JPH11248797A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH11248797A
JPH11248797A JP10047405A JP4740598A JPH11248797A JP H11248797 A JPH11248797 A JP H11248797A JP 10047405 A JP10047405 A JP 10047405A JP 4740598 A JP4740598 A JP 4740598A JP H11248797 A JPH11248797 A JP H11248797A
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JP
Japan
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output
circuit
semiconductor integrated
signal
integrated circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP10047405A
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English (en)
Inventor
Yoshimichi Nagasaki
美道 長▲崎▼
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 効率化と高信頼性を実現したテスト回路を備
えた半導体集積回路装置を提供する。 【解決手段】 出力期待値信号を半導体(回路ブロック
(1)〜(n))外部より入力端子11からディジタル
信号として入力し、半導体内部で発生したテストすべき
ディジタル出力信号とを比較回路8で比較する。これら
のテスト回路を半導体内部に設ける。半導体内部で期待
値比較を行うことで、テスト時の出力周波数を大幅に低
減できるので簡単な回路でかつ安定に実動作状態で生成
されたディジタル信号のテスティングが実現できるとい
う作用を有する。また、出力期待値を半導体内部よりデ
ィジタル信号として入力することで、簡単にテストパタ
ーンを作成することができるという作用を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、安定に高信頼性の
テスト回路を内蔵した半導体集積回路装置に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】LSIの動作周波数の高速化が進み、L
SIテスターを用いて検査することが難しくなってい
る。
【0003】図7は従来の大規模LSIのテスト回路の
構成を示すブロック図である。図7において、1は回路
(機能)ブロック(1),(2)・・・(n)からなる
大規模LSIであり、ブロック入力ポート2およびブロ
ック出力ポート3を有する。4は回路(機能)ブロック
(1),(2)・・・(n)への入力信号の入力端子、
5はテストモード設定ブロック、6はテストモード設定
ブロック5からの切替信号にてブロック出力ポート3を
順次切り替えるセレクター、7は各回路ブロック
(1),(2)・・・(n)の出力信号が得られる出力
端子である。
【0004】次に動作を説明すると、大規模LSI1を
テストする場合、テスト容易化と回路(機能)ブロック
(1),(2)・・・(n)毎のテストパターンを加工
せずに使用するため、回路(機能)ブロック(1),
(2)・・・(n)毎にテストモード設定ブロック5か
らの切替信号により切り替え動作を行なうセレクター6
を用いて、入力端子4,ブロック入力ポート2を介して
入力された入力信号を直接外部より回路(機能)ブロッ
ク(1),(2)・・・(n)へ加える。その出力ポー
ト3からの出力信号はセレクター6を介して順次大規模
LSI1の外部にある出力端子7へ出力され観測する。
これはマルチプレックス方式といわれ、一般に行なわれ
ている方式である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記マ
ルチプレックス方式による回路(機能)ブロックのテス
トでは、実装状態では外部に出力する必要のない信号ま
で、LSI外部に出力する必要がある。
【0006】これらの信号は、一般に周波数が高くかつ
厳しいタイミング制約を持っている。しかし、LSI外
部に出力する場合、測定器の外部負荷によって遅延時間
が大きく変化する。
【0007】そのため、LSIの出力セルのトランジス
タはLSI内部トランジスタと比較して一般に駆動能力
を高く設計する。それでも、出力セルの遅延時間は内部
セルの遅延時間に比べ10倍以上大きくなってしまう。
また、出力セルのトランジスタは出力電圧の遷移期間に
