JPH11246263A - 耐プラズマ性に優れるアルミナセラミックスの製造方法 - Google Patents
耐プラズマ性に優れるアルミナセラミックスの製造方法Info
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- JPH11246263A JPH11246263A JP10054976A JP5497698A JPH11246263A JP H11246263 A JPH11246263 A JP H11246263A JP 10054976 A JP10054976 A JP 10054976A JP 5497698 A JP5497698 A JP 5497698A JP H11246263 A JPH11246263 A JP H11246263A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体や液晶ディスプレイ等の製造プロセス
において優れた耐プラズマ性を発揮するアルミナセラミ
ックスを、上記単結晶引き上げ法の様な特殊な方法では
なく一般的な焼結法で製造することのできるアルミナセ
ラミックスの製造方法を提供する。 【解決手段】 アルミナ粉末を成形した後、焼結するア
ルミナセラミックスの製造方法において、窒素を含有す
る不活性雰囲気で焼結する。上記不活性雰囲気の窒素分
圧としては０．５気圧以上であることが望ましく、焼結
温度は１４００℃以上１９００℃以下とすることが好ま
しい。
において優れた耐プラズマ性を発揮するアルミナセラミ
ックスを、上記単結晶引き上げ法の様な特殊な方法では
なく一般的な焼結法で製造することのできるアルミナセ
ラミックスの製造方法を提供する。 【解決手段】 アルミナ粉末を成形した後、焼結するア
ルミナセラミックスの製造方法において、窒素を含有す
る不活性雰囲気で焼結する。上記不活性雰囲気の窒素分
圧としては０．５気圧以上であることが望ましく、焼結
温度は１４００℃以上１９００℃以下とすることが好ま
しい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は耐プラズマ性に優れ
るアルミナセラミックスの製造方法に関し、詳細には半
導体や液晶ディスプレイ等の製造プロセスに適用される
エッチング装置，スパッタリング装置やＣＶＤ装置等の
真空プロセス装置の構成要素の様に、プラズマに曝され
る環境下で用いられる部品（例えば、静電チャックやク
ランプリング等のサセプター周辺部品）等の構成材料と
して好適なアルミナセラミックスの製造方法に関するも
のである。
るアルミナセラミックスの製造方法に関し、詳細には半
導体や液晶ディスプレイ等の製造プロセスに適用される
エッチング装置，スパッタリング装置やＣＶＤ装置等の
真空プロセス装置の構成要素の様に、プラズマに曝され
る環境下で用いられる部品（例えば、静電チャックやク
ランプリング等のサセプター周辺部品）等の構成材料と
して好適なアルミナセラミックスの製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体製造プロセスや液晶ディス
プレイ製造プロセスにおいては、腐食性ガスや高密度の
プラズマが多用されている。特にエッチング装置ではフ
ッ素系プラズマ等の様な腐食性の高いプラズマが使用さ
れていることから、エッチング装置内に装備される部品
には高い耐食性が要求される。そこでＡｌ2 Ｏ3 ，Ａｌ
Ｎ，ＳｉＣ等といったセラミックス材料の焼結体を部品
として適用した技術（例えば、特開平７−１８３２７７
号公報など）も多く提案されているが、腐食性ガスに対
する抵抗性は有しているものの耐プラズマ性は十分では
なく、特にフッ素系プラズマは非常に低い圧力及び低エ
ネルギー状態で高いイオン密度を有することから、この
フッ素系プラズマには十分な抵抗性を有するものではな
かった。
プレイ製造プロセスにおいては、腐食性ガスや高密度の
プラズマが多用されている。特にエッチング装置ではフ
ッ素系プラズマ等の様な腐食性の高いプラズマが使用さ
れていることから、エッチング装置内に装備される部品
には高い耐食性が要求される。そこでＡｌ2 Ｏ3 ，Ａｌ
Ｎ，ＳｉＣ等といったセラミックス材料の焼結体を部品
として適用した技術（例えば、特開平７−１８３２７７
号公報など）も多く提案されているが、腐食性ガスに対
する抵抗性は有しているものの耐プラズマ性は十分では
なく、特にフッ素系プラズマは非常に低い圧力及び低エ
ネルギー状態で高いイオン密度を有することから、この
フッ素系プラズマには十分な抵抗性を有するものではな
かった。
【０００３】そこで特開平８−２３１２６６号公報に
は、アルミナセラミックスの粒径分布を制御することに
より、上記フッ素系プラズマに対する耐プラズマ性の向
上が図られている。しかしながら、この方法によって
も、従来例に比較して初期エッチング速度を３０％程度
低減しているに留まり、改良の余地を残していた。ま
た、この技術によれば、アルミナ以外にＳｉＯ2 ，Ｃａ
Ｏ，ＭｇＯからなる混合物をバインダーとして約０．２
〜０．５％含むものであり、粒界層のバインダー量が十
分でない高純度のアルミナセラミックスでは、耐プラズ
マ性に劣ることも示されている。但し、半導体製造プロ
セスではシリコンウエハへの異物のコンタミネーション
を防止するという観点からプロセス全体の高純度化が進
んでおり、ＣａＯやＭｇＯをバインダーとして存在させ
ることはこの高純度化を図る上で望ましくない。
は、アルミナセラミックスの粒径分布を制御することに
より、上記フッ素系プラズマに対する耐プラズマ性の向
上が図られている。しかしながら、この方法によって
も、従来例に比較して初期エッチング速度を３０％程度
低減しているに留まり、改良の余地を残していた。ま
た、この技術によれば、アルミナ以外にＳｉＯ2 ，Ｃａ
Ｏ，ＭｇＯからなる混合物をバインダーとして約０．２
〜０．５％含むものであり、粒界層のバインダー量が十
分でない高純度のアルミナセラミックスでは、耐プラズ
マ性に劣ることも示されている。但し、半導体製造プロ
セスではシリコンウエハへの異物のコンタミネーション
を防止するという観点からプロセス全体の高純度化が進
んでおり、ＣａＯやＭｇＯをバインダーとして存在させ
ることはこの高純度化を図る上で望ましくない。
【０００４】尚、この様なセラミックスよりも耐プラズ
マ性に優れる材料として単結晶アルミナも提案されてい
る（特開平７−２９９５９号）。しかしながら、単結晶
アルミナを得る為には、溶融物からの単結晶引き上げ法
という特殊な方法を用いることが必要であり、この単結
晶引き上げ法は生産工程が長時間を要し、しかも生産性
が低いという問題を有している。
マ性に優れる材料として単結晶アルミナも提案されてい
る（特開平７−２９９５９号）。しかしながら、単結晶
アルミナを得る為には、溶融物からの単結晶引き上げ法
という特殊な方法を用いることが必要であり、この単結
晶引き上げ法は生産工程が長時間を要し、しかも生産性
が低いという問題を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に着
目してなされたものであって、半導体や液晶ディスプレ
イ等の製造プロセスにおいて優れた耐プラズマ性を発揮
するアルミナセラミックスを、上記単結晶引き上げ法の
様な特殊な方法ではなく一般的な焼結法で製造すること
のできるアルミナセラミックスの製造方法を提供しよう
とするものである。
目してなされたものであって、半導体や液晶ディスプレ
イ等の製造プロセスにおいて優れた耐プラズマ性を発揮
するアルミナセラミックスを、上記単結晶引き上げ法の
様な特殊な方法ではなく一般的な焼結法で製造すること
のできるアルミナセラミックスの製造方法を提供しよう
とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決した本発
明とは、アルミナ粉末を成形した後、焼結するアルミナ
セラミックスの製造方法であって、窒素を含有する不活
性雰囲気で焼結することを要旨とするものである。上記
不活性雰囲気の窒素分圧として０．５気圧以上であるこ
とが望ましく、焼結温度は１４００℃以上１９００℃以
下とすることが好ましい。
明とは、アルミナ粉末を成形した後、焼結するアルミナ
セラミックスの製造方法であって、窒素を含有する不活
性雰囲気で焼結することを要旨とするものである。上記
不活性雰囲気の窒素分圧として０．５気圧以上であるこ
とが望ましく、焼結温度は１４００℃以上１９００℃以
下とすることが好ましい。
【０００７】また焼結後のアルミナセラミックスの相対
密度は９５％以上とすることが望ましく、更に相対密度
を高めて緻密なセラミックスとする上で、焼結後に熱間
静水圧焼結処理を施すことが推奨される。上記熱間静水
圧焼結処理を不活性雰囲気で行うことが必要であり、ガ
ス圧力は５００気圧以上とし、温度は１３００℃以上１
９００℃以下とすればよい。
密度は９５％以上とすることが望ましく、更に相対密度
を高めて緻密なセラミックスとする上で、焼結後に熱間
静水圧焼結処理を施すことが推奨される。上記熱間静水
圧焼結処理を不活性雰囲気で行うことが必要であり、ガ
ス圧力は５００気圧以上とし、温度は１３００℃以上１
９００℃以下とすればよい。
【０００８】尚、本発明方法により製造されたアルミナ
セラミックスは、特にフッ素系プラズマに対する耐プラ
ズマ性に優れている。また、本発明においてフッ素系プ
ラズマとは、フッ素プラズマだけではなく、フルオロカ
ーボン（例えばＣＦ4 やＣ 4 Ｆ8 等）やその他のフッ素
含有ガス等が電離したプラズマを総称してフッ素系プラ
ズマというものである。
セラミックスは、特にフッ素系プラズマに対する耐プラ
ズマ性に優れている。また、本発明においてフッ素系プ
ラズマとは、フッ素プラズマだけではなく、フルオロカ
ーボン（例えばＣＦ4 やＣ 4 Ｆ8 等）やその他のフッ素
含有ガス等が電離したプラズマを総称してフッ素系プラ
ズマというものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】アルミナセラミックスをプラズマ
で照射した時の損傷機構は、物理的損傷と化学的損傷に
大別される。物理的損傷は、プラズマ中の荷電粒子がア
ルミナセラミックス部品にかかっているバイアス電位で
加速され、アルミナセラミックスをスパッタリングする
ことで進行する損傷機構であり、アルミナセラミックス
表面に窪みや穴が存在するとその窪み等を起点にして損
傷がクレータ状に拡がることを本発明者らは知見した。
即ち、密度が低く組織中にポアを有するアルミナセラミ
ックスは、表面のポアを起点に損傷が進行するのであ
る。
で照射した時の損傷機構は、物理的損傷と化学的損傷に
大別される。物理的損傷は、プラズマ中の荷電粒子がア
ルミナセラミックス部品にかかっているバイアス電位で
加速され、アルミナセラミックスをスパッタリングする
ことで進行する損傷機構であり、アルミナセラミックス
表面に窪みや穴が存在するとその窪み等を起点にして損
傷がクレータ状に拡がることを本発明者らは知見した。
即ち、密度が低く組織中にポアを有するアルミナセラミ
ックスは、表面のポアを起点に損傷が進行するのであ
る。
【００１０】一方、プラズマによるアルミナセラミック
スの化学的損傷はアルミナセラミックス粒界相で生じる
ものである。例えば化学的活性の高いフッ素系プラズマ
がアルミナセラミックスに照射されると、アルミナセラ
ミックス粒界に存在するシリカガラスや結晶相（以下、
シリカガラス等という）を腐食し、シリカガラス等がＳ
ｉＦ4 となりガス成分として揮発し、三重点粒界にピッ
ト状の腐食孔が形成される。このように化学的損傷によ
りピット状の腐食孔が形成されると、この腐食孔を起点
にして前記物理的損傷を受け、プラズマによる損傷が一
段と進行する。このような化学的損傷はフッ素系プラズ
マに限らず、粒界のシリカガラス等を腐食しうる他のハ
ロゲン系プラズマ中においても同様のメカニズムで発生
しているものと考えられる。
スの化学的損傷はアルミナセラミックス粒界相で生じる
ものである。例えば化学的活性の高いフッ素系プラズマ
がアルミナセラミックスに照射されると、アルミナセラ
ミックス粒界に存在するシリカガラスや結晶相（以下、
シリカガラス等という）を腐食し、シリカガラス等がＳ
ｉＦ4 となりガス成分として揮発し、三重点粒界にピッ
ト状の腐食孔が形成される。このように化学的損傷によ
りピット状の腐食孔が形成されると、この腐食孔を起点
にして前記物理的損傷を受け、プラズマによる損傷が一
段と進行する。このような化学的損傷はフッ素系プラズ
マに限らず、粒界のシリカガラス等を腐食しうる他のハ
ロゲン系プラズマ中においても同様のメカニズムで発生
しているものと考えられる。
【００１１】そこで、本発明者らは耐フッ素系プラズマ
性のより一層の向上を目指し、化学的損傷の改善に取り
組んだ。上述した様にセラミックス粒界にはシリカガラ
ス等が存在し、それが化学的活性の高いフッ素系のプラ
ズマに腐食される。そして、その結果、形成されたピッ
ト状の腐食孔を起点に激しい物理的損傷を受ける。従っ
て、アルミナセラミックスの耐フッ素系プラズマ性の飛
躍的向上にはこの化学的腐食性の改善が不可欠である。
性のより一層の向上を目指し、化学的損傷の改善に取り
組んだ。上述した様にセラミックス粒界にはシリカガラ
ス等が存在し、それが化学的活性の高いフッ素系のプラ
ズマに腐食される。そして、その結果、形成されたピッ
ト状の腐食孔を起点に激しい物理的損傷を受ける。従っ
て、アルミナセラミックスの耐フッ素系プラズマ性の飛
躍的向上にはこの化学的腐食性の改善が不可欠である。
【００１２】化学的腐食性を改善するためには、粒界に
存在するシリカガラス等をフッ素系プラズマで照射して
も揮発しない性質に変える必要がある。そのためには、
弗化しても揮発しない元素をシリカガラス等の中に溶解
する方法が考えられる。例えばＮａやＣａといったアル
カリ（土類）金属や重金属等の金属元素を予めシリカガ
ラス等に溶解させれば、シリカガラス等が弗化しても気
体とはならず固体として残存することからピットが形成
されることはない。
存在するシリカガラス等をフッ素系プラズマで照射して
も揮発しない性質に変える必要がある。そのためには、
弗化しても揮発しない元素をシリカガラス等の中に溶解
する方法が考えられる。例えばＮａやＣａといったアル
カリ（土類）金属や重金属等の金属元素を予めシリカガ
ラス等に溶解させれば、シリカガラス等が弗化しても気
体とはならず固体として残存することからピットが形成
されることはない。
【００１３】しかしながら、半導体プロセスの高純度化
のニーズから、前記金属元素の添加は不適切である。そ
こで、半導体プロセス上問題とならない元素の溶解を前
提として更に実験を重ねた結果、通常シリカガラス等に
Ａｌは溶解しないが、シリカガラスを含む粒界相に窒素
を溶解（混入）させるとアルミナセラミックスの主成分
であるＡｌがシリカガラスを含む粒界相に多量に溶解
し、Ａｌが多量に溶解したシリカガラス等は、フッ素系
プラズマで照射されても揮発しなくなることを見出し、
本発明に想到した。
のニーズから、前記金属元素の添加は不適切である。そ
こで、半導体プロセス上問題とならない元素の溶解を前
提として更に実験を重ねた結果、通常シリカガラス等に
Ａｌは溶解しないが、シリカガラスを含む粒界相に窒素
を溶解（混入）させるとアルミナセラミックスの主成分
であるＡｌがシリカガラスを含む粒界相に多量に溶解
し、Ａｌが多量に溶解したシリカガラス等は、フッ素系
プラズマで照射されても揮発しなくなることを見出し、
本発明に想到した。
【００１４】このような耐プラズマ性に優れたアルミナ
セラミックスは窒素を含有する不活性雰囲気で焼結する
ことにより得ることができ、焼結後のアルミナセラミッ
クスの粒界相には、シリカガラス中に窒素とＡｌが含有
されている。
セラミックスは窒素を含有する不活性雰囲気で焼結する
ことにより得ることができ、焼結後のアルミナセラミッ
クスの粒界相には、シリカガラス中に窒素とＡｌが含有
されている。
【００１５】尚、窒化珪素等の窒化物の焼結には、窒素
雰囲気が採用されていることもあるが、アルミナ等の酸
化物の焼結の場合には、大気中の焼結で十分であり、ま
た窒素雰囲気では条件によってはアルミナが還元される
ことも懸念され、アルミナが窒素中で焼結された例はな
かった。本発明では、粒界相にＡｌを含有させて耐プラ
ズマ性を化学的に高める上で、焼結を窒素を含有する不
活性雰囲気で行うことが不可欠であり、酸素を含有する
大気中ではたとえ窒素を含有していても、粒界の酸窒化
ガラスが酸化され窒素がガラス中に残留しなくなるの
で、粒界相に窒素を含有させることは困難である。
雰囲気が採用されていることもあるが、アルミナ等の酸
化物の焼結の場合には、大気中の焼結で十分であり、ま
た窒素雰囲気では条件によってはアルミナが還元される
ことも懸念され、アルミナが窒素中で焼結された例はな
かった。本発明では、粒界相にＡｌを含有させて耐プラ
ズマ性を化学的に高める上で、焼結を窒素を含有する不
活性雰囲気で行うことが不可欠であり、酸素を含有する
大気中ではたとえ窒素を含有していても、粒界の酸窒化
ガラスが酸化され窒素がガラス中に残留しなくなるの
で、粒界相に窒素を含有させることは困難である。
【００１６】不活性雰囲気中の窒素分圧が低いと、所望
の窒素量が粒界相のガラス中に溶解せず、従ってＡｌの
溶解量も少なくなり、十分な耐プラズマ性を得ることは
できないので、窒素を含有する不活性雰囲気中の窒素分
圧は０．５気圧以上とすることが望ましい。尚、不活性
雰囲気には、Ａｒ等の不活性ガスを採用すればよいが、
窒素ガスだけで不活性雰囲気を形成しても良く、その場
合には、全圧で０．５気圧あればよい。上記窒素分圧
は、１気圧以上であると望ましく高い程良いが、装置の
制約上、１万気圧以上の窒素分圧は非現実的であり、５
００気圧未満であっても十分である。
の窒素量が粒界相のガラス中に溶解せず、従ってＡｌの
溶解量も少なくなり、十分な耐プラズマ性を得ることは
できないので、窒素を含有する不活性雰囲気中の窒素分
圧は０．５気圧以上とすることが望ましい。尚、不活性
雰囲気には、Ａｒ等の不活性ガスを採用すればよいが、
窒素ガスだけで不活性雰囲気を形成しても良く、その場
合には、全圧で０．５気圧あればよい。上記窒素分圧
は、１気圧以上であると望ましく高い程良いが、装置の
制約上、１万気圧以上の窒素分圧は非現実的であり、５
００気圧未満であっても十分である。
【００１７】またプラズマによる物理的損傷を防止する
ためには、物理的損傷の起点となるポアの生成をできる
だけ抑制すべきであり、それには相対密度を高めること
が求められる。優れた耐プラズマ性を発揮する上で、得
られるアルミナ焼結体の相対密度は９５％以上であるこ
とが望ましく、９９％以上であればより望ましい。
ためには、物理的損傷の起点となるポアの生成をできる
だけ抑制すべきであり、それには相対密度を高めること
が求められる。優れた耐プラズマ性を発揮する上で、得
られるアルミナ焼結体の相対密度は９５％以上であるこ
とが望ましく、９９％以上であればより望ましい。
【００１８】大気中でアルミナを焼結する場合、原料粉
末によっては１２００℃程度の低温で相対密度９５％以
上の高密度下が達成されるが、窒素中で焼結すると最も
焼結性の良好な粉末を用いても１４００℃以上の温度が
必要である。また窒素中で焼結するにあたり、焼結温度
が高過ぎると、アルミナが還元されて低級酸化物の生成
し、これが揮発することにより緻密な焼結体が得られな
くなるので１９００℃以下とすることが望ましい。
末によっては１２００℃程度の低温で相対密度９５％以
上の高密度下が達成されるが、窒素中で焼結すると最も
焼結性の良好な粉末を用いても１４００℃以上の温度が
必要である。また窒素中で焼結するにあたり、焼結温度
が高過ぎると、アルミナが還元されて低級酸化物の生成
し、これが揮発することにより緻密な焼結体が得られな
くなるので１９００℃以下とすることが望ましい。
【００１９】さらにアルミナセラミックスの耐プラズマ
性を高める上で、焼結の後、熱間静水圧（ＨＩＰ）焼結
処理することが望ましい。ＨＩＰ処理を施すことによ
り、アルミナセラミックスの相対密度が一段と高まり
（例えば９９．９％以上）、プラズマによる物理的損傷
をより一層防止することができる。
性を高める上で、焼結の後、熱間静水圧（ＨＩＰ）焼結
処理することが望ましい。ＨＩＰ処理を施すことによ
り、アルミナセラミックスの相対密度が一段と高まり
（例えば９９．９％以上）、プラズマによる物理的損傷
をより一層防止することができる。
【００２０】ＨＩＰ処理の雰囲気は、酸化雰囲気である
と、焼結中に粒界ガラス相に溶解した窒素が放出され、
所望の耐プラズマ性が得られなくなるので、Ａｒや窒素
等の不活性雰囲気であることが必要である。
と、焼結中に粒界ガラス相に溶解した窒素が放出され、
所望の耐プラズマ性が得られなくなるので、Ａｒや窒素
等の不活性雰囲気であることが必要である。
【００２１】熱間静水圧焼結処理の圧力と温度は、低過
ぎるとＨＩＰ処理による緻密化効果が期待できないの
で、ガス圧力は５００気圧以上とし、温度は１３００℃
以上とすることが望ましい。またＨＩＰ処理温度が高過
ぎると、焼結時同様、アルミナが還元して低級酸化物が
生成し揮発することにより緻密化できなくなるので１９
００℃以下とすることが望ましい。尚、圧力は１０００
気圧以上が望ましく高ければ高い程良いが、装置の制約
上１万気圧以上の条件は非現実的である。
ぎるとＨＩＰ処理による緻密化効果が期待できないの
で、ガス圧力は５００気圧以上とし、温度は１３００℃
以上とすることが望ましい。またＨＩＰ処理温度が高過
ぎると、焼結時同様、アルミナが還元して低級酸化物が
生成し揮発することにより緻密化できなくなるので１９
００℃以下とすることが望ましい。尚、圧力は１０００
気圧以上が望ましく高ければ高い程良いが、装置の制約
上１万気圧以上の条件は非現実的である。
【００２２】本発明方法により製造されたアルミナセラ
ミックスは、半導体や液晶ディスプレイ等の製造プロセ
スに適用される真空プロセス装置の構成要素であり、プ
ラズマに曝される環境下で用いられる部品に好適であ
り、具体的には静電チャック，サセプター，クランプリ
ング，ノズル，ヒータープレート，シールド環，ウエハ
ボード，チャンバ壁等として採用することができる。
ミックスは、半導体や液晶ディスプレイ等の製造プロセ
スに適用される真空プロセス装置の構成要素であり、プ
ラズマに曝される環境下で用いられる部品に好適であ
り、具体的には静電チャック，サセプター，クランプリ
ング，ノズル，ヒータープレート，シールド環，ウエハ
ボード，チャンバ壁等として採用することができる。
【００２３】その場合、アルミナセラミックスの表面は
一般的にダイヤモンド砥石等で加工されるが、そのダイ
ヤモンド砥石の粒径に対応した加工傷がセラミックス表
面に残る。セラミックス表面を加工した後に残る研削傷
も同様に物理的損傷の起点となりうるものであり、大き
な研削傷が多く残ると、プラズマによる物理的損傷を激
しく受けることとなる。従って、ダイヤモンド砥石の粒
径はできるだけ小さいことが望ましく、セラミックス表
面に研削傷が残らぬ様に鏡面に仕上げることが好まし
い。
一般的にダイヤモンド砥石等で加工されるが、そのダイ
ヤモンド砥石の粒径に対応した加工傷がセラミックス表
面に残る。セラミックス表面を加工した後に残る研削傷
も同様に物理的損傷の起点となりうるものであり、大き
な研削傷が多く残ると、プラズマによる物理的損傷を激
しく受けることとなる。従って、ダイヤモンド砥石の粒
径はできるだけ小さいことが望ましく、セラミックス表
面に研削傷が残らぬ様に鏡面に仕上げることが好まし
い。
【００２４】以下、本発明を実施例によって更に詳細に
説明するが、下記実施例は本発明を限定する性質のもの
ではなく、前・後記の主旨に徴して設計変更することは
いずれも本発明の技術的範囲内に含まれるものである。
説明するが、下記実施例は本発明を限定する性質のもの
ではなく、前・後記の主旨に徴して設計変更することは
いずれも本発明の技術的範囲内に含まれるものである。
【００２５】
【実施例】純度９９．９９％の高純度アルミナ粉末（Ｎ
ａ，Ｃａ等は夫々１０ｐｐｍ程度で、不純物量は合計１
００ｐｐｍ以下）を平板にプレス成形し、窒素雰囲気中
において表１に示す条件で焼結して（焼結時間２ｈｒ）
アルミナ焼結体Ｎｏ．１〜１６を得た。次いで、Ｎｏ．
１３を除く上記アルミナ焼結体には、表１に示す条件で
ＨＩＰ処理（処理時間２ｈｒ）を行った。
ａ，Ｃａ等は夫々１０ｐｐｍ程度で、不純物量は合計１
００ｐｐｍ以下）を平板にプレス成形し、窒素雰囲気中
において表１に示す条件で焼結して（焼結時間２ｈｒ）
アルミナ焼結体Ｎｏ．１〜１６を得た。次いで、Ｎｏ．
１３を除く上記アルミナ焼結体には、表１に示す条件で
ＨＩＰ処理（処理時間２ｈｒ）を行った。
【００２６】尚、上記アルミナセラミックスの相対密度
は、理論密度を３．９８ｇ／ｃｍ3とし、純水を用いる
アルキメデス法で実際の密度を測定して下記（１）式に
より求めた。 ρr ＝ρm ／ρt ×１００ … （１） ρr ：相対密度（％） ρm ：測定密度（ｇ／ｃｍ3 ） ρt ：理論密度（ｇ／ｃｍ3 ）
は、理論密度を３．９８ｇ／ｃｍ3とし、純水を用いる
アルキメデス法で実際の密度を測定して下記（１）式に
より求めた。 ρr ＝ρm ／ρt ×１００ … （１） ρr ：相対密度（％） ρm ：測定密度（ｇ／ｃｍ3 ） ρt ：理論密度（ｇ／ｃｍ3 ）
【００２７】これらの焼結体を、１５×１５×厚さ２ｍ
ｍの板状に切り出し、片面を３μｍのダイヤモンド砥石
で研磨し、表面粗度Ｒａ：０．３μｍの鏡面に仕上げ
た。次にアセトン，硫酸，硝酸中にて洗浄した後、真空
チャンバ内にセットし、以下に示すエッチング条件にて
プラズマ腐食試験を実施した。 ［エッチング条件］ ガス ：Ｃ4 Ｆ8 ／Ａｒ＝２００／２００ｓｃｃｍ ガス圧 ：３０ｍＴｏｒｒ ＴｏｐＲＦ ：１８００Ｗ（13.56MHz) ＢｉａｓＲＦ：２００Ｗ，Ｖpp＝１０００Ｖ(700kHz) サセプタ温度：２７℃ 腐食時間 ：１００分間
ｍの板状に切り出し、片面を３μｍのダイヤモンド砥石
で研磨し、表面粗度Ｒａ：０．３μｍの鏡面に仕上げ
た。次にアセトン，硫酸，硝酸中にて洗浄した後、真空
チャンバ内にセットし、以下に示すエッチング条件にて
プラズマ腐食試験を実施した。 ［エッチング条件］ ガス ：Ｃ4 Ｆ8 ／Ａｒ＝２００／２００ｓｃｃｍ ガス圧 ：３０ｍＴｏｒｒ ＴｏｐＲＦ ：１８００Ｗ（13.56MHz) ＢｉａｓＲＦ：２００Ｗ，Ｖpp＝１０００Ｖ(700kHz) サセプタ温度：２７℃ 腐食時間 ：１００分間
【００２８】試料の損傷程度は腐食試験前後の重量減少
量で評価した。試験片の重量は約１．６ｇでその精密な
重量を精密電子天秤（ Sartorius製，型式200D）で０．
０１ｍｇ単位まで測定した。腐食試験による重量減少率
は下記（２）式で求めた。 Ｒ＝（Ｗb −Ｗa ）／Ｗb ×１００…（２） Ｒ ：重量減少率 （％） Ｗb ：腐食試験前の重量 （ｇ） Ｗa ：腐食試験後の重量 （ｇ） 結果は表１に示す。
量で評価した。試験片の重量は約１．６ｇでその精密な
重量を精密電子天秤（ Sartorius製，型式200D）で０．
０１ｍｇ単位まで測定した。腐食試験による重量減少率
は下記（２）式で求めた。 Ｒ＝（Ｗb −Ｗa ）／Ｗb ×１００…（２） Ｒ ：重量減少率 （％） Ｗb ：腐食試験前の重量 （ｇ） Ｗa ：腐食試験後の重量 （ｇ） 結果は表１に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】Ｎｏ．１〜１０は、本発明に係る全ての条
件を満足する本発明例であり、Ｎｏ．１１は大気中（１
気圧）で焼結した従来例である。従来例であっても、Ｈ
ＩＰ処理を施すことにより耐プラズマ性は向上する（腐
食試験による重量減少率が小さくなる）が、本発明例と
比較すると、その耐プラズマ性は、焼結体及びＨＩＰ体
共に、格段の差があることが分かる。
件を満足する本発明例であり、Ｎｏ．１１は大気中（１
気圧）で焼結した従来例である。従来例であっても、Ｈ
ＩＰ処理を施すことにより耐プラズマ性は向上する（腐
食試験による重量減少率が小さくなる）が、本発明例と
比較すると、その耐プラズマ性は、焼結体及びＨＩＰ体
共に、格段の差があることが分かる。
【００３１】Ｎｏ．１２は焼結温度が低過ぎ、またＮ
ｏ．１３は窒素分圧が低い場合の例であり、耐プラズマ
性の向上効果が少ない。Ｎｏ．１４はＨＩＰ処理を酸化
雰囲気で行った例であり、ＨＩＰ処理により却って耐プ
ラズマ性が低下している。Ｎｏ．１５はＨＩＰ処理時の
温度は低く、またＮｏ．１６はＨＩＰ処理時の圧力が低
い場合の例であり、いずれもＨＩＰ処理による耐プラズ
マ性向上効果がほとんど見られない。
ｏ．１３は窒素分圧が低い場合の例であり、耐プラズマ
性の向上効果が少ない。Ｎｏ．１４はＨＩＰ処理を酸化
雰囲気で行った例であり、ＨＩＰ処理により却って耐プ
ラズマ性が低下している。Ｎｏ．１５はＨＩＰ処理時の
温度は低く、またＮｏ．１６はＨＩＰ処理時の圧力が低
い場合の例であり、いずれもＨＩＰ処理による耐プラズ
マ性向上効果がほとんど見られない。
【００３２】
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されているの
で、半導体や液晶ディスプレイ等の製造プロセスにおい
て優れた耐プラズマ性を発揮するアルミナセラミックス
の製造方法が提供できることとなった。
で、半導体や液晶ディスプレイ等の製造プロセスにおい
て優れた耐プラズマ性を発揮するアルミナセラミックス
の製造方法が提供できることとなった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永浜 睦久 神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会 社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 杉山 成正 兵庫県明石市魚住町金ヶ崎西大池179−１ 神鋼コベルコツール株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 アルミナ粉末を成形した後、焼結するア
ルミナセラミックスの製造方法であって、 窒素を含有する不活性雰囲気で焼結することを特徴とす
