CN112397263B - 一种微型射频玻璃绝缘子的表面处理方法 - Google Patents

一种微型射频玻璃绝缘子的表面处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112397263B
CN112397263B CN202011224799.4A CN202011224799A CN112397263B CN 112397263 B CN112397263 B CN 112397263B CN 202011224799 A CN202011224799 A CN 202011224799A CN 112397263 B CN112397263 B CN 112397263B
Authority
CN
China
Prior art keywords
radio frequency
layer
glass insulator
frequency glass
micro radio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011224799.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112397263A (zh
Inventor
徐玉娟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
40th Institute Of China Electronics Technology Corp
Original Assignee
40th Institute Of China Electronics Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 40th Institute Of China Electronics Technology Corp filed Critical 40th Institute Of China Electronics Technology Corp
Priority to CN202011224799.4A priority Critical patent/CN112397263B/zh
Publication of CN112397263A publication Critical patent/CN112397263A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112397263B publication Critical patent/CN112397263B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B19/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing insulators or insulating bodies
    • H01B19/04—Treating the surfaces, e.g. applying coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C25D5/14—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium two or more layers being of nickel or chromium, e.g. duplex or triplex layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

本发明公开了一种微型射频玻璃绝缘子的表面处理方法，首先对高温烧结形成的微型射频玻璃绝缘子其表面进行第一次化学抛光处理，然后进行磁力研磨，最后进行第二次化学抛光；第二次化学抛光后，在微型射频玻璃绝缘子的表面进行交叉电镀处理，电镀镀层由内向外包括有四层，分别为第一层镍层、第一层金层、第二层镍层和第二层金层。本发明采用二次化学抛光+磁力研磨联合的方法进行电镀前的处理，使得引线根部的氧化层能够彻底去除，表面状态均匀一致，即使得后续表面镀覆金属后，镀层结构致密均匀，光滑一致，消除了镀层应力敏感性；本发明采用镍金交叉镀覆技术，使得镀层结构致密、无应力腐蚀通道，有效的消除了应力。

Description

一种微型射频玻璃绝缘子的表面处理方法
技术领域
本发明涉及射频玻璃绝缘子技术领域，具体是一种微型射频玻璃绝缘子的表面处理方法。
背景技术
随着电子集成化程度的提高，射频玻璃绝缘子结构尺寸越来越趋向于微型化。见图1，微型射频玻璃绝缘子是由引线1、玻璃坯2和外壳3由内而外三种组件在氮气保护下通过高温烧结而成，其引线直径≤φ0.5mm，外壳直径约φ1.5～φ3mm。微型射频玻璃绝缘子作为射频连接器件内外电路的绝缘支撑，其功能为连接引线1两端所安装器件的内外部电路，起到传输电信号、绝缘以及密封的作用。为了提高微型射频玻璃绝缘子的防腐能力和可焊性，通常在金属材料(外壳3和伸出到外壳3外的引线1部分)表面电镀金层保护。微型射频玻璃绝缘子的现有表面处理技术是采用一步化学抛光工艺和单一镀层结构的方法，由于玻璃绝缘子引线1最大直径仅为φ0.5mm，以及结构设计的特殊性，引线1根部氧化层通过一步化学抛光无法彻底去除，残留的氧化层和化学反应气泡4附着在引线1根部，镀覆一层镍金后，镀层表面粗糙，有缺陷，易发生应力腐蚀开裂。引起应力腐蚀开裂的要素有：材料具有应力腐蚀敏感性、具备应力条件、存在应力腐蚀的介质，应力腐蚀开裂必须同时满足这三个条件才会发生。微型射频玻璃绝缘子引线根部镀层粗糙使镀层具有应力敏感性，单层镍金镀层具有微缺陷使得镀层具备应力条件，而在生产、使用过程中不可避免的存在氯离子富集，即腐蚀介质。在上述因素的共同作用下，引线根部常出现应力腐蚀开裂问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种微型射频玻璃绝缘子的表面处理方法，有效的解决了微型射频玻璃绝缘子引线根部应力腐蚀开裂的问题。
本发明的技术方案为：
一种微型射频玻璃绝缘子的表面处理方法，具体包括有以下步骤：
(1)、首先对高温烧结形成的微型射频玻璃绝缘子其表面进行第一次化学抛光处理，去除引线根部大部分的氧化层，然后对微型射频玻璃绝缘子的表面进行磁力研磨，去除引线根部残余的氧化层和化学反应气泡，最后进行第二次化学抛光使微型射频玻璃绝缘子外壳和引线部分的可伐合金完全裸露；
(2)、在微型射频玻璃绝缘子的表面进行交叉电镀处理，电镀镀层由内向外包括有四层，分别为第一层镍层、第一层金层、第二层镍层和第二层金层。
所述的第一层镍层的厚度为1.5微米，第一层金层的厚度为0.2微米，第二层镍层的厚度为2微米，第二层金层的厚度为1微米。
本发明的优点：
本发明采用二次化学抛光+磁力研磨联合的方法进行电镀前的处理，使得引线根部的氧化层能够彻底去除，表面状态均匀一致，即使得后续表面镀覆金属后，镀层结构致密均匀，光滑一致，消除了镀层应力敏感性；本发明采用镍金交叉镀覆技术，使得镀层结构致密、无应力腐蚀通道，有效的消除了应力。
附图说明
图1是微型射频玻璃绝缘子的结构示意图。
图2是本发明电镀前处理后引线根部的扫描状态图。
图3是射频玻璃绝缘子一步化学抛光后引线根部的扫描状态图。
图4是本发明电镀后引线根部的SEM图。
图5是本发明微型射频玻璃绝缘子镀层结构的金相分析图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种微型射频玻璃绝缘子的表面处理方法，具体包括有以下步骤：
(1)、微型射频玻璃绝缘子在高温烧结后引线根部有0.2mm左右的严重氧化区域，其主要成分为Fe、Co、N i、S i、C等氧化物；首先对高温烧结形成的微型射频玻璃绝缘子其表面进行第一次化学抛光处理，去除引线根部大部分的氧化层，然后对微型射频玻璃绝缘子的表面进行磁力研磨，去除引线根部残余的氧化层和化学反应气泡，最后进行第二次化学抛光使微型射频玻璃绝缘子外壳和引线部分的可伐合金完全裸露；从图2和图3的对比可以看出：采用一步化学抛光进行电镀前处理的引线根部仍有残余氧化层以及杂质元素，表面粗糙且状态不一致(见图3)；本发明采用二次化学抛光+磁力研磨联合的方法处理后，引线根部氧化层能够彻底去除，表面状态均匀一致(见图2)；通过二次化学抛光+研磨工艺处理的基体表面镀覆金属后，镀层结构致密均匀，光滑一致(见图4)，消除了镀层应力敏感性；
(2)、在微型射频玻璃绝缘子的表面进行交叉电镀处理，电镀镀层由内向外包括有四层(见图5)，分别为厚度为1.5微米第一层镍层5、厚度为0.2微米的第一层金层6、厚度为2微米的第二层镍层7和厚度为1微米的第二层金层8；第一层镍层5和第一层金层6作为底镀层，起到屏障作用；第二层镍层7和第二层金层8作为外镀层，起到功能性防护作用。从镀层的金相分析结果(见图5)中可以看出：交叉的各个镀层结构皆均匀的覆盖在基体表面，且镀层结构致密、无应力腐蚀通道。采用镍-金-镍-金交叉的镀层结构有效的消除了应力。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (2)

1.一种微型射频玻璃绝缘子的表面处理方法，其特征在于：具体包括有以下步骤：
(1)、首先对高温烧结形成的微型射频玻璃绝缘子其表面进行第一次化学抛光处理，去除引线根部大部分的氧化层，然后对微型射频玻璃绝缘子的表面进行磁力研磨，去除引线根部残余的氧化层和化学反应气泡，最后进行第二次化学抛光使微型射频玻璃绝缘子外壳和引线部分的可伐合金完全裸露；
(2)、在微型射频玻璃绝缘子的表面进行交叉电镀处理，电镀镀层由内向外包括有四层，分别为第一层镍层、第一层金层、第二层镍层和第二层金层。
2.根据权利要求1所述的一种微型射频玻璃绝缘子的表面处理方法，其特征在于：所述的第一层镍层的厚度为1.5微米，第一层金层的厚度为0.2微米，第二层镍层的厚度为2微米，第二层金层的厚度为1微米。
CN202011224799.4A 2020-11-05 2020-11-05 一种微型射频玻璃绝缘子的表面处理方法 Active CN112397263B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011224799.4A CN112397263B (zh) 2020-11-05 2020-11-05 一种微型射频玻璃绝缘子的表面处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011224799.4A CN112397263B (zh) 2020-11-05 2020-11-05 一种微型射频玻璃绝缘子的表面处理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112397263A CN112397263A (zh) 2021-02-23
CN112397263B true CN112397263B (zh) 2021-12-28

