JPH11214050A - 端子金具 - Google Patents
端子金具Info
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- JPH11214050A JPH11214050A JP10014525A JP1452598A JPH11214050A JP H11214050 A JPH11214050 A JP H11214050A JP 10014525 A JP10014525 A JP 10014525A JP 1452598 A JP1452598 A JP 1452598A JP H11214050 A JPH11214050 A JP H11214050A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 端子金具間の嵌合・離脱抵抗を低減し、且つ
錫メッキ後の良好な半田付けが可能な期間の長期化を図
る。 【解決手段】 半田付けされる取付部１２においては、
相手側端子金具との接触部１１よりも錫メッキ層１５を
厚くした。錫メッキ層１５を厚くしたことにより、錫と
母材１３から析出した亜鉛との合金化が錫メッキ層１５
の表面へ到達するのに要する時間が長くかかるようにな
り、これにより、錫メッキ処理後において良好な半田付
けが可能な期間が長期化する。一方、接触部１１では、
合金化を遅らせるために錫メッキ層１５を厚くする必要
がないので、全体の厚さを比較的薄くでき、端子金具間
の嵌合・離脱抵抗を低減することができる。
錫メッキ後の良好な半田付けが可能な期間の長期化を図
る。 【解決手段】 半田付けされる取付部１２においては、
相手側端子金具との接触部１１よりも錫メッキ層１５を
厚くした。錫メッキ層１５を厚くしたことにより、錫と
母材１３から析出した亜鉛との合金化が錫メッキ層１５
の表面へ到達するのに要する時間が長くかかるようにな
り、これにより、錫メッキ処理後において良好な半田付
けが可能な期間が長期化する。一方、接触部１１では、
合金化を遅らせるために錫メッキ層１５を厚くする必要
がないので、全体の厚さを比較的薄くでき、端子金具間
の嵌合・離脱抵抗を低減することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板用コネクタ用
の端子金具に関するものである。
の端子金具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板用コネクタに用いられる端子金具
は、黄銅からなり、回路基板に固定されるコネクタハウ
ジングに嵌通して取り付けられる。端子金具のコネクタ
ハウジングのフード部内に突出する一端部は相手側端子
金具との接触部とされているとともに、コネクタハウジ
ング外へ突出した他端部は回路基板への取付部とされて
いる。接触部は相手側端子金具と弾性的に接触し、取付
部は回路基板のスルーホールに貫通されて半田付けによ
り固定される。
は、黄銅からなり、回路基板に固定されるコネクタハウ
ジングに嵌通して取り付けられる。端子金具のコネクタ
ハウジングのフード部内に突出する一端部は相手側端子
金具との接触部とされているとともに、コネクタハウジ
ング外へ突出した他端部は回路基板への取付部とされて
いる。接触部は相手側端子金具と弾性的に接触し、取付
部は回路基板のスルーホールに貫通されて半田付けによ
り固定される。
【０００３】かかる端子金具の表面には錫メッキが施さ
れている。端子金具同士の接触部では錫メッキにより端
子金具相互の密着性が高くなってその接触面間への酸素
の進入が規制され、その結果腐食が防止され、ひいては
接触信頼性が向上するのである。一方、半田付けされる
取付部では、錫メッキを施すことによってロウ材との親
和性が高まり、良好な半田付けが行われる。
れている。端子金具同士の接触部では錫メッキにより端
子金具相互の密着性が高くなってその接触面間への酸素
の進入が規制され、その結果腐食が防止され、ひいては
接触信頼性が向上するのである。一方、半田付けされる
取付部では、錫メッキを施すことによってロウ材との親