貫通電流及び出力負荷への充放電のための電流が流れ、
LSIの電源電圧を変動させる。出力セルの出力電圧の
変化は、出力負荷や測定器のインピーダンスの不整合に
よってリンギングが発生している。そのために、高速に
動作する出力信号を安定に測定することや高精度なタイ
ミングで測定することが困難であった。
【0008】これらの信号を実動作状態でテストするた
めには、テスト用に遅延時間を制御したテスト回路の設
計と、外部負荷容量を小さくした特別な測定治具が必要
であった。
【0009】高速動作の内部信号を、LSI外部に出力
せずにテストする方法として、出力期待値をLSI内部
で発生させ、LSI内部で期待値比較を行い比較結果の
みを出力するビルトインセルフテストが知られている
が、テスト回路規模の増大や、可観測性の低下等の課題
があった。
【0010】本発明はこれらの課題を解決し、効率化と
高信頼性を実現したテスト回路を備えた半導体集積回路
装置の提供を目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
し、目的を達成するため出力期待値を半導体外部よりデ
ィジタル信号として入力し、半導体内部で発生したテス
トすべきディジタル出力信号と比較するテスト回路を半
導体内部に設けたものである。
【0012】本発明によれば、半導体内部で期待値比較
を行うことで、テスト時の出力周波数を大幅に低減でき
るので簡単な回路でかつ安定に実動作状態で生成された
ディジタル信号のテスティングが実現できるという作用
を有する。
【0013】また、出力期待値を半導体外部よりディジ
タル信号として入力することで、簡単にテストパターン
を作成することができるという作用を有する。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施の形態につ
いて、図1から図6を参照しながら説明する。
【0015】(実施の形態1)図1は本発明の実施の形
態1における半導体集積回路装置のテスト回路の構成を
示すブロック図である。図1において、8は比較回路
(イクスクルーシブオアゲート)である。9はオアゲー
ト、10は比較回路8の比較結果を出力する出力端子、
11は期待値信号(ディジタル信号)の入力端子、12
はテストモード設定ブロック5からの切替信号で制御さ
れる出力端子である。その他、従来例の図7と同じ機能
ブロック等には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【0016】次に動作を説明すると、まず、セレクター
6によって、回路ブロック(1)〜(n)の出力のうち
テストすべき出力をセレクターにて選択し、比較回路8
の片方に入力する。一方、期待値信号の入力端子11よ
り、上記選択されたテストすべき出力に対応する期待値
信号を、比較回路8のもう片方に入力する。
【0017】テストすべき出力と、入力する期待値信号
が一致している場合(良品)は、比較結果はLとなり、
一致しない場合(不良品)にはHとなる比較結果をオア
ゲート9によって、論理和をとり信号数を削減して、比
較結果を出力端子10より半導体外部に出力する。この
比較結果の出力端子のみを観測し、良品の場合はL出力
固定となり、不良品の場合にはHのパルスが発生する。
この出力端子10を観測することで回路ブロック(1)
〜(n)の良品/不良品の判定を簡単に行うことができ
る。
【0018】テスト時には、テストモード設定ブロック
5によって出力端子12をOFF状態とし、ノイズの発
生を低減する。
【0019】本実施の形態1の通常動作時には、テスト
モード設定ブロック5によってセレクター6は、通常動
作時に必要な回路ブロック(1)〜(n)の出力を選択
し出力する。この時は、出力端子12はテストモード設
定ブロック5によって出力状態とし、機能上必要な信号
を出力する。
【0020】(実施の形態2)図2は本発明の実施の形
態2における半導体集積回路装置のテスト回路の構成を
示すブロック図である。図2において、13は比較回路
(イクスクルーシブオアゲート)8とオアゲート9の間
に接続され入力端子14からの比較タイミングを制御す
るストローブ信号をクロック入力として動作するフリッ
プフロップである。その他、前記実施の形態1(図1)
と同じ機能のブロック等には同じ符号を付し、その説明
を省略する。
【0021】次に動作を説明すると、比較回路8の出力
までの動作は実施の形態1と同様であるので説明を省略
する。比較回路8の出力を入力端子14から与えられる
比較タイミングを制御するストローブ信号をクロック入
力とするフリップフロップ13のD入力に入力する。
【0022】フリップフロップ13の出力をオアゲート
9によって論理和をとり信号数を削減して、比較結果の
出力端子10より半導体外部に出力し、この比較結果の
出力端子のみを観測し、良品の場合はL出力固定とな
