JPH11217668A - Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金系スパッタリングターゲット材の製造方法 - Google Patents
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金系スパッタリングターゲット材の製造方法Info
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- JPH11217668A JPH11217668A JP1718298A JP1718298A JPH11217668A JP H11217668 A JPH11217668 A JP H11217668A JP 1718298 A JP1718298 A JP 1718298A JP 1718298 A JP1718298 A JP 1718298A JP H11217668 A JPH11217668 A JP H11217668A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 主として磁気記録媒体の下地膜および磁気記
録膜用のＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金スパッタリングターゲッ
ト材の製造方法を提供すること。 【解決手段】 金属製カプセルに、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合
金粉末を適量収容して脱気密封し、このカプセルを加熱
して加圧圧縮用金型内で強圧して、高密度、かつ高強度
を有し、Ｃｏ−Ｃｒ合金相であるσ相が微細に分散して
いることを特徴とするＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金系スパッタ
リングターゲット材の製造方法。
録膜用のＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金スパッタリングターゲッ
ト材の製造方法を提供すること。 【解決手段】 金属製カプセルに、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合
金粉末を適量収容して脱気密封し、このカプセルを加熱
して加圧圧縮用金型内で強圧して、高密度、かつ高強度
を有し、Ｃｏ−Ｃｒ合金相であるσ相が微細に分散して
いることを特徴とするＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金系スパッタ
リングターゲット材の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として磁気記録
媒体の下地膜および磁気記録膜用のスパッタリングター
ゲット材の製造方法に関し、さらに詳しくは、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｚｒ合金スパッタリングターゲット材の製造方法に
関するものである。
媒体の下地膜および磁気記録膜用のスパッタリングター
ゲット材の製造方法に関し、さらに詳しくは、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｚｒ合金スパッタリングターゲット材の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器材料の分野のなかでもコ
ンピュータのハードディスクなどの磁気記録媒体用薄膜
の需要は急激な増加の傾向にあり、ハードディスク市場
もますます拡大している。このハードディスクの基板に
は通常Ａｌ合金が用いられているが、２．５インチ以下
のハードディスクの一部にはガラス基板を使用している
ものもある。しかし、ガラス基板の場合では、通常下地
膜に使用しているＣｒとガラスの接着性が悪いため、ガ
ラスとの接着を改善するために下地膜にＣｏ−Ｃｒ−Ｚ
ｒ系合金が有望であることがわかってきた。しかし、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金中にはＣｏ−Ｃｒ合金相であるσ
相が存在するため、非常に脆く、鋳造法あるいは等方性
熱間静水圧プレス（以下「ＨＩＰ」という。）工法では
ターゲット形状に加工中あるいは、スパッタ中に割れを
生じたりするといった問題点があった。
ンピュータのハードディスクなどの磁気記録媒体用薄膜
の需要は急激な増加の傾向にあり、ハードディスク市場
もますます拡大している。このハードディスクの基板に
は通常Ａｌ合金が用いられているが、２．５インチ以下
のハードディスクの一部にはガラス基板を使用している
ものもある。しかし、ガラス基板の場合では、通常下地
膜に使用しているＣｒとガラスの接着性が悪いため、ガ
ラスとの接着を改善するために下地膜にＣｏ−Ｃｒ−Ｚ
ｒ系合金が有望であることがわかってきた。しかし、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金中にはＣｏ−Ｃｒ合金相であるσ
相が存在するため、非常に脆く、鋳造法あるいは等方性
熱間静水圧プレス（以下「ＨＩＰ」という。）工法では
ターゲット形状に加工中あるいは、スパッタ中に割れを
生じたりするといった問題点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】鋳造工法、ＨＩＰ工法
により作製したＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ系ターゲット材はター
ゲット材製造中に粗大化したＣｏ−Ｃｒ合金相であるσ
相が存在するため、そのσ相が起点となり、ターゲット
形状に加工中あるいは、スパッタ中に割れを生じたりす
るといった強度的な問題点があった。ＨＩＰ工法は一般
に工業的には時間とコストがかかり、量産に適している
とはいいがたい。加えてＨＩＰ工法では高密度に固化成
形できておらず、ポアが存在し、そのポアがスパッタ時
のパーティクル発生の原因となり膜作製のトラブルを生
じやすい。またスパッタ中にポアの部分に熱応力が集中
して割れやすい。本発明はこのような状況の下でなされ
たものであって、その目的とするところは、従来技術に
