JPH1126773A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH1126773A JPH1126773A JP9182165A JP18216597A JPH1126773A JP H1126773 A JPH1126773 A JP H1126773A JP 9182165 A JP9182165 A JP 9182165A JP 18216597 A JP18216597 A JP 18216597A JP H1126773 A JPH1126773 A JP H1126773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- region
- wiring
- insulating film
- connection region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9182165A JPH1126773A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9182165A JPH1126773A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126773A true JPH1126773A (ja) | 1999-01-29 |
| JPH1126773A5 JPH1126773A5 (enExample) | 2005-03-17 |
Family
ID=16113496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9182165A Withdrawn JPH1126773A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126773A (enExample) |
-
1997
- 1997-07-08 JP JP9182165A patent/JPH1126773A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6084289A (en) | Semiconductor processing method of forming a contact opening to a region adjacent a field isolation mass, and a semiconductor structure | |
| JP3123092B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11274290A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH09283751A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US6368956B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| JP2003101012A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2002217128A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2000514241A (ja) | 自己整合されたコンタクトおよびフィールド絶縁物を伴ったトランジスタおよび該トランジスタのための製造プロセス | |
| JP3458611B2 (ja) | Soi型半導体装置の製造方法 | |
| JPH1126773A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3483090B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3576144B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07273182A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06140428A (ja) | Soi構造を持つトランジスタおよびその製造方法 | |
| JP2001284204A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH10214795A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2000091340A (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| JP3845957B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2000031489A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6323540B1 (en) | Semiconductor processing method of forming a contact opening to a region adjacent a field isolation mass, and a semiconductor structure | |
| JP2001007341A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH09321133A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03177072A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH11121613A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2709200B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040416 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040416 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051213 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060213 |