit board, multilayer printed-circuit board and method of manufacture thereof | |
JPH0217948B2 (ja) | ||
JP3931385B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
WO1999026458A1 (fr) | Carte de cablage imprime multicouche et son procede de fabrication | |
JPH1041631A (ja) | チップ埋め込み構造高密度実装基板の製造方法 | |
JP3306495B2 (ja) | フレックスリジット配線板の製造方法 | |
JP3155565B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP2000101237A (ja) | ビルドアップ基板 | |
JP2001110928A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
JP4445778B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2000294933A (ja) | 多層回路基板及びその製造方法 | |
JP3296274B2 (ja) | 多層電子部品搭載用基板及びその製造方法 | |
JP3334584B2 (ja) | 多層電子部品搭載用基板及びその製造方法 | |
JP3296273B2 (ja) | 多層プリント配線板及びその製造方法 | |
JP2898706B2 (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 | |
JP4176283B2 (ja) | 可撓性微細多層回路基板の製造法 | |
JPH09130049A (ja) | 多層プリント配線板のビルドアップ法におけるバイア・ホールの形成方法およびそれにより製造される多層プリント配線板 | |
JP2787230B2 (ja) | 電子部品塔載用基板 | |
JP2000151107A (ja) | 多層プリント配線板及びその製造方法 | |
JP2000252633A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JP3796804B2 (ja) | プリント配線板及びその製造方法 | |
JP2016082151A (ja) | プリント配線板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20031212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060718 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060904 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070305 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100323 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110323 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120323 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130323 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130323 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140323 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |