JPH11240763A - ＳｉＣ焼結体 - Google Patents
ＳｉＣ焼結体Info
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- JPH11240763A JPH11240763A JP10047114A JP4711498A JPH11240763A JP H11240763 A JPH11240763 A JP H11240763A JP 10047114 A JP10047114 A JP 10047114A JP 4711498 A JP4711498 A JP 4711498A JP H11240763 A JPH11240763 A JP H11240763A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマ雰囲気で使用しても放電異物などの
発生や消耗が少なく、半導体製造装置、液晶デバイス製
造装置等の半導体・液晶分野に好適で耐プラズマ性に優
れるＳｉＣ焼結体を提供する。 【解決手段】 第２相として炭素を実質的に含まないＳ
ｉＣ焼結体を提供する。
発生や消耗が少なく、半導体製造装置、液晶デバイス製
造装置等の半導体・液晶分野に好適で耐プラズマ性に優
れるＳｉＣ焼結体を提供する。 【解決手段】 第２相として炭素を実質的に含まないＳ
ｉＣ焼結体を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置、液
晶デバイス製造装置等の半導体・液晶分野に用いられる
ＳｉＣ焼結体に関する。特にプラズマ雰囲気で使用され
る耐プラズマ性に優れるＳｉＣ焼結体に関する。
晶デバイス製造装置等の半導体・液晶分野に用いられる
ＳｉＣ焼結体に関する。特にプラズマ雰囲気で使用され
る耐プラズマ性に優れるＳｉＣ焼結体に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣは難焼結性であるため、高密度に
焼結するためには通常ＳｉＣに焼結助剤として炭素及び
硼素化合物を添加し、さらにバインダーや離型剤を加え
て混合、成形、焼成する方法が特開昭５２−１４８７１
２号公報、特開昭５４−１１８４１１号公報等により知
られている。このような方法で得られるＳｉＣ焼結体を
エッチング装置などのプラズマ雰囲気で使用すると放電
異物と称するダストが発生しウエハを汚染する問題があ
り、また消耗も大きい問題がある。また上記の他にＳｉ
Ｃに焼結助剤として硼素化合物のみを添加して、バイン
ダーや離型剤を加えて混合、成形、ホットプレスする方
法が特開昭４９−９９３０８号公報、特開昭５０−３４
６０８号公報等により知られているが、しかしながらこ
のような方法において耐プラズマ性に優れるかどうかは
知られていない。
焼結するためには通常ＳｉＣに焼結助剤として炭素及び
硼素化合物を添加し、さらにバインダーや離型剤を加え
て混合、成形、焼成する方法が特開昭５２−１４８７１
２号公報、特開昭５４−１１８４１１号公報等により知
られている。このような方法で得られるＳｉＣ焼結体を
エッチング装置などのプラズマ雰囲気で使用すると放電
異物と称するダストが発生しウエハを汚染する問題があ
り、また消耗も大きい問題がある。また上記の他にＳｉ
Ｃに焼結助剤として硼素化合物のみを添加して、バイン
ダーや離型剤を加えて混合、成形、ホットプレスする方
法が特開昭４９−９９３０８号公報、特開昭５０−３４
６０８号公報等により知られているが、しかしながらこ
のような方法において耐プラズマ性に優れるかどうかは
知られていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】請求項１及び２記載の
発明は、プラズマ雰囲気で使用しても放電異物などの発
生や消耗が少なく、半導体製造装置、液晶デバイス製造
装置等の半導体・液晶分野に好適で耐プラズマ性に優れ
るＳｉＣ焼結体を提供するものである。
発明は、プラズマ雰囲気で使用しても放電異物などの発
生や消耗が少なく、半導体製造装置、液晶デバイス製造
装置等の半導体・液晶分野に好適で耐プラズマ性に優れ
