JPH11231062A - スケーラブル・マルチスライス走査コンピュータ断層撮影システム用のフォトダイオード・アレイ - Google Patents
スケーラブル・マルチスライス走査コンピュータ断層撮影システム用のフォトダイオード・アレイInfo
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- JPH11231062A JPH11231062A JP10335556A JP33555698A JPH11231062A JP H11231062 A JPH11231062 A JP H11231062A JP 10335556 A JP10335556 A JP 10335556A JP 33555698 A JP33555698 A JP 33555698A JP H11231062 A JPH11231062 A JP H11231062A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 9
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000013170 computed tomography imaging Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
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-
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- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
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- A61B6/03—Computed tomography [CT]
- A61B6/032—Transmission computed tomography [CT]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
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- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20182—Modular detectors, e.g. tiled scintillators or tiled photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2985—In depth localisation, e.g. using positron emitters; Tomographic imaging (longitudinal and transverse section imaging; apparatus for radiation diagnosis sequentially in different planes, steroscopic radiation diagnosis)
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/40—Imaging
- G01N2223/419—Imaging computed tomograph
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スケーラブルなマルチスライス・コンピュー
タ断層撮影システムのための高密度半導体アレイを提供
する。 【解決手段】 半導体アレイは横列および縦列に配列さ
れた複数のフォトダイオードを含む。シンチレータ・ア
レイが半導体アレイに光学的に結合される。各フォトダ
イオードは各シンチレータの光出力を表す低レベル・ア
ナログ出力信号を生成する。この半導体アレイによっ
て、ＣＴシステムが回転する毎に電気的に伝送されるべ
きデータのスライス数を選択することが可能になる。
タ断層撮影システムのための高密度半導体アレイを提供
する。 【解決手段】 半導体アレイは横列および縦列に配列さ
れた複数のフォトダイオードを含む。シンチレータ・ア
レイが半導体アレイに光学的に結合される。各フォトダ
イオードは各シンチレータの光出力を表す低レベル・ア
ナログ出力信号を生成する。この半導体アレイによっ
て、ＣＴシステムが回転する毎に電気的に伝送されるべ
きデータのスライス数を選択することが可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般にコンピュータ
断層撮影画像形成に関し、かつ特にコンピュータ断層撮
影システムに接続して使用される高密度半導体アレイに
関する。
断層撮影画像形成に関し、かつ特にコンピュータ断層撮
影システムに接続して使用される高密度半導体アレイに
関する。
【０００２】
【従来の技術】少なくともいくつかのコンピュータ断層
撮影（ＣＴ）画像形成システム構成においては、Ｘ線源
が投射する扇形ビームがデカルト座標系の一般に「画像
形成プレーン」と称されるＸ−Ｙ面内に位置するように
コリメートされる。Ｘ線ビームは患者など画像形成化中
の対象を透過する。ビームは対象物によって減衰された
後、放射線検出器のアレイに入射する。検出器アレイで
受けた減衰ビーム放射の強さは対象によるＸ線ビームの
減衰に依存する。検出器アレイの検出器要素はそれぞれ
に検出器の位置におけるビーム減衰の測定結果を表す個
別の電気的信号を出す。すべての検出器からの減衰測定
結果は別々に収集されて伝送プロファイルが生成され
る。
撮影（ＣＴ）画像形成システム構成においては、Ｘ線源
が投射する扇形ビームがデカルト座標系の一般に「画像
形成プレーン」と称されるＸ−Ｙ面内に位置するように
コリメートされる。Ｘ線ビームは患者など画像形成化中
の対象を透過する。ビームは対象物によって減衰された
後、放射線検出器のアレイに入射する。検出器アレイで
受けた減衰ビーム放射の強さは対象によるＸ線ビームの
減衰に依存する。検出器アレイの検出器要素はそれぞれ
に検出器の位置におけるビーム減衰の測定結果を表す個
別の電気的信号を出す。すべての検出器からの減衰測定
結果は別々に収集されて伝送プロファイルが生成され
る。
【０００３】周知の第三世代ＣＴシステムにおいては、
Ｘ線源および検出器アレイはガントリとともに画像形成
プレーン内で画像形成化される対象の周囲を回転し、そ
れによってＸ線ビームが対象を横断する角度が絶えず変
化する。Ｘ線源はＸ線管を通常含み、これがＸ線ビーム
を焦点に放射する。Ｘ線検出器は検出器で受けたＸ線ビ