和性が高まり、良好な半田付けが行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように錫メッキ
を施す場合、その厚さをどのように設定するかが問題と
なる。即ち、メッキ厚を薄くすると、端子金具全体の厚
さも薄くなるので、端子金具間の弾性接触に起因する嵌
合・離脱抵抗が小さくなるため嵌合作業に有利である
が、その一方で半田付けに問題がでてくる。この半田付
けの問題について説明すると、錫メッキ層の内部では、
錫と端子金具の母材から析出した亜鉛との合金化現象が
母材に近い内側から表面側に向かって経時的に進行する
が、この合金化が錫メッキ層の表面まで達した状態で半
田付けを行うと、ロウ材とうまく親和できず、半田不良
を起こすという事情がある。したがって、端子金具をメ
ッキ処理済みの製品として出荷する際に、その良好な半
田付けが保証される期間を長くするためには、錫メッキ
厚を厚くすることが望ましい。このように従来では、端
子金具間の嵌合抵抗の低減と、錫メッキ処理後の良好な
半田付けが可能な期間の長期化とを両立させることが困
難であった。本願発明は上記事情に鑑みて創案され、端
子金具間の嵌合・離脱抵抗を低減し、且つ錫メッキ後の
良好な半田付けが可能な期間の長期化を図ることを目的
とするものである。
を施す場合、その厚さをどのように設定するかが問題と
なる。即ち、メッキ厚を薄くすると、端子金具全体の厚
さも薄くなるので、端子金具間の弾性接触に起因する嵌
合・離脱抵抗が小さくなるため嵌合作業に有利である
が、その一方で半田付けに問題がでてくる。この半田付
けの問題について説明すると、錫メッキ層の内部では、
錫と端子金具の母材から析出した亜鉛との合金化現象が
母材に近い内側から表面側に向かって経時的に進行する
が、この合金化が錫メッキ層の表面まで達した状態で半
田付けを行うと、ロウ材とうまく親和できず、半田不良
を起こすという事情がある。したがって、端子金具をメ
ッキ処理済みの製品として出荷する際に、その良好な半
田付けが保証される期間を長くするためには、錫メッキ
厚を厚くすることが望ましい。このように従来では、端
子金具間の嵌合抵抗の低減と、錫メッキ処理後の良好な
半田付けが可能な期間の長期化とを両立させることが困
難であった。本願発明は上記事情に鑑みて創案され、端
子金具間の嵌合・離脱抵抗を低減し、且つ錫メッキ後の
良好な半田付けが可能な期間の長期化を図ることを目的
とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、黄銅
製の母材を取り囲むように錫メッキ層を形成してなり、
相手側端子金具と弾性的に接触する接触部と、回路基板
に半田付けにより取り付けられる取付部とを備えた端子
金具において、前記取付部と対応する領域に、前記錫と
前記母材から析出した亜鉛との合金化が前記錫メッキ層
の表面に到達することを遅延させる合金化到達遅延手段
を設けた構成とした。
製の母材を取り囲むように錫メッキ層を形成してなり、
相手側端子金具と弾性的に接触する接触部と、回路基板
に半田付けにより取り付けられる取付部とを備えた端子
金具において、前記取付部と対応する領域に、前記錫と
前記母材から析出した亜鉛との合金化が前記錫メッキ層
の表面に到達することを遅延させる合金化到達遅延手段
を設けた構成とした。
【０００６】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記合金化到達遅延手段が、前記取付部の前記錫メ
ッキ層を前記接触部よりも厚くすることによって構成さ
れている。請求項３の発明は、請求項１又は請求項２の
発明において、前記合金化到達遅延手段が、前記錫メッ
キ層よりも内側に配され、前記母材から析出した亜鉛の
前記錫メッキ層への到達を遅延させる遅延層からなる構
成とした。
て、前記合金化到達遅延手段が、前記取付部の前記錫メ
ッキ層を前記接触部よりも厚くすることによって構成さ
れている。請求項３の発明は、請求項１又は請求項２の
発明において、前記合金化到達遅延手段が、前記錫メッ
キ層よりも内側に配され、前記母材から析出した亜鉛の
前記錫メッキ層への到達を遅延させる遅延層からなる構
成とした。
【０００７】
【発明の作用及び効果】＜請求項１の発明＞半田付けさ
れる取付部においては、合金化到達遅延手段により錫と
亜鉛との合金化が錫メッキ層の表面に到達するまでの期
間が長くなっているので、錫メッキ処理後の良好な半田
付けが可能な期間が長期化する。一方、相手側端子金具
との接触部では、合金化を遅らせるために錫メッキ層を
厚くする必要がないので、端子金具間の嵌合・離脱抵抗
を低減することが可能である。
れる取付部においては、合金化到達遅延手段により錫と
亜鉛との合金化が錫メッキ層の表面に到達するまでの期
間が長くなっているので、錫メッキ処理後の良好な半田
付けが可能な期間が長期化する。一方、相手側端子金具
との接触部では、合金化を遅らせるために錫メッキ層を
厚くする必要がないので、端子金具間の嵌合・離脱抵抗
を低減することが可能である。
【０００８】＜請求項２の発明＞取付部では、錫メッキ
層が厚いので、錫と亜鉛の合金化が錫メッキ層の表面に
到達するのに要する時間が長くかかるようになり、これ
により、錫メッキ処理後の良好な半田付けが可能な期間
が長期化する。 ＜請求項３の発明＞母材から析出した亜鉛が遅延層を通
過して錫メッキ層へ到達するのに時間がかかるので、錫
メッキ処理を行ってから合金化が開始されるまでの時
間、ひいては合金化が錫メッキ層の表面に達するまでに
要する時間が長くなる。
層が厚いので、錫と亜鉛の合金化が錫メッキ層の表面に
到達するのに要する時間が長くかかるようになり、これ
により、錫メッキ処理後の良好な半田付けが可能な期間
が長期化する。 ＜請求項３の発明＞母材から析出した亜鉛が遅延層を通
過して錫メッキ層へ到達するのに時間がかかるので、錫
メッキ処理を行ってから合金化が開始されるまでの時
間、ひいては合金化が錫メッキ層の表面に達するまでに
要する時間が長くなる。
【０００９】
【発明の実施の形態】＜実施形態１＞以下、本発明を具
体化した実施形態１を図１及び図２を参照して説明す
る。本実施形態の端子金具１０は全体として細長いＬ字
形をなし、コネクタＣに取り付けられる。また、このコ
ネクタＣは回路基板Ｐに固定される。コネクタＣは、壁
状本体部Ｃａと、この壁状本体部Ｃａから前方へ延出し
て相手側コネクタ（図示せず）との嵌合を行うフード部
Ｃｂとからなり、壁状本体部Ｃａには複数本の端子金具
１０が後方から圧入によって固定されている。端子金具
１０のフード部Ｃｂ内に突出する前端部は、相手側端子
金具（図示せず）との接触部１１とされており、この接
触部１１は、相手側端子金具の撓み接触片と弾性的に接
触する。一方、壁状本体部Ｃａから後方へ突出されて下
向きに直角に曲げられた下端部は、回路基板Ｐへの取付
部１２とされている。取付部１２は、回路基板Ｐのスル
ーホールＨに差し込まれて半田付けＭにより固定され
る。
体化した実施形態１を図１及び図２を参照して説明す
る。本実施形態の端子金具１０は全体として細長いＬ字
形をなし、コネクタＣに取り付けられる。また、このコ
ネクタＣは回路基板Ｐに固定される。コネクタＣは、壁
状本体部Ｃａと、この壁状本体部Ｃａから前方へ延出し
て相手側コネクタ（図示せず）との嵌合を行うフード部
Ｃｂとからなり、壁状本体部Ｃａには複数本の端子金具
１０が後方から圧入によって固定されている。端子金具
１０のフード部Ｃｂ内に突出する前端部は、相手側端子
金具（図示せず）との接触部１１とされており、この接
触部１１は、相手側端子金具の撓み接触片と弾性的に接
触する。一方、壁状本体部Ｃａから後方へ突出されて下
向きに直角に曲げられた下端部は、回路基板Ｐへの取付
部１２とされている。取付部１２は、回路基板Ｐのスル
ーホールＨに差し込まれて半田付けＭにより固定され
る。
【００１０】端子金具１０は、黄銅性の母材１３の表面
全体に亘って銅メッキによる下地層１４を形成し、さら
にその下地層１４の表面に錫メッキ層１５を形成して構
成されている。銅の下地層１４を形成することにより、
母材１３からの亜鉛の析出量が抑制される。また、錫メ
ッキ層１５は次の２つの機能を有する。即ち、相手側端
子金具との接触部１１では、錫メッキ層１５により相互
間の密着性が高くなってその接触面の間への酸素の進入
が規制され、その結果、腐食が防止され、ひいては接触
信頼性を向上させることができる。また、半田付けされ
る取付部１２では、錫メッキを施すことによってロウ材
との親和性が高まり、良好な半田付けＭが行われる。
全体に亘って銅メッキによる下地層１４を形成し、さら
にその下地層１４の表面に錫メッキ層１５を形成して構
成されている。銅の下地層１４を形成することにより、
母材１３からの亜鉛の析出量が抑制される。また、錫メ
ッキ層１５は次の２つの機能を有する。即ち、相手側端
子金具との接触部１１では、錫メッキ層１５により相互
間の密着性が高くなってその接触面の間への酸素の進入
が規制され、その結果、腐食が防止され、ひいては接触
信頼性を向上させることができる。また、半田付けされ
る取付部１２では、錫メッキを施すことによってロウ材
との親和性が高まり、良好な半田付けＭが行われる。
【００１１】かかる錫メッキ層１５の厚さについては、
相手側端子金具との接触部１１では比較的薄く、回路基
板Ｐへの取付部１２では比較的厚くしている。尚、この
取付部１２における錫メッキ層１５の厚さを厚くした手
段は、本発明の構成要件である合金化到達遅延手段１６
となっている。接触部１１と取付部１２とで厚さを異な
らせる方法としては、最初に端子金具１０の全体をメッ
キ用の電解質溶液中に浸漬させてメッキ処理を行い、そ
の後、厚くすべき取付部１２だけを再び電解質溶液中に
浸漬させてメッキ処理を行う。また、厚さを異ならせる
境界位置は、接触部１１と取付部１２の間であればいず
れの位置にしても良いが、コストを考慮すると、取付部
１２に近い位置にしてメッキ厚の薄い領域を広くするこ
とが好ましい。
相手側端子金具との接触部１１では比較的薄く、回路基
板Ｐへの取付部１２では比較的厚くしている。尚、この
取付部１２における錫メッキ層１５の厚さを厚くした手
段は、本発明の構成要件である合金化到達遅延手段１６
となっている。接触部１１と取付部１２とで厚さを異な
らせる方法としては、最初に端子金具１０の全体をメッ
キ用の電解質溶液中に浸漬させてメッキ処理を行い、そ
の後、厚くすべき取付部１２だけを再び電解質溶液中に
浸漬させてメッキ処理を行う。また、厚さを異ならせる
境界位置は、接触部１１と取付部１２の間であればいず
れの位置にしても良いが、コストを考慮すると、取付部
１２に近い位置にしてメッキ厚の薄い領域を広くするこ
とが好ましい。
【００１２】このように接触部１１と取付部１２とで錫
メッキ層１５の厚さを相違させたことにより、次のよう
な効果が発揮される。即ち、取付部１２の厚さを薄くし
たことにより取付部１２の母材１３を含む全体の厚さ寸
法が小さくなり、その結果、相手側端子金具との弾性接
触に起因する摩擦抵抗が小さくなる。これにより、嵌合
及び離脱時の作業性が向上する。一方、取付部１２では
半田付けの問題を解消することができる。錫メッキ層１
５の内部では、そのメッキ層中の錫と母材１３から析出
した亜鉛との合金化現象が母材１３に近い内側から表面
側に向かって経時的に進行するが、この合金化が錫メッ
キ層１５の表面まで達した状態で半田付けを行うと、ロ
ウ材とうまく親和できず、半田不良を起こすという事情
がある。ところが、本実施形態では、錫メッキ層１５の
厚さを厚くしているので、合金化が開始してから錫メッ
キ層１５の表面に到達するまでの期間が長くかかり、ひ
いては半田付けを良好に行い得る期間を長く確保でき
る。これは、端子金具１０をメッキ処理済みの製品とし
て出荷した場合に、良好な半田付けが保証される期間が
長くなることを意味するため、製品としての評価が高い
ものとなる。
メッキ層１５の厚さを相違させたことにより、次のよう
な効果が発揮される。即ち、取付部１２の厚さを薄くし
たことにより取付部１２の母材１３を含む全体の厚さ寸
法が小さくなり、その結果、相手側端子金具との弾性接
触に起因する摩擦抵抗が小さくなる。これにより、嵌合
及び離脱時の作業性が向上する。一方、取付部１２では
半田付けの問題を解消することができる。錫メッキ層１
５の内部では、そのメッキ層中の錫と母材１３から析出
した亜鉛との合金化現象が母材１３に近い内側から表面
側に向かって経時的に進行するが、この合金化が錫メッ
キ層１５の表面まで達した状態で半田付けを行うと、ロ
ウ材とうまく親和できず、半田不良を起こすという事情
がある。ところが、本実施形態では、錫メッキ層１５の
厚さを厚くしているので、合金化が開始してから錫メッ
キ層１５の表面に到達するまでの期間が長くかかり、ひ
いては半田付けを良好に行い得る期間を長く確保でき
る。これは、端子金具１０をメッキ処理済みの製品とし
て出荷した場合に、良好な半田付けが保証される期間が
長くなることを意味するため、製品としての評価が高い
ものとなる。
【００１３】このように、本実施形態では錫メッキ層１
５の厚さを接触部１１と取付部１２とで異ならせたこと
により、端子金具間の嵌合・離脱抵抗を低減すること
と、錫メッキ後の良好な半田付けが可能な期間の長期化
を図ることとの双方を両立させることができる効果があ
る。尚、錫メッキ処理を行ってから良好な半田付けが可
能とされる期間について試験を行ったところ、次のよう
な結果が得られた。試験では、本実施形態１の端子金具
１０の錫メッキの厚さを接触部１１では０．６μｍとす
るとともに取付部１２では１．０μｍとし、従来の端子
金具Ｔの錫メッキ層１５の厚さを全体に亘って均一に
０．６μｍとし、夫々、錫メッキ処理を行ってから良好
な半田付けが不能となるまでの期間を調べた。尚、下地
層１４の厚さは本実施形態の端子金具１０と従来の端子
金具Ｔの双方共に１．０μｍとした。その結果、本実施
形態の端子金具１０は従来の端子金具Ｔの２．５倍以上
の長い期間に亘って良好な半田付けを行うことができ
た。
５の厚さを接触部１１と取付部１２とで異ならせたこと
により、端子金具間の嵌合・離脱抵抗を低減すること
と、錫メッキ後の良好な半田付けが可能な期間の長期化
を図ることとの双方を両立させることができる効果があ
る。尚、錫メッキ処理を行ってから良好な半田付けが可
能とされる期間について試験を行ったところ、次のよう
な結果が得られた。試験では、本実施形態１の端子金具
１０の錫メッキの厚さを接触部１１では０．６μｍとす
るとともに取付部１２では１．０μｍとし、従来の端子
金具Ｔの錫メッキ層１５の厚さを全体に亘って均一に
０．６μｍとし、夫々、錫メッキ処理を行ってから良好
な半田付けが不能となるまでの期間を調べた。尚、下地
層１４の厚さは本実施形態の端子金具１０と従来の端子
金具Ｔの双方共に１．０μｍとした。その結果、本実施
形態の端子金具１０は従来の端子金具Ｔの２．５倍以上
の長い期間に亘って良好な半田付けを行うことができ
た。
【００１４】＜実施形態２＞次に、本発明を具体化した
実施形態２を図３を参照して説明する。本実施形態は、
合金化到達遅延手段を上記実施形態１とは異なる構成と
したものである。その他の構成については上記実施形態
１と同じであるため、同じ構成については、同一符号を
付し、構造、作用及び効果の説明は省略する。本実施形
態の端子金具２０では、合金化到達遅延手段２３として
取付部２２における下地層１４の表面にニッケルメッキ
による遅延層２４を形成しており、この遅延層２４の表
面に錫メッキ層１５が形成されている。この取付部２２
における錫メッキ層１５の厚さは、接触部２１の錫メッ
キ層１５と同じ寸法とされている。ニッケルメッキによ
る遅延層２４は、母材１３から析出した亜鉛の浸透を遅
らせる機能を有する。これにより、メッキ処理を行って
から亜鉛が錫メッキ層１５へ到達するのに長い時間を要
することになり、錫と亜鉛との合金化の開始が遅れる。
その結果、錫と亜鉛の合金化が錫メッキ層１５の表面へ
到達するのに要する期間が長くなるのである。
実施形態２を図３を参照して説明する。本実施形態は、
合金化到達遅延手段を上記実施形態１とは異なる構成と
したものである。その他の構成については上記実施形態
１と同じであるため、同じ構成については、同一符号を
付し、構造、作用及び効果の説明は省略する。本実施形
態の端子金具２０では、合金化到達遅延手段２３として
取付部２２における下地層１４の表面にニッケルメッキ
による遅延層２４を形成しており、この遅延層２４の表
面に錫メッキ層１５が形成されている。この取付部２２
における錫メッキ層１５の厚さは、接触部２１の錫メッ
キ層１５と同じ寸法とされている。ニッケルメッキによ
る遅延層２４は、母材１３から析出した亜鉛の浸透を遅
らせる機能を有する。これにより、メッキ処理を行って
から亜鉛が錫メッキ層１５へ到達するのに長い時間を要
することになり、錫と亜鉛との合金化の開始が遅れる。
その結果、錫と亜鉛の合金化が錫メッキ層１５の表面へ
到達するのに要する期間が長くなるのである。
【００１５】このように、母材１３と錫メッキ層１５と
の間に、亜鉛が錫メッキ層１５へ到達することを遅らせ
る遅延層２４を形成したので、メッキ処理後において半
田付けを良好に行い得る期間を長く確保することができ
る。尚、本実施形態２の端子金具２０についても、実施
形態１の端子金具１０と同様に錫メッキ処理を行ってか
ら良好な半田付けが可能とされる期間について試験を行
ったところ、次のような結果が得られた。試験では、本
実施形態２の端子金具２０の遅延層２４の厚さを０．５
μｍとし、錫メッキ層１５の厚さを接触部２１と取付部
２２の双方共に０．６μｍとし、図５に示す従来の端子
金具Ｔの錫メッキ１５の厚さを全体に亘って均一に０．
６μｍとし、夫々、錫メッキ処理を行ってから良好な半
田付けが不能となるまでの期間を調べた。尚、下地層１
４の厚さは本実施形態２の端子金具２０と従来の端子金
具Ｔの双方共に１．０μｍとした。その結果、本実施形
態２の端子金具２０は従来の端子金具Ｔの５倍以上の長
い期間に亘って良好な半田付けを行うことができた。
の間に、亜鉛が錫メッキ層１５へ到達することを遅らせ
る遅延層２４を形成したので、メッキ処理後において半
田付けを良好に行い得る期間を長く確保することができ
る。尚、本実施形態２の端子金具２０についても、実施
形態１の端子金具１０と同様に錫メッキ処理を行ってか
ら良好な半田付けが可能とされる期間について試験を行
ったところ、次のような結果が得られた。試験では、本
実施形態２の端子金具２０の遅延層２４の厚さを０．５
μｍとし、錫メッキ層１５の厚さを接触部２１と取付部
２２の双方共に０．６μｍとし、図５に示す従来の端子
金具Ｔの錫メッキ１５の厚さを全体に亘って均一に０．
６μｍとし、夫々、錫メッキ処理を行ってから良好な半
田付けが不能となるまでの期間を調べた。尚、下地層１
４の厚さは本実施形態２の端子金具２０と従来の端子金
具Ｔの双方共に１．０μｍとした。その結果、本実施形
態２の端子金具２０は従来の端子金具Ｔの５倍以上の長
い期間に亘って良好な半田付けを行うことができた。
【００１６】＜実施形態３＞次に、本発明を具体化した
実施形態３を図４を参照して説明する。本実施形態は、
合金化到達遅延手段を上記実施形態１とは異なる構成と
したものである。その他の構成については上記実施形態
１と同じであるため、同じ構成については、同一符号を
付し、構造、作用及び効果の説明は省略する。本実施形
態３の端子金具３０では、合金化到達遅延手段３３とし
て、取付部３２における下地層１４の表面にニッケルメ
ッキによる遅延層３４を形成した上で、さらにこの遅延
層３４の表面に形成される錫メッキ層１５の厚さを接触
部３１よりも厚くする手段がとられている。ニッケルメ
ッキによる遅延層３４では、母材１３から析出した亜鉛
が錫メッキ層１５へ到達するのを遅らせ、錫メッキ層１
５では亜鉛との合金化が表面へ到達するまでの時間が長
くかかるようにしている。これにより、メッキ処理を行
ってから錫と亜鉛の合金化が錫メッキ層１５の表面へ到
達するのに長い期間がかかるようになっている。尚、本
実施形態３の端子金具３０についても、実施形態１の端
子金具１０と同様に錫メッキ処理を行ってから良好な半
田付けが可能とされる期間について試験を行ったとこ
ろ、次のような結果が得られた。試験では、本実施形態
３の端子金具３０の遅延層３４の厚さを０．５μｍと
し、錫メッキ層１５の厚さを接触部３１では０．６μｍ
とするとともに取付部３２では１．０μｍとし、図５に
示す従来の端子金具Ｔの錫メッキ層１５の厚さを全体に
亘って均一に０．６μｍとし、夫々、錫メッキ処理を行
ってから良好な半田付けが不能となるまでの期間を調べ
た。尚、下地層１４の厚さは本実施形態３の端子金具３
０と従来の端子金具Ｔの双方共に１．０μｍとした。そ
の結果、本実施形態３の端子金具３０は従来の端子金具
Ｔの５倍以上の長い期間に亘って良好な半田付けを行う
ことができた。
実施形態３を図４を参照して説明する。本実施形態は、
合金化到達遅延手段を上記実施形態１とは異なる構成と
したものである。その他の構成については上記実施形態
１と同じであるため、同じ構成については、同一符号を
付し、構造、作用及び効果の説明は省略する。本実施形
態３の端子金具３０では、合金化到達遅延手段３３とし
て、取付部３２における下地層１４の表面にニッケルメ
ッキによる遅延層３４を形成した上で、さらにこの遅延
層３４の表面に形成される錫メッキ層１５の厚さを接触
部３１よりも厚くする手段がとられている。ニッケルメ
ッキによる遅延層３４では、母材１３から析出した亜鉛
が錫メッキ層１５へ到達するのを遅らせ、錫メッキ層１
５では亜鉛との合金化が表面へ到達するまでの時間が長
くかかるようにしている。これにより、メッキ処理を行
ってから錫と亜鉛の合金化が錫メッキ層１５の表面へ到
達するのに長い期間がかかるようになっている。尚、本
実施形態３の端子金具３０についても、実施形態１の端
子金具１０と同様に錫メッキ処理を行ってから良好な半
田付けが可能とされる期間について試験を行ったとこ
ろ、次のような結果が得られた。試験では、本実施形態
３の端子金具３０の遅延層３４の厚さを０．５μｍと
し、錫メッキ層１５の厚さを接触部３１では０．６μｍ
とするとともに取付部３２では１．０μｍとし、図５に
示す従来の端子金具Ｔの錫メッキ層１５の厚さを全体に
亘って均一に０．６μｍとし、夫々、錫メッキ処理を行
ってから良好な半田付けが不能となるまでの期間を調べ
た。尚、下地層１４の厚さは本実施形態３の端子金具３
０と従来の端子金具Ｔの双方共に１．０μｍとした。そ
の結果、本実施形態３の端子金具３０は従来の端子金具
Ｔの５倍以上の長い期間に亘って良好な半田付けを行う
ことができた。
【００１７】＜他の実施形態＞本発明は上記記述及び図
面によって説明した実施形態に限定されるものではな
く、例えば次のような実施態様も本発明の技術的範囲に
含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内
で種々変更して実施することができる。 （１）上記実施形態１〜３では母材の表面に下地層を形
成したが、本発明によれば、下地層のない構成とするこ
ともできる。 （２）上記実施形態１〜３では下地層として銅を用いた
が、本発明によれば、銅に限らず、例えばニッケルなど
の他の金属としてもよい。
面によって説明した実施形態に限定されるものではな
く、例えば次のような実施態様も本発明の技術的範囲に
含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内
で種々変更して実施することができる。 （１）上記実施形態１〜３では母材の表面に下地層を形
成したが、本発明によれば、下地層のない構成とするこ
ともできる。 （２）上記実施形態１〜３では下地層として銅を用いた
が、本発明によれば、銅に限らず、例えばニッケルなど
の他の金属としてもよい。
【００１８】（３）上記実施形態１では下地層を接触部
から取付部の全体に亘って均一の厚さとしたが、取付部
のみを厚くして、その厚くした分を本発明の遅延層とし
て機能させることもできる。この場合、下地層は銅でも
ニッケルでもよく、あるいは他の金属でもよい。 （４）上記実施形態２及び３では下地層と取付部の遅延
層とを別の金属としたが、下地層と遅延層を同一の金属
とすることもできる。 （５）上記実施形態２及び３では取付部に形成した遅延
層にニッケルを用いたが、本発明によれば、ニッケルに
限らず、例えば銅などの他の金属を用いることもでき
る。
から取付部の全体に亘って均一の厚さとしたが、取付部
のみを厚くして、その厚くした分を本発明の遅延層とし
て機能させることもできる。この場合、下地層は銅でも
ニッケルでもよく、あるいは他の金属でもよい。 （４）上記実施形態２及び３では下地層と取付部の遅延
層とを別の金属としたが、下地層と遅延層を同一の金属
とすることもできる。 （５）上記実施形態２及び３では取付部に形成した遅延
層にニッケルを用いたが、本発明によれば、ニッケルに
限らず、例えば銅などの他の金属を用いることもでき
る。
【００１９】（６）上記各実施形態に示した下地層及び
メッキ層の厚さ寸法は試験のために設定したものに過ぎ
ず、目的・用途に応じて厚さを適切に設定し得ることは
言うまでもない。
メッキ層の厚さ寸法は試験のために設定したものに過ぎ
ず、目的・用途に応じて厚さを適切に設定し得ることは
言うまでもない。
【図１】実施形態１の端子金具が適用されるコネクタ及
び回路基板の断面図
び回路基板の断面図
【図２】実施形態１の端子金具の部分拡大図
【図３】実施形態２の端子金具の部分拡大断面図
【図４】実施形態３の端子金具の部分拡大断面図
【図５】従来の端子金具の部分拡大断面図
Ｐ…回路基板 １０…端子金具 １１…接触部 １２…取付部 １３…母材 １５…錫メッキ層 １６…合金化到達遅延手段 ２０，３０…端子金具 ２１，３１…接触部 ２２，３２…取付部 ２３，３３…合金化到達遅延手段 ２４，３４…遅延層
Claims (3)
- 【請求項１】 黄銅製の母材を取り囲むように錫メッキ
層を形成してなり、相手側端子金具と弾性的に接触する
接触部と、回路基板に半田付けにより取り付けられる取
付部とを備えた端子金具において、 前記取付部と対応する領域に、前記錫と前記母材から析
出した亜鉛との合金化が前記錫メッキ層の表面に到達す
ることを遅延させる合金化到達遅延手段を設けたことを
特徴とする端子金具。 - 【請求項２】 前記合金化到達遅延手段が、前記取付部
の前記錫メッキ層を前記接触部よりも厚くすることによ
って構成されていることを特徴とする請求項１記載の端
子金具。 - 【請求項３】 前記合金化到達遅延手段が、前記錫メッ
キ層よりも内側に配され、前記母材から析出した亜鉛の
前記錫メッキ層への到達を遅延させる遅延層からなるこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２記載の端子金具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01452598A JP3538747B2 (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 端子金具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01452598A JP3538747B2 (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 端子金具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214050A true JPH11214050A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3538747B2 JP3538747B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=11863547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01452598A Expired - Fee Related JP3538747B2 (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 端子金具 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3538747B2 (ja) |
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-
1998
- 1998-01-27 JP JP01452598A patent/JP3538747B2/ja not_active Expired - Fee Related
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