JPH11224547A - セミリジッド同軸ケーブル及びその製造方法 - Google Patents
セミリジッド同軸ケーブル及びその製造方法Info
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- JPH11224547A JPH11224547A JP10041184A JP4118498A JPH11224547A JP H11224547 A JPH11224547 A JP H11224547A JP 10041184 A JP10041184 A JP 10041184A JP 4118498 A JP4118498 A JP 4118498A JP H11224547 A JPH11224547 A JP H11224547A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 リフロー炉を通した時に、端末部での絶縁体
の突き出しや外部導体のクラックの発生を防止すること
ができ、端末加工性が良好にでき、更には、めっきによ
る外部導体の形成が良好にできるセミリジッド同軸ケー
ブル及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 中心導体１の外周に多孔質絶縁体２を設
け、この絶縁体２の外周に外部導体５として、無電解め
っきによるアンカー金属層３及び電気めっきによる良導
電性金属層４を設けたセミリジッド同軸ケーブルであっ
て、前記多孔質絶縁体２は、比誘電率（ε）が、１．７
５≦ε＜２．００の条件範囲内の多孔質ポリテトラフル
オロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂であり、また多孔質絶縁
体２の外周に形成されるアンカー金属層３に必要な予備
的処理として、多孔質絶縁体２の外周に、めっきが可能
な金属触媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が、０．８≦
Ｃ＜２．６の条件範囲内で施されているセミリジッド同
軸ケーブル。
の突き出しや外部導体のクラックの発生を防止すること
ができ、端末加工性が良好にでき、更には、めっきによ
る外部導体の形成が良好にできるセミリジッド同軸ケー
ブル及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 中心導体１の外周に多孔質絶縁体２を設
け、この絶縁体２の外周に外部導体５として、無電解め
っきによるアンカー金属層３及び電気めっきによる良導
電性金属層４を設けたセミリジッド同軸ケーブルであっ
て、前記多孔質絶縁体２は、比誘電率（ε）が、１．７
５≦ε＜２．００の条件範囲内の多孔質ポリテトラフル
オロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂であり、また多孔質絶縁
体２の外周に形成されるアンカー金属層３に必要な予備
的処理として、多孔質絶縁体２の外周に、めっきが可能
な金属触媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が、０．８≦
Ｃ＜２．６の条件範囲内で施されているセミリジッド同
軸ケーブル。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セミリジッド同軸ケー
ブル及びその製造方法に関する。更に詳しくは、小型電
子機器の高周波伝送線路に好適な、外部導体をめっきに
より形成させるセミリジッド同軸ケーブル及びその製造
方法に関する。
ブル及びその製造方法に関する。更に詳しくは、小型電
子機器の高周波伝送線路に好適な、外部導体をめっきに
より形成させるセミリジッド同軸ケーブル及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、携帯電話に代表される民生機器等
の高周波回路基板、高周波部品間の伝送線路としてセミ
リジッド同軸ケーブルが広く採用されるようになり、基
板へのはんだ付け作業に於いても、従来のはんだゴテに
よる手作業から、自動化が可能なリフローはんだ付け炉
（以下、リフロー炉と略記する）に変わりつつある。従
来より公知のセミリジッド同軸ケーブルとしては、銀め
っき銅覆鋼線からなる中心導体の外周に充実絶縁体、例
えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）をペース
ト押出しにより形成し、その外周に銅等の良導電性金属
パイプを封入し、ダイスにより引き抜き加工を施し、絶
縁体と密着させて外部導体を形成させたセミリジッド同
軸ケーブル（以下、パイプ引き抜きセミリジッド同軸ケ
ーブルと略記する）がある。
の高周波回路基板、高周波部品間の伝送線路としてセミ
リジッド同軸ケーブルが広く採用されるようになり、基
板へのはんだ付け作業に於いても、従来のはんだゴテに
よる手作業から、自動化が可能なリフローはんだ付け炉
（以下、リフロー炉と略記する）に変わりつつある。従
来より公知のセミリジッド同軸ケーブルとしては、銀め
っき銅覆鋼線からなる中心導体の外周に充実絶縁体、例
えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）をペース
ト押出しにより形成し、その外周に銅等の良導電性金属
パイプを封入し、ダイスにより引き抜き加工を施し、絶
縁体と密着させて外部導体を形成させたセミリジッド同
軸ケーブル（以下、パイプ引き抜きセミリジッド同軸ケ
ーブルと略記する）がある。
【０００３】また、前記良導電性金属パイプの引き抜き
加工の代わりに、外部導体をめっきにより形成させたセ
ミリジッド同軸ケーブル（以下、めっきによるセミリジ
ッド同軸ケーブルと略記する）もある。例えば、外部導
体にアンカー金属層からなる無電解めっきと、電気めっ
きを併用させた特開平６−１８７８４７号の同軸ケーブ
ルの製造方法（本発明者等の発明）は、電気めっき厚さ
を容易にコントロールできるため細径化が可能であり、
軽薄・短小化には好適である。
加工の代わりに、外部導体をめっきにより形成させたセ
ミリジッド同軸ケーブル（以下、めっきによるセミリジ
ッド同軸ケーブルと略記する）もある。例えば、外部導
体にアンカー金属層からなる無電解めっきと、電気めっ
きを併用させた特開平６−１８７８４７号の同軸ケーブ
ルの製造方法（本発明者等の発明）は、電気めっき厚さ
を容易にコントロールできるため細径化が可能であり、
軽薄・短小化には好適である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記パ
イプ引き抜きセミリジッド同軸ケーブルは、リフロー炉
を通した時、引き抜き加工で生じた外部導体の歪みや絶
縁体へのストレス、または外部導体と絶縁体との熱膨張
の相違いによって、端末部では絶縁体が突き出したり、
外部導体にクラックが生じ易くなり、そのことによっ
て、電圧定在波比の悪化やシールド効果の低下を招来す
るという欠点を有している。そのため、外部導体厚さを
必要以上に厚く（例えば１５０μｍ）することで外部導
体のクラックや絶縁体の突き出しを抑制しており、軽薄
・短小化の要求に答えられないという問題があった。
イプ引き抜きセミリジッド同軸ケーブルは、リフロー炉
を通した時、引き抜き加工で生じた外部導体の歪みや絶
縁体へのストレス、または外部導体と絶縁体との熱膨張
の相違いによって、端末部では絶縁体が突き出したり、
外部導体にクラックが生じ易くなり、そのことによっ
て、電圧定在波比の悪化やシールド効果の低下を招来す
るという欠点を有している。そのため、外部導体厚さを
必要以上に厚く（例えば１５０μｍ）することで外部導
体のクラックや絶縁体の突き出しを抑制しており、軽薄
・短小化の要求に答えられないという問題があった。
【０００５】一方、前記めっきによるセミリジッド同軸
ケーブルに於いては、通常、絶縁体としてフッ素樹脂の
充実体を用いるので、リフロー炉を通した時、前記パイ
プ引き抜きセミリジッド同軸ケーブル程ではないが、端
末部では絶縁体が突き出したり、外部導体にクラックが
生じてしまうという問題があった。
ケーブルに於いては、通常、絶縁体としてフッ素樹脂の
充実体を用いるので、リフロー炉を通した時、前記パイ
プ引き抜きセミリジッド同軸ケーブル程ではないが、端
末部では絶縁体が突き出したり、外部導体にクラックが
生じてしまうという問題があった。
【０００６】本発明は、上記従来技術が有する各種問題
点を解決するためになされたもので、リフロー炉を通し
た時に、端末部での絶縁体の突き出しや外部導体のクラ
ックの発生を防止することができ、端末加工性が良好に
でき、更には、めっきによる外部導体の形成が良好にで
きるセミリジッド同軸ケーブル及びその製造方法を提供
することを目的とする。
点を解決するためになされたもので、リフロー炉を通し
た時に、端末部での絶縁体の突き出しや外部導体のクラ
ックの発生を防止することができ、端末加工性が良好に
でき、更には、めっきによる外部導体の形成が良好にで
きるセミリジッド同軸ケーブル及びその製造方法を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の観点として本発明は、中心導体１の外周に多
孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外部導体５
として、無電解めっきによるアンカー金属層３及び電気
めっきによる良導電性金属層４を設けたセミリジッド同
軸ケーブルであって、前記多孔質絶縁体２は、比誘電率
（ε）が、１．７５≦ε＜２．００の条件範囲内の多孔
質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂（以
下、多孔質ＰＴＦＥ樹脂と略記する）であり、また前記
多孔質絶縁体２の外周に形成されるアンカー金属層３に
必要な予備的処理として、前記多孔質絶縁体２の外周
に、めっきが可能な金属触媒（以下、金属触媒と略記す
る）の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が、０．８≦Ｃ＜
２．６の条件範囲内で施されているセミリジッド同軸ケ
ーブルにある。
に、第１の観点として本発明は、中心導体１の外周に多
孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外部導体５
として、無電解めっきによるアンカー金属層３及び電気
めっきによる良導電性金属層４を設けたセミリジッド同
軸ケーブルであって、前記多孔質絶縁体２は、比誘電率
（ε）が、１．７５≦ε＜２．００の条件範囲内の多孔
質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂（以
下、多孔質ＰＴＦＥ樹脂と略記する）であり、また前記
多孔質絶縁体２の外周に形成されるアンカー金属層３に
必要な予備的処理として、前記多孔質絶縁体２の外周
に、めっきが可能な金属触媒（以下、金属触媒と略記す
る）の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が、０．８≦Ｃ＜
２．６の条件範囲内で施されているセミリジッド同軸ケ
ーブルにある。
【０００８】上記本発明の第１の観点のセミリジッド同
軸ケーブルは、ＰＴＦＥからなる多孔質絶縁体２の比誘
電率（ε）が、１．７５≦ε＜２．００の条件範囲内で
あることによって、リフロー炉等によるはんだ付け時の
熱膨張が緩和され、外部導体５のクラックが抑制でき
る。また、端末剥離工程に於いて、外部導体５の引き抜
き時に多孔質絶縁体２が引きちぎれたり、延ばされてし
まうことがなく好ましい。
軸ケーブルは、ＰＴＦＥからなる多孔質絶縁体２の比誘
電率（ε）が、１．７５≦ε＜２．００の条件範囲内で
あることによって、リフロー炉等によるはんだ付け時の
熱膨張が緩和され、外部導体５のクラックが抑制でき
る。また、端末剥離工程に於いて、外部導体５の引き抜
き時に多孔質絶縁体２が引きちぎれたり、延ばされてし
まうことがなく好ましい。
【０００９】なお、比誘電率（ε）が１．７５未満の場
合は、絶縁体の強度が脆いため、端末剥離工程に於い
て、外部導体５の引き抜き時に多孔質絶縁体２が引きち
ぎれたり、引き延ばされてしまうので好ましくない。多
孔質絶縁体２が引き延ばされた状態を図２の写真図に示
す。また、比誘電率（ε）が２．００以上の場合は、外
部導体５のクラックの抑制に効果がないので好ましくな
い。
合は、絶縁体の強度が脆いため、端末剥離工程に於い
て、外部導体５の引き抜き時に多孔質絶縁体２が引きち
ぎれたり、引き延ばされてしまうので好ましくない。多
孔質絶縁体２が引き延ばされた状態を図２の写真図に示
す。また、比誘電率（ε）が２．００以上の場合は、外
部導体５のクラックの抑制に効果がないので好ましくな
い。
【００１０】更に、前記多孔質絶縁体２の外周には、金
属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が０．８≦Ｃ＜２．６の、金
