JPH11228291A - シリコン単結晶の育成方法およびそれに使用される石英ガラスルツボ - Google Patents
シリコン単結晶の育成方法およびそれに使用される石英ガラスルツボInfo
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- JPH11228291A JPH11228291A JP3850898A JP3850898A JPH11228291A JP H11228291 A JPH11228291 A JP H11228291A JP 3850898 A JP3850898 A JP 3850898A JP 3850898 A JP3850898 A JP 3850898A JP H11228291 A JPH11228291 A JP H11228291A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】引上げられる単結晶の有転位化を回避して、高
品質のシリコン単結晶を歩留まり良く育成することがで
きる。 【解決手段】(1)石英ガラスルツボに収容されたシリコ
ン溶融液の表面に種結晶を接触させてそれを上方に引き
上げながら凝固させるシリコン単結晶の育成方法であっ
て、単結晶の引上げ後にルツボの内表面に生成する結晶
化斑点の密度が５個/cm2以下である前記石英ガラスルツ
ボを使用することを特徴とするシリコン単結晶の育成方
法。 (2)シリコン溶融液の表面に種結晶を接触させてそれを
上方に引き上げながら凝固させるシリコン単結晶の育成
に使用される石英ガラスルツボであって、単結晶の引上
げ後にその内表面に生成する結晶化斑点の密度が５個/c
m2以下であることを特徴とする石英ガラスルツボ。
品質のシリコン単結晶を歩留まり良く育成することがで
きる。 【解決手段】(1)石英ガラスルツボに収容されたシリコ
ン溶融液の表面に種結晶を接触させてそれを上方に引き
上げながら凝固させるシリコン単結晶の育成方法であっ
て、単結晶の引上げ後にルツボの内表面に生成する結晶
化斑点の密度が５個/cm2以下である前記石英ガラスルツ
ボを使用することを特徴とするシリコン単結晶の育成方
法。 (2)シリコン溶融液の表面に種結晶を接触させてそれを
上方に引き上げながら凝固させるシリコン単結晶の育成
に使用される石英ガラスルツボであって、単結晶の引上
げ後にその内表面に生成する結晶化斑点の密度が５個/c
m2以下であることを特徴とする石英ガラスルツボ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多結晶シリコンを溶融
してシリコン単結晶の引上げを行う育成方法および溶融
された多結晶シリコン溶融液を収容する石英ガラスルツ
ボに関し、さらに詳しくは、引上げ過程において結晶有
転位化を発生することがない高品質なシリコン単結晶の
育成方法およびこれに使用される石英ガラスルツボに関
するものである。
してシリコン単結晶の引上げを行う育成方法および溶融
された多結晶シリコン溶融液を収容する石英ガラスルツ
ボに関し、さらに詳しくは、引上げ過程において結晶有
転位化を発生することがない高品質なシリコン単結晶の
育成方法およびこれに使用される石英ガラスルツボに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体材料に用いられるシリコン単結晶
を育成させる方法として種々の方法があるが、なかでも
高純度のシリコン原料を石英ガラスルツボ内で溶融し
て、上方に引き上げつつ単結晶の育成を行うチョクラル
スキー法（以下、単に「ＣＺ法」という）が多用されて
いる。
を育成させる方法として種々の方法があるが、なかでも
高純度のシリコン原料を石英ガラスルツボ内で溶融し
て、上方に引き上げつつ単結晶の育成を行うチョクラル
スキー法（以下、単に「ＣＺ法」という）が多用されて
いる。
【０００３】図１は、このＣＺ法によってシリコン単結
晶を育成する装置の概略構成を説明する縦断面図であ
る。装置の中心には溶融原料であるシリコン溶融液を収
容する容器として、内周面を石英ガラスルツボ１で構成
するルツボが設けられ、このルツボの外側には加熱ヒー
ター２が配設される。石英ガラスルツボ１内にはこの加
熱ヒーターにより溶融された結晶形成用材料、つまり結
晶原料となる多結晶シリコンの溶融液４が収容されてい
る。その溶融液４の表面に引上げ棒またはワイヤ６の先
に取り付けた種結晶５の下端を接触させ、この種結晶５
を上方へ引き上げることによって、その下端に溶融液４
が凝固した単結晶３を成長させていく。これらの部品、
部材は水冷式の金属チャンバー７内に収納され、全体と
してＣＺ法による単結晶の製造装置を構成している。
晶を育成する装置の概略構成を説明する縦断面図であ
る。装置の中心には溶融原料であるシリコン溶融液を収
容する容器として、内周面を石英ガラスルツボ１で構成
するルツボが設けられ、このルツボの外側には加熱ヒー
ター２が配設される。石英ガラスルツボ１内にはこの加
熱ヒーターにより溶融された結晶形成用材料、つまり結
晶原料となる多結晶シリコンの溶融液４が収容されてい
る。その溶融液４の表面に引上げ棒またはワイヤ６の先
に取り付けた種結晶５の下端を接触させ、この種結晶５
を上方へ引き上げることによって、その下端に溶融液４
が凝固した単結晶３を成長させていく。これらの部品、
部材は水冷式の金属チャンバー７内に収納され、全体と
してＣＺ法による単結晶の製造装置を構成している。
【０００４】シリコン融液を収容する石英ガラスルツボ
は、Si02のアモルフアス（非晶質）構造で構成されてお
り、単結晶の引上げ過程において高温度のシリコン溶融
液と直接接触することによって、その内表面で結晶化が
進行する。通常、石英ガラスルツボにおける結晶化は不
純物に関連するものと想定されるが、結晶化の核生成の
のち、単結晶の引上げにともなってリング状に成長し、
やがてルツボ内表面から剥離する場合がある。剥離した
ルツボ内表面の結晶化部分は、シリコン溶融液の対流に
沿って単結晶と溶融液との界面に達し、引上げられるシ
リコン単結晶に悪影響を及ぼし、単結晶の有転位化の要
因になり得る。
は、Si02のアモルフアス（非晶質）構造で構成されてお
り、単結晶の引上げ過程において高温度のシリコン溶融
液と直接接触することによって、その内表面で結晶化が
進行する。通常、石英ガラスルツボにおける結晶化は不
純物に関連するものと想定されるが、結晶化の核生成の
のち、単結晶の引上げにともなってリング状に成長し、
やがてルツボ内表面から剥離する場合がある。剥離した
ルツボ内表面の結晶化部分は、シリコン溶融液の対流に
沿って単結晶と溶融液との界面に達し、引上げられるシ
リコン単結晶に悪影響を及ぼし、単結晶の有転位化の要
因になり得る。
【０００５】従来から、引上げ過程におけるルツボ内表
面の剥離、溶損を防止して、単結晶の有転位化を回避す
るため、種々の石英ガラスルツボおよびその製造方法が
提案されている。例えば、特開平８−2932号公報では、
作為的にルツボ内表面に厚さ１mm以下の結晶化促進剤を
含有した塗布膜または固溶層を形成して、引上げ時にル
ツボ内表面を積極的に結晶化させることによって、ルツ
ボ内表面の溶損量およびは剥離量を低減させることがで
きる石英ガラスルツボが提案されている。しかし、ここ
で使用される結晶化促進剤とは、ルツボがシリコン融液
と接触した時にルツボ内表面に結晶を生成させる結晶化
剤であって、マグネシウム、ストロンチウム、またはア
ルミニウム等の金属が対象とされている。このため、こ
のような金属不純物を含有した塗布膜または固溶層をル
ツボ内表面に形成することは、単に結晶化を促進するだ
けでなく、ルツボ内表面の結晶化密度を増加させ新たな
剥離要因になるとともに、含有される金属不純物による
シリコン単結晶への悪影響が懸念される。
面の剥離、溶損を防止して、単結晶の有転位化を回避す
るため、種々の石英ガラスルツボおよびその製造方法が
提案されている。例えば、特開平８−2932号公報では、
作為的にルツボ内表面に厚さ１mm以下の結晶化促進剤を
含有した塗布膜または固溶層を形成して、引上げ時にル
ツボ内表面を積極的に結晶化させることによって、ルツ
ボ内表面の溶損量およびは剥離量を低減させることがで
きる石英ガラスルツボが提案されている。しかし、ここ
で使用される結晶化促進剤とは、ルツボがシリコン融液
と接触した時にルツボ内表面に結晶を生成させる結晶化
剤であって、マグネシウム、ストロンチウム、またはア
ルミニウム等の金属が対象とされている。このため、こ
のような金属不純物を含有した塗布膜または固溶層をル
ツボ内表面に形成することは、単に結晶化を促進するだ
けでなく、ルツボ内表面の結晶化密度を増加させ新たな
剥離要因になるとともに、含有される金属不純物による
シリコン単結晶への悪影響が懸念される。
【０００６】一方、特公平７−25561号公報では、石英
ガラスルツボに含有される不純物の影響を回避して、育
成される単結晶に取り込まれる金属不純物を低く抑えら
れるように、シリコン溶融液の浸食を受ける石英ガラス
ルツボの内表面に高純度の透明石英層を形成し、この透
明石英層でのTi、Zr、Er、Feそれぞれの濃度を規定する
とともに、拡散するCuについてルツボ全体での平均濃度
を規定する石英ガラスルツボを使用することが開示され
ている。
ガラスルツボに含有される不純物の影響を回避して、育
成される単結晶に取り込まれる金属不純物を低く抑えら
れるように、シリコン溶融液の浸食を受ける石英ガラス
ルツボの内表面に高純度の透明石英層を形成し、この透
明石英層でのTi、Zr、Er、Feそれぞれの濃度を規定する
とともに、拡散するCuについてルツボ全体での平均濃度
を規定する石英ガラスルツボを使用することが開示され
ている。
【０００７】確かに、透明石英層に含有される不純物を
低濃度に規定することによって、引上げられたシリコン
単結晶を切断加工して得られたウェーハでは、熱酸化時
において酸素誘起積層欠陥の発生を抑制でき、高集積度
の半導体基板として好適な単結晶を育成できることが予
測される。しかし、このような高純度の石英ガラスルツ
ボを用いてシリコン単結晶を引上げる場合であっても、
シリコン溶融液と直接接触するルツボの内表面では結晶
化が行われ、シリコン単結晶の無転位化の阻害要因とな
っている。したがって、どのような石英ガラスルツボを
用いる場合であっても、引上げ過程で生成されるルツボ
内表面の結晶化の挙動とシリコン単結晶の有転位化との
関連を明確にする必要がある。
低濃度に規定することによって、引上げられたシリコン
単結晶を切断加工して得られたウェーハでは、熱酸化時
において酸素誘起積層欠陥の発生を抑制でき、高集積度
の半導体基板として好適な単結晶を育成できることが予
測される。しかし、このような高純度の石英ガラスルツ
ボを用いてシリコン単結晶を引上げる場合であっても、
シリコン溶融液と直接接触するルツボの内表面では結晶
化が行われ、シリコン単結晶の無転位化の阻害要因とな
っている。したがって、どのような石英ガラスルツボを
用いる場合であっても、引上げ過程で生成されるルツボ
内表面の結晶化の挙動とシリコン単結晶の有転位化との
関連を明確にする必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述の通り、シリコン
単結晶の引上げにおいては、シリコン溶融液と直接接触
する石英ガラスルツボの内表面では結晶化が行われ、引
上げられるシリコン単結晶に悪影響を及ぼすことが想定
されているが、未だ、この結晶化挙動とシリコン単結晶
の有転位化との関連が明らかにされていない。
単結晶の引上げにおいては、シリコン溶融液と直接接触
する石英ガラスルツボの内表面では結晶化が行われ、引
上げられるシリコン単結晶に悪影響を及ぼすことが想定
されているが、未だ、この結晶化挙動とシリコン単結晶
の有転位化との関連が明らかにされていない。
【０００９】本発明は、育成されるシリコン単結晶の高
品質化の要請に対応してなされたものであり、単結晶の
引上げ後にルツボ内表面に現れる結晶化挙動を管理する
ことにより、単結晶の無転位化を促進して、高品質なシ
リコン単結晶を歩留まり良く引上げることができるシリ
コン単結晶の育成方法とそれに使用される石英ガラスル
ツボを提供することを目的としている。
品質化の要請に対応してなされたものであり、単結晶の
引上げ後にルツボ内表面に現れる結晶化挙動を管理する
ことにより、単結晶の無転位化を促進して、高品質なシ
リコン単結晶を歩留まり良く引上げることができるシリ
コン単結晶の育成方法とそれに使用される石英ガラスル
ツボを提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するため、シリコン単結晶の引上げ過程でシリ
コン溶融液と石英ガラスルツボとが接触する内表面に現
れる結晶化挙動について詳細に検討した結果、結晶化の
初期段階では生成核を基点として点状に発生し、単結晶
引上げの進行にともなって、結晶化はリング状に広がる
ことを明らかにした。このような結晶化の進展現象は結
晶化斑点と呼ばれ、この結晶化斑点の外周部は茶色を呈
しているので、茶褐色斑点と呼ばれることもある。
題を解決するため、シリコン単結晶の引上げ過程でシリ
コン溶融液と石英ガラスルツボとが接触する内表面に現
れる結晶化挙動について詳細に検討した結果、結晶化の
初期段階では生成核を基点として点状に発生し、単結晶
引上げの進行にともなって、結晶化はリング状に広がる
ことを明らかにした。このような結晶化の進展現象は結
晶化斑点と呼ばれ、この結晶化斑点の外周部は茶色を呈
しているので、茶褐色斑点と呼ばれることもある。
【００１１】さらに検討を加えることによって、この結
晶化斑点は、一般的には不純物が起因していると想定さ
れ、シリコン単結晶を引上げ後に石英ガラスルツボの内
表面を観察、比較すると、結晶化したルツボ内表面に生
成される結晶化斑点の密度がシリコン単結晶の有転位化
に影響を及ぼしており、この結晶化斑点の密度が少ない
石英ガラスルツボを使用してシリコン単結晶を引上げる
場合に、育成される単結晶の有転位化率が減少すること
が分かった。
晶化斑点は、一般的には不純物が起因していると想定さ
れ、シリコン単結晶を引上げ後に石英ガラスルツボの内
表面を観察、比較すると、結晶化したルツボ内表面に生
成される結晶化斑点の密度がシリコン単結晶の有転位化
に影響を及ぼしており、この結晶化斑点の密度が少ない
石英ガラスルツボを使用してシリコン単結晶を引上げる
場合に、育成される単結晶の有転位化率が減少すること
が分かった。
【００１２】また、使用する石英ガラスルツボによって
は、ルツボの内表面に生成される結晶化斑点は、単結晶
引上げ時間、すなわち、シリコン溶融液とルツボの内表
面とが直接接触する時間の経過とともに増加するが、所
定の時間が経過すると結晶化斑点は一定の密度に収束し
て推移することも分かった。
は、ルツボの内表面に生成される結晶化斑点は、単結晶
引上げ時間、すなわち、シリコン溶融液とルツボの内表
面とが直接接触する時間の経過とともに増加するが、所
定の時間が経過すると結晶化斑点は一定の密度に収束し
て推移することも分かった。
【００１３】したがって、単結晶の有転位化を回避し
て、高品質なシリコン単結晶を歩留まり良く育成するに
は、単結晶の引上げ後にルツボ内表面に現れる結晶化斑
点の密度を規定する必要があり、結晶化斑点の密度を規
定より少なくすることによって、シリコン単結晶の有転
位化率を低減することができる。
て、高品質なシリコン単結晶を歩留まり良く育成するに
は、単結晶の引上げ後にルツボ内表面に現れる結晶化斑
点の密度を規定する必要があり、結晶化斑点の密度を規
定より少なくすることによって、シリコン単結晶の有転
位化率を低減することができる。
【００１４】本発明は上記知見に基づいて完成されたも
のであり、次の(1)シリコン単結晶の育成方法、および
(2)石英ガラスルツボを要旨としている。
のであり、次の(1)シリコン単結晶の育成方法、および
(2)石英ガラスルツボを要旨としている。
【００１５】(1)石英ガラスルツボに収容されたシリコ
ン溶融液の表面に種結晶を接触させてそれを上方に引き
上げながら凝固させるシリコン単結晶の育成方法であっ
て、単結晶の引上げ後にルツボの内表面に生成する結晶
化斑点の密度が５個/cm2以下である前記石英ガラスルツ
ボを使用することを特徴とするシリコン単結晶の育成方
法。
ン溶融液の表面に種結晶を接触させてそれを上方に引き
上げながら凝固させるシリコン単結晶の育成方法であっ
て、単結晶の引上げ後にルツボの内表面に生成する結晶
化斑点の密度が５個/cm2以下である前記石英ガラスルツ
ボを使用することを特徴とするシリコン単結晶の育成方
法。
【００１６】(2)シリコン溶融液の表面に種結晶を接触
させてそれを上方に引き上げながら凝固させるシリコン
単結晶の育成に使用される石英ガラスルツボであって、
単結晶の引上げ後にその内表面に生成する結晶化斑点の
密度が５個/cm2以下であることを特徴とする石英ガラス
ルツボ。
させてそれを上方に引き上げながら凝固させるシリコン
単結晶の育成に使用される石英ガラスルツボであって、
単結晶の引上げ後にその内表面に生成する結晶化斑点の
密度が５個/cm2以下であることを特徴とする石英ガラス
ルツボ。
【００１７】本発明において、石英ガラスルツボの種類
を合成石英製または天然石英製に限定するものではな
い。通常、合成石英ガラスルツボは天然石英ガラスルツ
ボに比べ、含有される不純物を少なくすることが可能で
あるが、本発明では結晶化斑点の密度が規定値を満足す
る限りにおいては、いずれの石英ガラスルツボも対象と
することができる。
を合成石英製または天然石英製に限定するものではな
い。通常、合成石英ガラスルツボは天然石英ガラスルツ
ボに比べ、含有される不純物を少なくすることが可能で
あるが、本発明では結晶化斑点の密度が規定値を満足す
る限りにおいては、いずれの石英ガラスルツボも対象と
することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明のシリコン単結晶の育成方
法およびそれに用いられる石英ガラスルツボは、ＣＺ法
によるシリコン単結晶の育成に際して、単結晶の引上げ
後にルツボ内表面に発生する結晶化斑点の密度を規定値
以下に制御することを特徴としている。 ここで、単結
晶の引上げ後としているのは、育成を終了し残ったシリ
コン融液を回収したのち結晶化斑点の密度を観察するこ
とを意味している。後述するように、ルツボ内表面に現
れる結晶化斑点の密度は、ルツボに収容されるシリコン
溶融液との接触時間の増加にともなって増え続ける場合
もあるが、所定時間の経過後一定値に収束する場合もあ
り、単結晶の引上げ後これらを観察することになる。な
お、結晶化斑点の密度は、単位面積当たりの個数を目視
で測定した結果である。
法およびそれに用いられる石英ガラスルツボは、ＣＺ法
によるシリコン単結晶の育成に際して、単結晶の引上げ
後にルツボ内表面に発生する結晶化斑点の密度を規定値
以下に制御することを特徴としている。 ここで、単結
晶の引上げ後としているのは、育成を終了し残ったシリ
コン融液を回収したのち結晶化斑点の密度を観察するこ
とを意味している。後述するように、ルツボ内表面に現
れる結晶化斑点の密度は、ルツボに収容されるシリコン
溶融液との接触時間の増加にともなって増え続ける場合
もあるが、所定時間の経過後一定値に収束する場合もあ
り、単結晶の引上げ後これらを観察することになる。な
お、結晶化斑点の密度は、単位面積当たりの個数を目視
で測定した結果である。
【００１９】本発明では規定値を５個/cm2以下としてい
るが、これは種々の検討結果に基づき、結晶の有転位化
率を０（ゼロ）％に維持するのに必要な条件として規定
したものである。したがって、単結晶の引上げ後の結晶
