JPH11238756A - 高周波回路装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板を用いた高周波回路装置において
ボンディングパッドの低損失化を図る。 【解決手段】 半導体基板９上のボンディングバッドに
おいて、複数の金属配線すなわち第１層金属配線４、第
２層金属配線３、第３層金属配線２を積層してボンディ
ングバッドを形成し、最下層の第１層金属配線４を、ボ
ンディングバッドの面積より小さくなるように、上層の
金属配線３，４の面積より小さい領域に、分割して格子
状に配置する。
ボンディングパッドの低損失化を図る。 【解決手段】 半導体基板９上のボンディングバッドに
おいて、複数の金属配線すなわち第１層金属配線４、第
２層金属配線３、第３層金属配線２を積層してボンディ
ングバッドを形成し、最下層の第１層金属配線４を、ボ
ンディングバッドの面積より小さくなるように、上層の
金属配線３，４の面積より小さい領域に、分割して格子
状に配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板を用いた
高周波回路装置に関するもので、特に高周波回路の損失
の低減に関する。
高周波回路装置に関するもので、特に高周波回路の損失
の低減に関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、従来の高周波回路の例について述
べる。図１６〜図１８は、従来の高周波回路装置の構造
の一例を示す図である。図１６はシリコン基板上に形成
されたボンディングパッドの平面図、図１７は図１６の
Ａ−Ａ' 部分を切り出した断面図、図１８はこのボンデ
ィングパッドの等価回路を示す図である。これは、例え
ば、J.N.Burghartz, et.al.:" Microwave Inductors an
d Capasitors in Standard Multilevel Interconnect S
ilicon Technology", IEEE Trans. Microwave Theory T
ech., MTT-４４, no.１ , pp.１００−１０４ (１９９
６) に示された例である。
べる。図１６〜図１８は、従来の高周波回路装置の構造
の一例を示す図である。図１６はシリコン基板上に形成
されたボンディングパッドの平面図、図１７は図１６の
Ａ−Ａ' 部分を切り出した断面図、図１８はこのボンデ
ィングパッドの等価回路を示す図である。これは、例え
ば、J.N.Burghartz, et.al.:" Microwave Inductors an
d Capasitors in Standard Multilevel Interconnect S
ilicon Technology", IEEE Trans. Microwave Theory T
ech., MTT-４４, no.１ , pp.１００−１０４ (１９９
６) に示された例である。
【０００３】図１６〜図１８において、２は第３層金属
配線、３は第２層金属配線、４は第１層金属配線、５は
第３層金属配線を用いた配線、６はボンディングパッ
ド、７はボンディングワイヤ、８は地導体、１０は絶縁
体、１１は容量、１２は抵抗、１３はシリコン基板上に
絶縁体を積層した回路基板、１４はシリコン基板であ
る。
配線、３は第２層金属配線、４は第１層金属配線、５は
第３層金属配線を用いた配線、６はボンディングパッ
ド、７はボンディングワイヤ、８は地導体、１０は絶縁
体、１１は容量、１２は抵抗、１３はシリコン基板上に
絶縁体を積層した回路基板、１４はシリコン基板であ
る。
【０００４】図１７に示すように、シリコン基板１４上
に絶縁体１０を介して形成したボンディングパッド６
は、第１層金属配線４、第２層金属配線３、第３層金属
配線２を積層して形成している。このボンディングパッ
ド６の平面形状は図１６に示したように正方形であり、
ボンディングパッド６を形成している第３層金属配線２
の外形寸法はプロセスの制約により一定値に規定され
る。
に絶縁体１０を介して形成したボンディングパッド６
は、第１層金属配線４、第２層金属配線３、第３層金属
配線２を積層して形成している。このボンディングパッ
ド６の平面形状は図１６に示したように正方形であり、
ボンディングパッド６を形成している第３層金属配線２
の外形寸法はプロセスの制約により一定値に規定され
る。
【０００５】また、ボンディングパッド６を形成してい
る第２層金属配線３、第１層金属配線４の外形寸法は、
第１層金属配線４、第２層金属配線３、第３層金属配線
２の順に積層するために、図１６に示したように第３層
金属配線２の外形寸法より、それぞれわずかに小さくな
っている。
る第２層金属配線３、第１層金属配線４の外形寸法は、
第１層金属配線４、第２層金属配線３、第３層金属配線
２の順に積層するために、図１６に示したように第３層
金属配線２の外形寸法より、それぞれわずかに小さくな
っている。
【０００６】また、ボンディングパッド６には、外部回
路と接続するためのボンディングワイヤ７が、図１６に
示したように、ボンディングパッド６を形成する第３層
金属配線２の中央部分に接続され、そのボンディングパ
ッド６を形成する第３層金属配線２とボンディングワイ
ヤ７との接続部分は、ボンディングワイヤ７が接続時に
つぶれるため円形の形状となっている。またボンディン
グパッド６には、ボンディングパッド６と同一基板上に
形成される回路と接続するための第３層金属配線を用い
た配線５が接続されている。
路と接続するためのボンディングワイヤ７が、図１６に
示したように、ボンディングパッド６を形成する第３層
金属配線２の中央部分に接続され、そのボンディングパ
ッド６を形成する第３層金属配線２とボンディングワイ
ヤ７との接続部分は、ボンディングワイヤ７が接続時に
つぶれるため円形の形状となっている。またボンディン
グパッド６には、ボンディングパッド６と同一基板上に
形成される回路と接続するための第３層金属配線を用い
た配線５が接続されている。
【０００７】次に動作について説明する。図１６におい
て、高周波信号は第３層金属配線２上に接続されたボン
ディングワイヤ７によりボンディングパッド６に伝わ
る。ボンディングパッド６に入力された高周波信号は、
ボンディングパッド６に接続された第３層金属配線を用
いた配線５へ伝わる。
て、高周波信号は第３層金属配線２上に接続されたボン
ディングワイヤ７によりボンディングパッド６に伝わ
る。ボンディングパッド６に入力された高周波信号は、
ボンディングパッド６に接続された第３層金属配線を用
いた配線５へ伝わる。
【０００８】図１８に示した等価回路のように、ボンデ
ィングパッド６と地導体８との間には、容量１１と抵抗
１２が上記経路に対して並列に存在する。容量１１の値
は、地導体８とボンディングパッド６との間の間隔が小
さい場合、またボンディングパッド６の地導体８に対す
る表面積が大きい場合にそれぞれ大きくなる。抵抗１２
の値は、シリコン基板１４のように基板抵抗率が低い場
合、またボンディングパッド６の地導体８に対する表面
積が大きい場合にそれぞれ小さくなる。
ィングパッド６と地導体８との間には、容量１１と抵抗
１２が上記経路に対して並列に存在する。容量１１の値
は、地導体８とボンディングパッド６との間の間隔が小
さい場合、またボンディングパッド６の地導体８に対す
る表面積が大きい場合にそれぞれ大きくなる。抵抗１２
の値は、シリコン基板１４のように基板抵抗率が低い場
合、またボンディングパッド６の地導体８に対する表面
積が大きい場合にそれぞれ小さくなる。
【０００９】図１６〜図１８に示した上記ボンディング
パッド６の構造においては、シリコン基板１４のように
基板抵抗率が低い場合に、図１８に示した等価回路の容
量１１が大きくなり、抵抗１２が小さくなるので、高周
波信号が上記経路にて伝わる場合に、ボンディングパッ
ド６の挿入損失が大きくなる。
パッド６の構造においては、シリコン基板１４のように
基板抵抗率が低い場合に、図１８に示した等価回路の容
量１１が大きくなり、抵抗１２が小さくなるので、高周
波信号が上記経路にて伝わる場合に、ボンディングパッ
ド６の挿入損失が大きくなる。
【００１０】また、上記ボンディングパッド６におい
て、ボンディングワイヤ７を接続する場合には、ボンデ
ィングワイヤ７の張力により剥離する場合がある。下層
の第１層金属配線４にてボンディングパッドを形成した
場合には、上層の第３層金属配線２にてボンディングパ
ッドを形成した場合に比べて、ボンディングパッドは剥
離しにくい。
て、ボンディングワイヤ７を接続する場合には、ボンデ
ィングワイヤ７の張力により剥離する場合がある。下層
の第１層金属配線４にてボンディングパッドを形成した
場合には、上層の第３層金属配線２にてボンディングパ
ッドを形成した場合に比べて、ボンディングパッドは剥
離しにくい。
【００１１】図１６〜図１８に示した上記ボンディング
パッド６においては、第１層金属配線４、第２層金属配
線３、第３層金属配線２を積層して形成しているため、
ボンディングワイヤ７をボンディングパッド６に接続す
る際に、例えば第３層金属配線２のみでボンディングパ
ッド６を形成した場合に比べて、ボンディングワイヤ７
の張力による剥離がしにくい。
パッド６においては、第１層金属配線４、第２層金属配
線３、第３層金属配線２を積層して形成しているため、
ボンディングワイヤ７をボンディングパッド６に接続す
る際に、例えば第３層金属配線２のみでボンディングパ
ッド６を形成した場合に比べて、ボンディングワイヤ７
の張力による剥離がしにくい。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波回路は、
以上のように構成されており、シリコン基板のような基
板抵抗率の低い半導体基板上に作成したボンディングパ
ッドにおいては、地導体に対する等価的な抵抗値が小さ
くなり、その結果ボンディングパッドの挿入損失も大き
くなるという課題があった。
以上のように構成されており、シリコン基板のような基
板抵抗率の低い半導体基板上に作成したボンディングパ
ッドにおいては、地導体に対する等価的な抵抗値が小さ
くなり、その結果ボンディングパッドの挿入損失も大き
くなるという課題があった。
【００１３】また、ボンディングパッドの挿入損失を低
減するために、ボンディングパッドの基板に対する容量
が小さくなる、最上層の金属配線のみでボンディングパ
ッドを構成した場合、ボンディングワイヤ接続時にボン
ディングパッドが、接続するボンディングワイヤの張力
により剥離しやすいという課題があった。
減するために、ボンディングパッドの基板に対する容量
が小さくなる、最上層の金属配線のみでボンディングパ
ッドを構成した場合、ボンディングワイヤ接続時にボン
ディングパッドが、接続するボンディングワイヤの張力
により剥離しやすいという課題があった。
【００１４】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、ボンディングワイヤ接続時にボ
ンディングパッドが剥離しにくく、かつボンディングパ
ッドの挿入損失の低減が可能な高周波回路を得ることを
目的とする。
ためになされたもので、ボンディングワイヤ接続時にボ
ンディングパッドが剥離しにくく、かつボンディングパ
ッドの挿入損失の低減が可能な高周波回路を得ることを
目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明の高周波回路装
置は、回路基板上に複数の金属配線層を用いて形成した
高周波回路装置において、上記複数の金属配線層を積層
して形成したボンディングパッド部を備え、かつ上記ボ
ンディングパッド部において最下層の金属配線層の面積
を上記ボンディングパッド部の面積より小さく形成した
ことを特徴とするものである。
置は、回路基板上に複数の金属配線層を用いて形成した
高周波回路装置において、上記複数の金属配線層を積層
して形成したボンディングパッド部を備え、かつ上記ボ
ンディングパッド部において最下層の金属配線層の面積
を上記ボンディングパッド部の面積より小さく形成した
ことを特徴とするものである。
【００１６】また、この発明の高周波回路装置は、上記
ボンディングパッド部において、上記最下層の金属配線
層を分割して分散配置したことを特徴とするものであ
る。
ボンディングパッド部において、上記最下層の金属配線
層を分割して分散配置したことを特徴とするものであ
る。
【００１７】また、この発明の高周波回路装置は、上記
ボンディングパッド部において、上記最下層の金属配線
層を五角形以上の多角形又は円形に形成したことを特徴
とするものである。
ボンディングパッド部において、上記最下層の金属配線
層を五角形以上の多角形又は円形に形成したことを特徴
とするものである。
【００１８】また、この発明の高周波回路装置は、回路
基板上に最下層の金属配線層とこの最下層の金属配線層
の上層に配置された複数の金属配線層を用いて形成した
高周波回路装置において、上記上層に配置された複数の
金属配線層を積層してボンディングパッド部を形成した
ことを特徴とするものである。
基板上に最下層の金属配線層とこの最下層の金属配線層
の上層に配置された複数の金属配線層を用いて形成した
高周波回路装置において、上記上層に配置された複数の
金属配線層を積層してボンディングパッド部を形成した
ことを特徴とするものである。
【００１９】また、この発明の高周波回路装置は、上記
ボンディングパッド部において、上記ボンディングパッ
ド部における最下層の金属配線層の面積を上記ボンディ
ングパッド部の面積より小さく形成したことを特徴とす
るものである。
ボンディングパッド部において、上記ボンディングパッ
ド部における最下層の金属配線層の面積を上記ボンディ
ングパッド部の面積より小さく形成したことを特徴とす
るものである。
【００２０】また、この発明の高周波回路装置は、上記
ボンディングパッド部において、上記最下層の金属配線
層を分割して分散配置したことを特徴とするものであ
る。
ボンディングパッド部において、上記最下層の金属配線
層を分割して分散配置したことを特徴とするものであ
る。
【００２１】また、この発明の高周波回路装置は、上記
ボンディングパッド部において、上記最下層の金属配線
層を五角形以上の多角形又は円形に形成したことを特徴
とするものである。
ボンディングパッド部において、上記最下層の金属配線
層を五角形以上の多角形又は円形に形成したことを特徴
とするものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１〜図３は、こ
の発明の実施の形態１による高周波回路装置の構造を示
す図である。図１はボンディングパッドの平面図、図２
は図１のＡ−Ａ' 部分を切り出した断面図、図３はボン
ディングパッドの等価回路を示す図である。図１〜図３
において、１は半導体基板上に絶縁体を積層した回路基
板、２は第３層金属配線、３は第２層金属配線、４は第
１層金属配線、５は第３層金属配線を用いた配線、６は
ボンディングパッド、７はボンディングワイヤ、８は地
導体、９は半導体基板、１０は絶縁体、１１は容量、１
２は抵抗である。
の発明の実施の形態１による高周波回路装置の構造を示
す図である。図１はボンディングパッドの平面図、図２
は図１のＡ−Ａ' 部分を切り出した断面図、図３はボン
ディングパッドの等価回路を示す図である。図１〜図３
において、１は半導体基板上に絶縁体を積層した回路基
板、２は第３層金属配線、３は第２層金属配線、４は第
１層金属配線、５は第３層金属配線を用いた配線、６は
ボンディングパッド、７はボンディングワイヤ、８は地
導体、９は半導体基板、１０は絶縁体、１１は容量、１
２は抵抗である。
【００２３】図２に示すように、回路基板１上に、すな
わち裏面に地導体８を有する半導体基板９上に絶縁体１
０を介して形成したボンディングパッド６は、複数の金
属配線、すなわち、第１層金属配線４、第２層金属配線
３、第３層金属配線２を積層して形成している。このボ
ンディングパッド６の平面形状は図１に示したように正
方形であり、ボンディングパッド６を形成している最上
層の第３層金属配線２の外形寸法はプロセスの制約によ
り一定値に規定される。
わち裏面に地導体８を有する半導体基板９上に絶縁体１
０を介して形成したボンディングパッド６は、複数の金
属配線、すなわち、第１層金属配線４、第２層金属配線
３、第３層金属配線２を積層して形成している。このボ
ンディングパッド６の平面形状は図１に示したように正
方形であり、ボンディングパッド６を形成している最上
層の第３層金属配線２の外形寸法はプロセスの制約によ
り一定値に規定される。
【００２４】ボンディングパッド６を形成している第２
層金属配線３の外形寸法は、第１層金属配線４、第２層
金属配線３、第３層金属配線２の順に積層するために、
図１に示したように最上層の第３層金属配線２の外形寸
法より、わずかに小さくなっている。
層金属配線３の外形寸法は、第１層金属配線４、第２層
金属配線３、第３層金属配線２の順に積層するために、
図１に示したように最上層の第３層金属配線２の外形寸
法より、わずかに小さくなっている。
【００２５】さらに最下層の第１層金属配線４は、第２
層金属配線３の外形寸法より小さい領域に、分割された
金属配線が格子状に分散配置されている。すなわち、こ
のボンディングパッド６は、回路基板１で用いられる複
数の金属配線層を積層して形成され、かつボンディング
パッド６の部分において、最下層の金属配線層の面積が
最上層の第３層金属配線２の面積より、すなわちボンデ
ィングパッド６の面積より所要の割合に小さくなるよう
に形成されている。
層金属配線３の外形寸法より小さい領域に、分割された
金属配線が格子状に分散配置されている。すなわち、こ
のボンディングパッド６は、回路基板１で用いられる複
数の金属配線層を積層して形成され、かつボンディング
パッド６の部分において、最下層の金属配線層の面積が
最上層の第３層金属配線２の面積より、すなわちボンデ
ィングパッド６の面積より所要の割合に小さくなるよう
に形成されている。
【００２６】また、ボンディングパッド６には、外部回
路と接続するためのボンディングワイヤ７が、図１に示
したように、ボンディングパッド６を形成する第３層金
属配線２の中央部分に接続され、そのボンディングパッ
ド６を形成する第３層金属配線２とボンディングワイヤ
７との接続部分は、ボンディングワイヤ７が接続時につ
ぶれるため円形の形状となっている。またボンディング
パッド６には、ボンディングパッド６と同一基板上に形
成される回路と接続するための第３層金属配線を用いた
配線５が接続されている。
路と接続するためのボンディングワイヤ７が、図１に示
したように、ボンディングパッド６を形成する第３層金
属配線２の中央部分に接続され、そのボンディングパッ
ド６を形成する第３層金属配線２とボンディングワイヤ
７との接続部分は、ボンディングワイヤ７が接続時につ
ぶれるため円形の形状となっている。またボンディング
パッド６には、ボンディングパッド６と同一基板上に形
成される回路と接続するための第３層金属配線を用いた
配線５が接続されている。
【００２７】次に動作について説明する。図１におい
て、高周波信号は第３層金属配線２上に接続されたボン
ディングワイヤ７によりボンディングパッド６に伝わ
る。ボンディングパッド６に入力された高周波信号は、
ボンディングパッド６に接続された第３層金属配線を用
いた配線５へ伝わる。
て、高周波信号は第３層金属配線２上に接続されたボン
ディングワイヤ７によりボンディングパッド６に伝わ
る。ボンディングパッド６に入力された高周波信号は、
ボンディングパッド６に接続された第３層金属配線を用
いた配線５へ伝わる。
【００２８】先に説明したように、最下層の第１層金属
配線４は、ボンディングパッド６の面積、すなわち、最
上層の第３層金属配線２の面積より所要の割合に小さ
く、また、第２層金属配線３の面積より小さい正方形状
の領域内に、格子状の形状に配置されている。これによ
り、最下層の第１層金属配線４を、ボンディングパッド
６の面積と実質的に同じ面積の正方形の形状とした場合
に比べて、第１層金属配線４の半導体基板９に面する部
分の表面積が減少し、図３に示した等価回路の容量１１
の値を小さく、抵抗１２の値をは大きくすることができ
る。この結果、高周波においてボンディングパッド６の
挿入損失を低減することができる。
配線４は、ボンディングパッド６の面積、すなわち、最
上層の第３層金属配線２の面積より所要の割合に小さ
く、また、第２層金属配線３の面積より小さい正方形状
の領域内に、格子状の形状に配置されている。これによ
り、最下層の第１層金属配線４を、ボンディングパッド
６の面積と実質的に同じ面積の正方形の形状とした場合
に比べて、第１層金属配線４の半導体基板９に面する部
分の表面積が減少し、図３に示した等価回路の容量１１
の値を小さく、抵抗１２の値をは大きくすることができ
る。この結果、高周波においてボンディングパッド６の
挿入損失を低減することができる。
【００２９】また、第１層金属配線４の表面積が小さく
なったものの、例えば第３層金属配線２のみでボンディ
ングパッド６を構成した場合に比べて、上記のボンディ
ングパッド６は剥離しにくい。
なったものの、例えば第３層金属配線２のみでボンディ
ングパッド６を構成した場合に比べて、上記のボンディ
ングパッド６は剥離しにくい。
【００３０】なお、ここではボンディングワイヤ７から
高周波信号が入力した場合について説明したが、第３層
金属配線で構成した配線５から入力した場合でも、同様
の効果を奏する。また、ここではボンディングパッド６
を形成する第２層金属配線３、第３層金属配線２の平面
形状が正方形の場合について説明したが、第２層金属配
線３、第３層金属配線２の平面形状が正方形以外の任意
の形状の場合でも同様の効果を奏する。
高周波信号が入力した場合について説明したが、第３層
金属配線で構成した配線５から入力した場合でも、同様
の効果を奏する。また、ここではボンディングパッド６
を形成する第２層金属配線３、第３層金属配線２の平面
形状が正方形の場合について説明したが、第２層金属配
線３、第３層金属配線２の平面形状が正方形以外の任意
の形状の場合でも同様の効果を奏する。
【００３１】実施の形態２．図４は本発明の実施の形態
２を示すボンディングパッドの平面図である。図４にお
いて、１は半導体基板上に絶縁体を積層した回路基板、
２は第３層金属配線、３は第２層金属配線、４は第１層
金属配線、５は第３層金属配線を用いた配線、６はボン
ディングパッド、７はボンディングワイヤである。
２を示すボンディングパッドの平面図である。図４にお
いて、１は半導体基板上に絶縁体を積層した回路基板、
２は第３層金属配線、３は第２層金属配線、４は第１層
金属配線、５は第３層金属配線を用いた配線、６はボン
ディングパッド、７はボンディングワイヤである。
【００３２】この実施の形態において、その構成および
動作は、基本的に実施の形態１と同様であるが、ボンデ
ィングパッド６を構成する第１層金属配線４の形状のみ
が異なる。図４に示すこの実施の形態のボンディングパ
ッド６は、第１層金属配線４が、第２層金属配線３の面
積より小さい正方形の形状の領域内の四隅のみに配置さ
れている。
動作は、基本的に実施の形態１と同様であるが、ボンデ
ィングパッド６を構成する第１層金属配線４の形状のみ
が異なる。図４に示すこの実施の形態のボンディングパ
ッド６は、第１層金属配線４が、第２層金属配線３の面
積より小さい正方形の形状の領域内の四隅のみに配置さ
れている。
【００３３】これにより、上記第１層金属配線４の半導
体基板９に面する部分の表面積が減少し、地導体８に対
する容量１１の値を小さく、抵抗１２の値を大きくする
ことができる。この結果、高周波においてボンディング
パッド６の挿入損失を低減することができる。
体基板９に面する部分の表面積が減少し、地導体８に対
する容量１１の値を小さく、抵抗１２の値を大きくする
ことができる。この結果、高周波においてボンディング
パッド６の挿入損失を低減することができる。
【００３４】また、第１層金属配線４の表面積が小さく
なったものの、第３層金属配線２のみでボンディングパ
ッド６を構成した場合に比べて、この実施の形態のボン
ディングパッドは剥離しにくい。また、ここではボンデ
ィングパッド６を形成する第２層金属配線３、第３層金
属配線２の平面形状が正方形の場合について説明した
が、第２層金属配線３、第３層金属配線２の平面形状が
正方形以外の任意の形状の場合でも同様の効果を奏す
る。
なったものの、第３層金属配線２のみでボンディングパ
ッド６を構成した場合に比べて、この実施の形態のボン
ディングパッドは剥離しにくい。また、ここではボンデ
ィングパッド６を形成する第２層金属配線３、第３層金
属配線２の平面形状が正方形の場合について説明した
が、第２層金属配線３、第３層金属配線２の平面形状が
正方形以外の任意の形状の場合でも同様の効果を奏す
る。
【００３５】実施の形態３．図５は本発明の実施の形態
３を示すボンディングパッドの平面図である。図５にお
いて、１は半導体上に絶縁体を積層した回路基板、２は
第３層金属配線、３は第２層金属配線、４は第１層金属
配線、５は第３層金属配線を用いた配線、６はボンディ
ングパッド、７はボンディングワイヤである。
３を示すボンディングパッドの平面図である。図５にお
いて、１は半導体上に絶縁体を積層した回路基板、２は
第３層金属配線、３は第２層金属配線、４は第１層金属
配線、５は第３層金属配線を用いた配線、６はボンディ
ングパッド、７はボンディングワイヤである。
【００３６】この実施の形態において、その構成および
動作は、基本的に実施の形態１と同様であるが、ボンデ
ィングパッド６を構成する第１層金属配線４の形状のみ
が異なる。図５に示すこの実施の形態のボンディングパ
ッド６は、第１層金属配線４が、第２層金属配線３の面
積より小さい正方形の形状の領域内に、上記領域の面積
より小さい五角形以上の多角形の形状に配置されてい
る。これにより、第１層金属配線４の半導体基板９に面
する部分の表面積が減少し、地導体８に対する容量１１
の値は小さく、抵抗１２の値は大きくなる。この結果、
高周波においてボンディングパッド６の挿入損失を低減
することができる。
動作は、基本的に実施の形態１と同様であるが、ボンデ
ィングパッド６を構成する第１層金属配線４の形状のみ
が異なる。図５に示すこの実施の形態のボンディングパ
ッド６は、第１層金属配線４が、第２層金属配線３の面
積より小さい正方形の形状の領域内に、上記領域の面積
より小さい五角形以上の多角形の形状に配置されてい
る。これにより、第１層金属配線４の半導体基板９に面
する部分の表面積が減少し、地導体８に対する容量１１
の値は小さく、抵抗１２の値は大きくなる。この結果、
高周波においてボンディングパッド６の挿入損失を低減
することができる。
【００３７】五角形以上の多角形が好適なのは次の理由
による。すなわち、ボンディングパッド６を形成する第
３層金属配線２とボンディングワイヤ７との接続部分
は、ボンディングワイヤ７が接続時につぶれるため円形
の形状となっている。この円形の形状部分にボンディン
グワイヤ７の引っ張り力が働くので、金属配線の剥離を
防止するように、この部分をカバーするように金属配線
の層を厚くするのがよい。
による。すなわち、ボンディングパッド６を形成する第
３層金属配線２とボンディングワイヤ７との接続部分
は、ボンディングワイヤ７が接続時につぶれるため円形
の形状となっている。この円形の形状部分にボンディン
グワイヤ７の引っ張り力が働くので、金属配線の剥離を
防止するように、この部分をカバーするように金属配線
の層を厚くするのがよい。
【００３８】このようにすれば、第１層金属配線４の表
面積が小さくなったものの、第３層金属配線２のみでボ
ンディングパッド６を構成した場合に比べて、この実施
の形態のボンディングパッド６は剥離しにくい。また、
ここではボンディングパッド６を形成する第２層金属配
線３、第３層金属配線２の平面形状が正方形の場合につ
いて説明したが、第２層金属配線３、第３層金属配線２
の平面形状が正方形以外の任意の形状の場合でも同様の
効果を奏する。
面積が小さくなったものの、第３層金属配線２のみでボ
ンディングパッド６を構成した場合に比べて、この実施
の形態のボンディングパッド６は剥離しにくい。また、
ここではボンディングパッド６を形成する第２層金属配
線３、第３層金属配線２の平面形状が正方形の場合につ
いて説明したが、第２層金属配線３、第３層金属配線２
の平面形状が正方形以外の任意の形状の場合でも同様の
効果を奏する。
【００３９】実施の形態４．図６は本発明の実施の形態
４を示すボンディングパッドの平面図である。図６にお
いて、１は半導体上に絶縁体を積層した回路基板、２は
第３層金属配線、３は第２層金属配線、４は第１層金属
配線、５は第３層金属配線を用いた配線、６はボンディ
ングパッド、７はボンディングワイヤである。
４を示すボンディングパッドの平面図である。図６にお
いて、１は半導体上に絶縁体を積層した回路基板、２は
第３層金属配線、３は第２層金属配線、４は第１層金属
配線、５は第３層金属配線を用いた配線、６はボンディ
ングパッド、７はボンディングワイヤである。
【００４０】この実施の形態において、その構成および
動作は、基本的に実施の形態１と同様であるが、ボンデ
ィングパッド６を構成する第１層金属配線４の形状のみ
が異なる。図６に示すこの実施の形態のボンディングパ
ッド６は、第１層金属配線４が、第２層金属配線３の面
積より小さい正方形の形状の領域内に、上記領域の面積
より小さい円形の形状に配置されている。
動作は、基本的に実施の形態１と同様であるが、ボンデ
ィングパッド６を構成する第１層金属配線４の形状のみ
が異なる。図６に示すこの実施の形態のボンディングパ
ッド６は、第１層金属配線４が、第２層金属配線３の面
積より小さい正方形の形状の領域内に、上記領域の面積
より小さい円形の形状に配置されている。
【００４１】これにより、第１層金属配線４の半導体基
板９に面する部分の表面積が減少し、地導体８に対する
容量１１の値を小さく、抵抗１２の値を大きくすること
ができる。この結果、高周波においてボンディングパッ
ド６の挿入損失を低減することができる。
板９に面する部分の表面積が減少し、地導体８に対する
容量１１の値を小さく、抵抗１２の値を大きくすること
ができる。この結果、高周波においてボンディングパッ
ド６の挿入損失を低減することができる。
【００４２】また、第１層金属配線４の表面積が小さく
なったものの、第３層金属配線２のみでボンディングパ
ッド６を構成した場合に比べて、この実施の形態のボン
ディングパッド６は剥離しにくい。また、ここではボン
ディングパッド６を形成する第３層金属配線２の平面形
状が正方形の場合について説明したが、第３層金属配線
２の平面形状が正方形以外の任意の形状の場合でも同様
の効果を奏する。
なったものの、第３層金属配線２のみでボンディングパ
ッド６を構成した場合に比べて、この実施の形態のボン
ディングパッド６は剥離しにくい。また、ここではボン
ディングパッド６を形成する第３層金属配線２の平面形
状が正方形の場合について説明したが、第３層金属配線
２の平面形状が正方形以外の任意の形状の場合でも同様
の効果を奏する。
【００４３】実施の形態５．図７〜図９は、この発明の
実施の形態５による高周波回路装置の構造を示す図であ
る。図７はボンディングパッドの平面図、図８は図７の
Ａ−Ａ' 部分を切り出した断面図、図９はボンディング
パッドの等価回路を示す図である。図７〜図９におい
て、１は半導体基板上に絶縁体を積層した回路基板、２
は第３層金属配線、３は第２層金属配線、５は第３層金
属配線を用いた配線、６はボンディングパッド、７はボ
ンディングワイヤ、８は地導体、９は半導体基板、１０
は絶縁体、１１は容量、１２は抵抗である。
実施の形態５による高周波回路装置の構造を示す図であ
る。図７はボンディングパッドの平面図、図８は図７の
Ａ−Ａ' 部分を切り出した断面図、図９はボンディング
パッドの等価回路を示す図である。図７〜図９におい
て、１は半導体基板上に絶縁体を積層した回路基板、２
は第３層金属配線、３は第２層金属配線、５は第３層金
属配線を用いた配線、６はボンディングパッド、７はボ
ンディングワイヤ、８は地導体、９は半導体基板、１０
は絶縁体、１１は容量、１２は抵抗である。
【００４４】図８に示すように、この実施の形態のボン
ディングパッド６は、半導体基板９上に絶縁体１０を介
して、第２層金属配線３、第３層金属配線２を積層して
形成されている。回路基板１に用いられる金属配線が３
層以上の多層である場合でも、このボンディングパッド
６は、少なくとも最下層の金属配線層を用いずに、その
上層の複数の金属配線層を用いて形成されている。
ディングパッド６は、半導体基板９上に絶縁体１０を介
して、第２層金属配線３、第３層金属配線２を積層して
形成されている。回路基板１に用いられる金属配線が３
層以上の多層である場合でも、このボンディングパッド
６は、少なくとも最下層の金属配線層を用いずに、その
上層の複数の金属配線層を用いて形成されている。
【００４５】第３層金属配線２、その下層の上記第２層
金属配線３の平面形状は、この例では図７に示したよう
に正方形である。ボンディングパッド６には、外部回路
と接続するためのボンディングワイヤ７が、図７に示し
たように、ボンディングパッド６を形成する第３層金属
配線２の中央部分に接続されている。またボンディング
パッド６には、ボンディングパッド６と同一基板上に形
成される回路と接続するための第３層金属配線を用いた
配線５が接続されている。
金属配線３の平面形状は、この例では図７に示したよう
に正方形である。ボンディングパッド６には、外部回路
と接続するためのボンディングワイヤ７が、図７に示し
たように、ボンディングパッド６を形成する第３層金属
配線２の中央部分に接続されている。またボンディング
パッド６には、ボンディングパッド６と同一基板上に形
成される回路と接続するための第３層金属配線を用いた
配線５が接続されている。
【００４６】次に動作について説明する。図７におい
て、高周波信号は第３層金属配線２上に接続されたボン
ディングワイヤ７によりボンディングパッド６に伝わ
る。ボンディングパッド６に入力された高周波信号は、
ボンディングパッド６に接続された第３層金属配線を用
いた配線５へ伝わる。
て、高周波信号は第３層金属配線２上に接続されたボン
ディングワイヤ７によりボンディングパッド６に伝わ
る。ボンディングパッド６に入力された高周波信号は、
ボンディングパッド６に接続された第３層金属配線を用
いた配線５へ伝わる。
【００４７】ボンディングパッド６を、回路基板１に用
いられる最下層の配線層を用いずに、第２層金属配線
３、第３層金属配線２を積層して構成することにより、
このボンディングパッド６の部分では、回路基板１にお
ける最下層の第１層金属配線４を用いる場合に比べて、
半導体基板９上の絶縁体１０を厚くすることができる。
したがって、ボンディングパッド６の部分では最下層と
なる第２層金属配線３が、半導体基板９から離れた位置
になるため、図９に示した等価回路の容量１１の値を小
さすることができる。この結果、高周波においてボンデ
ィングパッド６の挿入損失を低減することができる。
いられる最下層の配線層を用いずに、第２層金属配線
３、第３層金属配線２を積層して構成することにより、
このボンディングパッド６の部分では、回路基板１にお
ける最下層の第１層金属配線４を用いる場合に比べて、
半導体基板９上の絶縁体１０を厚くすることができる。
したがって、ボンディングパッド６の部分では最下層と
なる第２層金属配線３が、半導体基板９から離れた位置
になるため、図９に示した等価回路の容量１１の値を小
さすることができる。この結果、高周波においてボンデ
ィングパッド６の挿入損失を低減することができる。
【００４８】また、第１層金属配線４がないものの、最
上層の第３層金属配線２のみでボンディングパッド６を
構成した場合に比べて、この実施の形態のボンディング
パッド６は剥離しにくい。
上層の第３層金属配線２のみでボンディングパッド６を
構成した場合に比べて、この実施の形態のボンディング
パッド６は剥離しにくい。
【００４９】なお、ここではボンディングワイヤ７から
高周波信号が入力した場合について説明したが、第３層
金属配線で構成した配線５から入力した場合でも、同様
の効果を奏する。また、ここでは上記ボンディングパッ
ド６を形成する第３層金属配線２の平面形状が正方形の
場合について説明したが、第３層金属配線２の平面形状
が正方形以外の任意の形状の場合でも同様の効果を奏す
る。
高周波信号が入力した場合について説明したが、第３層
金属配線で構成した配線５から入力した場合でも、同様
の効果を奏する。また、ここでは上記ボンディングパッ
ド６を形成する第３層金属配線２の平面形状が正方形の
場合について説明したが、第３層金属配線２の平面形状
が正方形以外の任意の形状の場合でも同様の効果を奏す
る。
【００５０】実施の形態６．図１０〜図１２は、この発
明の実施の形態６による高周波回路装置の構造を示す図
である。図１０はボンディングパッドの平面図、図１１
は図１０のＡＡ' 部分を切り出した断面図、図１２はボ
ンディングパッドの等価回路を示す図である。図１０〜
図１２において、１は半導体基板上に絶縁体を積層した
回路基板、２は第３層金属配線、３は第２層金属配線、
５は第３層金属配線を用いた配線、６はボンディングパ
ッド、７はボンディングワイヤ、８は地導体、９は半導
体基板、１０は絶縁体、１１は容量、１２は抵抗であ
る。
明の実施の形態６による高周波回路装置の構造を示す図
である。図１０はボンディングパッドの平面図、図１１
は図１０のＡＡ' 部分を切り出した断面図、図１２はボ
ンディングパッドの等価回路を示す図である。図１０〜
図１２において、１は半導体基板上に絶縁体を積層した
回路基板、２は第３層金属配線、３は第２層金属配線、
５は第３層金属配線を用いた配線、６はボンディングパ
ッド、７はボンディングワイヤ、８は地導体、９は半導
体基板、１０は絶縁体、１１は容量、１２は抵抗であ
る。
【００５１】図１１に示すように、ボンディングパッド
６は回路基板１上に、すなわち半導体基板９上に絶縁体
１０を介して、第２層金属配線３、第３層金属配線２を
積層して形成されている。回路基板１に用いられる金属
配線が３層以上の多層である場合でも、このボンディン
グパッド６は、少なくとも最下層の金属配線層を用いず
に、その上層の複数の金属配線層を積層して形成されて
いる。
６は回路基板１上に、すなわち半導体基板９上に絶縁体
１０を介して、第２層金属配線３、第３層金属配線２を
積層して形成されている。回路基板１に用いられる金属
配線が３層以上の多層である場合でも、このボンディン
グパッド６は、少なくとも最下層の金属配線層を用いず
に、その上層の複数の金属配線層を積層して形成されて
いる。
【００５２】第３層金属配線２の平面形状は図１０に示
したように正方形である。また、下層の第２層金属配線
３は、第３層金属配線２の面積より小さい領域に、格子
状に金属が配置されている。
したように正方形である。また、下層の第２層金属配線
３は、第３層金属配線２の面積より小さい領域に、格子
状に金属が配置されている。
【００５３】ボンディングパッド６には、外部回路と接
続するためのボンディングワイヤ７が、図１０に示した
ように、ボンディングパッド６を形成する第３層金属配
線２の中央部分に接続されて、そのボンディングパッド
６を形成する第３層金属配線２とボンディングワイヤ７
との接続部分は、ボンディングワイヤ７が接続時につぶ
れるため円形の形状となっている。またボンディングパ
ッド６には、ボンディングパッド６と同一基板上に形成
される回路と接続するための第３層金属配線を用いた配
線５が接続されている。
続するためのボンディングワイヤ７が、図１０に示した
ように、ボンディングパッド６を形成する第３層金属配
線２の中央部分に接続されて、そのボンディングパッド
６を形成する第３層金属配線２とボンディングワイヤ７
との接続部分は、ボンディングワイヤ７が接続時につぶ
れるため円形の形状となっている。またボンディングパ
ッド６には、ボンディングパッド６と同一基板上に形成
される回路と接続するための第３層金属配線を用いた配
線５が接続されている。
【００５４】次に動作について説明する。図１０におい
て、高周波信号は第３層金属配線２上に接続されたボン
ディングワイヤ７によりボンディングパッド６に伝わ
る。このボンディングパッド６に入力された高周波信号
は、ボンディングパッド６に接続された第３層金属配線
を用いた配線５へ伝わる。
て、高周波信号は第３層金属配線２上に接続されたボン
ディングワイヤ７によりボンディングパッド６に伝わ
る。このボンディングパッド６に入力された高周波信号
は、ボンディングパッド６に接続された第３層金属配線
を用いた配線５へ伝わる。
【００５５】第２層金属配線３は、第３層金属配線２の
面積より小さい正方形状の領域内に、分割されて格子状
の形状に分散配置されている。これにより、ボンディン
グパッド６を構成する第２層金属配線３を、第３層金属
配線２と実質的に差のない正方形の形状とした場合に比
べて、第２層金属配線３の半導体基板９に面する部分の
表面積が減少し、図１２に示した等価回路の容量１１の
値を小さく、抵抗１２の値を大きくすることができる。
この結果、高周波においてボンディングパッド６の挿入
損失を低減することができる。
面積より小さい正方形状の領域内に、分割されて格子状
の形状に分散配置されている。これにより、ボンディン
グパッド６を構成する第２層金属配線３を、第３層金属
配線２と実質的に差のない正方形の形状とした場合に比
べて、第２層金属配線３の半導体基板９に面する部分の
表面積が減少し、図１２に示した等価回路の容量１１の
値を小さく、抵抗１２の値を大きくすることができる。
この結果、高周波においてボンディングパッド６の挿入
損失を低減することができる。
【００５６】また、第１層金属配線４の表面積が小さく
なったものの、第３層金属配線２のみでボンディングパ
ッド６を構成した場合に比べて、この実施の形態のボン
ディングパッド６は剥離しにくい。なお、ここではボン
ディングワイヤ７から高周波信号が入力した場合につい
て説明したが、第３層金属配線で構成した配線５から入
力した場合でも、同様の効果を奏する。
なったものの、第３層金属配線２のみでボンディングパ
ッド６を構成した場合に比べて、この実施の形態のボン
ディングパッド６は剥離しにくい。なお、ここではボン
ディングワイヤ７から高周波信号が入力した場合につい
て説明したが、第３層金属配線で構成した配線５から入
力した場合でも、同様の効果を奏する。
【００５７】また、ここではボンディングパッド６を形
成する第３層金属配線２の平面形状が正方形の場合につ
いて説明したが、第３層金属配線２の平面形状が正方形
以外の任意の形状の場合でも同様の効果を奏する。
成する第３層金属配線２の平面形状が正方形の場合につ
いて説明したが、第３層金属配線２の平面形状が正方形
以外の任意の形状の場合でも同様の効果を奏する。
【００５８】実施の形態７.図１３は本発明の実施の形
態７を示すボンディングパッドの平面図である。図１３
において、１は半導体基板上に絶縁体を積層した回路基
板、２は第３層金属配線、３は第２層金属配線、５は第
３層金属配線を用いた配線、６はボンディングパッド、
７はボンディングワイヤである。
態７を示すボンディングパッドの平面図である。図１３
において、１は半導体基板上に絶縁体を積層した回路基
板、２は第３層金属配線、３は第２層金属配線、５は第
３層金属配線を用いた配線、６はボンディングパッド、
７はボンディングワイヤである。
【００５９】この実施の形態において、その構成および
動作は、基本的に実施の形態６と同様であるが、ボンデ
ィングパッド６を構成する第２層金属配線３の形状のみ
が異なる。図１３に示したボンディングパッド６は、第
２層金属配線３が分割されて、第３層金属配線２の面積
より小さい正方形の形状の領域内の四隅のみに分離して
配置されている。
動作は、基本的に実施の形態６と同様であるが、ボンデ
ィングパッド６を構成する第２層金属配線３の形状のみ
が異なる。図１３に示したボンディングパッド６は、第
２層金属配線３が分割されて、第３層金属配線２の面積
より小さい正方形の形状の領域内の四隅のみに分離して
配置されている。
【００６０】これにより、第２層金属配線３の半導体基
板９に面する部分の表面積が減少し、地導体８に対する
容量１１の値を小さく、抵抗１２の値を大きくすること
ができる。この結果、高周波においてボンディングパッ
ド６の挿入損失を低減することができる。
板９に面する部分の表面積が減少し、地導体８に対する
容量１１の値を小さく、抵抗１２の値を大きくすること
ができる。この結果、高周波においてボンディングパッ
ド６の挿入損失を低減することができる。
【００６１】また、第２層金属配線３の表面積が小さく
なったものの、第３層金属配線２のみでボンディングパ
ッド６を構成した場合に比べて、この実施の形態のボン
ディングパッドは剥離しにくい。また、ここではボンデ
ィングパッド６を形成する第３層金属配線２の平面形状
が正方形の場合について説明したが、第３層金属配線２
の平面形状が正方形以外の任意の形状の場合でも同様の
効果を奏する。
なったものの、第３層金属配線２のみでボンディングパ
ッド６を構成した場合に比べて、この実施の形態のボン
ディングパッドは剥離しにくい。また、ここではボンデ
ィングパッド６を形成する第３層金属配線２の平面形状
が正方形の場合について説明したが、第３層金属配線２
の平面形状が正方形以外の任意の形状の場合でも同様の
効果を奏する。
【００６２】実施の形態８.図１４は本発明の実施の形
態８を示すボンディングパッドの平面図である。図１４
において、１は半導体基板上に絶縁体を積層した回路基
板、２は第３層金属配線、３は第２層金属配線、５は第
３層金属配線を用いた配線、６はボンディングパッド、
７はボンディングワイヤである。
態８を示すボンディングパッドの平面図である。図１４
において、１は半導体基板上に絶縁体を積層した回路基
板、２は第３層金属配線、３は第２層金属配線、５は第
３層金属配線を用いた配線、６はボンディングパッド、
７はボンディングワイヤである。
【００６３】この実施の形態において、その構成および
動作は、基本的に実施の形態６と同様であるが、ボンデ
ィングパッド６を構成する第２層金属配線３の形状のみ
が異なる。図１４に示したボンディングパッド６は、第
２層金属配線３が、第３層金属配線１の面積より小さい
正方形の形状の領域内に、上記領域の面積より小さい五
角形以上の多角形の形状に配置されている。
動作は、基本的に実施の形態６と同様であるが、ボンデ
ィングパッド６を構成する第２層金属配線３の形状のみ
が異なる。図１４に示したボンディングパッド６は、第
２層金属配線３が、第３層金属配線１の面積より小さい
正方形の形状の領域内に、上記領域の面積より小さい五
角形以上の多角形の形状に配置されている。
【００６４】これにより、第２層金属配線３の半導体基
板９に面する部分の表面積が減少し、地導体８に対する
容量１１の値を小さく、抵抗１２の値を大きくすること
ができる。この結果、高周波においてボンディングパッ
ド６の挿入損失を低減することができる。
板９に面する部分の表面積が減少し、地導体８に対する
容量１１の値を小さく、抵抗１２の値を大きくすること
ができる。この結果、高周波においてボンディングパッ
ド６の挿入損失を低減することができる。
【００６５】また、第１層金属配線４の表面積が小さく
なったものの、第３層金属配線２のみでボンディングパ
ッド６を構成した場合に比べて、この実施の形態のボン
ディングパッド６は剥離しにくい。また、ここではボン
ディングパッド６を形成する第３層金属配線２の平面形
状が正方形の場合について説明したが、第３層金属配線
２の平面形状が正方形以外の任意の形状の場合でも同様
の効果を奏する。
なったものの、第３層金属配線２のみでボンディングパ
ッド６を構成した場合に比べて、この実施の形態のボン
ディングパッド６は剥離しにくい。また、ここではボン
ディングパッド６を形成する第３層金属配線２の平面形
状が正方形の場合について説明したが、第３層金属配線
２の平面形状が正方形以外の任意の形状の場合でも同様
の効果を奏する。
【００６６】実施の形態９.図１５は本発明の実施の形
態９を示すボンディングパッドの平面図である。図１５
において、１は半導体基板上に絶縁体を積層した回路基
板、２は第３層金属配線、３は第２層金属配線、５は第
３層金属配線を用いた配線、６はボンディングパッド、
７はボンディングワイヤである。
態９を示すボンディングパッドの平面図である。図１５
において、１は半導体基板上に絶縁体を積層した回路基
板、２は第３層金属配線、３は第２層金属配線、５は第
３層金属配線を用いた配線、６はボンディングパッド、
７はボンディングワイヤである。
【００６７】この実施の形態において、その構成および
動作は、基本的に実施の形態６と同様であるが、ボンデ
ィングパッド６を構成する第２層金属配線３の形状のみ
が異なる。図１５に示したボンディングパッド６は、第
２層金属配線３が、第３層金属配線２の面積より小さい
正方形の形状の領域内に、上記領域の面積より小さい円
形の形状に配置されている。
動作は、基本的に実施の形態６と同様であるが、ボンデ
ィングパッド６を構成する第２層金属配線３の形状のみ
が異なる。図１５に示したボンディングパッド６は、第
２層金属配線３が、第３層金属配線２の面積より小さい
正方形の形状の領域内に、上記領域の面積より小さい円
形の形状に配置されている。
【００６８】これにより、第２層金属配線３の半導体基
板９に面する部分の表面積が減少し、地導体８に対する
容量１１の値を小さく、抵抗１２の値を大きくすること
ができる。この結果、高周波においてボンディングパッ
ド６の挿入損失を低減することができる。
板９に面する部分の表面積が減少し、地導体８に対する
容量１１の値を小さく、抵抗１２の値を大きくすること
ができる。この結果、高周波においてボンディングパッ
ド６の挿入損失を低減することができる。
【００６９】また、第２層金属配線３の表面積が小さく
なったものの、第３層金属配線２のみでボンディングパ
ッド６を構成した場合に比べて、ボンディングパッド６
は剥離しにくい。
なったものの、第３層金属配線２のみでボンディングパ
ッド６を構成した場合に比べて、ボンディングパッド６
は剥離しにくい。
【００７０】また、ここではボンディングパッド６を形
成する第３層金属配線２の平面形状が正方形の場合につ
いて説明したが、第３層金属配線２の平面形状が正方形
以外の任意の形状の場合でも同様の効果を奏する。
成する第３層金属配線２の平面形状が正方形の場合につ
いて説明したが、第３層金属配線２の平面形状が正方形
以外の任意の形状の場合でも同様の効果を奏する。
【００７１】
【発明の効果】以上のように、請求項１〜請求項３に係
わる発明によれば、回路基板に用いられる複数の金属配
線を用いてこれらの金属配線を積層してボンディングパ
ッド部を形成し、最下層の金属配線の半導体基板に面す
る部分の表面積を減少させ、ボンディングパッドの地導
体に対する容量の値を小さく、地導体に対する抵抗の値
を大きくすることができる。この結果、高周波において
ボンディングパッドの挿入損失を低減することができ、
ボンディングパッドの挿入損失が低減可能な高周波回路
を得ることができる。
わる発明によれば、回路基板に用いられる複数の金属配
線を用いてこれらの金属配線を積層してボンディングパ
ッド部を形成し、最下層の金属配線の半導体基板に面す
る部分の表面積を減少させ、ボンディングパッドの地導
体に対する容量の値を小さく、地導体に対する抵抗の値
を大きくすることができる。この結果、高周波において
ボンディングパッドの挿入損失を低減することができ、
ボンディングパッドの挿入損失が低減可能な高周波回路
を得ることができる。
【００７２】また、請求項４〜請求項７に係わる発明に
よれば、回路基板に用いられる複数の金属配線のうち、
少なくとも最下層の金属配線を除いてその上層の複数の
金属配線を積層してボンディングパッドを形成するの
で、ボンディングパッドの地導体に対する容量の値を小
さく、地導体に対する抵抗の値を大きくすることができ
る。また、ボンディングパッドにおける最下層の金属配
線の半導体基板に面する部分の表面積を減少させ、ボン
ディングパッドの地導体に対する容量の値をさらに小さ
く、地導体に対する抵抗の値をさらに大きくすることが
できる。この結果、高周波においてボンディングパッド
の挿入損失を低減することができ、ボンディングパッド
の挿入損失が低減可能な高周波回路を得ることができ
る。
よれば、回路基板に用いられる複数の金属配線のうち、
少なくとも最下層の金属配線を除いてその上層の複数の
金属配線を積層してボンディングパッドを形成するの
で、ボンディングパッドの地導体に対する容量の値を小
さく、地導体に対する抵抗の値を大きくすることができ
る。また、ボンディングパッドにおける最下層の金属配
線の半導体基板に面する部分の表面積を減少させ、ボン
ディングパッドの地導体に対する容量の値をさらに小さ
く、地導体に対する抵抗の値をさらに大きくすることが
できる。この結果、高周波においてボンディングパッド
の挿入損失を低減することができ、ボンディングパッド
の挿入損失が低減可能な高周波回路を得ることができ
る。
【図１】 この発明の実施の形態１を示す高周波回路の
平面図である。
平面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１を示す高周波回路の
断面図である。
断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態１を示す高周波回路の
等価回路である。
等価回路である。
【図４】 この発明の実施の形態２を示す高周波回路の
平面図である。
平面図である。
【図５】 この発明の実施の形態３を示す高周波回路の
平面図である。
平面図である。
【図６】 この発明の実施の形態４を示す高周波回路の
平面図である。
平面図である。
【図７】 この発明の実施の形態５を示す高周波回路の
平面図である。
平面図である。
【図８】 この発明の実施の形態５を示す高周波回路の
断面図である。
断面図である。
【図９】 この発明の実施の形態５を示す高周波回路の
等価回路である。
等価回路である。
【図１０】 この発明の実施の形態６を示す高周波回路
の平面図である。
の平面図である。
【図１１】 この発明の実施の形態６を示す高周波回路
の断面図である。
の断面図である。
【図１２】 この発明の実施の形態６を示す高周波回路
の等価回路である。
の等価回路である。
【図１３】 この発明の実施の形態７を示す高周波回路
の平面図である。
の平面図である。
【図１４】 この発明の実施の形態８を示す高周波回路
の平面図である。
の平面図である。
【図１５】 この発明の実施の形態９を示す高周波回路
の平面図である。
の平面図である。
【図１６】 従来のボンディングパッドを示す平面図で
ある。
ある。
【図１７】 従来のボンディングパッドを示す断面図で
ある。
ある。
【図１８】 従来のボンディングパッドを示す等価回路
である。
である。
１ 回路基板、 ２ 第３層金属配線、 ３ 第２層金
属配線、 ４ 第１層金属配線、 ６ ボンデイングパ
ッド、 ７ ボンデイングワイヤ、 ８ 地導体、 ９
半導体基板、 １０ 絶縁体、 １１ 容量、 １２
抵抗。
属配線、 ４ 第１層金属配線、 ６ ボンデイングパ
ッド、 ７ ボンデイングワイヤ、 ８ 地導体、 ９
半導体基板、 １０ 絶縁体、 １１ 容量、 １２
抵抗。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保 俊次 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 回路基板上に複数の金属配線層を用いて
形成した高周波回路装置において、上記複数の金属配線
層を積層して形成したボンディングパッド部を備え、か
つ上記ボンディングパッド部において最下層の金属配線
層の面積を上記ボンディングパッド部の面積より小さく
形成したことを特徴とする高周波回路装置。 - 【請求項２】 上記ボンディングパッド部において、上
記最下層の金属配線層を分割して分散配置したことを特
徴とする請求項１に記載の高周波回路装置。 - 【請求項３】 上記ボンディングパッド部において、上
記最下層の金属配線層を五角形以上の多角形又は円形に
形成したことを特徴とする請求項１に記載の高周波回路
装置。 - 【請求項４】 回路基板上に最下層の金属配線層とこの
最下層の金属配線層の上層に配置された複数の金属配線
層を用いて形成した高周波回路装置において、上記上層
に配置された複数の金属配線層を積層してボンディング
パッド部を形成したことを特徴とする高周波回路装置。 - 【請求項５】 上記ボンディングパッド部において、上
記ボンディングパッド部における最下層の金属配線層の
面積を上記ボンディングパッド部の面積より小さく形成
したことを特徴とする請求項４に記載の高周波回路装
置。 - 【請求項６】 上記ボンディングパッド部において、上
記最下層の金属配線層を分割して分散配置したことを特
徴とする請求項５に記載の高周波回路装置。 - 【請求項７】 上記ボンディングパッド部において、上
記最下層の金属配線層を五角形以上の多角形又は円形に
形成したことを特徴とする請求項５に記載の高周波回路
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03716198A JP3370922B2 (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 高周波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03716198A JP3370922B2 (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 高周波回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238756A true JPH11238756A (ja) | 1999-08-31 |
| JP3370922B2 JP3370922B2 (ja) | 2003-01-27 |
Family
ID=12489885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03716198A Expired - Fee Related JP3370922B2 (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 高周波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3370922B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012239189A (ja) * | 2000-09-15 | 2012-12-06 | Qualcomm Atheros Inc | 集積されたパワー増幅器を有するｃｍｏｓトランシーバ |
-
1998
- 1998-02-19 JP JP03716198A patent/JP3370922B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012239189A (ja) * | 2000-09-15 | 2012-12-06 | Qualcomm Atheros Inc | 集積されたパワー増幅器を有するｃｍｏｓトランシーバ |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3370922B2 (ja) | 2003-01-27 |
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