属触媒が設けられているので、良好な無電解めっきが可
能となるため、アンカー金属層３が良好に設けられ、更
に電気めっきを併用することによって良導電性金属層４
が設けられ、めっきによる外部導体５が良好に形成され
る。なお、金属触媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 の測
定方法としては、金属触媒付与後、濃硝酸によって剥離
溶解させ、原子吸光光度計によって濃度測定を行える。
属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が０．８≦Ｃ＜２．６の、金
属触媒が設けられているので、良好な無電解めっきが可
能となるため、アンカー金属層３が良好に設けられ、更
に電気めっきを併用することによって良導電性金属層４
が設けられ、めっきによる外部導体５が良好に形成され
る。なお、金属触媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 の測
定方法としては、金属触媒付与後、濃硝酸によって剥離
溶解させ、原子吸光光度計によって濃度測定を行える。
【００１１】なお、前記金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が
０．８未満の場合は、良好な無電解めっきが出来ないた
め好ましくない。また、金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が
２．６以上の場合は、必要以上に金属触媒が吸着されて
いるため、めっき反応が促進され、絶縁体と外部導体と
の間の密着を低下させてしまうばかりでなく、電気めっ
き時にアンカー金属層が剥離され、一部に無めっきを招
来させてしまうため、良好な外部導体を形成させること
が困難となってしまう。
０．８未満の場合は、良好な無電解めっきが出来ないた
め好ましくない。また、金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が
２．６以上の場合は、必要以上に金属触媒が吸着されて
いるため、めっき反応が促進され、絶縁体と外部導体と
の間の密着を低下させてしまうばかりでなく、電気めっ
き時にアンカー金属層が剥離され、一部に無めっきを招
来させてしまうため、良好な外部導体を形成させること
が困難となってしまう。
【００１２】第２の観点として本発明は、中心導体１の
外周に多孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外
部導体５として、無電解めっきによるアンカー金属層３
及び電気めっきによる良導電性金属層４を設けたセミリ
ジッド同軸ケーブルであって、前記多孔質絶縁体２は、
比誘電率（ε）が、１．８５≦ε≦１．９５の条件範囲
内の多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹
脂であり、また前記多孔質絶縁体２の外周に形成される
アンカー金属層３に必要な予備的処理として、前記多孔
質絶縁体２の外周に、金属触媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／
ｃｍ2が、１．５≦Ｃ≦２．５の条件範囲内で施されて
いるセミリジッド同軸ケーブルにある。
外周に多孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外
部導体５として、無電解めっきによるアンカー金属層３
及び電気めっきによる良導電性金属層４を設けたセミリ
ジッド同軸ケーブルであって、前記多孔質絶縁体２は、
比誘電率（ε）が、１．８５≦ε≦１．９５の条件範囲
内の多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹
脂であり、また前記多孔質絶縁体２の外周に形成される
アンカー金属層３に必要な予備的処理として、前記多孔
質絶縁体２の外周に、金属触媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／
ｃｍ2が、１．５≦Ｃ≦２．５の条件範囲内で施されて
いるセミリジッド同軸ケーブルにある。
【００１３】上記本発明の第２の観点のセミリジッド同
軸ケーブルは、ＰＴＦＥからなる多孔質絶縁体２の比誘
電率（ε）が、１．８５≦ε≦１．９５の条件範囲内で
あることによって、リフロー炉等によるはんだ付け時の
熱膨張が緩和され、外部導体５のクラックが抑制でき
る。また、端末剥離工程に於いて、外部導体５の引き抜
き時に多孔質絶縁体２が引きちぎれたり、引き延ばされ
てしまうことがなく端末加工精度が良好である。この状
態を図３の写真図に示す。
軸ケーブルは、ＰＴＦＥからなる多孔質絶縁体２の比誘
電率（ε）が、１．８５≦ε≦１．９５の条件範囲内で
あることによって、リフロー炉等によるはんだ付け時の
熱膨張が緩和され、外部導体５のクラックが抑制でき
る。また、端末剥離工程に於いて、外部導体５の引き抜
き時に多孔質絶縁体２が引きちぎれたり、引き延ばされ
てしまうことがなく端末加工精度が良好である。この状
態を図３の写真図に示す。
【００１４】なお、比誘電率（ε）が１．８５未満の場
合は、端末剥離工程に於いて、中心導体、多孔質絶縁
体、外部導体の段差加工寸法精度が厳しい場合（例え
ば、±０．１ｍｍ）、その寸法精度を十分に満足できな
い。また、比誘電率（ε）が、１．９５を超える場合
は、厳しいはんだ付け条件を強いられた場合（例えば、
はんだ付け温度３８０℃、はんだ付け時間１０秒）、外
部導体５にクラックを招来してしまうので好ましくな
い。
合は、端末剥離工程に於いて、中心導体、多孔質絶縁
体、外部導体の段差加工寸法精度が厳しい場合（例え
ば、±０．１ｍｍ）、その寸法精度を十分に満足できな
い。また、比誘電率（ε）が、１．９５を超える場合
は、厳しいはんだ付け条件を強いられた場合（例えば、
はんだ付け温度３８０℃、はんだ付け時間１０秒）、外
部導体５にクラックを招来してしまうので好ましくな
い。
【００１５】更に、前記多孔質絶縁体２の外周には、金
属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が１．５≦Ｃ≦２．５の、金
属触媒が設けられているので、良好な無電解めっきが可
能となるため、アンカー金属層３が良好に設けられ、更
に電気めっきを併用することによって良導電性金属層４
が設けられ、めっきによる外部導体５が良好に形成され