ームをコリメートするためのコリメータを通常備えてい
る。シンチレータがコリメータに隣接して置かれ、フォ
トダイオードがシンチレータに隣接して置かれる。
Ｘ線源および検出器アレイはガントリとともに画像形成
プレーン内で画像形成化される対象の周囲を回転し、そ
れによってＸ線ビームが対象を横断する角度が絶えず変
化する。Ｘ線源はＸ線管を通常含み、これがＸ線ビーム
を焦点に放射する。Ｘ線検出器は検出器で受けたＸ線ビ
ームをコリメートするためのコリメータを通常備えてい
る。シンチレータがコリメータに隣接して置かれ、フォ
トダイオードがシンチレータに隣接して置かれる。
【０００４】マルチスライスＣＴシステムは走査中によ
り多くのスライスに対するデータを得るために使用され
る。周知のマルチスライス・システムは一般に３−Ｄ検
出器として知られる検出器を通常含む。この３−Ｄ検出
器では、複数の検出器要素が個別のチャネルを形成す
る。
り多くのスライスに対するデータを得るために使用され
る。周知のマルチスライス・システムは一般に３−Ｄ検
出器として知られる検出器を通常含む。この３−Ｄ検出
器では、複数の検出器要素が個別のチャネルを形成す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】マルチスライス検出器
は単一スライス検出器よりはるかに多いデータを生成す
る。しかしながら、このような多くのデータ生成能力が
常に要求または所望されるとは限らない。たとえば、Ｃ
Ｔシステムによって行われる検査には大量スライスまた
は高スライス分解能を必要としないものが様々ある。ま
た、そのように大量のデータが収集されると、走査に必
要な時間が増し、コストの高騰とスループットの低下を
招来する。
は単一スライス検出器よりはるかに多いデータを生成す
る。しかしながら、このような多くのデータ生成能力が
常に要求または所望されるとは限らない。たとえば、Ｃ
Ｔシステムによって行われる検査には大量スライスまた
は高スライス分解能を必要としないものが様々ある。ま
た、そのように大量のデータが収集されると、走査に必
要な時間が増し、コストの高騰とスループットの低下を
招来する。
【０００６】したがって、検査の個別のニーズを受け入
れるためのスライス数を変えてデータ伝送が可能な高密
度半導体アレイを提供することが望ましい。さらには、
スライス分解能が可変である半導体アレイを提供するこ
とが望ましい。
れるためのスライス数を変えてデータ伝送が可能な高密
度半導体アレイを提供することが望ましい。さらには、
スライス分解能が可変である半導体アレイを提供するこ
とが望ましい。
【０００７】
【課題を解決するための手段】これらの目的および他の
目的は、一実施態様において、予め選択されたスライス
数およびスライス分解能、あるいはスライス厚さに関す
るデータ信号を生じる高密度半導体アレイによって達成
することができる。特に、この半導体アレイは横列およ
び縦列に配列された複数のフォトダイオードを含む。シ
ンチレータ・アレイが半導体アレイに光学的に結合され
る。各フォトダイオードは各シンチレータの光出力を表
す低レベル・アナログ出力信号を生じる。データは、予
め選択されたスライス数およびスライス分解能に対し
て、フォトダイオードの様々な列からの出力信号を選択
的に組み合わせることによって生成される。
目的は、一実施態様において、予め選択されたスライス
数およびスライス分解能、あるいはスライス厚さに関す
るデータ信号を生じる高密度半導体アレイによって達成
することができる。特に、この半導体アレイは横列およ
び縦列に配列された複数のフォトダイオードを含む。シ
ンチレータ・アレイが半導体アレイに光学的に結合され
る。各フォトダイオードは各シンチレータの光出力を表
す低レベル・アナログ出力信号を生じる。データは、予
め選択されたスライス数およびスライス分解能に対し
て、フォトダイオードの様々な列からの出力信号を選択
的に組み合わせることによって生成される。
【０００８】一実施態様において、半導体アレイはフォ
トダイオードのアレイを基板に取り付けまたは形成して
製造される。フォトダイオード・アレイからの出力線は
出力信号を次の処理のためにディジタル信号に変換する
データ収集システムに電気的に接続される。
トダイオードのアレイを基板に取り付けまたは形成して
製造される。フォトダイオード・アレイからの出力線は
出力信号を次の処理のためにディジタル信号に変換する
データ収集システムに電気的に接続される。
【０００９】以上に説明の半導体アレイによって、ＣＴ
システムの回転毎に電気的に伝送するべきデータのスラ
イス数を選択することが可能になる。さらに、半導体ア
レイにより、スライスの厚さを選択して様々なスライス
分解能を出すことができる。その結果、半導体アレイの
構成を変更することにより検査の個別のニーズと要件に
対処することができる。
システムの回転毎に電気的に伝送するべきデータのスラ
イス数を選択することが可能になる。さらに、半導体ア
レイにより、スライスの厚さを選択して様々なスライス
分解能を出すことができる。その結果、半導体アレイの
構成を変更することにより検査の個別のニーズと要件に
対処することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１および図２は、「第３世代」
ＣＴスキャナに特有のガントリ１２を含むコンピュータ
断層撮影（ＣＴ）画像形成システム１０を示す。ガント
リ１２はＸ線源１４を有し、このＸ線源からガントリ１
２の相対する側にある検出器アレイ１８に向かってＸ線
のビーム１６が投射される。検出器アレイ１８はいくつ
かの検出器モジュール２０によって形成され、患者２２
を透過する投射Ｘ線をそれらのモジュールが共々感知す
る。各検出器モジュール２０は入射するＸ線ビームの強
さおよび患者２２を透過したビームの減衰を表す電気信
号を出す。Ｘ線投射データを収集する走査の間、ガント
リ１２とそれに搭載された構成部品が回転の中心２４を
中心にして回転する。
ＣＴスキャナに特有のガントリ１２を含むコンピュータ
断層撮影（ＣＴ）画像形成システム１０を示す。ガント
リ１２はＸ線源１４を有し、このＸ線源からガントリ１
２の相対する側にある検出器アレイ１８に向かってＸ線
のビーム１６が投射される。検出器アレイ１８はいくつ
かの検出器モジュール２０によって形成され、患者２２
を透過する投射Ｘ線をそれらのモジュールが共々感知す
る。各検出器モジュール２０は入射するＸ線ビームの強
さおよび患者２２を透過したビームの減衰を表す電気信
号を出す。Ｘ線投射データを収集する走査の間、ガント
リ１２とそれに搭載された構成部品が回転の中心２４を
中心にして回転する。
