JPH11233013A - 含浸型陰極の製造方法 - Google Patents
含浸型陰極の製造方法Info
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- JPH11233013A JPH11233013A JP3628998A JP3628998A JPH11233013A JP H11233013 A JPH11233013 A JP H11233013A JP 3628998 A JP3628998 A JP 3628998A JP 3628998 A JP3628998 A JP 3628998A JP H11233013 A JPH11233013 A JP H11233013A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 含浸工程におけるエミッターの供給や含浸工
程後における過剰エミッターの除去の作業性を改善する
ことにより電子放射能力のバラツキが低減された含浸型
陰極を製造する。 【解決手段】 電子放射物質を多孔質金属基体７に含浸
させる含浸工程において、予め所定形状に成型した電子
放射物質１２と多孔質金属基体７とを接触させた状態で
含浸させる。
程後における過剰エミッターの除去の作業性を改善する
ことにより電子放射能力のバラツキが低減された含浸型
陰極を製造する。 【解決手段】 電子放射物質を多孔質金属基体７に含浸
させる含浸工程において、予め所定形状に成型した電子
放射物質１２と多孔質金属基体７とを接触させた状態で
含浸させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば陰極線管、
撮像管等の電子管のカソードとして用いられる含浸型陰
極の製造方法に関するものである。
撮像管等の電子管のカソードとして用いられる含浸型陰
極の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】含浸型陰極は、高電流密度で動作する陰
極し長寿命であるため、電子管の高性能化を図ることが
可能であり、例えば衛星搭載用などの進行波管あるいは
高品位映像システム用ブラウン管、撮像管などに用いる
電子銃のカソードとしてよく用いられている。
極し長寿命であるため、電子管の高性能化を図ることが
可能であり、例えば衛星搭載用などの進行波管あるいは
高品位映像システム用ブラウン管、撮像管などに用いる
電子銃のカソードとしてよく用いられている。
【０００３】含浸型陰極は、例えばタングステン（Ｗ）
等からなる耐熱性の多孔質基体（以下、タングステン基
体という。）の細孔部にバリウム（Ｂａ）化合物からな
る電子放射物質（以下、エミッターという。）を含浸す
る含浸工程を経て製造される。そして、従来は、この含
浸工程において、モリブデン（Ｍｏ）等からなる含浸治
具にセットされたタングステン基体に対して粉末状態の
エミッターを供給することにより、タングステン基体の
空孔部にエミッターを含浸させていた。
等からなる耐熱性の多孔質基体（以下、タングステン基
体という。）の細孔部にバリウム（Ｂａ）化合物からな
る電子放射物質（以下、エミッターという。）を含浸す
る含浸工程を経て製造される。そして、従来は、この含
浸工程において、モリブデン（Ｍｏ）等からなる含浸治
具にセットされたタングステン基体に対して粉末状態の
エミッターを供給することにより、タングステン基体の
空孔部にエミッターを含浸させていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、タングステ
ン基体にエミッターを含浸させる場合、使用するエミッ
ターの粉末量が少ないと、タングステン基体内に必要十
分な量のエミッターをしみ込ませる事ができない。この
ような電子放射物質の含浸量が少ない含浸型陰極は、十
分な電子放射能力が得られない陰極となってしまう。
ン基体にエミッターを含浸させる場合、使用するエミッ
ターの粉末量が少ないと、タングステン基体内に必要十
分な量のエミッターをしみ込ませる事ができない。この
ような電子放射物質の含浸量が少ない含浸型陰極は、十
分な電子放射能力が得られない陰極となってしまう。
【０００５】一方、使用するエミッターの粉末量が多す
ぎると、エミッターが余って固着することになり、含浸
工程後にこの余剰エミッターをタングステン基体から分
離する必要が生じる。この場合には、従来は例えば純水
により洗浄を行うことで余剰エミッターをタングステン
基体から分離していたが、この作業は困難を伴うもので
あり、例えば過度な洗浄を行った場合には陰極の電子放
射能力が損なわれてしまう等の問題があった。