る。
属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が１．５≦Ｃ≦２．５の、金
属触媒が設けられているので、良好な無電解めっきが可
能となるため、アンカー金属層３が良好に設けられ、更
に電気めっきを併用することによって良導電性金属層４
が設けられ、めっきによる外部導体５が良好に形成され
る。
【００１６】なお、金属触媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃ
ｍ2 が１．５未満の場合、絶縁体外径が細径の時（例え
ば、０．５ｍｍ以下）は、めっき液と被めっき体（多孔
質絶縁体２）とのバランスが悪く、無電解めっきによる
アンカー金属層３形成時に、一部無めっきを招来させて
しまうので好ましくない。また、金属触媒の金属濃度
（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が２．５を超える場合、絶縁体外径
が細径の時（例えば、０．５ｍｍ以下）は、必要以上に
金属触媒が吸着されているため、めっき反応が促進さ
れ、多孔質絶縁体２と外部導体５との間の密着を低下さ
せてしまうばかりでなく、電気めっき時にアンカー金属
層３が剥離され、一部無めっきを招来させてしまうた
め、良好な外部導体を形成させることが困難となってし
まうので好ましくない。
ｍ2 が１．５未満の場合、絶縁体外径が細径の時（例え
ば、０．５ｍｍ以下）は、めっき液と被めっき体（多孔
質絶縁体２）とのバランスが悪く、無電解めっきによる
アンカー金属層３形成時に、一部無めっきを招来させて
しまうので好ましくない。また、金属触媒の金属濃度
（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が２．５を超える場合、絶縁体外径
が細径の時（例えば、０．５ｍｍ以下）は、必要以上に
金属触媒が吸着されているため、めっき反応が促進さ
れ、多孔質絶縁体２と外部導体５との間の密着を低下さ
せてしまうばかりでなく、電気めっき時にアンカー金属
層３が剥離され、一部無めっきを招来させてしまうた
め、良好な外部導体を形成させることが困難となってし
まうので好ましくない。
【００１７】第３の観点として本発明は、前記めっきが
可能な金属触媒が、パラジウム、金、銀、銅等標準酸化
還元電位が１．５Ｖ以上の金属である前記第１および第
２の観点のセミリジッド同軸ケーブルにある。
可能な金属触媒が、パラジウム、金、銀、銅等標準酸化
還元電位が１．５Ｖ以上の金属である前記第１および第
２の観点のセミリジッド同軸ケーブルにある。
【００１８】上記本発明の第３の観点のセミリジッド同
軸ケーブルは、金属触媒として、パラジウム、金、銀、
銅等標準酸化還元電位が１．５Ｖ以上の金属を好ましく
用いることが出来る。
軸ケーブルは、金属触媒として、パラジウム、金、銀、
銅等標準酸化還元電位が１．５Ｖ以上の金属を好ましく
用いることが出来る。
【００１９】第４の観点として本発明は、中心導体１の
外周に多孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外
部導体５として，無電解めっきによるアンカー金属層３
及び電気めっきによる良導電性金属層４を設けてセミリ
ジッド同軸ケーブル１０とするセミリジッド同軸ケーブ
ルの製造方法であって、前記多孔質絶縁体２は、比誘電
率（ε）が、１．７５≦ε＜２．００の多孔質ポリテト
ラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂をペースト押出し
により形成し、また前記外部導体５を形成する前の予備
的処理として、前記多孔質絶縁体２の外周に、金属濃度
（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が、０．８≦Ｃ＜２．６の、金属触
媒を設けてからアンカー金属層３を形成するセミリジッ
ド同軸ケーブルの製造方法にある。
外周に多孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外
部導体５として，無電解めっきによるアンカー金属層３
及び電気めっきによる良導電性金属層４を設けてセミリ
ジッド同軸ケーブル１０とするセミリジッド同軸ケーブ
ルの製造方法であって、前記多孔質絶縁体２は、比誘電
率（ε）が、１．７５≦ε＜２．００の多孔質ポリテト
ラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂をペースト押出し
により形成し、また前記外部導体５を形成する前の予備
的処理として、前記多孔質絶縁体２の外周に、金属濃度
（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が、０．８≦Ｃ＜２．６の、金属触
媒を設けてからアンカー金属層３を形成するセミリジッ
ド同軸ケーブルの製造方法にある。
【００２０】上記本発明の第４の観点のセミリジッド同
軸ケーブルの製造方法によれば、前記第１の観点のセミ
リジッド同軸ケーブルを効率よく製造することが出来
る。
軸ケーブルの製造方法によれば、前記第１の観点のセミ
リジッド同軸ケーブルを効率よく製造することが出来
る。
【００２１】第５の観点として本発明は、中心導体１の
外周に多孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外
部導体５として，無電解めっきによるアンカー金属層３
及び電気めっきによる良導電性金属層４を設けてセミリ
ジッド同軸ケーブル１０とするセミリジッド同軸ケーブ
ルの製造方法であって、前記多孔質絶縁体２は、比誘電
率（ε）が、１．８５≦ε≦１．９５の多孔質ポリテト
ラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂をペースト押出し
により形成し、また前記外部導体５を形成する前の予備
的処理として、前記多孔質絶縁体２の外周に、金属濃度
（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が、１．５≦Ｃ≦２．５の、めっき
が可能な金属触媒を設けてからアンカー金属層３を形成
するセミリジッド同軸ケーブルの製造方法にある。
外周に多孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外
部導体５として，無電解めっきによるアンカー金属層３