【００１１】ガントリ１２の回転およびＸ線源１４の作
動はＣＴシステム１０の制御機構２６により支配され
る。制御機構２６はＸ線源１４に電力とタイミング信号
を供給するＸ線コントローラ２８およびガントリ１２の
回転速度と位置を制御するガントリ・モータ・コントロ
ーラ３０を含む。制御機構２６のデータ収集システム
（ＤＡＳ）３２は検出器モジュール２０からのアナログ
・データをサンプリングし、かつデータを次の処理のた
めにディジタル信号に変換する。画像再構成器３４はサ
ンプリングおよびディジタル化されたＸ線データをＤＡ
Ｓ３２から受け、高速画像再構成を行う。再構成された
画像は画像を大容量記憶装置３８に記憶するコンピュー
タ３６に入力として与えられる。
動はＣＴシステム１０の制御機構２６により支配され
る。制御機構２６はＸ線源１４に電力とタイミング信号
を供給するＸ線コントローラ２８およびガントリ１２の
回転速度と位置を制御するガントリ・モータ・コントロ
ーラ３０を含む。制御機構２６のデータ収集システム
（ＤＡＳ）３２は検出器モジュール２０からのアナログ
・データをサンプリングし、かつデータを次の処理のた
めにディジタル信号に変換する。画像再構成器３４はサ
ンプリングおよびディジタル化されたＸ線データをＤＡ
Ｓ３２から受け、高速画像再構成を行う。再構成された
画像は画像を大容量記憶装置３８に記憶するコンピュー
タ３６に入力として与えられる。
【００１２】コンピュータ３６はまた、オペレータから
のコマンドと走査パラメータをキーボード付きのコンソ
ール４０を介して受け取る。結合されたＣＲＴディスプ
レイ４２によりオペレータはコンピュータ３６からの再
構成された画像および他のデータを見ることができる。
オペレータ供給のコマンドおよびパラメータはコンピュ
ータ３６によって制御信号と情報をＤＡＳ３２、Ｘ線コ
ントローラ２８およびガントリ・モータ・コントローラ
３０に供給するために使われる。さらに、コンピュータ
３６は、モータ駆動テーブル４６を制御して患者２２を
ガントリ１２内の位置に着けるテーブル・モータ・コン
トローラ４４を操作する。特に、テーブル４６はガント
リ開口部４８を通して患者２２を部分的に移動させる。
のコマンドと走査パラメータをキーボード付きのコンソ
ール４０を介して受け取る。結合されたＣＲＴディスプ
レイ４２によりオペレータはコンピュータ３６からの再
構成された画像および他のデータを見ることができる。
オペレータ供給のコマンドおよびパラメータはコンピュ
ータ３６によって制御信号と情報をＤＡＳ３２、Ｘ線コ
ントローラ２８およびガントリ・モータ・コントローラ
３０に供給するために使われる。さらに、コンピュータ
３６は、モータ駆動テーブル４６を制御して患者２２を
ガントリ１２内の位置に着けるテーブル・モータ・コン
トローラ４４を操作する。特に、テーブル４６はガント
リ開口部４８を通して患者２２を部分的に移動させる。
【００１３】図３および図４に示すように、検出器アレ
イ１８は複数の検出器モジュール２０を含む。各検出器
モジュール２０は、多次元フォトダイオード・アレイ５
２と、その上部にかつ隣接して置かれた多次元シンチレ
ータ・アレイ５６とを含む。Ｘ線ビーム１６がシンチレ
ータ・アレイ５６に入射する前にＸ線ビームをコリメー
トするためのコリメータ（図示せず）がシンチレータ・
アレイ５６の上部にかつ隣接して置かれる。特に、半導
体アレイ５２は複数のフォトダイオード６０、スイッチ
装置６８、およびデコーダ７２とを含む。フォトダイオ
ード６０は個別のフォトダイオードでも、あるいは多次
元フォトダイオード・アレイでもよい。フォトダイオー
ド６０は基板（図示せず）に取り付けまたは形成され
る。シンチレータ・アレイ５６は、当技術分野で周知の
通り、フォトダイオード６０上部にかつその隣り合わせ
に位置決めされる。フォトダイオード６０はシンチレー
タ・アレイ５６に光学的に結合されかつシンチレータ・
アレイ５６による光出力を表す信号を送るための電気的
出力線７６を有する。各フォトダイオード６０は、シン
チレータ・アレイ５６の特定のシンチレータに関するビ
ーム減衰の測定結果である個々の低レベル・アナログ出
力信号を生じる。フォトダイオードの出力線７６は、た
とえば、モジュール２０の一側面またはモジュール２０
の複数の側面に物理的に置くことができる。図４に示す
ように、フォトダイオードの出力７６はフォトダイオー
ド・アレイの相対する側部に置かれる。
イ１８は複数の検出器モジュール２０を含む。各検出器
モジュール２０は、多次元フォトダイオード・アレイ５
２と、その上部にかつ隣接して置かれた多次元シンチレ
ータ・アレイ５６とを含む。Ｘ線ビーム１６がシンチレ
ータ・アレイ５６に入射する前にＸ線ビームをコリメー
トするためのコリメータ（図示せず）がシンチレータ・
アレイ５６の上部にかつ隣接して置かれる。特に、半導
体アレイ５２は複数のフォトダイオード６０、スイッチ
装置６８、およびデコーダ７２とを含む。フォトダイオ
ード６０は個別のフォトダイオードでも、あるいは多次
元フォトダイオード・アレイでもよい。フォトダイオー
ド６０は基板（図示せず）に取り付けまたは形成され
る。シンチレータ・アレイ５６は、当技術分野で周知の
通り、フォトダイオード６０上部にかつその隣り合わせ
に位置決めされる。フォトダイオード６０はシンチレー
タ・アレイ５６に光学的に結合されかつシンチレータ・
アレイ５６による光出力を表す信号を送るための電気的
出力線７６を有する。各フォトダイオード６０は、シン
チレータ・アレイ５６の特定のシンチレータに関するビ
ーム減衰の測定結果である個々の低レベル・アナログ出
力信号を生じる。フォトダイオードの出力線７６は、た
とえば、モジュール２０の一側面またはモジュール２０
の複数の側面に物理的に置くことができる。図４に示す
ように、フォトダイオードの出力７６はフォトダイオー
ド・アレイの相対する側部に置かれる。
【００１４】一実施形態においては、図３に示すよう
に、検出器アレイ１８は５７個の検出器モジュール２０
を含む。各検出器モジュール２０は半導体アレイ５２と
シンチレータ・アレイ５６とを含み、それぞれのアレイ
・サイズが１６×１６である。その結果、アレイ１８に
は１６の横列と９１２の縦列（１６×５７モジュール）
があり、それによってガントリ１２が一回転する毎に１
６の同時スライスのデータを収集することができる。
に、検出器アレイ１８は５７個の検出器モジュール２０
を含む。各検出器モジュール２０は半導体アレイ５２と
シンチレータ・アレイ５６とを含み、それぞれのアレイ
・サイズが１６×１６である。その結果、アレイ１８に
は１６の横列と９１２の縦列（１６×５７モジュール）
があり、それによってガントリ１２が一回転する毎に１