化斑点の密度が規定値を超える場合には、育成されたシ
リコン単結晶には有転位化のおそれがある。また、結晶
化斑点の密度は、未だ明確値ものとなっていないが、ル
ツボ内表面に含まれる不純物、特にAl等が影響するもの
と予測されている。
るが、これは種々の検討結果に基づき、結晶の有転位化
率を０（ゼロ）％に維持するのに必要な条件として規定
したものである。したがって、単結晶の引上げ後の結晶
化斑点の密度が規定値を超える場合には、育成されたシ
リコン単結晶には有転位化のおそれがある。また、結晶
化斑点の密度は、未だ明確値ものとなっていないが、ル
ツボ内表面に含まれる不純物、特にAl等が影響するもの
と予測されている。
【００２０】以下に、本発明の効果を、実施例に基づい
て具体的に説明する。
て具体的に説明する。
【００２１】
【実施例】図１に示すＣＺ法によるシリコン単結晶の製
造装置を用いて、シリコン単結晶の育成を行った。内径
22インチの石英ガラスルツボをＡおよびＢの２種類を各
２個ずつ準備し、100kgの多結晶原料を溶解したシリコ
ン溶融液を収容して、この融液の表面に種結晶を接触さ
せてそれを上方に引き上げながら凝固させて、シリコン
単結晶の育成を実施した。
造装置を用いて、シリコン単結晶の育成を行った。内径
22インチの石英ガラスルツボをＡおよびＢの２種類を各
２個ずつ準備し、100kgの多結晶原料を溶解したシリコ
ン溶融液を収容して、この融液の表面に種結晶を接触さ
せてそれを上方に引き上げながら凝固させて、シリコン
単結晶の育成を実施した。
【００２２】図２は、シリコン単結晶の引上げ時間の経
過にともなって石英ガラスルツボの内表面に生成される
結晶化斑点の密度推移を示す図である。引上げの初期に
おいては、いずれの石英ガラスルツボともシリコン溶融
液との接触時間の増加にともなって、結晶化斑点の密度
が増加している。その後、ルツボＡは所定の引上げ時間
が経過すると、結晶化斑点の密度は安定し、2.0〜2.5個
/cm2程度で収束する。これに対し、ルツボＢは引上げ時
間の経過にともない、結晶化斑点の密度は漸増を続け、
引上げ時間が７〜８ｈを経過すると結晶化斑点の密度は
5.0個/cm2を超え、さらに引上げを継続すると、結晶化
斑点の密度計測が不能になるほど結晶化斑点が増大し
た。
過にともなって石英ガラスルツボの内表面に生成される
結晶化斑点の密度推移を示す図である。引上げの初期に
おいては、いずれの石英ガラスルツボともシリコン溶融
液との接触時間の増加にともなって、結晶化斑点の密度
が増加している。その後、ルツボＡは所定の引上げ時間
が経過すると、結晶化斑点の密度は安定し、2.0〜2.5個
/cm2程度で収束する。これに対し、ルツボＢは引上げ時
間の経過にともない、結晶化斑点の密度は漸増を続け、
引上げ時間が７〜８ｈを経過すると結晶化斑点の密度は
5.0個/cm2を超え、さらに引上げを継続すると、結晶化
斑点の密度計測が不能になるほど結晶化斑点が増大し
た。
【００２３】ルツボＡでは、シリコン溶融液と接触する
ルツボの内表面に存在し、結晶化斑点の生成核となり得
る不純物が低濃度で、かつ均一に分布しているため、結
晶化斑点の密度は、所定の引上げ時間の経過にともなっ
て一定値に収束したものと推定される。
ルツボの内表面に存在し、結晶化斑点の生成核となり得
る不純物が低濃度で、かつ均一に分布しているため、結
晶化斑点の密度は、所定の引上げ時間の経過にともなっ
て一定値に収束したものと推定される。
【００２４】図３は、ルツボＡおよびＢで育成された単
結晶の有転位化率を比較した図である。結晶化斑点の密
度が本発明の規定値を満足するルツボＡでは、単結晶の
有転位化は見られなかったが、ルツボＢでは単結晶の有
転位化率は40％と高率になった。前述の通り、引上げら
れる単結晶の有転位化は、直接的には結晶化部分の剥離
等に起因するが、これを防止するには単結晶引上げ後の
石英ガラスルツボの内表面に生成される結晶化斑点の密
度が規定値を超えないように管理すれば良いことが分か
る。
結晶の有転位化率を比較した図である。結晶化斑点の密
度が本発明の規定値を満足するルツボＡでは、単結晶の
有転位化は見られなかったが、ルツボＢでは単結晶の有
転位化率は40％と高率になった。前述の通り、引上げら
れる単結晶の有転位化は、直接的には結晶化部分の剥離
等に起因するが、これを防止するには単結晶引上げ後の
石英ガラスルツボの内表面に生成される結晶化斑点の密
度が規定値を超えないように管理すれば良いことが分か
る。
【００２５】
【発明の効果】本発明のシリコン単結晶の育成方法およ
び石英ガラスルツボによれば、ルツボ内表面に生成され
る結晶化部分の剥離を抑制して、引上げられる単結晶の
有転位化を回避して、高品質のシリコン単結晶を歩留ま
り良く製造することができる。
び石英ガラスルツボによれば、ルツボ内表面に生成され
る結晶化部分の剥離を抑制して、引上げられる単結晶の
有転位化を回避して、高品質のシリコン単結晶を歩留ま
り良く製造することができる。
【図１】ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する装置
の概略構成を説明する縦断面図である。
の概略構成を説明する縦断面図である。
【図２】シリコン単結晶の引上げ時間の経過にともなっ
て石英ガラスルツボの内表面に生成される結晶化斑点の
密度推移を示す図である。
て石英ガラスルツボの内表面に生成される結晶化斑点の
密度推移を示す図である。
【図３】ルツボＡおよびＢで育成された単結晶の有転位
化率を比較した図である。
化率を比較した図である。
１：石英ガラスルツボ ２：加熱ヒーター、 ３：単結晶 ４：溶融液、 ５：種結晶 ６：ワイヤ、 ７：金属チャンバー
【手続補正書】
【提出日】平成１０年４月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
Claims (2)
- 【請求項１】石英ガラスルツボに収容されたシリコン溶
融液の表面に種結晶を接触させてそれを上方に引き上げ
ながら凝固させるシリコン単結晶の育成方法であって、
単結晶の引上げ後にルツボの内表面に生成する結晶化斑
点の密度が５個/cm2以下である前記石英ガラスルツボを
使用することを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。 - 【請求項２】シリコン溶融液の表面に種結晶を接触させ
てそれを上方に引き上げながら凝固させるシリコン単結
晶の育成に使用される石英ガラスルツボであって、単結
晶の引上げ後にその内表面に生成する結晶化斑点の密度
が５個/cm2以下であることを特徴とする石英ガラスルツ
ボ。
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|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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ID=12527219
Family Applications (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP4144060B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP2075355A2 (en) | 2007-12-28 | 2009-07-01 | Japan Super Quartz Corporation | Inner crystallization crucible and pulling method using the crucible |
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-
1998
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