ぎると、エミッターが余って固着することになり、含浸
工程後にこの余剰エミッターをタングステン基体から分
離する必要が生じる。この場合には、従来は例えば純水
により洗浄を行うことで余剰エミッターをタングステン
基体から分離していたが、この作業は困難を伴うもので
あり、例えば過度な洗浄を行った場合には陰極の電子放
射能力が損なわれてしまう等の問題があった。
【０００６】このように、エミッターの含浸工程におい
ては、含浸させるエミッターの量や供給する箇所等の制
御を正確に行うことが非常に重要となる。しかしなが
ら、従来は、上述のように粉末状態のエミッターを使用
しており、この制御を正確に行うことが困難であった。
具体的には、従来の粉末供給の方法では、タングステン
基体全体の上に均一にエミッターの粉末を供給すること
が困難だったため、どうしても安全を見込んでエミッタ
ーの粉末を余分に供給する必要が生じたため、製造され
た含浸型陰極について電子放射能力のバラツキが発生
し、製造歩留まりが悪かった。
ては、含浸させるエミッターの量や供給する箇所等の制
御を正確に行うことが非常に重要となる。しかしなが
ら、従来は、上述のように粉末状態のエミッターを使用
しており、この制御を正確に行うことが困難であった。
具体的には、従来の粉末供給の方法では、タングステン
基体全体の上に均一にエミッターの粉末を供給すること
が困難だったため、どうしても安全を見込んでエミッタ
ーの粉末を余分に供給する必要が生じたため、製造され
た含浸型陰極について電子放射能力のバラツキが発生
し、製造歩留まりが悪かった。
【０００７】本発明は、上述の問題点を解決するために
提案されたものであり、含浸工程におけるエミッターの
供給や含浸工程後における過剰エミッターの除去の作業
性を改善することにより電子放射能力のバラツキが低減
された含浸型陰極を製造する方法を提供するものであ
る。
提案されたものであり、含浸工程におけるエミッターの
供給や含浸工程後における過剰エミッターの除去の作業
性を改善することにより電子放射能力のバラツキが低減
された含浸型陰極を製造する方法を提供するものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る含浸型陰極
の製造方法は、上記課題を解決するため、電子放射物質
を多孔質金属基体に含浸させる含浸工程において、予め
所定形状に成型した電子放射物質と多孔質金属基体とを
接触させた状態で含浸させる。
の製造方法は、上記課題を解決するため、電子放射物質
を多孔質金属基体に含浸させる含浸工程において、予め
所定形状に成型した電子放射物質と多孔質金属基体とを
接触させた状態で含浸させる。
【０００９】本発明においては、所定形状に成型した電
子放射物質が加熱されることで、この電子放射物質が溶
融液化して、多孔質金属基体タングステン基体の各面か
ら毛細管現象によって含浸する。
子放射物質が加熱されることで、この電子放射物質が溶
融液化して、多孔質金属基体タングステン基体の各面か
ら毛細管現象によって含浸する。
【００１０】なお、成型した電子放射物質は、多孔質金
属基体の５〜３０重量％であることが好ましい。
属基体の５〜３０重量％であることが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図面を参
照しながら詳細に説明する。図１に、本発明を用いて製
造される含浸型陰極の一例を示す。この含浸型陰極１０
は、ベース部材である円筒状のタンタル（Ｔａ）スリー
ブ１の内周上部に基体材料となるカソードペレット３が
装着されたＴａカップ２が取り付けられた構成となって
いる。カソードペレット３の上面には、高融点金属薄層
としてのモリブデン（Ｍｏ）薄膜４、更にその上にＳｃ
3Ｏ3薄膜５が配設されている。
照しながら詳細に説明する。図１に、本発明を用いて製
造される含浸型陰極の一例を示す。この含浸型陰極１０
は、ベース部材である円筒状のタンタル（Ｔａ）スリー
ブ１の内周上部に基体材料となるカソードペレット３が
装着されたＴａカップ２が取り付けられた構成となって
いる。カソードペレット３の上面には、高融点金属薄層
としてのモリブデン（Ｍｏ）薄膜４、更にその上にＳｃ
3Ｏ3薄膜５が配設されている。
【００１２】カソードペレット３は、例えば直径が１．
５ｍｍとされ、１５％〜３０％の空孔率を有する空孔部
に電子放出物質（以下、エミッターという。）６を含浸
させた多孔質タングステン（Ｗ）基体７から構成されて
いる。このカソードペレット３は、Ｔａスリーブ１の下
方端部に設けられ、Ｗ芯線８にアルミナ被覆ヒータ９を
使用して行われる。