Family

ID=74598193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011224799.4A Active CN112397263B (zh) 2020-11-05 2020-11-05 一种微型射频玻璃绝缘子的表面处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112397263B (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE745514A (fr) * 1969-02-06 1970-07-16 Western Electric Co Isolateur hyperfrequence
DE19615242A1 (de) * 1996-04-18 1997-10-23 Daimler Benz Ag Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen auf Kunststoffoberflächen
CN102097190A (zh) * 2009-12-09 2011-06-15 沈阳临德陶瓷研发有限公司 一种硼硅酸盐玻璃绝缘子用黑色标记釉的制备方法
CN102277602A (zh) * 2011-07-13 2011-12-14 中国振华集团群英无线电器材厂 一种金属-玻璃封接技术的金属前期处理方法
CN103624634A (zh) * 2013-11-26 2014-03-12 辽宁科技大学 一种厚壁陶瓷管内表面磁力研磨抛光方法及其装置
CN205621916U (zh) * 2016-04-13 2016-10-05 四川斯艾普电子科技有限公司 一种射频单芯玻璃绝缘子连接器
CN106935336A (zh) * 2017-03-01 2017-07-07 河北盛平电子科技有限公司 内表面金属化空芯陶瓷绝缘子、空芯金属化设备和方法
CN108011241A (zh) * 2017-12-31 2018-05-08 中国电子科技集团公司第四十研究所 N型接口射频同轴连接器气密结构
CN109321957A (zh) * 2018-10-24 2019-02-12 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种环保型外壳镀覆前处理蚀刻液工艺及镀覆方法
CN109686514A (zh) * 2018-12-24 2019-04-26 河北中瓷电子科技有限公司 陶瓷绝缘子线路镀覆方法
CN110885996A (zh) * 2019-12-25 2020-03-17 东莞立德精密工业有限公司 一种五金件表面处理工艺及五金件

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE745514A (fr) * 1969-02-06 1970-07-16 Western Electric Co Isolateur hyperfrequence
DE19615242A1 (de) * 1996-04-18 1997-10-23 Daimler Benz Ag Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen auf Kunststoffoberflächen
CN102097190A (zh) * 2009-12-09 2011-06-15 沈阳临德陶瓷研发有限公司 一种硼硅酸盐玻璃绝缘子用黑色标记釉的制备方法
CN102277602A (zh) * 2011-07-13 2011-12-14 中国振华集团群英无线电器材厂 一种金属-玻璃封接技术的金属前期处理方法
CN103624634A (zh) * 2013-11-26 2014-03-12 辽宁科技大学 一种厚壁陶瓷管内表面磁力研磨抛光方法及其装置
CN205621916U (zh) * 2016-04-13 2016-10-05 四川斯艾普电子科技有限公司 一种射频单芯玻璃绝缘子连接器
CN106935336A (zh) * 2017-03-01 2017-07-07 河北盛平电子科技有限公司 内表面金属化空芯陶瓷绝缘子、空芯金属化设备和方法
CN108011241A (zh) * 2017-12-31 2018-05-08 中国电子科技集团公司第四十研究所 N型接口射频同轴连接器气密结构
CN109321957A (zh) * 2018-10-24 2019-02-12 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种环保型外壳镀覆前处理蚀刻液工艺及镀覆方法
CN109686514A (zh) * 2018-12-24 2019-04-26 河北中瓷电子科技有限公司 陶瓷绝缘子线路镀覆方法
CN110885996A (zh) * 2019-12-25 2020-03-17 东莞立德精密工业有限公司 一种五金件表面处理工艺及五金件

Also Published As

Publication number Publication date
CN112397263A (zh) 2021-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI391525B (zh) 多股絞合的鍍銅之鋁電纜及其製造方法
EP3136427B1 (en) Bonding wire for semiconductor device
US3999955A (en) Strip for lead frames
KR20060032210A (ko) 적층형 세라믹 전자부품 및 그 제조방법
CN103491716A (zh) 图案导电线路的结构及形成方法
CN111732455B (zh) 一种双锡层陶瓷导电材料及其制备方法
CN112376090A (zh) 一种铜基镀钯镍合金键合丝的制备方法
CN112397263B (zh) 一种微型射频玻璃绝缘子的表面处理方法
US6841191B2 (en) Varistor and fabricating method of zinc phosphate insulation for the same
US4055062A (en) Process for manufacturing strip lead frames
CN111653541A (zh) 一种镀铁镀铂的双镀层键合铜丝
JP5287211B2 (ja) セラミック電子部品の製造方法および製造装置
KR101038491B1 (ko) 리드프레임 및 그 제조 방법
JP3599308B2 (ja) セミリジッド同軸ケーブル及びその製造方法
JPS62266842A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2004111072A (ja) 平角強磁性導体およびその製造方法、及び該導体を用いたエナメル被覆平角強磁性線、自己融着性エナメル被覆平角強磁性線および強磁性フラットケーブル
JPS586794B2 (ja) 部分ニツケル層の形成方法
CN211208718U (zh) 连接器引脚、连接器和电子设备
US2197632A (en) Electrical rectifier
JP7180774B2 (ja) 銅被覆鋼線、撚線、絶縁電線およびケーブル
US7135415B2 (en) Insulated structure of a chip array component and fabrication method of the same
JP4787462B2 (ja) 絶縁性下地上の導電性被覆物の製造法およびこの種の被覆された下地
JPS586279B2 (ja) 気密端子の製造方法
JPS63254685A (ja) ニッケルを基礎とした電気的接触デバイス
KR100294911B1 (ko) 반도체리드프레임

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant