JPH0945214A - 陰極基体およびそれを用いた含浸型陰極構体 - Google Patents
陰極基体およびそれを用いた含浸型陰極構体Info
- Publication number
- JPH0945214A JPH0945214A JP19473695A JP19473695A JPH0945214A JP H0945214 A JPH0945214 A JP H0945214A JP 19473695 A JP19473695 A JP 19473695A JP 19473695 A JP19473695 A JP 19473695A JP H0945214 A JPH0945214 A JP H0945214A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ruthenium
- powder
- molybdenum
- cathode
- metal cup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定した電子放射特性を得られる含浸型陰極
構体を提供する。 【解決手段】 陰極基体１は平均粒子径が３〜８μｍの
タングステン粉末を圧縮した多孔質タングステン薄板２
を有する。背面に平均粒子径が９〜１０μｍおよび５μ
ｍ以下のルテニウムおよびモリブデン粉末で第１および
第２のルテニウム・モリブデン混合溶融層３，４を積層
形成する。陰極基体１を高融点金属カップ５内に第２の
ルテニウム・モリブデン混合溶融層４が底部に位置する
ように挿入して、高融点金属カップ５内に収納、支持す
る。高融点金属カップ５を、ヒータ６を内蔵した円筒状
のスリーブ７の一端頂上部に挿入する。第１のルテニウ
ム・モリブデン混合溶融層３は、多孔質タングステン薄
板２の空孔部にルテニウムおよびモリブデンの浸透・拡
散を防止し、第２のルテニウム・モリブデン混合溶融層
４は、高融点金属カップ５との接触面積を増大させ、安
定した電子放射を得る。
構体を提供する。 【解決手段】 陰極基体１は平均粒子径が３〜８μｍの
タングステン粉末を圧縮した多孔質タングステン薄板２
を有する。背面に平均粒子径が９〜１０μｍおよび５μ
ｍ以下のルテニウムおよびモリブデン粉末で第１および
第２のルテニウム・モリブデン混合溶融層３，４を積層
形成する。陰極基体１を高融点金属カップ５内に第２の
ルテニウム・モリブデン混合溶融層４が底部に位置する
ように挿入して、高融点金属カップ５内に収納、支持す
る。高融点金属カップ５を、ヒータ６を内蔵した円筒状
のスリーブ７の一端頂上部に挿入する。第１のルテニウ
ム・モリブデン混合溶融層３は、多孔質タングステン薄
板２の空孔部にルテニウムおよびモリブデンの浸透・拡
散を防止し、第２のルテニウム・モリブデン混合溶融層
４は、高融点金属カップ５との接触面積を増大させ、安
定した電子放射を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、安定した電子放射
特性が得られる陰極基体およびそれを用いた含浸型陰極
構体に関する。
特性が得られる陰極基体およびそれを用いた含浸型陰極
構体に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、陰極線管などの電子管陰極とし
て、従来より多孔質タングステン薄板の空孔部に電子放
射性物質を含浸させ、この多孔質タングステン薄板の背
面にルテニウム（Ｒｕ）・モリブデン（Ｍｏ）溶融層を
形成して電子放射性物質の蒸発を防止した含浸型陰極が
用いられている。
て、従来より多孔質タングステン薄板の空孔部に電子放
射性物質を含浸させ、この多孔質タングステン薄板の背
面にルテニウム（Ｒｕ）・モリブデン（Ｍｏ）溶融層を
形成して電子放射性物質の蒸発を防止した含浸型陰極が
用いられている。
【０００３】そして、このような含浸型陰極の製造方法
としては、たとえば特開昭５８−４４６４３号公報に記
載の構成が知られている。
としては、たとえば特開昭５８−４４６４３号公報に記
載の構成が知られている。
【０００４】この特開昭５８−４４６４３号公報に記載
の含浸型陰極の製造方法は、まず、タングステン粉末を
圧縮形成した後に、還元性雰囲気中で焼結して径大な多
孔質タングステンロッドを形成し、この多孔質タングス
テンロッドの空孔部に銅を含浸する。次に、この多孔質
タングステンロッドを旋盤加工あるいは放電加工などに
より、厚さ０．５ｍｍ、直径３０ｍｍ程度の薄板にスラ
イスする。さらに、硝酸によりこの薄板に銅を溶解、あ
るいは、還元性雰囲気中で加熱処理して薄板から含浸さ
れた銅を除去する。
の含浸型陰極の製造方法は、まず、タングステン粉末を
圧縮形成した後に、還元性雰囲気中で焼結して径大な多
孔質タングステンロッドを形成し、この多孔質タングス
テンロッドの空孔部に銅を含浸する。次に、この多孔質
タングステンロッドを旋盤加工あるいは放電加工などに
より、厚さ０．５ｍｍ、直径３０ｍｍ程度の薄板にスラ
イスする。さらに、硝酸によりこの薄板に銅を溶解、あ
るいは、還元性雰囲気中で加熱処理して薄板から含浸さ
れた銅を除去する。
【０００５】そして、多孔質タングステン薄板の背面に
ルテニウム・モリブデンの混合粉末と有機バインダで混
練した懸濁液を滴下して乾燥し、還元性雰囲気中で約２
０００℃に加熱して、多孔質タングステン薄板の一方の
面にルテニウム・モリブデンを溶融させて電子放射性物
質の防止するためのルテニウム・モリブデン混合溶融層
を形成する。
ルテニウム・モリブデンの混合粉末と有機バインダで混
練した懸濁液を滴下して乾燥し、還元性雰囲気中で約２
０００℃に加熱して、多孔質タングステン薄板の一方の
面にルテニウム・モリブデンを溶融させて電子放射性物
質の防止するためのルテニウム・モリブデン混合溶融層
を形成する。
【０００６】その後、還元性雰囲気中でこの多孔質タン
グステン薄板の空孔部に、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸
化カルシウム（ＣａＯ）および酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）からなる電子放射性物質を含浸させる。そし
て、この電子放射性物質が含浸された多孔質タングステ
ン薄板を放電加工、あるいは、レーザ加工などにより所
定形状に切り抜いて陰極基体を形成している。
グステン薄板の空孔部に、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸
化カルシウム（ＣａＯ）および酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）からなる電子放射性物質を含浸させる。そし
て、この電子放射性物質が含浸された多孔質タングステ
ン薄板を放電加工、あるいは、レーザ加工などにより所
定形状に切り抜いて陰極基体を形成している。
【０００７】さらに、この陰極基体にカップおよびヒー
タを有するスリーブを装着している。
タを有するスリーブを装着している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開昭５８−４４６４３号公報に記載の方法では、ルテニ
ウム・モリブデンの混合粉末のろう材を多孔質タングス
テン薄板の背面に塗布し、還元性雰囲気中でルテニウム
・モリブデン混合溶融層を形成する際に、多孔質タング
ステン薄板の空孔部にルテニウム・モリブデン粒子が浸
透、拡散してしまう。
開昭５８−４４６４３号公報に記載の方法では、ルテニ
ウム・モリブデンの混合粉末のろう材を多孔質タングス
テン薄板の背面に塗布し、還元性雰囲気中でルテニウム
・モリブデン混合溶融層を形成する際に、多孔質タング
ステン薄板の空孔部にルテニウム・モリブデン粒子が浸
透、拡散してしまう。
【０００９】また、ルテニウム・モリブデン粉末は凝集
した数１０μｍの大きな二次粒子を持っており、この二
次粒子が存在するところには、ルテニウム・モリブデン
の組成比率にずれが生じる他、ルテニウム・モリブデン
相互の拡散速度が遅いため、所定温度では溶融が不完全
でルテニウム・モリブデン溶融層は複数の未溶融部を生
成し、陰極基体とカップの接合面積が小さくなって間隙
が生じ、溶接できなくなる。
した数１０μｍの大きな二次粒子を持っており、この二
次粒子が存在するところには、ルテニウム・モリブデン
の組成比率にずれが生じる他、ルテニウム・モリブデン
相互の拡散速度が遅いため、所定温度では溶融が不完全
でルテニウム・モリブデン溶融層は複数の未溶融部を生
成し、陰極基体とカップの接合面積が小さくなって間隙
が生じ、溶接できなくなる。
【００１０】したがって、製造工程中に溶接不良が多く
発生し、仮に溶接できたとしても強固な固着が得られ
ず、寿命試験時にも溶接箇所陰極基体が剥がれる不具合
が生じ、陰極基体はカップとの接合面積が小さいためヒ
ータからの熱伝導が不安定になり、安定した電子放射特
性が得られない問題を有している。
発生し、仮に溶接できたとしても強固な固着が得られ
ず、寿命試験時にも溶接箇所陰極基体が剥がれる不具合
が生じ、陰極基体はカップとの接合面積が小さいためヒ
ータからの熱伝導が不安定になり、安定した電子放射特
性が得られない問題を有している。
【００１１】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、安定した電子放射特性を得ることができる陰極基体
およびそれを用いた含浸型陰極構体を提供することを目
的とする。
で、安定した電子放射特性を得ることができる陰極基体
およびそれを用いた含浸型陰極構体を提供することを目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、タングステン
粉末を圧縮成形した多孔質焼結体と、この多孔質焼結体
上に形成されこの多孔質焼結体のタングステン粉末の粒
子径より大きい粒子径のルテニウム粉末およびモリブデ
ン粉末にて形成された第１のろう材層と、この第１のろ
う材層上に形成されこの第１のろう材層のルテニウム粉
末およびモリブデン粉末の粒子径より小さい粒子径のル
テニウム粉末およびモリブデン粉末にて形成された第２
のろう材層とを具備し、第１のろう材層に用いるルテニ
ウム粉末およびモリブデン粉末の粒子径は、多孔質焼結
体のタングステン粉末の粒子径より大きいため、第１の
ろう材層のルテニウム粉末およびモリブデン粉末が多孔
質焼結体に浸透したり、拡散したりすることを抑制でき
るとともに、第２のろう材層のルテニウム粉末およびモ
リブデン粉末の粒子径を第１のろう材層のルテニウム粉
末およびモリブデン粉末の粒子径より小さくしたため、
接着の際の間隙をなくすことができ熱伝導も安定するの
で、安定した電子放射特性が得られる。
粉末を圧縮成形した多孔質焼結体と、この多孔質焼結体
上に形成されこの多孔質焼結体のタングステン粉末の粒
子径より大きい粒子径のルテニウム粉末およびモリブデ
ン粉末にて形成された第１のろう材層と、この第１のろ
う材層上に形成されこの第１のろう材層のルテニウム粉
末およびモリブデン粉末の粒子径より小さい粒子径のル
テニウム粉末およびモリブデン粉末にて形成された第２
のろう材層とを具備し、第１のろう材層に用いるルテニ
ウム粉末およびモリブデン粉末の粒子径は、多孔質焼結
体のタングステン粉末の粒子径より大きいため、第１の
ろう材層のルテニウム粉末およびモリブデン粉末が多孔
質焼結体に浸透したり、拡散したりすることを抑制でき
るとともに、第２のろう材層のルテニウム粉末およびモ
リブデン粉末の粒子径を第１のろう材層のルテニウム粉
末およびモリブデン粉末の粒子径より小さくしたため、
接着の際の間隙をなくすことができ熱伝導も安定するの
で、安定した電子放射特性が得られる。
【００１３】また、陰極基体の第１のろう材層および第
２のろう材層側に装着される高融点金属カップと、この
高融点金属カップを支持しヒータを有するスリーブとを
具備して含浸型陰極構体を構成することにより、安定し
た電子放射特性を得る。
２のろう材層側に装着される高融点金属カップと、この
高融点金属カップを支持しヒータを有するスリーブとを
具備して含浸型陰極構体を構成することにより、安定し
た電子放射特性を得る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の含浸型陰極構体の
一実施の形態を図面を参照して説明する。
一実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１５】図１に示すように、１は陰極基体で、この
陰極基体１は平均粒子径が３〜８μｍのタングステン
（Ｗ）粉末を圧縮成形した多孔質焼結体としての多孔質
タングステン薄板２を有し、この多孔質タングステン薄
板２の背面に多孔質タングステン薄板２のタングステン
粉末の粒子径より大きい平均粒子径が９〜１０μｍのル
テニウム（Ｒｕ）粉末および平均粒子径が９〜１０μｍ
のモリブデン（Ｍｏ）粉末にて形成された第１のろう材
層としての厚さ１０μｍの第１のルテニウム・モリブデ
ン混合溶融層３が形成され、この第１のルテニウム・モ
リブデン混合溶融層３上に第１のルテニウム・モリブデ
ン混合溶融層３のルテニウム粉末およびモリブデン粉末
の粒子径より小さい粒子径である平均粒子径が５μｍ以
下のルテニウム粉末および平均粒子径が５μｍ以下のモ
リブデン粉末にて形成された第２のろう材層としての第
２のルテニウム・モリブデン混合溶融層４が積層形成さ
れている。
陰極基体１は平均粒子径が３〜８μｍのタングステン
（Ｗ）粉末を圧縮成形した多孔質焼結体としての多孔質
タングステン薄板２を有し、この多孔質タングステン薄
板２の背面に多孔質タングステン薄板２のタングステン
粉末の粒子径より大きい平均粒子径が９〜１０μｍのル
テニウム（Ｒｕ）粉末および平均粒子径が９〜１０μｍ
のモリブデン（Ｍｏ）粉末にて形成された第１のろう材
層としての厚さ１０μｍの第１のルテニウム・モリブデ
ン混合溶融層３が形成され、この第１のルテニウム・モ
リブデン混合溶融層３上に第１のルテニウム・モリブデ
ン混合溶融層３のルテニウム粉末およびモリブデン粉末
の粒子径より小さい粒子径である平均粒子径が５μｍ以
下のルテニウム粉末および平均粒子径が５μｍ以下のモ
リブデン粉末にて形成された第２のろう材層としての第
２のルテニウム・モリブデン混合溶融層４が積層形成さ
れている。
【００１６】そして、陰極基体１を上方に向けて開口し
たタンタル（Ｔａ）製の高融点金属カップ５内に第２の
ルテニウム・モリブデン混合溶融層４が底部に位置する
ように挿入して、高融点金属カップ５内に収納、支持す
る。
たタンタル（Ｔａ）製の高融点金属カップ５内に第２の
ルテニウム・モリブデン混合溶融層４が底部に位置する
ように挿入して、高融点金属カップ５内に収納、支持す
る。
【００１７】また、この高融点金属カップ５を、ヒータ
６が内蔵された円筒状のスリーブ７の一端頂上部に挿入
し、この高融点金属カップ５が挿入されたスリーブ７の
側面からレーザを照射し、レーザ溶接により陰極基体１
を高融点金属カップ５に接合し、たとえば陰極線管など
の電子管陰極の含浸型陰極構体８を完成させる。
６が内蔵された円筒状のスリーブ７の一端頂上部に挿入
し、この高融点金属カップ５が挿入されたスリーブ７の
側面からレーザを照射し、レーザ溶接により陰極基体１
を高融点金属カップ５に接合し、たとえば陰極線管など
の電子管陰極の含浸型陰極構体８を完成させる。
【００１８】ここで、図２を参照して、陰極基体１の製
造方法について説明する。
造方法について説明する。
【００１９】まず、図２（ａ）に示すように、平均粒子
径が３〜８μｍのタングステン粉末を圧縮成形した多孔
質タングステン薄板２の背面に、平均粒子径９〜１０μ
ｍのルテニウム粉末と、平均粒子径９〜１０μｍのモリ
ブデン粉末とを重量比で２：３になるように混合し、残
部が有機バインダからなる懸濁液を、印刷法あるいはス
ピンコート法などにより塗布し、乾燥させて約２０μｍ
厚の塗布層3aを形成する。
径が３〜８μｍのタングステン粉末を圧縮成形した多孔
質タングステン薄板２の背面に、平均粒子径９〜１０μ
ｍのルテニウム粉末と、平均粒子径９〜１０μｍのモリ
ブデン粉末とを重量比で２：３になるように混合し、残
部が有機バインダからなる懸濁液を、印刷法あるいはス
ピンコート法などにより塗布し、乾燥させて約２０μｍ
厚の塗布層3aを形成する。
【００２０】次に、塗布層3aを還元性雰囲気中で約２０
００℃で１０秒間加熱することにより、図２（ｂ）に示
すように、１０μｍ厚の第１のルテニウム・モリブデン
混合溶融層３を形成する。
００℃で１０秒間加熱することにより、図２（ｂ）に示
すように、１０μｍ厚の第１のルテニウム・モリブデン
混合溶融層３を形成する。
【００２１】また、図２（ｃ）に示すように、第１のル
テニウム・モリブデン混合溶融層３の上面に、平均粒子
径５μｍ以下のルテニウム粉末と、平均粒子径５μｍ以
下のモリブデン粉末とを重量比で２：３になるように混
合し、残部が有機バインダからなる懸濁液を、印刷法あ
るいはスピンコート法などにより塗布し、乾燥させて約
２０μｍ厚の塗布層4aを形成する。
テニウム・モリブデン混合溶融層３の上面に、平均粒子
径５μｍ以下のルテニウム粉末と、平均粒子径５μｍ以
下のモリブデン粉末とを重量比で２：３になるように混
合し、残部が有機バインダからなる懸濁液を、印刷法あ
るいはスピンコート法などにより塗布し、乾燥させて約
２０μｍ厚の塗布層4aを形成する。
【００２２】そして、塗布層4aを還元性雰囲気中で約２
０００℃で１０秒間加熱することにより、図２（ｄ）に
示すように、１０μｍ厚の第２のルテニウム・モリブデ
ン混合溶融層４を形成する。
０００℃で１０秒間加熱することにより、図２（ｄ）に
示すように、１０μｍ厚の第２のルテニウム・モリブデ
ン混合溶融層４を形成する。
【００２３】さらに、第２のルテニウム・モリブデン混
合溶融層４が形成された面とは反対側の多孔質タングス
テン薄板２上には、図２（ｅ）に示すように、酸化バリ
ウム（ＢａＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）および酸化
アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の電子放射物質層11を積載
し、この電子放射物質層11を還元性雰囲気中で多孔質タ
ングステン薄板２の空孔部に含浸させ、アルコール洗浄
などにより、残存する余剰の電子放射物質層11を除去す
る。
合溶融層４が形成された面とは反対側の多孔質タングス
テン薄板２上には、図２（ｅ）に示すように、酸化バリ
ウム（ＢａＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）および酸化
アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の電子放射物質層11を積載
し、この電子放射物質層11を還元性雰囲気中で多孔質タ
ングステン薄板２の空孔部に含浸させ、アルコール洗浄
などにより、残存する余剰の電子放射物質層11を除去す
る。
【００２４】そして、図２（ｆ）に示すように、放電加
工あるいはレーザ加工などにより、直径１．４５ｍｍの
円板を切り抜くと、図２（ｇ）に示すように、多孔質タ
ングステン薄板２の空孔部に電子放射物質層11が含浸さ
れ、この電子放射物質層11の背面に第１のルテニウム・
モリブデン混合溶融層３および第２のルテニウム・モリ
ブデン混合溶融層４が形成された陰極基体１が形成され
る。
工あるいはレーザ加工などにより、直径１．４５ｍｍの
円板を切り抜くと、図２（ｇ）に示すように、多孔質タ
ングステン薄板２の空孔部に電子放射物質層11が含浸さ
れ、この電子放射物質層11の背面に第１のルテニウム・
モリブデン混合溶融層３および第２のルテニウム・モリ
ブデン混合溶融層４が形成された陰極基体１が形成され
る。
【００２５】上記実施例によれば、第１のルテニウム・
モリブデン混合溶融層３は、多孔質タングステン薄板２
のタングステン粉末の粒子径より大きい平均粒子径が９
〜１０μｍのルテニウム粉末および平均粒子径が９〜１
０μｍのモリブデン粉末にて形成したため、相互の拡
散、溶融速度が遅くなり、多孔質タングステン薄板２の
空孔部にルテニウムおよびモリブデンの浸透・拡散を防
止し、電子放射物質量のばらつきを小さくできる。な
お、ルテニウム粉末およびモリブデン粉末の平均粒子径
が１０μｍを越えると、図３に示すように、溶融面の突
起、すなわち未溶融部が多くなり、突起自体も大きく非
常に不均一で不完全な溶融面になり、第２のルテニウム
・モリブデン混合溶融層４のルテニウム粉末およびモリ
ブデン粉末が多孔質タングステン薄板２の空孔部へ浸透
することを防止できなくなるとともに、第２のルテニウ
ム・モリブデン混合溶融層４の溶融面に不均一な突起が
生じてしまう。
モリブデン混合溶融層３は、多孔質タングステン薄板２
のタングステン粉末の粒子径より大きい平均粒子径が９
〜１０μｍのルテニウム粉末および平均粒子径が９〜１
０μｍのモリブデン粉末にて形成したため、相互の拡
散、溶融速度が遅くなり、多孔質タングステン薄板２の
空孔部にルテニウムおよびモリブデンの浸透・拡散を防
止し、電子放射物質量のばらつきを小さくできる。な
お、ルテニウム粉末およびモリブデン粉末の平均粒子径
が１０μｍを越えると、図３に示すように、溶融面の突
起、すなわち未溶融部が多くなり、突起自体も大きく非
常に不均一で不完全な溶融面になり、第２のルテニウム
・モリブデン混合溶融層４のルテニウム粉末およびモリ
ブデン粉末が多孔質タングステン薄板２の空孔部へ浸透
することを防止できなくなるとともに、第２のルテニウ
ム・モリブデン混合溶融層４の溶融面に不均一な突起が
生じてしまう。
【００２６】また、第２のルテニウム・モリブデン混合
溶融層４は、第１のルテニウム・モリブデン混合溶融層
３のルテニウム粉末およびモリブデン粉末の粒子径より
小さい粒子径である平均粒子径が５μｍ以下のルテニウ
ム粉末および平均粒子径が５μｍ以下のモリブデン粉末
にて形成したため、相互の拡散、溶融速度が速くなり、
突起が生じず、高融点金属カップ５との実質的な接触面
積が増大するので、陰極基体１を高融点金属カップ５に
溶接する際に、焼き切れ不良がなくなり強固に溶接でき
る。さらに、第１のルテニウム・モリブデン混合溶融層
４で相互の拡散速度が遅く、凝集した二次粒子となると
十数μｍの大きさになっても、突起が生ずることを防止
できる。なお、ルテニウム粉末およびモリブデン粉末の
粒子径が５μｍを越えると、溶融面の突起が大きくなる
とともに、図４に示すように、陰極基体１と高融点金属
カップ５との溶接性である不良率が高くなる。
溶融層４は、第１のルテニウム・モリブデン混合溶融層
３のルテニウム粉末およびモリブデン粉末の粒子径より
小さい粒子径である平均粒子径が５μｍ以下のルテニウ
ム粉末および平均粒子径が５μｍ以下のモリブデン粉末
にて形成したため、相互の拡散、溶融速度が速くなり、
突起が生じず、高融点金属カップ５との実質的な接触面
積が増大するので、陰極基体１を高融点金属カップ５に
溶接する際に、焼き切れ不良がなくなり強固に溶接でき
る。さらに、第１のルテニウム・モリブデン混合溶融層
４で相互の拡散速度が遅く、凝集した二次粒子となると
十数μｍの大きさになっても、突起が生ずることを防止
できる。なお、ルテニウム粉末およびモリブデン粉末の
粒子径が５μｍを越えると、溶融面の突起が大きくなる
とともに、図４に示すように、陰極基体１と高融点金属
カップ５との溶接性である不良率が高くなる。
【００２７】したがって、ヒータ６から陰極基体１に熱
伝導が十分に行なえて安定した電子放射が得られ、陰極
温度が安定する結果、初期特性のばらつきが発生せず、
安定した品質が得られる。
伝導が十分に行なえて安定した電子放射が得られ、陰極
温度が安定する結果、初期特性のばらつきが発生せず、
安定した品質が得られる。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、第１のろう材層に用いるルテ
ニウム粉末およびモリブデン粉末の粒子径は、多孔質焼
結体のタングステン粉末の粒子径より大きいため、第１
のろう材層のルテニウム粉末およびモリブデン粉末が多
孔質焼結体に浸透したり、拡散したりすることを抑制で
きるとともに、第２のろう材層のルテニウム粉末および
モリブデン粉末の粒子径を第１のろう材層のルテニウム
粉末およびモリブデン粉末の粒子径より小さくしたた
め、接着の際の間隙をなくすことができ熱伝導も安定す
るので、安定した電子放射特性を得ることができる。
ニウム粉末およびモリブデン粉末の粒子径は、多孔質焼
結体のタングステン粉末の粒子径より大きいため、第１
のろう材層のルテニウム粉末およびモリブデン粉末が多
孔質焼結体に浸透したり、拡散したりすることを抑制で
きるとともに、第２のろう材層のルテニウム粉末および
モリブデン粉末の粒子径を第１のろう材層のルテニウム
粉末およびモリブデン粉末の粒子径より小さくしたた
め、接着の際の間隙をなくすことができ熱伝導も安定す
るので、安定した電子放射特性を得ることができる。
【００２９】また、陰極基体の第１のろう材層および第
２のろう材層側に装着される高融点金属カップと、この
高融点金属カップを支持しヒータを有するスリーブとを
具備して含浸型陰極構体を構成することにより、安定し
た電子放射特性を得ることができる。
２のろう材層側に装着される高融点金属カップと、この
高融点金属カップを支持しヒータを有するスリーブとを
具備して含浸型陰極構体を構成することにより、安定し
た電子放射特性を得ることができる。
【図１】本発明の含浸型陰極構体の一実施の形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】同上陰極基体の製造工程を示す斜視図である。
【図３】平均粒径に対する溶融後ろう材面粗度の関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図４】溶融後ろう材面粗度に対する不良率の関係を示
すグラフである。
すグラフである。
１ 陰極基体 ２ 多孔質焼結体としての多孔質タングステン薄板 ３ 第１のろう材層としての第１のルテニウム・モリ
ブデン混合溶融層 ４ 第２のろう材層としての第２のルテニウム・モリ
ブデン混合溶融層 ５ 高融点金属カップ ６ ヒータ ７ スリーブ ８ 含浸型陰極構体
ブデン混合溶融層 ４ 第２のろう材層としての第２のルテニウム・モリ
ブデン混合溶融層 ５ 高融点金属カップ ６ ヒータ ７ スリーブ ８ 含浸型陰極構体
Claims (2)
- 【請求項１】 タングステン粉末を圧縮成形した多孔質
焼結体と、 この多孔質焼結体上に形成されこの多孔質焼結体のタン
グステン粉末の粒子径より大きい粒子径のルテニウム粉
末およびモリブデン粉末にて形成された第１のろう材層
と、 この第１のろう材層上に形成されこの第１のろう材層の
ルテニウム粉末およびモリブデン粉末の粒子径より小さ
い粒子径のルテニウム粉末およびモリブデン粉末にて形
成された第２のろう材層とを具備したことを特徴とする
陰極基体。 - 【請求項２】 請求項１記載の陰極基体と、 この陰極基体の第１のろう材層および第２のろう材層側
に装着される高融点金属カップと、 この高融点金属カップを支持しヒータを有するスリーブ
とを具備したことを特徴とする含浸型陰極構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19473695A JPH0945214A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 陰極基体およびそれを用いた含浸型陰極構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19473695A JPH0945214A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 陰極基体およびそれを用いた含浸型陰極構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945214A true JPH0945214A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16329379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19473695A Pending JPH0945214A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 陰極基体およびそれを用いた含浸型陰極構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945214A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990027593A (ko) * | 1997-09-30 | 1999-04-15 | 김영남 | 전자총 캐소드의 펠렛 지지구조 |
| CN103878378A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-06-25 | 安徽华东光电技术研究所 | 用于阴极的钨粉的制备方法及其应用 |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP19473695A patent/JPH0945214A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990027593A (ko) * | 1997-09-30 | 1999-04-15 | 김영남 | 전자총 캐소드의 펠렛 지지구조 |
| CN103878378A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-06-25 | 安徽华东光电技术研究所 | 用于阴极的钨粉的制备方法及其应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5585694A (en) | Low pressure discharge lamp having sintered "cold cathode" discharge electrodes | |
| JPH054772B2 (ja) | ||
| US4737679A (en) | Impregnated cathode | |
| JP3696720B2 (ja) | 含浸型陰極とその製造方法 | |
| JPH0945214A (ja) | 陰極基体およびそれを用いた含浸型陰極構体 | |
| JPH11339633A (ja) | 含浸型陰極およびその製造方法、並びに電子銃および電子管 | |
| JPH03173034A (ja) | スカンダート陰極およびその製造方法 | |
| US4900285A (en) | Method of manufacturing a dispenser cathode; dispenser cathode manufactured according to the method, and device incorporating such a cathode | |
| US5173633A (en) | Dispenser cathode | |
| JP2685835B2 (ja) | 含浸型陰極の製造方法 | |
| JP2506203B2 (ja) | ディスペンサ―カソ―ドの製造方法 | |
| JPH0619942B2 (ja) | 含浸型陰極の製造方法 | |
| JPS612226A (ja) | 含浸形陰極 | |
| JPH08236009A (ja) | 直熱形陰極構造体及びその製造方法 | |
| JPH05114352A (ja) | 含浸型陰極構体及びその製造方法 | |
| JP2736164B2 (ja) | 含浸型陰極の製造方法 | |
| JPH0630214B2 (ja) | 含浸カソードおよびその製造方法 | |
| JPS61163532A (ja) | 含浸型陰極構体 | |
| JPH11260241A (ja) | 含浸型陰極構体およびその製造方法 | |
| CA2103692A1 (en) | Method of installation of composite electrodes in discharge lamps | |
| JPH0439646Y2 (ja) | ||
| JPS61142626A (ja) | 含浸形陰極の製造方法 | |
| JPH0794074A (ja) | 含浸型陰極及び含浸型陰極組立体、並びに含浸型陰極組立体の作製方法 | |
| JPH05198258A (ja) | 酸化物陰極用金属基体の製造方法 | |
| JP2001093410A (ja) | 含浸型陰極の製造方法 |