見られる種々の問題点を発生させることなく、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｚｒ合金スパッタリングターゲット材の製造方法を
提供することである。
により作製したＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ系ターゲット材はター
ゲット材製造中に粗大化したＣｏ−Ｃｒ合金相であるσ
相が存在するため、そのσ相が起点となり、ターゲット
形状に加工中あるいは、スパッタ中に割れを生じたりす
るといった強度的な問題点があった。ＨＩＰ工法は一般
に工業的には時間とコストがかかり、量産に適している
とはいいがたい。加えてＨＩＰ工法では高密度に固化成
形できておらず、ポアが存在し、そのポアがスパッタ時
のパーティクル発生の原因となり膜作製のトラブルを生
じやすい。またスパッタ中にポアの部分に熱応力が集中
して割れやすい。本発明はこのような状況の下でなされ
たものであって、その目的とするところは、従来技術に
見られる種々の問題点を発生させることなく、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｚｒ合金スパッタリングターゲット材の製造方法を
提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決した本
発明の方法の要旨とするところは、 （１）金属製カプセルに、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金粉末を
適量収容して脱気密封し、このカプセルを加熱して加圧
圧縮用金型内で強圧し、ついでこのカプセルを取出して
冷却し、カプセルに由来する金属部分を除去して、高密
度かつ高強度を有し、Ｃｏ−Ｃｒ合金相であるσ相が微
細に分散していることを特徴とするＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合
金系スパッタリングターゲット材の製造方法。
発明の方法の要旨とするところは、 （１）金属製カプセルに、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金粉末を
適量収容して脱気密封し、このカプセルを加熱して加圧
圧縮用金型内で強圧し、ついでこのカプセルを取出して
冷却し、カプセルに由来する金属部分を除去して、高密
度かつ高強度を有し、Ｃｏ−Ｃｒ合金相であるσ相が微
細に分散していることを特徴とするＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合
金系スパッタリングターゲット材の製造方法。
【０００５】（２）Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット中
のＣｏ−Ｃｒ合金相であるσ相の大きさは１０μｍ以下
で分散していることを特徴とする前記（１）記載のＣｏ
−Ｃｒ−Ｚｒ合金系スパッタリングターゲット材の製造
方法。 （３）Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲットの組成は、Ｃ
ｒ：２０〜４０ａｔ％、Ｚｒ：５〜３０ａｔ％、残部が
Ｃｏからなることを特徴とする前記（１）記載のＣｏ−
Ｃｒ−Ｚｒ合金系スパッタリングターゲット材の製造方
法。
のＣｏ−Ｃｒ合金相であるσ相の大きさは１０μｍ以下
で分散していることを特徴とする前記（１）記載のＣｏ
−Ｃｒ−Ｚｒ合金系スパッタリングターゲット材の製造
方法。 （３）Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲットの組成は、Ｃ
ｒ：２０〜４０ａｔ％、Ｚｒ：５〜３０ａｔ％、残部が
Ｃｏからなることを特徴とする前記（１）記載のＣｏ−
Ｃｒ−Ｚｒ合金系スパッタリングターゲット材の製造方
法。
【０００６】
【発明の実施の形態】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金粉末をガス
アトマイズ法により作製し、金属製カプセルに、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｚｒ合金粉末を適量収容して脱気密封し、このカ
プセルを加熱して加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこ
のカプセルを取出して冷却し、カプセルに由来する金属
部分を除去して、高密度のＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲ
ット材を製造する。加熱温度は融点の１５０℃以下であ
るため、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金粉末は溶解されることな
く、固化成形することから固化成形されたターゲット材
の組織は粉末の微細な組織のままであり、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｚｒ合金ターゲット材中に存在するＣｏ−Ｃｒ合金相で
あるσ相の大きさも１０μｍ以下に微細に分散してい
る。
アトマイズ法により作製し、金属製カプセルに、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｚｒ合金粉末を適量収容して脱気密封し、このカ
プセルを加熱して加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこ
のカプセルを取出して冷却し、カプセルに由来する金属
部分を除去して、高密度のＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲ
ット材を製造する。加熱温度は融点の１５０℃以下であ
るため、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金粉末は溶解されることな
く、固化成形することから固化成形されたターゲット材
の組織は粉末の微細な組織のままであり、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｚｒ合金ターゲット材中に存在するＣｏ−Ｃｒ合金相で
あるσ相の大きさも１０μｍ以下に微細に分散してい
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明について実施例によって具体的
に説明する。 （実施例１）ガスアトマイズ法により作製したＣｏ−２
０Ｃｒ−２０Ｚｒａｔ％合金粉末を外径１４８ｍｍ、肉
厚４ｍｍ、長さ１００ｍｍの炭素鋼製のカプセルに充填
し、脱気密封した後このカプセルを加熱して加圧圧縮用
金型内で強圧し、ついでこのカプセルを取出して冷却
し、カプセルに由来する金属部分を除去して、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｚｒ合金ターゲット材の作製を試みた。上記のとお
りターゲット材の作製を行った結果、機械加工による割
れ欠けもなく、機械的強度を有する所望のＣｏ−Ｃｒ−
Ｚｒ合金ターゲット材が得られた。
に説明する。 （実施例１）ガスアトマイズ法により作製したＣｏ−２
０Ｃｒ−２０Ｚｒａｔ％合金粉末を外径１４８ｍｍ、肉
厚４ｍｍ、長さ１００ｍｍの炭素鋼製のカプセルに充填
し、脱気密封した後このカプセルを加熱して加圧圧縮用
金型内で強圧し、ついでこのカプセルを取出して冷却
し、カプセルに由来する金属部分を除去して、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｚｒ合金ターゲット材の作製を試みた。上記のとお
りターゲット材の作製を行った結果、機械加工による割
れ欠けもなく、機械的強度を有する所望のＣｏ−Ｃｒ−
Ｚｒ合金ターゲット材が得られた。
【０００８】（実施例２）ガスアトマイズ法により作製
したＣｏ−３０Ｃｒ−２０Ｚｒａｔ％合金粉末を外径１
４８ｍｍ、肉厚４ｍｍ、長さ１００ｍｍの炭素鋼製のカ
プセルに充填し、脱気密封した後このカプセルを加熱し
て加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこのカプセルを取
出して冷却し、カプセルに由来する金属部分を除去し
て、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット材の作製を試み
た。上記のとおりターゲット材の作製を行った結果、機
械加工による割れ欠けもなく、機械的強度を有する所望
のＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット材が得られた。
したＣｏ−３０Ｃｒ−２０Ｚｒａｔ％合金粉末を外径１
４８ｍｍ、肉厚４ｍｍ、長さ１００ｍｍの炭素鋼製のカ
プセルに充填し、脱気密封した後このカプセルを加熱し
て加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこのカプセルを取
出して冷却し、カプセルに由来する金属部分を除去し
て、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット材の作製を試み
た。上記のとおりターゲット材の作製を行った結果、機
械加工による割れ欠けもなく、機械的強度を有する所望
のＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット材が得られた。
【０００９】（実施例３）ガスアトマイズ法により作製
したＣｏ−２０Ｃｒ−３０Ｚｒａｔ％合金粉末を外径１
４８ｍｍ、肉厚４ｍｍ、長さ３００ｍｍの炭素鋼製のカ
プセルに充填し、脱気密封した後このカプセルを加熱し
て加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこのカプセルを取
出して冷却し、カプセルに由来する金属部分を除去し
て、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット材の作製を試み
た。上記のとおりターゲット材の作製を行った結果、機
械加工による割れ欠けもなく、機械的強度を有する所望
のＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット材が得られた。
したＣｏ−２０Ｃｒ−３０Ｚｒａｔ％合金粉末を外径１
４８ｍｍ、肉厚４ｍｍ、長さ３００ｍｍの炭素鋼製のカ
プセルに充填し、脱気密封した後このカプセルを加熱し
て加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこのカプセルを取
出して冷却し、カプセルに由来する金属部分を除去し
て、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット材の作製を試み
た。上記のとおりターゲット材の作製を行った結果、機
械加工による割れ欠けもなく、機械的強度を有する所望
のＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット材が得られた。
【００１０】（実施例４）ガスアトマイズ法により作製
したＣｏ−３０Ｃｒ−１０Ｚｒａｔ％合金粉末を外径１
４８ｍｍ、肉厚４ｍｍ、長さ３００ｍｍの炭素鋼製のカ
プセルに充填し、脱気密封した後このカプセルを加熱し
て加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこのカプセルを取
出して冷却し、カプセルに由来する金属部分を除去し
て、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット材の作製を試み
た。上記のとおりターゲット材の作製を行った結果、機
械加工による割れ欠けもなく、機械的強度を有する所望
のＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット材が得られた。本発
明により作製したＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット材の
機械的強度を抗折力試験により評価した結果を示す。
したＣｏ−３０Ｃｒ−１０Ｚｒａｔ％合金粉末を外径１
４８ｍｍ、肉厚４ｍｍ、長さ３００ｍｍの炭素鋼製のカ
プセルに充填し、脱気密封した後このカプセルを加熱し
て加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこのカプセルを取
出して冷却し、カプセルに由来する金属部分を除去し
て、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット材の作製を試み