５ｍｍとされ、１５％〜３０％の空孔率を有する空孔部
に電子放出物質（以下、エミッターという。）６を含浸
させた多孔質タングステン（Ｗ）基体７から構成されて
いる。このカソードペレット３は、Ｔａスリーブ１の下
方端部に設けられ、Ｗ芯線８にアルミナ被覆ヒータ９を
使用して行われる。
【００１３】このような構成を有する含浸型陰極１０
は、図２に示すように、タングステン基体製造工程（Ｓ
１）、エミッター造粒工程（Ｓ２）、エミッタープレス
成型工程（Ｓ３）、含浸工程（Ｓ４）、過剰エミッター
除去工程（Ｓ５）、組付け工程（Ｓ６）の各工程を経て
製造される。以下、これら各工程について適宜図面を参
照して説明する。
は、図２に示すように、タングステン基体製造工程（Ｓ
１）、エミッター造粒工程（Ｓ２）、エミッタープレス
成型工程（Ｓ３）、含浸工程（Ｓ４）、過剰エミッター
除去工程（Ｓ５）、組付け工程（Ｓ６）の各工程を経て
製造される。以下、これら各工程について適宜図面を参
照して説明する。
【００１４】まず、本発明の第１の実施の形態について
説明する。ステップＳ１のタングステン基体製造工程で
は、タングステンの原板をプレス成型及び焼結すること
によって、この原板から所望の形状寸法、空孔率を有す
る多孔質タングステン基体（以下、単にタングステン基
体という。）７を製造する。製造されたタングステン基
体７は、図３及び図４に示すように、後述する含浸工程
（Ｓ４）で或いは含浸工程に先立って、含浸用の治具で
ある箱状のモリブデン（Ｍｏ）ボード１１上に複数個載
置される。
説明する。ステップＳ１のタングステン基体製造工程で
は、タングステンの原板をプレス成型及び焼結すること
によって、この原板から所望の形状寸法、空孔率を有す
る多孔質タングステン基体（以下、単にタングステン基
体という。）７を製造する。製造されたタングステン基
体７は、図３及び図４に示すように、後述する含浸工程
（Ｓ４）で或いは含浸工程に先立って、含浸用の治具で
ある箱状のモリブデン（Ｍｏ）ボード１１上に複数個載
置される。
【００１５】次のエミッター造粒工程（Ｓ２）では、エ
ミッターにバインダーを混ぜて、プレス成型しやすい粒
径に造粒する。ここで、エミッターとしては、例えばＢ
ａＣＯ3，ＣａＣｏ3，Ａｌ2Ｏ3の混合物によるものが用
いられる。
ミッターにバインダーを混ぜて、プレス成型しやすい粒
径に造粒する。ここで、エミッターとしては、例えばＢ
ａＣＯ3，ＣａＣｏ3，Ａｌ2Ｏ3の混合物によるものが用
いられる。
【００１６】さらに、エミッタープレス成型工程（Ｓ
３）においては、上記ステップＳ２で造粒したエミッタ
ーを所望の形状にプレス成型して、成型エミッター１２
を製造する。この時の成型エミッター１２の形状は、図
３に示すように、Ｍｏボード１１に供給しやすい形とす
る。また、成型エミッター１２の重量は、Ｍｏボード１
１上に載置するタングステン基体７複数個の総重量に対
して例えば１５〜３０％とする。プレス成型して製造す
る成型エミッター１２は、図３に示すようにＭｏボード
１１に対して１個でもよいし、あるいは図４に示すよう
に、複数（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）に分割した形態と
してもよい。
３）においては、上記ステップＳ２で造粒したエミッタ
ーを所望の形状にプレス成型して、成型エミッター１２
を製造する。この時の成型エミッター１２の形状は、図
３に示すように、Ｍｏボード１１に供給しやすい形とす
る。また、成型エミッター１２の重量は、Ｍｏボード１
１上に載置するタングステン基体７複数個の総重量に対
して例えば１５〜３０％とする。プレス成型して製造す
る成型エミッター１２は、図３に示すようにＭｏボード
１１に対して１個でもよいし、あるいは図４に示すよう
に、複数（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）に分割した形態と
してもよい。
【００１７】次の含浸工程（Ｓ４）では、Ｍｏボード１
１に対してタングステン基体７及び成型エミッター１２
をこの順に載置して、これを水素炉や真空炉で加熱す
る。これによって、成型エミッター１２が溶融液化し
て、タングステン基体７の各面からこの溶融液化したエ
ミッターが毛細管現象によって含浸する。
１に対してタングステン基体７及び成型エミッター１２
をこの順に載置して、これを水素炉や真空炉で加熱す
る。これによって、成型エミッター１２が溶融液化し
て、タングステン基体７の各面からこの溶融液化したエ
ミッターが毛細管現象によって含浸する。
【００１８】なお、Ｍｏボード１１に対して成型エミッ
ター１２及びタングステン基体７をこの順に載置して、