り、不良品の場合にはHのパルスが発生する。この出力
端子10を観測することで回路ブロック(1)〜(n)
の良品/不良品の判定を行う。
【0023】なお、本実施の形態2の通常動作時は実施
の形態1と同様であるので、その説明を省略する。
【0024】(実施の形態3)図3は本発明の実施の形
態3における半導体集積回路装置のテスト回路の構成を
示すブロック図である。図3において、15はオアゲー
ト9と比較結果の出力端子10との間に接続され、D入
力をVDDに固定された入力端子16によって事前にリ
セットされたフリップフロップである。その他、前記実
施の形態1(図1)および2(図2)と同じ機能のブロ
ック等には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【0025】次に動作を説明すると、オアゲート9の出
力までの動作は実施の形態2と同様であるので説明を省
略する。オアゲート9の出力はD入力をVDDに固定さ
れた入力端子16によって事前にリセットされたフリッ
プフロップ15のクロックに入力する。比較回路8で出
力と期待値の不一致が起こったときのみオアゲート9の
出力にHのパルスが発生し、フリップフロップ15のQ
出力にはHが出力される。不一致がなかった場合にはフ
リップフロップ15のQ出力はLのままである。この出
力を比較結果の出力端子10によって観測し、良品の場
合はL出力固定となり、不良品の場合には不一致が起こ
った時点よりH出力固定となる。この出力端子を観測す
ることで回路ブロックの良品/不良品の判定を行う。
【0026】なお、本実施の形態3の通常動作時は実施
の形態1と同様であるので説明を省略する。
【0027】(実施の形態4)図4は本発明の実施の形
態4における半導体集積回路装置のテスト回路の構成を
示すブロック図である。図4において、17はテストモ
ード設定ブロック5からの切替信号によって入力状態と
なる双方向端子であり、その他、前記実施の形態1〜3
(図1〜図3)と同じ機能のブロック等には同じ符号を
付し、その説明を省略する。
【0028】次に動作を説明すると、セレクター6によ
って、回路ブロック(1)〜(n)の出力のうちテスト
すべき出力を選択し、比較回路8の片方に入力するとこ
ろまでは実施の形態1と同様であるので説明を省略す
る。
【0029】次に、テストモード設定ブロック5によっ
て双方向端子17を入力状態とする。そして入力状態と
された双方向端子17より、上記選択されたテストすべ
き出力に対応する期待値信号を入力する。
【0030】上記入力された期待値信号を、比較回路8
のもう片方に入力する以降の動作は実施の形態2と同様
である。
【0031】本実施の形態4の通常動作時には、テスト
モード設定ブロック5によってセレクター6は、通常動
作時に必要な回路ブロックの出力を選択し出力する。こ
の時は、双方向端子17はテストモード設定ブロック5
によって出力状態とし、機能上必要な信号を出力する。
【0032】(実施の形態5)図5は本発明の実施の形
態5における半導体集積回路装置のテスト回路の構成を
示すブロック図である。本実施の形態5は回路ブロック
(1)の出力が回路ブロック(n)の入力となる構成で
あり、18は回路ブロック(1)の出力端子を示す。そ
の他、前記実施の形態1〜4(図1〜図4)と同じ機能
のブロック等には同じ符号を付し、その説明を省略す
る。
【0033】次に動作を説明すると、テスト動作時は、
前記実施の形態2と同様であるので説明を省略する。
【0034】本実施の形態5の通常動作時には、回路ブ
ロック(1)の出力は回路ブロック(n)の入力として
おり、機能上はLSI外部に出力する必要がない。この
時は、出力端子18はテストモード設定ブロック5によ
って出力状態とし、機能上必要な信号を出力する。
【0035】(実施の形態6)図6は本発明の実施の形
態6における半導体集積回路装置のテスト回路の構成を
示すブロック図である。本実施の形態6は回路ブロック
(1)の出力を、回路ブロック(2)に内蔵した比較回
路8の一方に入力し、入力端子11からの期待値信号を
比較回路8の他方に入力する構成である。また、19は
テストモード設定ブロック5からの切替信号にて切り替
え動作をするセレクターである。その他、前記実施の形
態1〜5(図1〜図5)と同じ機能のブロックには同じ
符号を付し、その説明を省略する。
【0036】次に動作を説明すると、まず、回路ブロッ
ク(1)の出力を回路ブロック(2)に内蔵した比較回
路8の片方に入力する。また期待値信号の入力端子11
より、上記選択されたテストすべき出力に対応する期待
値信号を比較回路8のもう片方に入力する。
【0037】比較回路8の出力を入力端子14から与え
られる比較タイミングを制御するストローブ信号をクロ
ック入力とするフリップフロップ13のD入力に入力す
