JP3290754B2 - 半導体搭載用多層基板 - Google Patents
半導体搭載用多層基板Info
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
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Description
用いられる半導体搭載用多層基板に関する。
ハンドリング性の向上等を目的として、通常、プラスチ
ック材料やセラミックス材料等によってパッケージング
して使用されている。このような半導体パッケージに
は、例えばセラミックス多層基板が用いられている。
一構成例を示す。同図において、2a〜2dはセラミッ
クス層であり、これらのセラミックス層2上には、信号
配線層3、電源層4、接地層5等がそれぞれ形成されて
いる。半導体パッケージに用いる多層基板において、ワ
イヤボンディングパッド等の半導体チップとの接続パッ
ド6と、 I/Oピン等の実装ボード接続用の外部端子7と
の結線は、図4に示すように、内部の信号配線層3によ
って行われている。また、この信号配線層3とは別に、
電源層4や接地層5等が設けられていることが多い。な
お、図4において、符号8はめっき用の引き出し線であ
る。
の信号配線層間の電気的容量を減らすために、信号配線
層3と電源層4や接地層5とを交互に形成することが一
般的である。
の多層基板においては、信号配線層3と電源層4や接地
層5とを交互に形成することによって、複数の信号配線
層間の電気的容量を減らしているが、信号配線層3と電
源層4や接地層5との間にも電気的容量(図4において
はC1 やC2 )が生じ、これが大きい場合には同時スイ
ッチングノイズ等の発生原因となる。この同時スイッチ
ングノイズ等の発生原因となる電気的容量には、めっき
用引き出し線5も影響している。
り、半導体チップの高集積化や高速動作化が急速に進ん
でおり、半導体チップの高速動作化によって、同時スイ
ッチングノイズ等による誤動作がより一層生じ易くなっ
てきているため、半導体パッケージ等に用いられる多層
基板には、誤動作の発生原因となる同時スイッチングノ
イズ等を防止することが強く求められている。
れたもので、信号配線と電源層や接地層との間の電気的
容量の減少を図った半導体搭載用多層基板を提供するこ
とを目的としている。
層基板は、内部信号配線層と電源層または接地層とが交
互に形成された複数の絶縁層を有する半導体搭載用多層
基板において、前記内部信号配線層の少なくとも一部は
2層以上の絶縁層上で引き回されており、かつ前記2層以
上の絶縁層上で引き回されている内部信号配線層はその
一部としてめっき線引き出し部を有することを特徴とし
ている。
っき線引き出し部(めっき引き出し線)を有する内部信
号配線層の少なくとも一部を、内部信号配線層と電源層
や接地層との間の電気的容量が減少するように、2層以
上の絶縁層上で引き回している。このように構成するこ
とで、内部信号配線層の電気的容量が減少し、例えば同
時スイッチングノイズの低減を図ることが可能となる。
て説明する。
一実施例の構成を示す図である。同図に示す半導体搭載
用多層基板11は、一方の面にワイヤボンディングパッ
ド等の半導体チップとの接続パッドを含む表面配線層1
2が設けられており、また他方の面に I/Oピン等の実装
ボードとの接続用の外部端子13が接合されている。上
記した半導体搭載用多層基板11は、例えばセラミック
ス多層基板である。このセラミックス多層基板の構成材
料としては、各種の絶縁性セラミックスを用いることが
でき、例えば窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒
化ケイ素等が挙げられる。特に、窒化アルミニウム多層
基板は、熱伝導性に優れることから、入出力信号数の増
加への対応を図った上で、パッケージ等の高放熱性化が
達成でき、さらに多層基板を小形化することが可能とな
る。
1を例として説明する。セラミックス多層基板11は、
5層の絶縁性セラミックス層14a、14b、14c、
14d、14eを多層一体化することにより構成したも
のであり、各セラミックス層14上には後に詳述するめ
っき引き出し線を含む内部信号配線層や、電源層、接地
層等が設けられている。このようなセラミックス多層基
板11は、例えば基板自体(各セラミックス層)と内部
信号配線層等となる導電性物質とを同時焼成することに
より作製される。
最上層の第1のセラミックス層14a上には、半導体チ
ップとの電気的な接続部となる接続パッドと表面配線部
とを有する表面配線層12が、例えばスパッタ法や蒸着
法等の薄膜形成技術によって形成されている。この表面
配線層12の一方の端部には接続パッドが設けられてお
り、多方の端部は導電性物質が充填されたビアホール1
5に接続されている。第2のセラミックス層14b上に
は、電源層16が設けられており、また第3のセラミッ
クス層14c上には、入出力信号線を引き回すための所
定の配線パターンを有する第1の内部信号配線層17が
設けられている。この第1の内部信号配線層17は、一
端部が上記ビアホール15に接続されており、他端部は
ビアホール18に接続されている。ビアホール18は、
第3、第4および第5のセラミックス層14c、14
d、14eを介して、セラミックス多層基板11の下面
まで延設されている。
層19が設けられている。また、第5のセラミックス層
14e上には、上記ビアホール18から分岐された第2
の内部信号配線層20が所定のパターンで形成されてい
る。この第2の内部信号配線層20は、めっき引き出し
線である。
上記入出力信号線の一部を構成するビアホール18と電
気的に接続されたランド21が所定のパターンで形成さ
れている。そして、これらランド21上には、外部接続
端子13がそれぞれ接合されている。
ス多層基板1においては、内部信号配線層を、第3のセ
ラミックス層14cと第5のセラミックス層14eの 2
つのセラミックス層上で引き回している。換言すれば、
めっき引き出し線となる第2の内部信号配線層20を、
第1の内部信号配線層17とは別のセラミックス層上で
引き回している。
ミックス層上で引き回すことによって、この実施例では
めっき引き出し線20に関する電気的容量を、接地層1
9との間で発生する電気的容量C2 ’のみとすることが
でき、電源層16との間の電気的容量を減らすことが可
能となる。これを図4に示した従来の多層基板1と比較
すると、従来の多層基板1のめっき引き出し線8に関す
る電気的容量は、電源層4との間の電気的容量C1 と接