る耐プラズマ性に優れるアルミナセラミックスの製造方
法。 - 【請求項２】 不活性雰囲気の窒素分圧が０．５気圧以
上である請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】 焼結温度が１４００℃以上１９００℃以
下である請求項１または２に記載の製造方法。 - 【請求項４】 焼結後のアルミナセラミックスの相対密
度が９５％以上である請求項１〜３のいずれかに記載の
製造方法。 - 【請求項５】 焼結後に熱間静水圧焼結処理を施す請求
項１〜４のいずれかに記載の製造方法。 - 【請求項６】 熱間静水圧焼結処理を不活性雰囲気で行
う請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。 - 【請求項７】 熱間静水圧焼結処理におけるガス圧力を
５００気圧以上とし、温度を１３００℃以上１９００℃
以下とする請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10054976A JPH11246263A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 耐プラズマ性に優れるアルミナセラミックスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10054976A JPH11246263A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 耐プラズマ性に優れるアルミナセラミックスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11246263A true JPH11246263A (ja) | 1999-09-14 |
Family
ID=12985693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10054976A Withdrawn JPH11246263A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 耐プラズマ性に優れるアルミナセラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11246263A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002037660A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 耐プラズマ性アルミナセラミックスおよびその製造方法 |
| KR20120124485A (ko) | 2010-02-09 | 2012-11-13 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 소결체, 그 제조 방법 및 고주파 투과 재료 |
-
1998
- 1998-03-06 JP JP10054976A patent/JPH11246263A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002037660A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 耐プラズマ性アルミナセラミックスおよびその製造方法 |
| KR20120124485A (ko) | 2010-02-09 | 2012-11-13 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 소결체, 그 제조 방법 및 고주파 투과 재료 |
| US9403722B2 (en) | 2010-02-09 | 2016-08-02 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Sintered objects and processes for producing same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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