るＳｉＣ焼結体を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、第２相として
炭素を実質的に含まないＳｉＣ焼結体に関する。また、
本発明は、ＳｉＣ焼結体が、常圧で焼結させたものであ
るＳｉＣ焼結体に関する。
炭素を実質的に含まないＳｉＣ焼結体に関する。また、
本発明は、ＳｉＣ焼結体が、常圧で焼結させたものであ
るＳｉＣ焼結体に関する。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明になるＳｉＣ焼結体は、Ｓ
ｉＣ焼結体製造時に焼結助剤として炭素源を加えないで
製造される。通常ＳｉＣ焼結体製造時に焼結助剤として
加える炭素源とはフェノール樹脂のように焼成時に炭素
となる各種樹脂、カーボンブラック等の微粒炭素のこと
である。このような炭素は焼結体中に０．５〜２μｍ程
度のほぼ球形の粒子として存在し、プラズマに侵されて
脱落したり、そこから侵食が始まりＳｉＣ粒子の脱落に
発展するものである。これらの炭素粒子はＳｉＣ焼結体
の第１相結晶の粒界に部分的に第２相を形成し、ＳｉＣ
焼結体の破面を走査型電子顕微鏡を用いて１０００〜３
０００倍で観察すると見られるものである。なお炭素源
は焼結後に炭素として全体に対して０．５重量％以下に
なるような量で使用される。炭素分がこのような量のと
き、ほとんど第２相として存在しないため、実質的には
含まない範囲である。
ｉＣ焼結体製造時に焼結助剤として炭素源を加えないで
製造される。通常ＳｉＣ焼結体製造時に焼結助剤として
加える炭素源とはフェノール樹脂のように焼成時に炭素
となる各種樹脂、カーボンブラック等の微粒炭素のこと
である。このような炭素は焼結体中に０．５〜２μｍ程
度のほぼ球形の粒子として存在し、プラズマに侵されて
脱落したり、そこから侵食が始まりＳｉＣ粒子の脱落に
発展するものである。これらの炭素粒子はＳｉＣ焼結体
の第１相結晶の粒界に部分的に第２相を形成し、ＳｉＣ
焼結体の破面を走査型電子顕微鏡を用いて１０００〜３
０００倍で観察すると見られるものである。なお炭素源
は焼結後に炭素として全体に対して０．５重量％以下に
なるような量で使用される。炭素分がこのような量のと
き、ほとんど第２相として存在しないため、実質的には
含まない範囲である。
【０００６】ＳｉＣ焼結体製造時に使用されるバインダ
ーは、ＳｉＣ原料粉を混合したときに賦形能力のあるも
のであり、焼結によって炭素が残らないものが好まし
い。ＳｉＣ焼結体の製造に用いるＳｉＣ原料粉の中にも
ＳｉＣ中に含まれる化合物炭素の他に化合されずに０．
２〜１．５重量％程度遊離している炭素（以下遊離炭素
とする）が含まれているが、この遊離炭素は組織的には
第２相として判別できないもので耐プラズマ性には影響
しないものである。すなわち第２相の炭素を実質的には
含まない範囲である。
ーは、ＳｉＣ原料粉を混合したときに賦形能力のあるも
のであり、焼結によって炭素が残らないものが好まし
い。ＳｉＣ焼結体の製造に用いるＳｉＣ原料粉の中にも
ＳｉＣ中に含まれる化合物炭素の他に化合されずに０．
２〜１．５重量％程度遊離している炭素（以下遊離炭素
とする）が含まれているが、この遊離炭素は組織的には
第２相として判別できないもので耐プラズマ性には影響
しないものである。すなわち第２相の炭素を実質的には
含まない範囲である。
【０００７】本発明になるＳｉＣ焼結体は、嵩密度が
３．１０g/cm3以上が好ましく、３．１２g/cm3以上がよ
り好ましく、３．１５g/cm3以上がさらに好ましい。
３．１０g/cm3未満であると気孔が多くなり、耐プラズ
マ性が低下する傾向がある。耐プラズマ性の良いＳｉＣ
焼結体を得るためのＳｉＣ原料粉はα型、β型のいずれ
でも良いが、価格が安くまた焼成時の結晶構造変化が少
ないα型のＳｉＣ原料粉を用いることが好ましい。また
純度は半導体製造装置に用いるため高純度の原料粉が好
ましい。ＳｉＣ原料粉の粒径は平均で０．５〜３．０μ
ｍが取扱い性と焼結性の点で好ましく、０．６〜２．０
μｍであることがより好ましい。
３．１０g/cm3以上が好ましく、３．１２g/cm3以上がよ
り好ましく、３．１５g/cm3以上がさらに好ましい。
３．１０g/cm3未満であると気孔が多くなり、耐プラズ
マ性が低下する傾向がある。耐プラズマ性の良いＳｉＣ
焼結体を得るためのＳｉＣ原料粉はα型、β型のいずれ
でも良いが、価格が安くまた焼成時の結晶構造変化が少
ないα型のＳｉＣ原料粉を用いることが好ましい。また
純度は半導体製造装置に用いるため高純度の原料粉が好
ましい。ＳｉＣ原料粉の粒径は平均で０．５〜３．０μ
ｍが取扱い性と焼結性の点で好ましく、０．６〜２．０
μｍであることがより好ましい。
【０００８】本発明になるＳｉＣ焼結体は、例えばＳｉ
Ｃ原料粉と炭化硼素、硼素化合物等の焼結助剤にバイン
ダー、離型剤、分散剤、可塑剤、溶剤等を加えて混合
し、それを造粒して成形し、その後嵩密度が３．１０g/
cm3以上になる温度で焼成することにより得られる。成
形体の形状によっては、ホットプレス又はホットアイソ
スタティックプレス（ＨＩＰ）を用いて加圧下で焼成を
行ってもよい。焼結助剤として用いる炭化硼素又は硼素
化合物に含まれる硼素の量としては、ＳｉＣ焼結体中に
０．０５〜３重量％含有することが好ましく、０．１〜
１重量％含有することがより好ましい。
Ｃ原料粉と炭化硼素、硼素化合物等の焼結助剤にバイン
ダー、離型剤、分散剤、可塑剤、溶剤等を加えて混合
し、それを造粒して成形し、その後嵩密度が３．１０g/
cm3以上になる温度で焼成することにより得られる。成
形体の形状によっては、ホットプレス又はホットアイソ
スタティックプレス（ＨＩＰ）を用いて加圧下で焼成を
行ってもよい。焼結助剤として用いる炭化硼素又は硼素
化合物に含まれる硼素の量としては、ＳｉＣ焼結体中に
０．０５〜３重量％含有することが好ましく、０．１〜
１重量％含有することがより好ましい。
【０００９】上記バインダーとしては、ポリビニルアル
コール、カルボキシメチルセルロース、ポリビニルブチ
ラール等が用いられ、その添加量はＳｉＣ原料粉１００
重量部に対して固形分で０．５〜３重量部添加すること
が好ましく、１〜２重量部添加することがより好まし
い。また離型材としては、ステアリン酸、ワックス等が
用いられ、その添加量はＳｉＣ原料粉１００重量部に対
して固形分で０．５〜３重量部添加することが好まし
く、１〜２重量部添加することがより好ましい。分散剤
としては界面活性剤が用いられ、その添加量はＳｉＣ原
料粉１００重量部に対して固形分で０．３〜１重量部添
加することが好ましく、０．４〜０．６重量部添加する
ことがより好ましい。可塑剤としては、ポリエチレング
リコール、ジオクチルフタレート等が用いられ、その添
加量はＳｉＣ原料粉１００重量部に対して固形分で０．
５〜３重量部添加することが好ましく、１〜２重量部添
加することがより好ましい。溶剤は水が好ましいが特に
制限はない。
コール、カルボキシメチルセルロース、ポリビニルブチ
ラール等が用いられ、その添加量はＳｉＣ原料粉１００
重量部に対して固形分で０．５〜３重量部添加すること
が好ましく、１〜２重量部添加することがより好まし
い。また離型材としては、ステアリン酸、ワックス等が
用いられ、その添加量はＳｉＣ原料粉１００重量部に対
して固形分で０．５〜３重量部添加することが好まし
く、１〜２重量部添加することがより好ましい。分散剤
としては界面活性剤が用いられ、その添加量はＳｉＣ原
料粉１００重量部に対して固形分で０．３〜１重量部添
加することが好ましく、０．４〜０．６重量部添加する
ことがより好ましい。可塑剤としては、ポリエチレング
リコール、ジオクチルフタレート等が用いられ、その添
加量はＳｉＣ原料粉１００重量部に対して固形分で０．
５〜３重量部添加することが好ましく、１〜２重量部添
加することがより好ましい。溶剤は水が好ましいが特に
制限はない。
【００１０】成形までの工程には特に制限は無いが、Ｓ
ｉＣ原料、焼結助剤及びその他の添加物を混合後スラリ
ーを作製し、スプレードライヤーで造粒後成形する方
法、シートマシーンでシートを成型する方法、鋳込み成
型法などが適している。
ｉＣ原料、焼結助剤及びその他の添加物を混合後スラリ
ーを作製し、スプレードライヤーで造粒後成形する方
法、シートマシーンでシートを成型する方法、鋳込み成
型法などが適している。
【００１１】焼成は、常圧で非酸化性雰囲気中で焼成す
ることが好ましく、特にアルゴンガス雰囲気中で焼成す
ることが好ましい。ホットプレスあるいはホットアイソ
スタティックプレス（ＨＩＰ）を用いて加圧下で行うこ
とも嵩密度を高くするためには好ましい。ホットプレス
では真空又は非酸化雰囲気中で焼成することが好まし
く、特に真空中で焼成することが好ましい。成形圧力は
９．８〜４９MPa（１００〜５００kg/cm2）が好まし
い。ＨＩＰでは常圧で焼結後、アルゴン雰囲気中で加圧
するのが好ましい。ガス圧力は４９〜１９６MPa（５０
０〜２０００kg/cm2）が好ましい。最適な焼成温度は、
ＳｉＣ原料粉、焼結助剤の種類や配合割合、焼成時の圧
力などにより適宜選定されるが、１９００〜２３００
℃、好ましくは２０００〜２２００℃の温度で焼成すれ
ば、ほぼ本発明の目的を達成することができる。
ることが好ましく、特にアルゴンガス雰囲気中で焼成す
ることが好ましい。ホットプレスあるいはホットアイソ
スタティックプレス（ＨＩＰ）を用いて加圧下で行うこ
とも嵩密度を高くするためには好ましい。ホットプレス
では真空又は非酸化雰囲気中で焼成することが好まし
く、特に真空中で焼成することが好ましい。成形圧力は
９．８〜４９MPa（１００〜５００kg/cm2）が好まし
い。ＨＩＰでは常圧で焼結後、アルゴン雰囲気中で加圧
するのが好ましい。ガス圧力は４９〜１９６MPa（５０
０〜２０００kg/cm2）が好ましい。最適な焼成温度は、
ＳｉＣ原料粉、焼結助剤の種類や配合割合、焼成時の圧
力などにより適宜選定されるが、１９００〜２３００
℃、好ましくは２０００〜２２００℃の温度で焼成すれ
ば、ほぼ本発明の目的を達成することができる。
【００１２】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。 実施例１、２、比較例１、２ 表１に示すＳｉＣ原料粉Ａ１００重量部に対して焼結助
剤としてフェノール樹脂［昭和高分子(株)製、商品名Ｂ
ＲＬ−２１９（不揮発分７０重量％）］を固形分でそれ
ぞれ０重量部、１．０重量部、２．０重量部及び４．０
重量部〔いずれも焼成後１／２の量が炭素（Ｃ）とな
る〕及び平均粒径が１．５μｍの炭化硼素を０．５重量
部配合し、さらにポリビニルアルコール［クラレ(株)
製、商品名クラレポバール２０５の水溶液（不揮発分１
０重量％）］を固形分で２重量部、ステアリン酸［中京
油脂(株)製、商品名セロゾール９２０（不揮発分１８重
量％）］を固形分で１重量部及び純水を１００重量部加
えて合成樹脂製ボールミルで混合した後、スプレードラ
イヤーで造粒し、成形粉を得た。
剤としてフェノール樹脂［昭和高分子(株)製、商品名Ｂ
ＲＬ−２１９（不揮発分７０重量％）］を固形分でそれ
ぞれ０重量部、１．０重量部、２．０重量部及び４．０
重量部〔いずれも焼成後１／２の量が炭素（Ｃ）とな
る〕及び平均粒径が１．５μｍの炭化硼素を０．５重量
部配合し、さらにポリビニルアルコール［クラレ(株)
製、商品名クラレポバール２０５の水溶液（不揮発分１
０重量％）］を固形分で２重量部、ステアリン酸［中京
油脂(株)製、商品名セロゾール９２０（不揮発分１８重
量％）］を固形分で１重量部及び純水を１００重量部加
えて合成樹脂製ボールミルで混合した後、スプレードラ
イヤーで造粒し、成形粉を得た。
【００１３】この後、成形粉を金型内に充填し、９８MP
aの圧力を加えて外径が１００mm及び厚さが５mmの円盤
を成形した。この成形体を１５０℃で３時間乾燥後、中
央部の６４mmの範囲に直径が１．０mmの貫通孔を３．８
mm間隔で格子状に２１６個設け、アルゴンガスを１リッ
トル／分の条件で流しながら、焼成温度２２００℃で１
時間保持してＳｉＣ焼結体を得た。得られたそれぞれの
ＳｉＣ焼結体の特性を表２に示す。また得られたＳｉＣ
焼結体の破面を走査型電子顕微鏡を用いて３０００倍で
観察したところ、比較例１及び２のＳｉＣ焼結体のみ第
２相の炭素は確認されたがそれ以外の実施例１及び２の
ＳｉＣ焼結体には第２相の炭素は確認されなかった。
aの圧力を加えて外径が１００mm及び厚さが５mmの円盤