及び電気めっきによる良導電性金属層４を設けてセミリ
ジッド同軸ケーブル１０とするセミリジッド同軸ケーブ
ルの製造方法であって、前記多孔質絶縁体２は、比誘電
率（ε）が、１．８５≦ε≦１．９５の多孔質ポリテト
ラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂をペースト押出し
により形成し、また前記外部導体５を形成する前の予備
的処理として、前記多孔質絶縁体２の外周に、金属濃度
（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が、１．５≦Ｃ≦２．５の、めっき
が可能な金属触媒を設けてからアンカー金属層３を形成
するセミリジッド同軸ケーブルの製造方法にある。
【００２２】上記本発明の第５の観点のセミリジッド同
軸ケーブルの製造方法によれば、前記第２の観点のセミ
リジッド同軸ケーブルを効率よく製造することが出来
る。
軸ケーブルの製造方法によれば、前記第２の観点のセミ
リジッド同軸ケーブルを効率よく製造することが出来
る。
【００２３】第６の観点として本発明は、前記めっきが
可能な金属触媒が、パラジウム、金、銀、銅等標準酸化
還元電位が１．５Ｖ以上の金属である前記第４および第
５の観点のセミリジッド同軸ケーブルの製造方法にあ
る。
可能な金属触媒が、パラジウム、金、銀、銅等標準酸化
還元電位が１．５Ｖ以上の金属である前記第４および第
５の観点のセミリジッド同軸ケーブルの製造方法にあ
る。
【００２４】上記本発明の第６の観点のセミリジッド同
軸ケーブルの製造方法によれば、前記第３の観点のセミ
リジッド同軸ケーブルを効率よく製造することができ
る。
軸ケーブルの製造方法によれば、前記第３の観点のセミ
リジッド同軸ケーブルを効率よく製造することができ
る。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の内容を実施の形態
により詳細に説明する。図１は本発明のセミリジッド同
軸ケーブルの一実施例を示す横断面図である。また、外
部導体の形成方法は、本発明者等の発明である特開平６
−１８７８４７号に準拠している。なお、本発明は本実
施の形態に限定されるものではない。
により詳細に説明する。図１は本発明のセミリジッド同
軸ケーブルの一実施例を示す横断面図である。また、外
部導体の形成方法は、本発明者等の発明である特開平６
−１８７８４７号に準拠している。なお、本発明は本実
施の形態に限定されるものではない。
【００２６】１．第１の実施の形態 中心導体１として、φ０．１６２ｍｍの銀めっき銅覆鋼
線（Ａｇ−ＣＰ）の外周に、絶縁体外径０．５０ｍｍ、
比誘電率１．８５の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押し
出しによって形成し、多孔質絶縁体２を設けた。次に前
記多孔質絶縁体２の表面を金属ナトリウム−ナフタレン
錯体溶液中に浸漬させて親水性化した後水洗し、パラジ
ウム−スズコロイド溶液中に浴温３０℃，３分間の条件
によって浸漬し、該絶縁体２の表面上にパラジウムイオ
ンを吸着させた。更に水洗後、酸性溶液中に浸漬し、パ
ラジウムイオンを金属として還元析出させた。この条件
下によって、めっきが可能な金属触媒を原子吸光によっ
て測定したところ１．５μｇ／ｃｍ2 であった。続い
て、無電解ニッケルめっきによってニッケルからなるア
ンカー金属層３を０．５μｍ厚さに形成させ、更にその
外周に電気硫酸銅めっきによって５０μｍ厚さの銅から
なる良導電性金属層４を施し、前記アンカー金属層３と
良導電性金属層４により外部導体５とし、仕上がり外径
が０．６０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル１０を製造
した。表１にその要部構成を示す。
線（Ａｇ−ＣＰ）の外周に、絶縁体外径０．５０ｍｍ、
比誘電率１．８５の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押し
出しによって形成し、多孔質絶縁体２を設けた。次に前
記多孔質絶縁体２の表面を金属ナトリウム−ナフタレン
錯体溶液中に浸漬させて親水性化した後水洗し、パラジ
ウム−スズコロイド溶液中に浴温３０℃，３分間の条件
によって浸漬し、該絶縁体２の表面上にパラジウムイオ
ンを吸着させた。更に水洗後、酸性溶液中に浸漬し、パ
ラジウムイオンを金属として還元析出させた。この条件
下によって、めっきが可能な金属触媒を原子吸光によっ
て測定したところ１．５μｇ／ｃｍ2 であった。続い
て、無電解ニッケルめっきによってニッケルからなるア
ンカー金属層３を０．５μｍ厚さに形成させ、更にその
外周に電気硫酸銅めっきによって５０μｍ厚さの銅から
なる良導電性金属層４を施し、前記アンカー金属層３と
良導電性金属層４により外部導体５とし、仕上がり外径
が０．６０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル１０を製造
した。表１にその要部構成を示す。
【００２７】２．第２の実施の形態 中心導体１として、φ０．１６２ｍｍの銀めっき銅覆鋼
線の外周に、絶縁体外径０．５０ｍｍ、比誘電率１．９
０の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押し出しによって形
成し、多孔質絶縁体２を設けた。次に前記第１の実施の
形態と同様にして、前記多孔質絶縁体２の表面上にパラ
ジウムイオンを金属として還元析出させた。この条件下
によって、めっきが可能な金属触媒を原子吸光によって
測定したところ２．０μｇ／ｃｍ2 であった。続いて、
前記第１の実施の形態と同様にして、ニッケルからなる
アンカー金属層３を０．５μｍ厚さに形成させ、更にそ
の外周に５０μｍ厚さの銅からなる良導電性金属層４を
施し、仕上がり外径が０．６０ｍｍのセミリジッド同軸
ケーブル１０を製造した。表１にその要部構成を示す。
線の外周に、絶縁体外径０．５０ｍｍ、比誘電率１．９
０の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押し出しによって形
成し、多孔質絶縁体２を設けた。次に前記第１の実施の
形態と同様にして、前記多孔質絶縁体２の表面上にパラ
ジウムイオンを金属として還元析出させた。この条件下
によって、めっきが可能な金属触媒を原子吸光によって
測定したところ２．０μｇ／ｃｍ2 であった。続いて、
前記第１の実施の形態と同様にして、ニッケルからなる
アンカー金属層３を０．５μｍ厚さに形成させ、更にそ
の外周に５０μｍ厚さの銅からなる良導電性金属層４を
施し、仕上がり外径が０．６０ｍｍのセミリジッド同軸
ケーブル１０を製造した。表１にその要部構成を示す。
【００２８】３．第３の実施の形態 中心導体１として、φ０．１６２ｍｍの銀めっき銅覆鋼
線の外周に、絶縁体外径０．５０ｍｍ、比誘電率１．９
５の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押し出しによって形
成し、多孔質絶縁体２を設けた。次に前記第１の実施の
形態と同様にして、前記多孔質絶縁体２の表面上にパラ
ジウムイオンを金属として還元析出させた。この条件下
によって、めっきが可能な金属触媒を原子吸光によって
測定したところ２．５μｇ／ｃｍ2 であった。続いて、
前記第１の実施の形態と同様にして、ニッケルからなる
アンカー金属層３を０．５μｍ厚さに形成させ、更にそ
の外周に５０μｍ厚さの銅からなる良導電性金属層４を
施し、仕上がり外径が０．６０ｍｍのセミリジッド同軸
ケーブル１０を製造した。表１にその要部構成を示す。
線の外周に、絶縁体外径０．５０ｍｍ、比誘電率１．９
５の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押し出しによって形
成し、多孔質絶縁体２を設けた。次に前記第１の実施の
形態と同様にして、前記多孔質絶縁体２の表面上にパラ
ジウムイオンを金属として還元析出させた。この条件下
によって、めっきが可能な金属触媒を原子吸光によって
測定したところ２．５μｇ／ｃｍ2 であった。続いて、
前記第１の実施の形態と同様にして、ニッケルからなる
アンカー金属層３を０．５μｍ厚さに形成させ、更にそ
の外周に５０μｍ厚さの銅からなる良導電性金属層４を
施し、仕上がり外径が０．６０ｍｍのセミリジッド同軸
ケーブル１０を製造した。表１にその要部構成を示す。
【００２９】４．第４の実施の形態 中心導体１として、φ０．１６２ｍｍの銀めっき銅覆鋼
線の外周に、絶縁体外径０．５０ｍｍ、比誘電率１．９
０の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押し出しによって形
成し、多孔質絶縁体２を設けた。次に前記多孔質絶縁体
２の表面を金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液中に浸
漬させて親水性化した後水洗し、塩化金水溶液中に浴温
４０℃，３分間の条件によって浸漬し、該絶縁体２の表
面上に塩化金イオンを吸着させた。更に水洗後、酸性溶
液中に浸漬し、塩化金イオンを金属として還元析出させ
た。この条件下によって、めっきが可能な金属触媒を原
子吸光によって測定したところ２．５μｇ／ｃｍ2 であ
った。続いて、前記第１の実施の形態と同様にして、ニ
ッケルからなるアンカー金属層３を０．５μｍ厚さに形
成させ、更にその外周に５０μｍ厚さの銅からなる良導
電性金属層４を施し、仕上がり外径が０．６０ｍｍのセ
ミリジッド同軸ケーブル１０を製造した。表１にその要
部構成を示す。
線の外周に、絶縁体外径０．５０ｍｍ、比誘電率１．９
０の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押し出しによって形
成し、多孔質絶縁体２を設けた。次に前記多孔質絶縁体
２の表面を金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液中に浸
漬させて親水性化した後水洗し、塩化金水溶液中に浴温
４０℃，３分間の条件によって浸漬し、該絶縁体２の表
面上に塩化金イオンを吸着させた。更に水洗後、酸性溶
液中に浸漬し、塩化金イオンを金属として還元析出させ
た。この条件下によって、めっきが可能な金属触媒を原
子吸光によって測定したところ２．５μｇ／ｃｍ2 であ
った。続いて、前記第１の実施の形態と同様にして、ニ
ッケルからなるアンカー金属層３を０．５μｍ厚さに形
成させ、更にその外周に５０μｍ厚さの銅からなる良導
電性金属層４を施し、仕上がり外径が０．６０ｍｍのセ
ミリジッド同軸ケーブル１０を製造した。表１にその要
部構成を示す。
【００３０】５．第５〜７の実施の形態 第５〜７の実施の形態については、多孔質絶縁体２の比
誘電率と、金属触媒の種類，濃度を表１のように設定
し、その他は前記第１の実施の形態に準じて仕上がり外
径が０．６０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル１０を製
造した。
誘電率と、金属触媒の種類，濃度を表１のように設定
し、その他は前記第１の実施の形態に準じて仕上がり外
径が０．６０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル１０を製
造した。
【００３１】６．比較例 比較例１、２ 比較例１、２については、多孔質絶縁体の比誘電率と、
金属触媒の種類，濃度を表１のように設定し、その他は
前記第１の実施の形態に準じて仕上がり外径が０．６０
ｍｍのセミリジッド同軸ケーブルを製造した。
金属触媒の種類，濃度を表１のように設定し、その他は
前記第１の実施の形態に準じて仕上がり外径が０．６０
ｍｍのセミリジッド同軸ケーブルを製造した。
【００３２】上記本発明の実施の形態及び比較例のセミ
リジッド同軸ケーブルについて、その要部構成を下記表
１に示す。また、本発明の実施の形態及び比較例のセミ
リジッド同軸ケーブルついての特性試験として、端末加
工性とはんだ付け性（はんだ付け時の外部導体のクラッ
ク）を調査した。なお、はんだ付けは、コテ先温度３８
０℃，５秒間の条件で直接コテ先をケーブルに接触させ
た。その結果を、下記表２に示す。
リジッド同軸ケーブルについて、その要部構成を下記表
１に示す。また、本発明の実施の形態及び比較例のセミ
リジッド同軸ケーブルついての特性試験として、端末加
工性とはんだ付け性（はんだ付け時の外部導体のクラッ
ク）を調査した。なお、はんだ付けは、コテ先温度３８
０℃，５秒間の条件で直接コテ先をケーブルに接触させ
た。その結果を、下記表２に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】上記表２から明らかなように、本発明のセ
ミリジッド同軸ケーブルは端末加工性及びはんだ付け性
が良いことが分かる。一方比較例のセミリジッド同軸ケ
ーブルは端末加工性又ははんだ付け性のどちらかが悪い
ことが分かる。
ミリジッド同軸ケーブルは端末加工性及びはんだ付け性