これを水素炉や真空炉で加熱することとしても良い。
ター１２及びタングステン基体７をこの順に載置して、
これを水素炉や真空炉で加熱することとしても良い。
【００１９】次の過剰エミッター除去工程（Ｓ５）で
は、エミッターが含浸されたタングステン基体７につい
て過剰のエミッターが付着している場合に、これを洗浄
や研磨などの方法により除去する。これにより、図１に
示したカソードペレット３が完成する。
は、エミッターが含浸されたタングステン基体７につい
て過剰のエミッターが付着している場合に、これを洗浄
や研磨などの方法により除去する。これにより、図１に
示したカソードペレット３が完成する。
【００２０】そして、次の組付け工程（Ｓ６）では、ス
テップＳ５で製造されたカソードペレット３と、予め別
工程で製造したＴａスリーブ１，Ｔａカップ２，Ｍｏ薄
膜４，Ｓｃ3Ｏ3薄膜５，Ｗ芯線８，及びアルミナ被覆ヒ
ータ９とが相互に組み付けられることにより、図１に示
す含浸型陰極１０が完成する。
テップＳ５で製造されたカソードペレット３と、予め別
工程で製造したＴａスリーブ１，Ｔａカップ２，Ｍｏ薄
膜４，Ｓｃ3Ｏ3薄膜５，Ｗ芯線８，及びアルミナ被覆ヒ
ータ９とが相互に組み付けられることにより、図１に示
す含浸型陰極１０が完成する。
【００２１】ここで、各部材の組み付けにあたっては、
カソードペレット３がＴａカップ２に装着され、その後
Ｔａカップ２がＴａスリーブ１内の上部にレーザ溶接あ
るいはろう付けあるいは抵抗溶接される。
カソードペレット３がＴａカップ２に装着され、その後
Ｔａカップ２がＴａスリーブ１内の上部にレーザ溶接あ
るいはろう付けあるいは抵抗溶接される。
【００２２】また、Ｍｏ薄膜４は、例えば電子線加熱蒸
着法あるいはスパッタ法を用いてカソードペレット３の
表面に形成される。Ｍｏ薄膜４上のＳｃ3Ｏ3薄膜５は、
例えばスパッタ法を用いて形成される。
着法あるいはスパッタ法を用いてカソードペレット３の
表面に形成される。Ｍｏ薄膜４上のＳｃ3Ｏ3薄膜５は、
例えばスパッタ法を用いて形成される。
【００２３】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。この実施の形態では、図３及び図４に示した
Ｍｏボード１１の代わりに図５に示すＭｏホルダー１３
を使用する。このＭｏホルダー１３は、図５に示すよう
に、全体略円盤状の外形を呈しており、その中央に大径
の孔部１５が形成され、この孔部１５の周囲に基体設置
部１６が複数形成されている。この基体設置部１６は、
小径の円形穴であって、図６に示すように、その穴の径
がタングステン基体７の径よりも若干広く、かつその穴
の高さがタングステン基体７の高さよりも若干高い程度
に形成されている。なお、Ｍｏホルダー１３における基
体設置部１６の数は、この例では７つとなっているが、
特に限定されるものではない。
説明する。この実施の形態では、図３及び図４に示した
Ｍｏボード１１の代わりに図５に示すＭｏホルダー１３
を使用する。このＭｏホルダー１３は、図５に示すよう
に、全体略円盤状の外形を呈しており、その中央に大径
の孔部１５が形成され、この孔部１５の周囲に基体設置
部１６が複数形成されている。この基体設置部１６は、
小径の円形穴であって、図６に示すように、その穴の径
がタングステン基体７の径よりも若干広く、かつその穴
の高さがタングステン基体７の高さよりも若干高い程度
に形成されている。なお、Ｍｏホルダー１３における基
体設置部１６の数は、この例では７つとなっているが、
特に限定されるものではない。
【００２４】この実施の形態におけるステップＳ１のタ
ングステン基体製造工程では、上述した第１の実施の形
態と同様に、タングステンの原板をプレス成型及び焼結
することによって、この原板から所望の形状寸法、空孔
率を有するタングステン基体７を製造する。製造された
タングステン基体７は、図６に示すように、後の含浸工
程（Ｓ４）で或いは含浸工程に先立って、上記Ｍｏホル
ダー１３の各基体設置部１６上にそれぞれ載置される。
ングステン基体製造工程では、上述した第１の実施の形
態と同様に、タングステンの原板をプレス成型及び焼結
することによって、この原板から所望の形状寸法、空孔
率を有するタングステン基体７を製造する。製造された
タングステン基体７は、図６に示すように、後の含浸工
程（Ｓ４）で或いは含浸工程に先立って、上記Ｍｏホル
ダー１３の各基体設置部１６上にそれぞれ載置される。
【００２５】次のエミッター造粒工程（Ｓ２）も、上述
した実施の形態と同様に、エミッターにバインダーを混
ぜて、プレス成型しやすい粒径に造粒する。
した実施の形態と同様に、エミッターにバインダーを混
ぜて、プレス成型しやすい粒径に造粒する。
【００２６】そして、次のエミッタープレス成型工程
（Ｓ３）においては、上記ステップＳ２で造粒したエミ
ッターを所定形状にプレス成型して、成型エミッター１
４を製造する。ここで、成型エミッター１４の形状は、
図６に示すように、タングステン基体７と略同径のペレ
ット状とする。また、成型エミッター１４の重量は、タ
ングステン基体７の１個あたりの重量に対して例えば５
〜２０％程度とする。
（Ｓ３）においては、上記ステップＳ２で造粒したエミ
ッターを所定形状にプレス成型して、成型エミッター１
４を製造する。ここで、成型エミッター１４の形状は、
図６に示すように、タングステン基体７と略同径のペレ
ット状とする。また、成型エミッター１４の重量は、タ
ングステン基体７の１個あたりの重量に対して例えば５
〜２０％程度とする。
【００２７】次の含浸工程（Ｓ４）では、Ｍｏホルダー
１３の各基体設置部１６に対してタングステン基体７及
び成型エミッター１４をこの順に載置する。そして、こ
の状態のＭｏホルダー１３を真空中で高周波を用いて加
熱することによって、成型エミッター１４を溶融液化さ
せてタングステン基体７の各面から毛細管現象により含
浸させる。
１３の各基体設置部１６に対してタングステン基体７及
び成型エミッター１４をこの順に載置する。そして、こ
の状態のＭｏホルダー１３を真空中で高周波を用いて加
熱することによって、成型エミッター１４を溶融液化さ
せてタングステン基体７の各面から毛細管現象により含
浸させる。
【００２８】なお、Ｍｏホルダー１３の各基体設置部１
６に対して、成型エミッター１４及びタングステン基体
７をこの順に載置して含浸させることとしても良い。
６に対して、成型エミッター１４及びタングステン基体
７をこの順に載置して含浸させることとしても良い。
【００２９】以下、次の過剰エミッター除去工程（Ｓ
５）及び組付け工程（Ｓ６）では、上述した実施の形態
の場合と同様の方法を用いることができる。これにより
図１に示す含浸型陰極１０が完成する。
５）及び組付け工程（Ｓ６）では、上述した実施の形態
の場合と同様の方法を用いることができる。これにより
図１に示す含浸型陰極１０が完成する。
【００３０】なお、上述した実施の形態においては、電
子放射物質６としてＢａＣＯ3，ＣａＣｏ3，Ａｌ2Ｏ3の
混合物を用いた例を説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、例えばＢａＯ，ＣａＯ，Ａｌ2Ｏ3の
混合物や、ＳｒＯ，ＭｇＯ，ＺｒＯ2，Ｙ2Ｏ3の混合物
などを用いてもよい。
子放射物質６としてＢａＣＯ3，ＣａＣｏ3，Ａｌ2Ｏ3の
混合物を用いた例を説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、例えばＢａＯ，ＣａＯ，Ａｌ2Ｏ3の
混合物や、ＳｒＯ，ＭｇＯ，ＺｒＯ2，Ｙ2Ｏ3の混合物
などを用いてもよい。
【００３１】また、上述した実施の形態においては、カ
ソードペレット３に多孔性のタングステン基体７を用い
た例を説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、例えばモリブデン（Ｍｏ）やタンタル（Ｔａ）等
を用いてもよい。
ソードペレット３に多孔性のタングステン基体７を用い
た例を説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、例えばモリブデン（Ｍｏ）やタンタル（Ｔａ）等
を用いてもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、所定
形状に成型した電子放射物質を用いることで、その重量
コントロールがしやすくなり、含浸工程において余分な
エミッターの供給を行わずに済み、また含浸工程後にお
ける過剰エミッターの除去の作業性が改善されるので、
製造された含浸型陰極の電子放射能力のバラツキが低減
され、製造歩留まりが改善される。
形状に成型した電子放射物質を用いることで、その重量
コントロールがしやすくなり、含浸工程において余分な
エミッターの供給を行わずに済み、また含浸工程後にお
ける過剰エミッターの除去の作業性が改善されるので、
製造された含浸型陰極の電子放射能力のバラツキが低減
され、製造歩留まりが改善される。
【図１】含浸型陰極の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の含浸型陰極の製造方法の工程を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図３】Ｍｏボードを用いてタングステン基体上にプレ
ス成型されたエミッターを配置する状態を示す外観斜視
図である。
ス成型されたエミッターを配置する状態を示す外観斜視
図である。
【図４】Ｍｏボードを用いてタングステン基体上にプレ
ス成型されたエミッターを配置する状態を示す外観斜視
図である。
ス成型されたエミッターを配置する状態を示す外観斜視
図である。
【図５】Ｍｏホルダを用いてタングステン基体上にプレ
ス成型されたエミッターを配置する状態を示す外観斜視
図である。
ス成型されたエミッターを配置する状態を示す外観斜視
図である。
【図６】図４のＸ−Ｘ線断面図である。
１０ 含浸型陰極、１ Ｔａスリーブ、２ Ｔａカッ
プ、３ カソードペレット、４ モリブデン（Ｍｏ）薄
膜、５ Ｓｃ3Ｏ3薄膜、６ 電子放出物質（エミッタ
ー）、７ 多孔質タングステン（Ｗ）基体、８ Ｗ芯
線、９ アルミナ被覆ヒータ、１２，１４ 成型エミッ
ター、１１ Ｍｏボード、１３ Ｍｏホルダ
プ、３ カソードペレット、４ モリブデン（Ｍｏ）薄
膜、５ Ｓｃ3Ｏ3薄膜、６ 電子放出物質（エミッタ
ー）、７ 多孔質タングステン（Ｗ）基体、８ Ｗ芯
線、９ アルミナ被覆ヒータ、１２，１４ 成型エミッ
ター、１１ Ｍｏボード、１３ Ｍｏホルダ
Claims (2)
- 【請求項１】 電子放射物質を多孔質金属基体に含浸さ
せる含浸工程を含む含浸型陰極の製造方法において、 上記含浸工程で、予め所定形状に成型した電子放射物質
と多孔質金属基体とを接触させた状態で含浸させること
を特徴とする含浸型陰極の製造方法。 - 【請求項２】 上記電子放射物質は、上記多孔質金属基
体の５〜３０重量％であることを特徴とする請求項１記
載の含浸型陰極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3628998A JPH11233013A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 含浸型陰極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3628998A JPH11233013A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 含浸型陰極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233013A true JPH11233013A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12465648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3628998A Withdrawn JPH11233013A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 含浸型陰極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233013A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030031287A (ko) * | 2001-10-13 | 2003-04-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 함침형 음극 구조체 제조방법 |
| CN105185675A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-12-23 | 安徽华东光电技术研究所 | 一种用于超大功率微波管的多注阴极及其制备方法 |
-
1998
- 1998-02-18 JP JP3628998A patent/JPH11233013A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030031287A (ko) * | 2001-10-13 | 2003-04-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 함침형 음극 구조체 제조방법 |
| CN105185675A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-12-23 | 安徽华东光电技术研究所 | 一种用于超大功率微波管的多注阴极及其制备方法 |
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