る。フリップフロップ13の出力をオアゲート9によっ
て論理和をとり信号数を削減する。オアゲート9の出力
をセレクター19によって回路ブロック(1)〜(n)
の出力のうちテストすべき出力を選択し、選択された出
力はD入力をVDDに固定された入力端子16によって
事前にリセットされたフリップフロップ15のクロック
に入力する。
【0038】フリップフロップ15以降の動作は実施の
形態3と同様であるので説明を省略する。
【0039】本実施の形態6の通常動作時は回路ブロッ
ク(2)に入力された回路ブロック(1)の出力は回路
ブロック(2)内で分岐し通常回路で使用される。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体内部で期待値比較を行なうことで、テスト時の出力
周波数を大幅に削減できるので、簡単な回路で、かつ安
定に実動作状態で生成されたディジタル信号のテスティ
ングができる。しかも観測すべき出力端子のパルスの有
無によって良品/不良品の判定を行うことで、安定に高
精度のテストを行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1における半導体集積回路
装置のテスト回路の構成を示すブロック図
【図2】本発明の実施の形態2における半導体集積回路
装置のテスト回路の構成を示すブロック図
【図3】本発明の実施の形態3における半導体集積回路
装置のテスト回路の構成を示すブロック図
【図4】本発明の実施の形態4における半導体集積回路
装置のテスト回路の構成を示すブロック図
【図5】本発明の実施の形態5における半導体集積回路
装置のテスト回路の構成を示すブロック図
【図6】本発明の実施の形態6における半導体集積回路
装置のテスト回路の構成を示すブロック図
【図7】従来の大規模LSIのテスト回路の構成を示す
ブロック図
【符号の説明】
1 大規模LSI 2 ブロック入力ポート 3 ブロック出力ポート 4,11,14,16 入力端子 5 テストモード設定ブロック 6,19 セレクター 7,10,12,18 出力端子 8 比較回路(イクスクルーシブオアゲート) 9 オアゲート 13,15 フリップフロップ 17 双方向端子

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力されたディジタル信号を期待値信号
    として、半導体内部で発生したテストすべきディジタル
    出力信号とを比較する比較回路を備えていることを特徴
    とする半導体集積回路装置。
  2. 【請求項2】 上記比較回路は外部より制御可能なスト
    ローブ信号によって、比較するタイミングを制御できる
    ことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
  3. 【請求項3】 上記比較回路の出力信号のエッジを検出
    する手段を有し、半導体外部に出力される比較結果信号
    の周波数を低くすることを特徴とする請求項2記載の半
    導体集積回路装置。
  4. 【請求項4】 期待値信号として入力するディジタル信
    号は、本来出力される出力端子を入力端子により制御す
    ることによってテスト入力端子として使用することを特
    徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
  5. 【請求項5】 実動作状態で生成されたディジタル信号
    は、実装状態では半導体集積回路装置内でのみ使用され
    ることを特徴とする請求項1又は請求項2又は請求項3
    又は請求項4記載の半導体集積回路装置。
  6. 【請求項6】 実動作状態で生成されたディジタル信号
    を実装状態で使用する回路ブロック内に上記比較回路を
    有することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路
    装置。
JP10047405A 1998-02-27 1998-02-27 半導体集積回路装置 Pending JPH11248797A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007309733A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路および半導体集積回路の検査方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007309733A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路および半導体集積回路の検査方法

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