が良いことが分かる。一方比較例のセミリジッド同軸ケ
ーブルは端末加工性又ははんだ付け性のどちらかが悪い
ことが分かる。
【００３６】
【発明の効果】本発明の製造方法により得られるセミリ
ジッド同軸ケーブルでは、ＰＴＦＥからなる多孔質絶縁
体の比誘電率（ε）が、１．７５≦ε＜２．００の条件
範囲内であることによって、リフロー炉等によるはんだ
付け時の熱膨張が緩和され、外部導体のクラックが抑制
できるようになった。また、その外周に形成されるアン
カー金属層に必要な予備的処理として、金属触媒の金属
濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が０．８≦Ｃ＜２．６であるこ
とによって、良好な無電解めっきが可能となるため、電
気めっきを併用することによって、めっきによる外部導
体の形成が良好となった。
ジッド同軸ケーブルでは、ＰＴＦＥからなる多孔質絶縁
体の比誘電率（ε）が、１．７５≦ε＜２．００の条件
範囲内であることによって、リフロー炉等によるはんだ
付け時の熱膨張が緩和され、外部導体のクラックが抑制
できるようになった。また、その外周に形成されるアン
カー金属層に必要な予備的処理として、金属触媒の金属
濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が０．８≦Ｃ＜２．６であるこ
とによって、良好な無電解めっきが可能となるため、電
気めっきを併用することによって、めっきによる外部導
体の形成が良好となった。
【００３７】更に好ましくは、ＰＴＦＥからなる多孔質
絶縁体の比誘電率（ε）が、１．８５≦ε＜１．９５の
条件範囲内であることによって、はんだ付け時の熱膨張
が緩和され、外部導体のクラックが抑制できるとともに
端末加工精度が良好となった。また、その外周に形成さ
れるアンカー金属層に必要な予備的処理として、金属触
媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 を１．５≦Ｃ＜２．５
の条件範囲内にすることによって、絶縁体外径が細径の
場合においても良好な外部導体を形成させることが容易
となった。従って、本発明のセミリジッド同軸ケーブル
は、軽薄・短小化に好適となり、産業上に寄与するとこ
ろ極めて大である。
絶縁体の比誘電率（ε）が、１．８５≦ε＜１．９５の
条件範囲内であることによって、はんだ付け時の熱膨張
が緩和され、外部導体のクラックが抑制できるとともに
端末加工精度が良好となった。また、その外周に形成さ
れるアンカー金属層に必要な予備的処理として、金属触
媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 を１．５≦Ｃ＜２．５
の条件範囲内にすることによって、絶縁体外径が細径の
場合においても良好な外部導体を形成させることが容易
となった。従って、本発明のセミリジッド同軸ケーブル
は、軽薄・短小化に好適となり、産業上に寄与するとこ
ろ極めて大である。
【図１】本発明のセミリジッド同軸ケーブルの一実施例
を示す横断面図である。（従来例にも使用）
を示す横断面図である。（従来例にも使用）
【図２】端末剥離工程に於いて、外部導体の引き抜き時
に多孔質絶縁体が引き延ばされた状態を示す写真図であ
る。
に多孔質絶縁体が引き延ばされた状態を示す写真図であ
る。
【図３】端末剥離工程に於いて、外部導体の引き抜き時
に多孔質絶縁体が引きちぎれたり、引き延ばされてしま
うことがなく、端末加工精度が良好な状態を示す写真図
である。
に多孔質絶縁体が引きちぎれたり、引き延ばされてしま
うことがなく、端末加工精度が良好な状態を示す写真図
である。
１ 中心導体 ２ 多孔質絶縁体 ３ アンカー金属層 ４ 良導電性金属層 ５ 外部導体 １０ セミリジッド同軸ケーブル
Claims (6)
- 【請求項１】 中心導体１の外周に多孔質絶縁体２を設
け、この絶縁体２の外周に外部導体５として、無電解め
っきによるアンカー金属層３及び電気めっきによる良導
電性金属層４を設けたセミリジッド同軸ケーブルであっ
て、 前記多孔質絶縁体２は、比誘電率（ε）が、 １．７５≦ε＜２．００ の条件範囲内の多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂
であり、また前記多孔質絶縁体２の外周に形成されるア
ンカー金属層３に必要な予備的処理として、前記多孔質
絶縁体２の外周に、めっきが可能な金属触媒の金属濃度
（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が、 ０．８≦Ｃ＜２．６ の条件範囲内で施されていることを特徴とするセミリジ
ッド同軸ケーブル。 - 【請求項２】 中心導体１の外周に多孔質絶縁体２を設
け、この絶縁体２の外周に外部導体５として、無電解め
っきによるアンカー金属層３及び電気めっきによる良導
電性金属層４を設けたセミリジッド同軸ケーブルであっ
て、 前記多孔質絶縁体２は、比誘電率（ε）が、 １．８５≦ε≦１．９５ の条件範囲内の多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂
であり、また前記多孔質絶縁体２の外周に形成されるア
ンカー金属層３に必要な予備的処理として、前記多孔質
絶縁体２の外周に、めっきが可能な金属触媒の金属濃度
（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が、 １．５≦Ｃ≦２．５ の条件範囲内で施されていることを特徴とするセミリジ
ッド同軸ケーブル。 - 【請求項３】 前記めっきが可能な金属触媒が、パラジ
ウム、金、銀、銅等標準酸化還元電位が１．５Ｖ以上の
金属であることを特徴とする請求項１または２記載のセ
ミリジッド同軸ケーブル。 - 【請求項４】 中心導体１の外周に多孔質絶縁体２を設
け、この絶縁体２の外周に外部導体５として、無電解め
っきによるアンカー金属層３及び電気めっきによる良導
電性金属層４を設けてセミリジッド同軸ケーブル１０と
するセミリジッド同軸ケーブルの製造方法であって、 前記多孔質絶縁体２は、比誘電率（ε）が、１．７５≦
ε＜２．００の多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂
をペースト押出しにより形成し、また前記外部導体５を
形成する前の予備的処理として、前記多孔質絶縁体２の
外周に、金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が、０．８≦Ｃ＜