６の同時スライスのデータを収集することができる。
【００１５】スイッチ装置６８は半導体アレイ５２と同
様のサイズの多次元半導体スイッチ・アレイである。ス
イッチ装置６８は半導体アレイ５２とＤＡＳ３２との間
に結合される。スイッチ装置６８は、一実施形態におい
ては、２つの半導体スイッチ８０、８２を含む。スイッ
チ８０、８２は多次元アレイとして配置された複数の電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（図示せず）をそれぞれ
含む。各ＦＥＴは各フォトダイオードの出力線７６の入
力に電気的に接続された入力線と、出力線と、制御線
（図示せず）とを備えている。ＦＥＴ出力および制御線
は可撓電気ケーブル８４を介してＤＡＳ３２に電気的に
接続される。特に、フォトダイオードの出力線７６の約
半分はスイッチ８０の各ＦＥＴ入力線に電気的に接続さ
れ、フォトダイオードの出力線７６の他の半分はスイッ
チ８２のＦＥＴ入力線に電気的に接続される。
様のサイズの多次元半導体スイッチ・アレイである。ス
イッチ装置６８は半導体アレイ５２とＤＡＳ３２との間
に結合される。スイッチ装置６８は、一実施形態におい
ては、２つの半導体スイッチ８０、８２を含む。スイッ
チ８０、８２は多次元アレイとして配置された複数の電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（図示せず）をそれぞれ
含む。各ＦＥＴは各フォトダイオードの出力線７６の入
力に電気的に接続された入力線と、出力線と、制御線
（図示せず）とを備えている。ＦＥＴ出力および制御線
は可撓電気ケーブル８４を介してＤＡＳ３２に電気的に
接続される。特に、フォトダイオードの出力線７６の約
半分はスイッチ８０の各ＦＥＴ入力線に電気的に接続さ
れ、フォトダイオードの出力線７６の他の半分はスイッ
チ８２のＦＥＴ入力線に電気的に接続される。
【００１６】デコーダ７２はスイッチ装置６８の作動を
制御し、それによって各スライスに対して所望のスライ
ス数およびスライス分解能にしたがってフォトダイオー
ドの出力がエネーブルされ、ディスエーブルされ、また
は組み合わされる。デコーダ７２は、一実施形態におい
ては、当技術分野で周知のデコーダ・チップまたはＦＥ
Ｔコントローラである。デコーダ７２はスイッチ装置６
８とＤＡＳ３２に結合された複数の出力線と制御線を含
む。特に、デコーダの出力はスイッチ装置６８をエネー
ブルするスイッチ装置制御線に電気的に接続され、それ
によって適切なデータがスイッチ装置入力からスイッチ
装置出力に伝送される。デコーダ制御線はスイッチ装置
制御線に電気的に接続されており、かつどのデコーダ出
力がエネーブルされるかを決定する。デコーダ７２を用
い、スイッチ装置６８内の特定のＦＥＴがエネーブルさ
れ、ディスエーブルされ、または組み合わされ、それに
よって特定のフォトダイオードの出力がＣＴシステムの
ＤＡＳ３２に電気的に接続される。１６スライス・モー
ドと定義される一実施形態においては、デコーダ７２が
スイッチ装置６８をエネーブルし、それによって半導体
アレイ５２のすべての横列がＤＡＳ３２に接続され、そ
の結果データの１６の同時スライスがＤＡＳ３２に電気
的に接続される。もちろん、その他の多くの組合せも可
能である。
制御し、それによって各スライスに対して所望のスライ
ス数およびスライス分解能にしたがってフォトダイオー
ドの出力がエネーブルされ、ディスエーブルされ、また
は組み合わされる。デコーダ７２は、一実施形態におい
ては、当技術分野で周知のデコーダ・チップまたはＦＥ
Ｔコントローラである。デコーダ７２はスイッチ装置６
８とＤＡＳ３２に結合された複数の出力線と制御線を含
む。特に、デコーダの出力はスイッチ装置６８をエネー
ブルするスイッチ装置制御線に電気的に接続され、それ
によって適切なデータがスイッチ装置入力からスイッチ
装置出力に伝送される。デコーダ制御線はスイッチ装置
制御線に電気的に接続されており、かつどのデコーダ出
力がエネーブルされるかを決定する。デコーダ７２を用
い、スイッチ装置６８内の特定のＦＥＴがエネーブルさ
れ、ディスエーブルされ、または組み合わされ、それに
よって特定のフォトダイオードの出力がＣＴシステムの
ＤＡＳ３２に電気的に接続される。１６スライス・モー
ドと定義される一実施形態においては、デコーダ７２が
スイッチ装置６８をエネーブルし、それによって半導体
アレイ５２のすべての横列がＤＡＳ３２に接続され、そ
の結果データの１６の同時スライスがＤＡＳ３２に電気
的に接続される。もちろん、その他の多くの組合せも可
能である。
【００１７】たとえば、デコーダ７２は、１、２、およ
び４スライス・モードを含む他の多重スライス・モード
から選択することもできる。図５に示すように、適切な
デコーダ制御線に送ることにより、フォトダイオード・
アレイ５２の１列または２列以上の４つのスライスから
データが収集されるようにスイッチ装置６８を構成する
ことができる。デコーダ制御線により決められるスイッ
チ装置６８の特定の構成により、フォトダイオードの出
力６４の様々な組合せがエネーブル、ディスエーブル、
または組み合わされ、それによってスライス厚さをフォ
トダイオード・アレイ素子の１、２、３、または４列構
成とすることができる。さらなる例としては、スライス
厚さ１．２５ｍｍから２０ｍｍの範囲の１スライスを含
むシングル・スライス・モード、スライス厚さ１．２５
ｍｍから１０ｍｍの範囲の２スライスを含む２スライス
・モード等がある。さらにそれ以上のモードも可能であ
る。
び４スライス・モードを含む他の多重スライス・モード
から選択することもできる。図５に示すように、適切な
デコーダ制御線に送ることにより、フォトダイオード・
アレイ５２の１列または２列以上の４つのスライスから
データが収集されるようにスイッチ装置６８を構成する
ことができる。デコーダ制御線により決められるスイッ
チ装置６８の特定の構成により、フォトダイオードの出
力６４の様々な組合せがエネーブル、ディスエーブル、
または組み合わされ、それによってスライス厚さをフォ
トダイオード・アレイ素子の１、２、３、または４列構
成とすることができる。さらなる例としては、スライス
厚さ１．２５ｍｍから２０ｍｍの範囲の１スライスを含
むシングル・スライス・モード、スライス厚さ１．２５
ｍｍから１０ｍｍの範囲の２スライスを含む２スライス
・モード等がある。さらにそれ以上のモードも可能であ
る。
【００１８】一実施形態においては、スイッチ装置６８
およびデコーダ７２はＦＥＴアレイに組み合わされる。
ＦＥＴアレイは多次元アレイとして配列された複数の電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（図示せず）を含む。図
６および図７の一実施形態において、２つのＦＥＴアレ
イで構成される半導体デバイス９４、９６を用いること
によってフォトダイオードの出力線６４の半分はデバイ
ス９４に接続され、フォトダイオードの出力線７６の半
分はデバイス９６に接続される。ＦＥＴアレイ９４、９
６はそれぞれに入力線１００、１０２と、出力線１０
４、１０６と、制御線（図示せず）とを含む。デバイス
９４内部では、入力線１００がスイッチ装置入力線に電
気的に接続され、出力線１０４がスイッチ装置出力線に
電気的に接続され、かつデコーダ出力線がＦＥＴ制御線
に電気的に接続される。スイッチ９６の内部構成はスイ
ッチ９４と同一である。
およびデコーダ７２はＦＥＴアレイに組み合わされる。
ＦＥＴアレイは多次元アレイとして配列された複数の電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（図示せず）を含む。図
６および図７の一実施形態において、２つのＦＥＴアレ
イで構成される半導体デバイス９４、９６を用いること
によってフォトダイオードの出力線６４の半分はデバイ
ス９４に接続され、フォトダイオードの出力線７６の半
分はデバイス９６に接続される。ＦＥＴアレイ９４、９
６はそれぞれに入力線１００、１０２と、出力線１０
４、１０６と、制御線（図示せず）とを含む。デバイス
９４内部では、入力線１００がスイッチ装置入力線に電
気的に接続され、出力線１０４がスイッチ装置出力線に
電気的に接続され、かつデコーダ出力線がＦＥＴ制御線
に電気的に接続される。スイッチ９６の内部構成はスイ
ッチ９４と同一である。
【００１９】可撓電気ケーブル８４は第１端（図示せ
ず）、第２端（図示せず）およびその間を通る複数の電
線１１２を含む。ケーブル８４は、たとえば、それぞれ
に第１端１２０、１２２と第２端１２４、１２８とを有
する２つのケーブル１１６および１１８でもよし、ある
いは代替実施形態においては、多重第１端（図示せず）
を有する単一のケーブル（図示せず）等であってもよ
い。一実施形態においては、ＦＥＴアレイ９４のＦＥＴ
出力および制御線はケーブル１１６のワイヤ１１２に接
続され、ＦＥＴアレイ９６のＦＥＴ出力および制御線は
ケーブル１１８のワイヤ１１２に接続される。特に、各
ＦＥＴ出力および制御線はケーブル第１端１２０、１２
２それぞれのワイヤ１１２に電気的に接続される。ケー
ブル第１端１２０、１２２はそれぞれに取付ブラケット
１２６Ａおよび１２６ＢによってＦＥＴとの強固な電気
的接触を保持される。
ず）、第２端（図示せず）およびその間を通る複数の電
線１１２を含む。ケーブル８４は、たとえば、それぞれ
に第１端１２０、１２２と第２端１２４、１２８とを有
する２つのケーブル１１６および１１８でもよし、ある
いは代替実施形態においては、多重第１端（図示せず）
を有する単一のケーブル（図示せず）等であってもよ
い。一実施形態においては、ＦＥＴアレイ９４のＦＥＴ
出力および制御線はケーブル１１６のワイヤ１１２に接
続され、ＦＥＴアレイ９６のＦＥＴ出力および制御線は
ケーブル１１８のワイヤ１１２に接続される。特に、各
ＦＥＴ出力および制御線はケーブル第１端１２０、１２
２それぞれのワイヤ１１２に電気的に接続される。ケー
ブル第１端１２０、１２２はそれぞれに取付ブラケット
１２６Ａおよび１２６ＢによってＦＥＴとの強固な電気
的接触を保持される。
【００２０】図８、図９および図１０に示す一実施形態
において、ケーブル１１６、１１８は同一である。特に
ケーブル１１６に関しては、第２端１２４はパターン状
に配列された複数の接続パッド１４０を含む。各接続パ
ッド１４０はケーブル第２端１２４でワイヤ１１２に電
気的に接続される。ケーブル第２端１２４はＤＡＳバッ
クプレーン１４２にエラストマー・コネクタ（図７、図
８および図９には図示せず）を用いて電気的に結合され
る。バックプレーン１４２は接続パッド１４０と同一の
パターン状に配列された複数の接続パッド１４８を含
む。バックプレーン接続パッド１４８はＤＡＳ入力およ
び制御線（図示せず）に電気的に接続される。一実施形
態においては、接続パッド１４０は２つの平行な列１５
２および１５４を成すパターン状に配列され、接続パッ
ド１４８は２つの平行な列１５８および１６２に同様に
配列され、かつ２つのエラストマー・コネクタ（図示せ
ず）を用いて接続パッド１４０および１４８が電気的に
接続される。各エラストマー・コネクタは接続パッドに
整合した複数の導体（図示せず）を含み、したがってエ
ラストマー・コネクタをケーブルの第２端１２４とバッ
クプレーン１４２の間に位置決めすることによって接続
パッド１４０、１４８が電気的に接続される。特に、第
１のエラストマー・コネクタは接続パッド列１５２、１
５８の間に位置決めされ、第２のエラストマー・コネク
タは接続パッド列１５４、１６２の間に位置決めされ
る。ケーブルの第２端１２４はバックプレーン１４２に
ハウジング（図示せず）と共に固定される。ケーブル１
１８はバックプレーン１４２に同様にして接続される。
において、ケーブル１１６、１１８は同一である。特に
ケーブル１１６に関しては、第２端１２４はパターン状
に配列された複数の接続パッド１４０を含む。各接続パ
ッド１４０はケーブル第２端１２４でワイヤ１１２に電
気的に接続される。ケーブル第２端１２４はＤＡＳバッ
クプレーン１４２にエラストマー・コネクタ（図７、図
８および図９には図示せず）を用いて電気的に結合され
る。バックプレーン１４２は接続パッド１４０と同一の
パターン状に配列された複数の接続パッド１４８を含
む。バックプレーン接続パッド１４８はＤＡＳ入力およ
び制御線（図示せず）に電気的に接続される。一実施形
態においては、接続パッド１４０は２つの平行な列１５
２および１５４を成すパターン状に配列され、接続パッ
ド１４８は２つの平行な列１５８および１６２に同様に
配列され、かつ２つのエラストマー・コネクタ（図示せ
ず）を用いて接続パッド１４０および１４８が電気的に
接続される。各エラストマー・コネクタは接続パッドに
整合した複数の導体（図示せず）を含み、したがってエ
ラストマー・コネクタをケーブルの第２端１２４とバッ
クプレーン１４２の間に位置決めすることによって接続
パッド１４０、１４８が電気的に接続される。特に、第
１のエラストマー・コネクタは接続パッド列１５２、１
５８の間に位置決めされ、第２のエラストマー・コネク
タは接続パッド列１５４、１６２の間に位置決めされ
る。ケーブルの第２端１２４はバックプレーン１４２に
ハウジング（図示せず）と共に固定される。ケーブル１
１８はバックプレーン１４２に同様にして接続される。
【００２１】図１１に関し、エラストマー・コネクタ１
７０は、全周を絶縁材１７８で囲まれた少なくとも１つ
の導体１７４を含む。エラストマー・コネクタの端部は
導体１７４のパッド１４０および１４８との電気的接続
を構成するため、絶縁材１７８で被覆しない。一実施形
態においては、エラストマー・コネクタ１７０は複数の
金めっきされた黄銅製導体１７４を含む。導体１７４は
単一の導体１７４が各接続パッド１４０および各接続パ
ッド１４８に電気的に接続されるように間隔を置くこと
ができる。あるいは、導体１７４は複数の導体１７４が
各接続パッド１４０および各接続パッド１４８に電気的
に接続されるように間隔を置くこともできる。
７０は、全周を絶縁材１７８で囲まれた少なくとも１つ
の導体１７４を含む。エラストマー・コネクタの端部は
導体１７４のパッド１４０および１４８との電気的接続
を構成するため、絶縁材１７８で被覆しない。一実施形
態においては、エラストマー・コネクタ１７０は複数の
金めっきされた黄銅製導体１７４を含む。導体１７４は
単一の導体１７４が各接続パッド１４０および各接続パ
ッド１４８に電気的に接続されるように間隔を置くこと
ができる。あるいは、導体１７４は複数の導体１７４が
各接続パッド１４０および各接続パッド１４８に電気的
に接続されるように間隔を置くこともできる。
【００２２】図１２の一実施形態において、ハウジング
１９２は複数のケーブルの第２端に適合し、かつバック
プレーン１４２に固定される。特に、ハウジング１９２
はエラストマー・コネクタ１７０を可撓ケーブルの第２
端１２４とバックプレーン１４２との間で圧縮し、それ
によって接続パッド１４０、１４８による電気的接続が
エラストマー導体１７４を介して構成される。その結
果、出力線７６がバックプレーン入力線に電気的に結合
され、かつＦＥＴ制御線がＤＡＳ制御線に接続され、検
出器モジュール半導体スイッチ８０、８２が構成され
る。ハウジング１９２はバックプレーン１４２に少なく
とも１つのボルト（図示せず）を用いて固定される。
１９２は複数のケーブルの第２端に適合し、かつバック
プレーン１４２に固定される。特に、ハウジング１９２
はエラストマー・コネクタ１７０を可撓ケーブルの第２
端１２４とバックプレーン１４２との間で圧縮し、それ
によって接続パッド１４０、１４８による電気的接続が
エラストマー導体１７４を介して構成される。その結
果、出力線７６がバックプレーン入力線に電気的に結合
され、かつＦＥＴ制御線がＤＡＳ制御線に接続され、検
出器モジュール半導体スイッチ８０、８２が構成され
る。ハウジング１９２はバックプレーン１４２に少なく
とも１つのボルト（図示せず）を用いて固定される。
【００２３】検出器モジュール２０の製作において、図
１３に関して、シンチレータ・アレイ５６とＦＥＴアレ
イ９４、９６とを含む半導体アレイ５２は、フォトダイ
オード６０がアレイ９４と９６に隣接しかつその間に置
かれるように当技術分野で周知の方法により基板２００
に取り付けられまたは形成される。次いでフォトダイオ
ードの出力６４がＦＥＴアレイ９４、９６それぞれの入
力１００および１０２に接続される。特に、フォトダイ
オードの出力６４の半分はＦＥＴアレイ入力１００にワ
イヤ・ボンディングされ、かつフォトダイオードの出力
６４の半分は各ＦＥＴアレイ入力１０２にワイヤ・ボン
ディングされ、それによって各出力６４がＦＥＴ入力線
に電気的に接続される。フォトダイオードの出力は、た
とえば、アルミニウムワイヤ・ウェッジボンディングお
よびゴールド・ワイヤ・ボールボンディング等の当技術
分野で周知の様々なワイヤ・ボンディング技術を用いて
ＦＥＴ入力線にワイヤ・ボンディングされる。
１３に関して、シンチレータ・アレイ５６とＦＥＴアレ
イ９４、９６とを含む半導体アレイ５２は、フォトダイ
オード６０がアレイ９４と９６に隣接しかつその間に置
かれるように当技術分野で周知の方法により基板２００
に取り付けられまたは形成される。次いでフォトダイオ
ードの出力６４がＦＥＴアレイ９４、９６それぞれの入
力１００および１０２に接続される。特に、フォトダイ
オードの出力６４の半分はＦＥＴアレイ入力１００にワ
イヤ・ボンディングされ、かつフォトダイオードの出力
６４の半分は各ＦＥＴアレイ入力１０２にワイヤ・ボン
ディングされ、それによって各出力６４がＦＥＴ入力線
に電気的に接続される。フォトダイオードの出力は、た
とえば、アルミニウムワイヤ・ウェッジボンディングお
よびゴールド・ワイヤ・ボールボンディング等の当技術
分野で周知の様々なワイヤ・ボンディング技術を用いて
ＦＥＴ入力線にワイヤ・ボンディングされる。
【００２４】各ケーブル第１端１２０、１２２は各ＦＥ
Ｔアレイ９４、９６に隣接して置かれ、かつ基板２００
に、たとえば、接着剤（図示せず）を用いて結合され
る。次いでＦＥＴ出力および制御線の一部がケーブル１
１６のワイヤ１１２にワイヤ・ボンディングされ、かつ
ＦＥＴ出力および制御線の一部がケーブル１１８のワイ
ヤ１１２にワイヤ・ボンディングされ、それによって各
ＦＥＴ出力線およびワイヤ１１２と各ＦＥＴ制御線およ
びワイヤ１１２との間に電気的パスができる。ＦＥＴ出
力および制御線はフォトダイオードの出力線６４と同様
にワイヤ・ボンディングされ、ワイヤボンドは一括して
ボンド３００として識別される。ケーブル第１端１２
０、１２２は取付ブラケット１２６Ａおよび１２６Ｂを
用いて所定の箇所に保持される。
Ｔアレイ９４、９６に隣接して置かれ、かつ基板２００
に、たとえば、接着剤（図示せず）を用いて結合され
る。次いでＦＥＴ出力および制御線の一部がケーブル１
１６のワイヤ１１２にワイヤ・ボンディングされ、かつ
ＦＥＴ出力および制御線の一部がケーブル１１８のワイ
ヤ１１２にワイヤ・ボンディングされ、それによって各
ＦＥＴ出力線およびワイヤ１１２と各ＦＥＴ制御線およ
びワイヤ１１２との間に電気的パスができる。ＦＥＴ出
力および制御線はフォトダイオードの出力線６４と同様
にワイヤ・ボンディングされ、ワイヤボンドは一括して
ボンド３００として識別される。ケーブル第１端１２
０、１２２は取付ブラケット１２６Ａおよび１２６Ｂを
用いて所定の箇所に保持される。
【００２５】検出器モジュール２０を検出器アレイ１８
内に取り付けた後、ケーブル第２端１２４、１２８がＤ
ＡＳ３２に結合され、それによって電気的パスがフォト
ダイオードの出力線７６とＤＡＳ入力との間に存在し、
かつＦＥＴ制御線がＤＡＳ出力に電気的に接続されてＦ
ＥＴアレイをエネーブルできる。特に、エラストマー・
コネクタ１７０の第１端はバックプレーン１４２に隣接
して置かれ、それによってエラストマー導体１７４が接
続パッド１４８に隣接して置かれる。次いで可撓ケーブ
ルの第２端１２４がエラストマー・コネクタ１７０の第
２端に隣接して置かれ、それによってエラストマー導体
１７４が接続パッド１４０に隣接して置かれる。ハウジ
ング１９２をケーブルの第２端１２４上部にかつ隣接し
て位置決めした後、ハウジング１９２はエラストマー・
コネクタ１７０が圧縮され、それによってエラストマー
導体１７４がケーブルの第２端の接続パッド１４０とバ
ックプレーンの接続パッド１４８が電気的に接続される
ようにバックプレーン１４２に固定される。
内に取り付けた後、ケーブル第２端１２４、１２８がＤ
ＡＳ３２に結合され、それによって電気的パスがフォト
ダイオードの出力線７６とＤＡＳ入力との間に存在し、
かつＦＥＴ制御線がＤＡＳ出力に電気的に接続されてＦ
ＥＴアレイをエネーブルできる。特に、エラストマー・
コネクタ１７０の第１端はバックプレーン１４２に隣接
して置かれ、それによってエラストマー導体１７４が接
続パッド１４８に隣接して置かれる。次いで可撓ケーブ
ルの第２端１２４がエラストマー・コネクタ１７０の第
２端に隣接して置かれ、それによってエラストマー導体
１７４が接続パッド１４０に隣接して置かれる。ハウジ
ング１９２をケーブルの第２端１２４上部にかつ隣接し
て位置決めした後、ハウジング１９２はエラストマー・
コネクタ１７０が圧縮され、それによってエラストマー
導体１７４がケーブルの第２端の接続パッド１４０とバ
ックプレーンの接続パッド１４８が電気的に接続される
ようにバックプレーン１４２に固定される。
【００２６】操作に際しては、オペレータがスライス数
および各スライスの厚さを決定する。適切な構成情報が
アレイ制御線に送られ、スイッチ装置６８がデコーダ７
２を使用して構成される。Ｘ線ビーム１６が検出器モジ
ュール２０に入射すると、選択された構成のデータがＤ
ＡＳ３２に送られる。
および各スライスの厚さを決定する。適切な構成情報が
アレイ制御線に送られ、スイッチ装置６８がデコーダ７
２を使用して構成される。Ｘ線ビーム１６が検出器モジ
ュール２０に入射すると、選択された構成のデータがＤ
ＡＳ３２に送られる。
【００２７】以上に説明の半導体アレイによって、ＣＴ
システムの回転毎に電気的に伝送するべきデータのスラ
イス数を選択することが可能になる。さらに、半導体ア
レイにより、スライスの厚さを選択して様々なスライス
分解能を出すことができる。その結果、検出器モジュー
ルの構成を変更することにより検査の個別のニーズと要
件に対応することができる。
システムの回転毎に電気的に伝送するべきデータのスラ
イス数を選択することが可能になる。さらに、半導体ア
レイにより、スライスの厚さを選択して様々なスライス
分解能を出すことができる。その結果、検出器モジュー
ルの構成を変更することにより検査の個別のニーズと要
件に対応することができる。
【００２８】本発明の様々な実施形態に関するこれまで
の説明から、本発明の目的が達成されることは明らかで
ある。以上に本発明を詳細に説明したが、それは例示に
すぎず本発明はそれに制限されるものではない。したが
って、本発明の精神および範囲は添付の請求の範囲の用
語によってのみ制限される。
の説明から、本発明の目的が達成されることは明らかで
ある。以上に本発明を詳細に説明したが、それは例示に
すぎず本発明はそれに制限されるものではない。したが
って、本発明の精神および範囲は添付の請求の範囲の用
語によってのみ制限される。
【図１】 ＣＴ画像形成システムの斜視図である。
【図２】 図１に示すシステムの概略ブロック図であ
る。
る。
【図３】 ＣＴシステム検出器アレイの斜視図である。
【図４】 図３に示す検出器モジュールの斜視図であ
る。
る。
【図５】 図４の検出器モジュールの４スライス・モー
ドにおける様々な構成を示す図である。
ドにおける様々な構成を示す図である。
【図６】 図４に示す検出器モジュールの上面図であ
る。
る。
【図７】 図６に示す検出器モジュールの一部側面図で
ある。
ある。
【図８】 ハウジングを固定する前の検出器モジュール
とデータ収集システムとの相互接続の斜視図である。
とデータ収集システムとの相互接続の斜視図である。
【図９】 図８に示す可撓ケーブル第２端の拡大上面図
である。
である。
【図１０】 バックプレーン接続パッドの拡大上面図で
ある。
ある。
【図１１】 エラストマー・コネクタの絶縁材部分を取
り除いた斜視図である。
り除いた斜視図である。
【図１２】 コネクタをバックプレーンに固定するため
のハウジングの斜視図である。
のハウジングの斜視図である。
【図１３】 図４に示す検出器モジュールの一部側面図
である。
である。
５２ 半導体アレイ ５６ シンチレータ・アレイ ６０ フォトダイオード ６８ スイッチ装置 ７２ デコーダ ７６ フォトダイオードの出力線 ８０ 半導体スイッチ ８２ 半導体スイッチ ８４ ケーブル
Claims (24)
- 【請求項１】 マルチスライス・コンピュータ断層撮影
装置用の高密度半導体アレイであって、 アレイとして構成された複数のフォトダイオードと、 前記フォトダイオード・アレイに光学的に結合されたシ
ンチレータと、を備える高密度半導体アレイ。 - 【請求項２】 前記シンチレータ・アレイおよび前記フ
ォトダイオード・アレイが１６×１６アレイであること
を特徴とする請求項１に記載の高密度半導体アレイ。 - 【請求項３】 前記フォトダイオード・アレイ出力に電
気的に結合されたスイッチをさらに含むことを特徴とす
る請求項１に記載の高密度半導体アレイ。 - 【請求項４】 前記スイッチが複数の電界効果トランジ
スタを含むことを特徴とする請求項３に記載の高密度半
導体アレイ。 - 【請求項５】 前記各電界効果トランジスタが前記フォ
トダイオードの出力の１つにワイヤ・ボンディングされ
ることを特徴とする請求項４に記載の高密度半導体アレ
イ。 - 【請求項６】 前記スイッチが電界効果トランジスタの
アレイを含むことを特徴とする請求項３に記載の高密度
半導体アレイ。 - 【請求項７】 前記フォトダイオード・アレイおよび前
記スイッチが基板上にあることを特徴とする請求項３に
記載の高密度半導体アレイ。 - 【請求項８】 前記スイッチに結合されたデコーダをさ
らに含み、前記デコーダにより前記スイッチの作動が制
御されて前記フォトダイオードの出力が予め選択された
スライス数およびスライス厚さにしたがって組み合わさ
れるように構成されることを特徴とする請求項３に記載
の高密度半導体アレイ。 - 【請求項９】 前記デコーダにより前記スイッチが複数
のスライス・モードで選択的に作動するように制御され
ることを特徴とする請求項８に記載の高密度半導体アレ
イ。 - 【請求項１０】 コンピュータ・断層撮影装置のための
検出器モジュールであって、 複数のフォトダイオードを含む高密度半導体アレイと、 前記高密度半導体アレイに光学的に結合されたシンチレ
ータ・アレイと、 一端が前記高密度半導体アレイの出力に電気的に接続さ
れた少なくとも１つの可撓ケーブルと、を備える検出器
モジュール。 - 【請求項１１】 前記高密度半導体アレイ出力と前記可
撓電気ケーブル間で電気的に結合されたスイッチをさら
に含むことを特徴とする請求項１０に記載の検出器モジ
ュール。 - 【請求項１２】 前記スイッチが前記高密度半導体アレ
イおよび前記可撓ケーブルにワイヤ・ボンディングされ
ることを特徴とする請求項１１に記載の検出器モジュー
ル。 - 【請求項１３】 前記スイッチが複数の電界効果トラン
ジスタを含むことを特徴とする請求項１１に記載の検出
器モジュール。 - 【請求項１４】 前記可撓電気ケーブルが複数の電線を
含み、前記電界効果トランジスタがそれぞれに前記電線
の１つに電気的に接続されることを特徴とする請求項１
３に記載の検出器モジュール。 - 【請求項１５】 前記高密度半導体アレイおよび前記シ
ンチレータ・アレイが１６×１６アレイであることを特
徴とする請求項１０に記載の検出器モジュール。 - 【請求項１６】 コンピュータ・断層撮影装置用のマル
チスライス検出器であって、 検出器ハウジングと、 前記検出器ハウジングに結合され、予め選択されたスラ
イス数およびスライス厚さにしたがって出力を生じるよ
うに選択的に構成可能な検出器モジュールと、 前記検出器モジュールに隣接するコリメータ・アレイと
を備えるマルチスライス検出器。 - 【請求項１７】 前記検出器モジュールの出力に電気的
に接続されたバックプレーンをさらに含むことを特徴と
する請求項１６に記載のマルチスライス検出器。 - 【請求項１８】 前記各検出器モジュールが少なくとも
１つの可撓電気ケーブルを含み、前記各可撓電気ケーブ
ルが前記検出器モジュールと前記バックプレーンの間で
電気的に結合されることを特徴とする請求項１７に記載
のマルチスライス検出器。 - 【請求項１９】 前記電気ケーブルの一端を前記バック
プレーンに電気的に接続する少なくとも１つのエラスト
マー・コネクタをさらに含むことを特徴とする請求項１
８に記載のマルチスライス検出器。 - 【請求項２０】 前記バックプレーンが複数の入力を含
み、前記各可撓ケーブルの一端および前記バックプレー
ンの各入力が接続パッドを含み、かつ前記接続パッドが
前記エラストマー・コネクタに結合するように構成され
ることを特徴とする請求項１９に記載のマルチスライス
検出器。 - 【請求項２１】 前記エラストマー・コネクタが複数の
銀含浸シリコン・レイヤを含むことを特徴とする請求項
２０に記載のマルチスライス検出器。 - 【請求項２２】 前記エラストマー・コネクタが複数の
金めっき黄銅製またはニッケル製導体を含むことを特徴
とする請求項２０に記載のマルチスライス検出器。 - 【請求項２３】 前記検出器モジュールが複数のスライ
ス・モードで作動することを特徴とする請求項１６に記
載のマルチスライス検出器。 - 【請求項２４】 前記４スライス・モードに関して、選
択されたスライス厚さが少なくとも１つの列を構成する
ことを特徴とする請求項２３に記載のマルチスライス検
出器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| US08/978,805 US6115448A (en) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | Photodiode array for a scalable multislice scanning computed tomography system |
| US08/978,805 | 1997-11-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH11231062A true JPH11231062A (ja) | 1999-08-27 |
| JP4630407B2 JP4630407B2 (ja) | 2011-02-09 |
Family
ID=25526402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33555698A Expired - Lifetime JP4630407B2 (ja) | 1997-11-26 | 1998-11-26 | マルチスライス検出器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6115448A (ja) |
| JP (1) | JP4630407B2 (ja) |
| DE (1) | DE19853646A1 (ja) |
| IL (1) | IL127004A (ja) |
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| US6115448A (en) | 2000-09-05 |
| JP4630407B2 (ja) | 2011-02-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
| RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
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|
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|
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|
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090721 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090724 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091029 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100223 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100602 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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