を成形した。この成形体を１５０℃で３時間乾燥後、中
央部の６４mmの範囲に直径が１．０mmの貫通孔を３．８
mm間隔で格子状に２１６個設け、アルゴンガスを１リッ
トル／分の条件で流しながら、焼成温度２２００℃で１
時間保持してＳｉＣ焼結体を得た。得られたそれぞれの
ＳｉＣ焼結体の特性を表２に示す。また得られたＳｉＣ
焼結体の破面を走査型電子顕微鏡を用いて３０００倍で
観察したところ、比較例１及び２のＳｉＣ焼結体のみ第
２相の炭素は確認されたがそれ以外の実施例１及び２の
ＳｉＣ焼結体には第２相の炭素は確認されなかった。
【００１４】実施例３ 実施例１で用いたＳｉＣ原料粉Ａ１００重量部に平均粒
径が１．５μｍの炭化硼素を０．３重量部配合し、以下
実施例１と同様の工程を経てＳｉＣ焼結体を得た。得ら
れたＳｉＣ焼結体の特性を表２に示す。また上記と同様
の方法でＳｉＣ焼結体の破面を観察したが、第２相の炭
素は確認されなかった。
径が１．５μｍの炭化硼素を０．３重量部配合し、以下
実施例１と同様の工程を経てＳｉＣ焼結体を得た。得ら
れたＳｉＣ焼結体の特性を表２に示す。また上記と同様
の方法でＳｉＣ焼結体の破面を観察したが、第２相の炭
素は確認されなかった。
【００１５】実施例４ ＳｉＣ原料粉Ｂ１００重量部に平均粒径が１．５μｍの
炭化硼素を０．３重量部配合し、以下実施例１と同様の
工程を経てＳｉＣ焼結体を得た。得られたＳｉＣ焼結体
の特性を表２に示す。また上記と同様の方法でＳｉＣ焼
結体の破面を観察したが、第２相の炭素は確認されなか
った。
炭化硼素を０．３重量部配合し、以下実施例１と同様の
工程を経てＳｉＣ焼結体を得た。得られたＳｉＣ焼結体
の特性を表２に示す。また上記と同様の方法でＳｉＣ焼
結体の破面を観察したが、第２相の炭素は確認されなか
った。
【００１６】実施例５ ＳｉＣ原料粉Ｃ１００重量部に平均粒径が１．５μｍの
炭化硼素を０．１重量部配合し、実施例１と同様のバイ
ンダー等を加えて造粒し、成形粉を得た。この成形粉を
金型内に充填し、９８MPaの圧力を加えて外径が８０mm
及び厚さが５mmの円盤を成形した。この成形体を黒鉛型
に入れて真空中で、２０５０℃でかつ１９MPaの圧力で
１．５時間保持してＳｉＣ焼結体を得た。得られたＳｉ
Ｃ焼結体の特性を表２に示す。また上記と同様の方法で
ＳｉＣ焼結体の破面を観察したが、第２相の炭素は確認
されなかった。この後、ＳｉＣ焼結体の中央部の５１mm
の範囲に超音波加工で直径が０．８mmの貫通孔を３mm間
隔で格子状に２１６個設けた。
炭化硼素を０．１重量部配合し、実施例１と同様のバイ
ンダー等を加えて造粒し、成形粉を得た。この成形粉を
金型内に充填し、９８MPaの圧力を加えて外径が８０mm
及び厚さが５mmの円盤を成形した。この成形体を黒鉛型
に入れて真空中で、２０５０℃でかつ１９MPaの圧力で
１．５時間保持してＳｉＣ焼結体を得た。得られたＳｉ
Ｃ焼結体の特性を表２に示す。また上記と同様の方法で
ＳｉＣ焼結体の破面を観察したが、第２相の炭素は確認
されなかった。この後、ＳｉＣ焼結体の中央部の５１mm
の範囲に超音波加工で直径が０．８mmの貫通孔を３mm間
隔で格子状に２１６個設けた。
【００１７】次に各実施例及び各比較例で得られた中央
部に貫通孔を設けたＳｉＣ焼結体を厚さ３mmに研磨後、
鏡面に磨き、平行平板型のプラズマエッチング試験装置
の電極に用い、評価試験を行った。試験条件は高周波出
力８０Ｗ、電極とＳｉウエハの距離１０mm、アルゴンガ
ス流量８０ml/min、４フッ化炭素流量７ml/min及び試験
装置内圧力２３０Paで５時間試験を行った。このときの
放電異物の発生量と電極の消耗量を表３に示す。
部に貫通孔を設けたＳｉＣ焼結体を厚さ３mmに研磨後、
鏡面に磨き、平行平板型のプラズマエッチング試験装置
の電極に用い、評価試験を行った。試験条件は高周波出
力８０Ｗ、電極とＳｉウエハの距離１０mm、アルゴンガ
ス流量８０ml/min、４フッ化炭素流量７ml/min及び試験
装置内圧力２３０Paで５時間試験を行った。このときの
放電異物の発生量と電極の消耗量を表３に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】
【表３】
【００２１】表３に示されるように、第２相として炭素
を実質的に含まず、嵩密度が３．１０g/cm3以上の本発
明になる実施例のＳｉＣ焼結体は、放電異物発生数が少
なく、耐プラズマ性が良好であることが明らかである。
これに対し、第２相として炭素を実質的に含む比較例の
ＳｉＣ焼結体は、放電異物発生数が実施例のＳｉＣ焼結
体に比較して多く、耐プラズマ性が悪いことが明らかで
ある。
を実質的に含まず、嵩密度が３．１０g/cm3以上の本発
明になる実施例のＳｉＣ焼結体は、放電異物発生数が少
なく、耐プラズマ性が良好であることが明らかである。
これに対し、第２相として炭素を実質的に含む比較例の
ＳｉＣ焼結体は、放電異物発生数が実施例のＳｉＣ焼結
体に比較して多く、耐プラズマ性が悪いことが明らかで
ある。
【００２２】
【発明の効果】請求項１及び２記載のＳｉＣ焼結体は、
プラズマ雰囲気で使用しても放電異物発生数が少なく、
半導体製造装置、液晶デバイス製造装置等の半導体・液
晶分野に好適で耐プラズマ性に優れるＳｉＣ焼結体であ
る。
プラズマ雰囲気で使用しても放電異物発生数が少なく、
半導体製造装置、液晶デバイス製造装置等の半導体・液
晶分野に好適で耐プラズマ性に優れるＳｉＣ焼結体であ
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 第２相として炭素を実質的に含まないＳ
ｉＣ焼結体。 - 【請求項２】 ＳｉＣ焼結体が、常圧で焼結させたもの
である請求項１記載のＳｉＣ焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04711498A JP4789293B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | ＳｉＣ焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04711498A JP4789293B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | ＳｉＣ焼結体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11240763A true JPH11240763A (ja) | 1999-09-07 |
| JP4789293B2 JP4789293B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=12766159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04711498A Expired - Lifetime JP4789293B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | ＳｉＣ焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4789293B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002037668A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 炭化珪素焼結体及びその製造法 |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP04711498A patent/JP4789293B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002037668A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 炭化珪素焼結体及びその製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4789293B2 (ja) | 2011-10-12 |
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