２．６の、めっきが可能な金属触媒を設けてからアンカ
ー金属層３を形成することを特徴とするセミリジッド同
軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項５】 中心導体１の外周に多孔質絶縁体２を設
け、この絶縁体２の外周に外部導体５として，無電解め
っきによるアンカー金属層３及び電気めっきによる良導
電性金属層４を設けてセミリジッド同軸ケーブル１０と
するセミリジッド同軸ケーブルの製造方法であって、 前記多孔質絶縁体２は、比誘電率（ε）が、１．８５≦
ε≦１．９５の多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂
をペースト押出しにより形成し、また前記外部導体５を
形成する前の予備的処理として、前記多孔質絶縁体２の
外周に、金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ2 が、１．５≦Ｃ≦
２．５の、めっきが可能な金属触媒を設けてからアンカ
ー金属層３を形成することを特徴とするセミリジッド同
軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項６】 前記めっきが可能な金属触媒が、パラジ
ウム、金、銀、銅等標準酸化還元電位が１．５Ｖ以上の
金属であることを特徴とする請求項４または５記載のセ
ミリジッド同軸ケーブルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4118498A JP3599308B2 (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | セミリジッド同軸ケーブル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4118498A JP3599308B2 (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | セミリジッド同軸ケーブル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11224547A true JPH11224547A (ja) | 1999-08-17 |
| JP3599308B2 JP3599308B2 (ja) | 2004-12-08 |
Family
ID=12601343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4118498A Expired - Fee Related JP3599308B2 (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | セミリジッド同軸ケーブル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3599308B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003028040A1 (fr) * | 2001-08-22 | 2003-04-03 | Nec Corporation | Cable semi-rigide |
| US6696647B2 (en) | 2002-03-05 | 2004-02-24 | Hitachi Cable, Ltd. | Coaxial cable and coaxial multicore cable |
| JP2008099177A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Nec Corp | 伝送線路装置 |
| WO2010064579A1 (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-10 | 株式会社フジクラ | 伝送ケーブル及びそれを用いた信号伝送ケーブル |
| JP2011188536A (ja) * | 2011-06-30 | 2011-09-22 | Nec Corp | 伝送線路装置 |
| CN107501836A (zh) * | 2016-06-14 | 2017-12-22 | 日立金属株式会社 | 电缆 |
-
1998
- 1998-02-06 JP JP4118498A patent/JP3599308B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003028040A1 (fr) * | 2001-08-22 | 2003-04-03 | Nec Corporation | Cable semi-rigide |
| US7122737B2 (en) | 2001-08-22 | 2006-10-17 | Nec Corporation | Semi-rigid cable |
| US6696647B2 (en) | 2002-03-05 | 2004-02-24 | Hitachi Cable, Ltd. | Coaxial cable and coaxial multicore cable |
| JP2008099177A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Nec Corp | 伝送線路装置 |
| WO2010064579A1 (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-10 | 株式会社フジクラ | 伝送ケーブル及びそれを用いた信号伝送ケーブル |
| JP2011188536A (ja) * | 2011-06-30 | 2011-09-22 | Nec Corp | 伝送線路装置 |
| CN107501836A (zh) * | 2016-06-14 | 2017-12-22 | 日立金属株式会社 | 电缆 |
| CN107501836B (zh) * | 2016-06-14 | 2020-12-25 | 日立金属株式会社 | 电缆 |
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|---|---|
| JP3599308B2 (ja) | 2004-12-08 |
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