地層5との間の電気的容量C2 との合計であり、上記実
施例のセラミックス多層基板11の方が電気的容量の減
少が図られていることが分かる。
16および接地層17との間の電気的容量を減少させる
ことによって、同時スイッチングノイズ等の発生を抑制
することができる。従って、同時スイッチングノイズ等
に起因する半導体チップの誤動作を防止することが可能
となる。このことは、半導体チップの高集積化や高速動
作化が進み、半導体チップの誤動作がより一層生じ易く
なってきている現状において、半導体チップの誤動作防
止に有効であるといえる。
いては、例えば図2に示すように、めっき引き出し線と
なる第2の内部信号配線層20を、接地層19からより
離れたセラミックス層14f上に形成してもよく、この
ような構成することによって、より一層電気的容量を減
らす(図中、C2 ”はC2 ”<C2 ’である)ことが可
能となる。
を参照して説明する。図3に示すセラミックス多層基板
31においては、入出力信号線を引き回すための内部信
号配線層32を、第3のセラミックス層14c上と第5
のセラミックス層14e上とで引き回している。すなわ
ち、第3のセラミックス層14c上に形成された第1の
内部信号配線層33と、第5のセラミックス層14e上
に形成された第2の内部信号配線層34とを、ビアホー
ル35により接続しており、入出力信号線は第1の内部
信号配線層33と第2の内部信号配線層34とで引き回
されている。なお、第2の内部信号配線層34は信号線
引き回し部34aとめっき線引き出し部34bとを有し
ている。
ックス層上で引き回すことにより、信号線自体の電源層
16との電気的容量を減少させることができ、より一層
電気的容量を減らすことが可能となる。
たように、第2の内部信号配線層34を、接地層19か
らより離れたセラミックス層に形成することができ、こ
のような構成することによって、より一層電気的容量を
減らすことが可能となる。
載用多層基板をPGA(ピングリッドアレイ)用のセラ
ミックス多層基板に適用した例を示したが、本発明はL
GA(ランドグリッドアレイ)用の多層基板、半導体実
装基板、さらにはプラスチック多層基板等に適用するこ
とも可能である。
載用多層基板によれば、めっき線引き出し部(めっき引
き出し線)を有する内部信号配線層と電源層や接地層と
の電気的容量を減少させることが可能となるため、例え
ば同時スイッチングノイズのような半導体チップの誤動
作発生原因を低減することが可能となる。よって、半導
体チップの高集積化や高速動作化等に実用的に対応可能
な、例えば半導体パッケージ等を提供することが可能と
なる。
板の構成を示す要部断面図である。
ある。
基板の構成を示す要部断面図である。
部断面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 内部信号配線層と電源層または接地層と
が交互に形成された複数の絶縁層を有する半導体搭載用
多層基板において、 前記内部信号配線層の少なくとも一部は2層以上の絶縁
層上で引き回されており、かつ前記2層以上の絶縁層上
で引き回されている内部信号配線層はその一部としてめ
っき線引き出し部を有することを特徴とする半導体搭載
用多層基板。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体搭載用多層基板に
おいて、 前記内部信号配線層は同一の絶縁層上に形成された信号
線引き回し部と前記めっき線引き出し部とを有すること
を特徴とする半導体搭載用多層基板。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2記載の半導体搭
載用多層基板において、 前記絶縁層はセラミックス層であることを特徴とする半
導体搭載用多層基板。 - 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれか1項
記載の半導体搭載用多層基板において、 前記半導体搭載用多層基板はPGA用多層基板であるこ
とを特徴とする半導体搭載用多層基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12384393A JP3290754B2 (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 半導体搭載用多層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12384393A JP3290754B2 (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 半導体搭載用多層基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06334065A JPH06334065A (ja) | 1994-12-02 |
JP3290754B2 true JP3290754B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=14870770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12384393A Expired - Lifetime JP3290754B2 (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 半導体搭載用多層基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3290754B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100325450B1 (ko) * | 1998-06-03 | 2002-08-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 볼그리드어레이패키지 |
JP2005005409A (ja) | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-05-26 JP JP12384393A patent/JP3290754B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06334065A (ja) | 1994-12-02 |
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