た。上記のとおりターゲット材の作製を行った結果、機
械加工による割れ欠けもなく、機械的強度を有する所望
のＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット材が得られた。本発
明により作製したＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット材の
機械的強度を抗折力試験により評価した結果を示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によりターゲ
ット形状に加工中あるいは、スパッタ中に割れを生じた
りするといった従来技術に見られる種々の問題点を発生
させることなくＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金系スパッタリング
ターゲット材の製造方法を提供することができるように
なったことは工業上極めて有利である。
ット形状に加工中あるいは、スパッタ中に割れを生じた
りするといった従来技術に見られる種々の問題点を発生
させることなくＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金系スパッタリング
ターゲット材の製造方法を提供することができるように
なったことは工業上極めて有利である。
Claims (3)
- 【請求項１】 金属製カプセルに、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合
金粉末を適量収容して脱気密封し、このカプセルを加熱
して加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこのカプセルを
取出して冷却し、カプセルに由来する金属部分を除去し
て、高密度かつ高強度を有し、Ｃｏ−Ｃｒ合金相である
σ相が微細に分散していることを特徴とするＣｏ−Ｃｒ
−Ｚｒ合金系スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 【請求項２】 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲット中のＣ
ｏ−Ｃｒ合金相であるσ相の大きさは１０μｍ以下で分
散していることを特徴とする請求項１記載のＣｏ−Ｃｒ
−Ｚｒ合金系スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 【請求項３】 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金ターゲットの組成
は、Ｃｒ：２０〜４０ａｔ％、Ｚｒ：５〜３０ａｔ％、
残部がＣｏからなることを特徴とする請求項１記載のＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金系スパッタリングターゲット材の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1718298A JPH11217668A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金系スパッタリングターゲット材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1718298A JPH11217668A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金系スパッタリングターゲット材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11217668A true JPH11217668A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=11936814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1718298A Withdrawn JPH11217668A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金系スパッタリングターゲット材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11217668A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006097589A2 (fr) * | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Seb S.A | Surface de cuisson facile a nettoyer et article electromenager comportant une telle surface |
-
1998
- 1998-01-29 JP JP1718298A patent/JPH11217668A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006097589A2 (fr) * | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Seb S.A | Surface de cuisson facile a nettoyer et article electromenager comportant une telle surface |
| FR2883150A1 (fr) * | 2005-03-15 | 2006-09-22 | Seb Sa | Surface de cuisson facile a nettoyer et article electromenager comportant une telle surface |
| WO2006097589A3 (fr) * | 2005-03-15 | 2006-12-07 | Seb Sa | Surface de cuisson facile a nettoyer et article electromenager comportant une telle surface |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050405 |