JPH11205064A - バンドストップフィルタ部品 - Google Patents
バンドストップフィルタ部品Info
- Publication number
- JPH11205064A JPH11205064A JP10004995A JP499598A JPH11205064A JP H11205064 A JPH11205064 A JP H11205064A JP 10004995 A JP10004995 A JP 10004995A JP 499598 A JP499598 A JP 499598A JP H11205064 A JPH11205064 A JP H11205064A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter circuit
- signal
- filter
- component
- band
- Prior art date
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- Pending
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- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、所定の周波数帯域内の信号成分の伝
送を阻止するバンドストップフィルタ部品に関し、小型
化を図るとともに高密度実装化を図る。 【解決手段】磁性体材料および誘電体材料双方を含有す
る磁器材料からなる基体の内部に、それぞれが互いに直
列に接続されたインダクタとキャパシタとからなり共振
周波数が相互に異なる複数の直列共振回路が並列に接続
された二端子フィルタ回路を備えた。
送を阻止するバンドストップフィルタ部品に関し、小型
化を図るとともに高密度実装化を図る。 【解決手段】磁性体材料および誘電体材料双方を含有す
る磁器材料からなる基体の内部に、それぞれが互いに直
列に接続されたインダクタとキャパシタとからなり共振
周波数が相互に異なる複数の直列共振回路が並列に接続
された二端子フィルタ回路を備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、所定の周波数帯域
内の信号成分の伝送を阻止するバンドストップフィルタ
部品に関する。
内の信号成分の伝送を阻止するバンドストップフィルタ
部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、マイクロ波帯域の信号を扱う
各種電子機器においてバンドストップ型ＥＭＩ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏ Ｍｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃ
ｅ）フィルタが用いられている。図１１，図１２は、そ
れぞれＴ型，π（パイ）型フィルタの等価回路図であ
る。
各種電子機器においてバンドストップ型ＥＭＩ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏ Ｍｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃ
ｅ）フィルタが用いられている。図１１，図１２は、そ
れぞれＴ型，π（パイ）型フィルタの等価回路図であ
る。
【０００３】既に市販されているバンドストップ型ＥＭ
Ｉフィルタは、図１１もしくは図１２のようにあらわさ
れ、信号ラインに直列に挿入するための２つの端子電極
１２ａ，１２ｂと、接地ラインに接続するための接地電
極１３との合計３つの外部電極を有している。
Ｉフィルタは、図１１もしくは図１２のようにあらわさ
れ、信号ラインに直列に挿入するための２つの端子電極
１２ａ，１２ｂと、接地ラインに接続するための接地電
極１３との合計３つの外部電極を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１１
もしくは図１２に示されるような３端子形状のもので
は、外部電極の数が３つも有ることから、そのフィルタ
部品の小型化に限界がある。さらに３端子形状のもので
は、基板上での信号ラインおよび接地ラインの引き回し
が複雑になることから、そのフィルタ部品を基板上に実
装するために必要となる基板上の占有面積が大きくな
り、高密度実装にも限界がある。
もしくは図１２に示されるような３端子形状のもので
は、外部電極の数が３つも有ることから、そのフィルタ
部品の小型化に限界がある。さらに３端子形状のもので
は、基板上での信号ラインおよび接地ラインの引き回し
が複雑になることから、そのフィルタ部品を基板上に実
装するために必要となる基板上の占有面積が大きくな
り、高密度実装にも限界がある。
【０００５】本発明は、上記事情に鑑み、従来と比べそ
のフィルタ部品の小型化を図ることができるとともに高
密度実装化にも適したバンドストップフィルタ部品を提
供することを目的とする。
のフィルタ部品の小型化を図ることができるとともに高
密度実装化にも適したバンドストップフィルタ部品を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のバンドストップフィルタ部品は、磁性体材料および
誘電体材料双方を含有する磁器材料からなる基体と、基
体内部に形成された、信号伝送路上の点と接地ラインと
の間に接続され、その信号伝送路上を伝送される信号中
の所定の周波数帯域内の信号成分を選択的に通過させる
ことにより、その信号成分の、信号伝送路上の伝送を阻
止する二端子型受動フィルタ回路とを備えたことを特徴
とする。
明のバンドストップフィルタ部品は、磁性体材料および
誘電体材料双方を含有する磁器材料からなる基体と、基
体内部に形成された、信号伝送路上の点と接地ラインと
の間に接続され、その信号伝送路上を伝送される信号中
の所定の周波数帯域内の信号成分を選択的に通過させる
ことにより、その信号成分の、信号伝送路上の伝送を阻
止する二端子型受動フィルタ回路とを備えたことを特徴
とする。
【０００７】本発明のバンドストップフィルタ部品は、
二端子型受動フィルタ回路で構成されていることから、
小型化に適し、かつ、高密度実装に適する。ここで、本
発明のバンドストップフィルタ部品において、上記受動
フィルタ回路は、例えば、それぞれが互いに直列に接続
されたインダクタとキャパシタとからなり共振周波数が
相互に異なる複数の直列共振回路が並列に接続されたも
のであってもよい。
二端子型受動フィルタ回路で構成されていることから、
小型化に適し、かつ、高密度実装に適する。ここで、本
発明のバンドストップフィルタ部品において、上記受動
フィルタ回路は、例えば、それぞれが互いに直列に接続
されたインダクタとキャパシタとからなり共振周波数が
相互に異なる複数の直列共振回路が並列に接続されたも
のであってもよい。
【０００８】その場合に、それら記複数の直列共振回路
のうち互いに隣接した共振周波数を持つ２つの直列共振
回路のバンド幅どうしが一部重なるように、それら複数
の直列共振回路それぞれの共振周波数及びバンド幅が定
められてなることが好ましい。このような直列共振回路
を複数並列に接続することによって所望の特性を持った
二端子型受動フィルタ回路が実現できる。
のうち互いに隣接した共振周波数を持つ２つの直列共振
回路のバンド幅どうしが一部重なるように、それら複数
の直列共振回路それぞれの共振周波数及びバンド幅が定
められてなることが好ましい。このような直列共振回路
を複数並列に接続することによって所望の特性を持った
二端子型受動フィルタ回路が実現できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図１は、直列共振回路の回路図、図２は、並
列に接続された複数の直列共振回路の回路図である。図
１に示すようにインダクタ１５とキャパシタ１６を直列
に接続することにより、直列共振回路１４が構成され
る。この直列共振回路１４は、１個のみでは、インダク
タ１５のインダクタスＬとキャパシタ１６のキャパシタ
ンスＣとで定まるある特定の共振周波数（極めて狭いバ
ンド幅の周波数）のみ通過する。
説明する。図１は、直列共振回路の回路図、図２は、並
列に接続された複数の直列共振回路の回路図である。図
１に示すようにインダクタ１５とキャパシタ１６を直列
に接続することにより、直列共振回路１４が構成され
る。この直列共振回路１４は、１個のみでは、インダク
タ１５のインダクタスＬとキャパシタ１６のキャパシタ
ンスＣとで定まるある特定の共振周波数（極めて狭いバ
ンド幅の周波数）のみ通過する。
【００１０】図２に示す、並列に接続された複数の直列
共振回路１４＿１，１４＿２，…，１４＿ｎは共振周波
数が少しずつ異なっており、しかも隣接した共振周波数
を持つ２つの共振回路のバンド幅どうしが一部ずつ重な
っている。このため、全体としてはある所定の周波数帯
域内の信号成分が伝達され、これを信号伝送路の一点と
接地ラインとの間に接続することにより、バンドストッ
プフィルタとして作用する。しかも、この図１に示す、
複数の直列共振回路からなるバンドストップフィルタ
は、直列共振回路がいくつ並列に接続されていても、全
体として二端子型のフィルタである。
共振回路１４＿１，１４＿２，…，１４＿ｎは共振周波
数が少しずつ異なっており、しかも隣接した共振周波数
を持つ２つの共振回路のバンド幅どうしが一部ずつ重な
っている。このため、全体としてはある所定の周波数帯
域内の信号成分が伝達され、これを信号伝送路の一点と
接地ラインとの間に接続することにより、バンドストッ
プフィルタとして作用する。しかも、この図１に示す、
複数の直列共振回路からなるバンドストップフィルタ
は、直列共振回路がいくつ並列に接続されていても、全
体として二端子型のフィルタである。
【００１１】以下、より具体的な実施形態について説明
する。図３は、本発明のバンドストップフィルタ部品の
外観斜視図である。この図３に示すバンドストップフィ
ルタ部品１０は、磁器材料中からなる基体１１の両端部
に、このフィルタ部品１０の内部フィルタ回路を、外部
の、例えば基板上の信号ラインと接地ラインとの間に接
続するための端子電極１２および接地電極１３が形成さ
れている。このフィルタ部品１０の内部には、以下に説
明するように、並列に接続された複数の直列共振回路か
らなるフィルタ回路が形成されている。
する。図３は、本発明のバンドストップフィルタ部品の
外観斜視図である。この図３に示すバンドストップフィ
ルタ部品１０は、磁器材料中からなる基体１１の両端部
に、このフィルタ部品１０の内部フィルタ回路を、外部
の、例えば基板上の信号ラインと接地ラインとの間に接
続するための端子電極１２および接地電極１３が形成さ
れている。このフィルタ部品１０の内部には、以下に説
明するように、並列に接続された複数の直列共振回路か
らなるフィルタ回路が形成されている。
【００１２】図４は、図３に外観を示すバンドストップ
フィルタ部品の内部に形成されたフィルタ回路の一部で
ある直列共振回路１つ分を示す模式図である。このフィ
ルタ回路はインダクタ１５とそのインダクタ１５に直列
に接続されたキャパシタ１６から構成されている。図５
〜図９は、図２に示すフィルタ回路の各製造工程を示す
図である。
フィルタ部品の内部に形成されたフィルタ回路の一部で
ある直列共振回路１つ分を示す模式図である。このフィ
ルタ回路はインダクタ１５とそのインダクタ１５に直列
に接続されたキャパシタ１６から構成されている。図５
〜図９は、図２に示すフィルタ回路の各製造工程を示す
図である。
【００１３】ここでは、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを主成分
と磁性体材料と、チタン酸鉛を主成分とする誘電体材料
を用いるものとする。先ず、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの出
発原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，ＮｉＯ，ＺｎＯ等を、混合、
仮焼し、適切な粒径となるように粉砕して、所望の粒径
の磁性体原料仮焼粉を得る。一方、チタン酸鉛の出発原
料であるＰｂＯ，ＴｉＯ2 等も、混合、仮焼、粉砕し、
所望の粒径の誘電体原料仮焼粉を得る。
と磁性体材料と、チタン酸鉛を主成分とする誘電体材料
を用いるものとする。先ず、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの出
発原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，ＮｉＯ，ＺｎＯ等を、混合、
仮焼し、適切な粒径となるように粉砕して、所望の粒径
の磁性体原料仮焼粉を得る。一方、チタン酸鉛の出発原
料であるＰｂＯ，ＴｉＯ2 等も、混合、仮焼、粉砕し、
所望の粒径の誘電体原料仮焼粉を得る。
【００１４】次に、磁性体原料仮焼粉と誘電体原料仮焼
粉をあらかじめ定めた割合で混合すると同時に、分散
剤、バインダ、可塑剤、溶剤等を添加して印刷用材料ペ
ーストを作製する。このようにして作製された材料ペー
ストと、ＡｇまたはＰｄを主成分とする導電ペーストを
交互にスクリーン印刷しながら積層し、必要に応じて切
断を行なってグリーンの積層体を形成する。この積層体
に脱バインダ処理を施こし、さらに焼成して焼成体を形
成し、この焼成体に、例えばＡｇを主成分とする導電ペ
ースト等を用いて端子電極１２および接地電極１３（図
３参照）を形成し、これによりバンドストップフィルタ
部品１０が完成する。
粉をあらかじめ定めた割合で混合すると同時に、分散
剤、バインダ、可塑剤、溶剤等を添加して印刷用材料ペ
ーストを作製する。このようにして作製された材料ペー
ストと、ＡｇまたはＰｄを主成分とする導電ペーストを
交互にスクリーン印刷しながら積層し、必要に応じて切
断を行なってグリーンの積層体を形成する。この積層体
に脱バインダ処理を施こし、さらに焼成して焼成体を形
成し、この焼成体に、例えばＡｇを主成分とする導電ペ
ースト等を用いて端子電極１２および接地電極１３（図
３参照）を形成し、これによりバンドストップフィルタ
部品１０が完成する。
【００１５】以下、図５〜図９に示す各製造工程を説明
する。先ず、図５（Ａ）に示すように、上記のようにし
て作製された材料ペーストからなるベース基板１１１を
用意する。このベース基板１１１は、完成品における基
体の第１層目となる。次にそのベース基板（第１層）１
１１上に導電ペーストによる導体膜１３１を形成する
（図５（Ｂ））。この導体膜１３１の上半分はキャパシ
タ用、下半分はインダクタ用の導体膜である。
する。先ず、図５（Ａ）に示すように、上記のようにし
て作製された材料ペーストからなるベース基板１１１を
用意する。このベース基板１１１は、完成品における基
体の第１層目となる。次にそのベース基板（第１層）１
１１上に導電ペーストによる導体膜１３１を形成する
（図５（Ｂ））。この導体膜１３１の上半分はキャパシ
タ用、下半分はインダクタ用の導体膜である。
【００１６】次に、材料ペーストで、スルーホール１１
２ａを有する第２層１１２を形成し（図５（Ｃ））、導
電ペーストで導体膜１３２を形成する（図５（Ｄ））。
この導体膜１３２を形成する際、スルーホール１１２ａ
内にも導電ペーストが充填され、そのスルーホール１１
２ａに充填された導電ペーストにより、導体膜１３１と
導体膜１３２とが電気的に接続されている。以下に説明
するスルーホールも全て同様の役割りを担っている。
２ａを有する第２層１１２を形成し（図５（Ｃ））、導
電ペーストで導体膜１３２を形成する（図５（Ｄ））。
この導体膜１３２を形成する際、スルーホール１１２ａ
内にも導電ペーストが充填され、そのスルーホール１１
２ａに充填された導電ペーストにより、導体膜１３１と
導体膜１３２とが電気的に接続されている。以下に説明
するスルーホールも全て同様の役割りを担っている。
【００１７】ここまでの過程により直列共振回路が１つ
形成される。以下、同様にして、材料ペーストにより第
３層１１３を形成し（図５（Ｅ））、導電ペーストによ
り導体膜１３３を形成し（図６（Ｆ））、スルーホール
１１４ａを有する第４層１１４を形成し（図６
（Ｇ））、導体膜１３４を形成し（図６（Ｈ））、全面
をおおう第５層１１５を形成し（図６（Ｉ））、導電膜
１３５を形成し（図７（Ｊ））、スルーホール１１６ａ
を有する第６層１１６を形成し（図７（Ｋ））、導体膜
１３６を形成し（図７（Ｌ））、全面をおおう第７層１
１７を形成し（図７（Ｍ））、導体膜１３７を形成し
（図８（Ｎ））、スルーホール１１８ａを有する第８層
１１８を形成し（図８（Ｏ））、導体膜１３８を形成し
（図８（Ｐ））、全面に第９層１１９を形成する（図８
（Ｑ））。
形成される。以下、同様にして、材料ペーストにより第
３層１１３を形成し（図５（Ｅ））、導電ペーストによ
り導体膜１３３を形成し（図６（Ｆ））、スルーホール
１１４ａを有する第４層１１４を形成し（図６
（Ｇ））、導体膜１３４を形成し（図６（Ｈ））、全面
をおおう第５層１１５を形成し（図６（Ｉ））、導電膜
１３５を形成し（図７（Ｊ））、スルーホール１１６ａ
を有する第６層１１６を形成し（図７（Ｋ））、導体膜
１３６を形成し（図７（Ｌ））、全面をおおう第７層１
１７を形成し（図７（Ｍ））、導体膜１３７を形成し
（図８（Ｎ））、スルーホール１１８ａを有する第８層
１１８を形成し（図８（Ｏ））、導体膜１３８を形成し
（図８（Ｐ））、全面に第９層１１９を形成する（図８
（Ｑ））。
【００１８】さらに、導体膜１３９を形成し（図９
（Ｒ））、スルーホール１２０ａを有する第１０層１２
０を形成し（図９（Ｓ））、導体膜１４０を形成し（図
９（Ｔ））、全面に第１１層１２１を形成する（図９
（Ｕ））。このようにして、ここでは、互いに並列に接
続された５つの直列共振回路からなるフィルタ回路が生
成される。これら５つの直列共振回路は、それぞれ異な
る共振周波数を有するとともに、隣接した共振周波数を
持つ２つの直列共振回路のバンド幅どうしが一部重なる
ように共振周波数とバンド幅が定められている。
（Ｒ））、スルーホール１２０ａを有する第１０層１２
０を形成し（図９（Ｓ））、導体膜１４０を形成し（図
９（Ｔ））、全面に第１１層１２１を形成する（図９
（Ｕ））。このようにして、ここでは、互いに並列に接
続された５つの直列共振回路からなるフィルタ回路が生
成される。これら５つの直列共振回路は、それぞれ異な
る共振周波数を有するとともに、隣接した共振周波数を
持つ２つの直列共振回路のバンド幅どうしが一部重なる
ように共振周波数とバンド幅が定められている。
【００１９】尚、ここでは、フィルタ部品１個分のみ示
されているが、通常は同様のパターンを同時に複数形成
し、切断することにより、この１個分の積層体を多数生
成する。このようにしてこの積層体を形成した後、前述
したように、この積層体に脱バインダ処理を施し、さら
に焼成して焼成体を形成し、図３に示すように端子電極
１２および接地電極１３を形成する。
されているが、通常は同様のパターンを同時に複数形成
し、切断することにより、この１個分の積層体を多数生
成する。このようにしてこの積層体を形成した後、前述
したように、この積層体に脱バインダ処理を施し、さら
に焼成して焼成体を形成し、図３に示すように端子電極
１２および接地電極１３を形成する。
【００２０】このような製造工程を経ることにより、図
２に示す構造のフィルタ部品１０が製造される。図１０
は、図２に示す構造のフィルタ回路（ここでは直列共振
回路が並列に３段接続された構成のため、これを「３段
品」と称する）と、直列共振回路１段のみ（「１段品」
と称する）の場合のフィルタ特性を示した図である。
２に示す構造のフィルタ部品１０が製造される。図１０
は、図２に示す構造のフィルタ回路（ここでは直列共振
回路が並列に３段接続された構成のため、これを「３段
品」と称する）と、直列共振回路１段のみ（「１段品」
と称する）の場合のフィルタ特性を示した図である。
【００２１】１段品では極めて狭いバンド幅のみ信号ラ
イン上の信号の伝送を阻止しているが、３段品ではかな
り広い周波数帯域にわたるバンドストップフィルタが実
現されている。
イン上の信号の伝送を阻止しているが、３段品ではかな
り広い周波数帯域にわたるバンドストップフィルタが実
現されている。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば二
端子回路で所望の周波数帯域についてのバンドストップ
フィルタが実現でき、部品の小型化、高密度実装化が実
現できる。
端子回路で所望の周波数帯域についてのバンドストップ
フィルタが実現でき、部品の小型化、高密度実装化が実
現できる。
【図１】直列共振回路の回路図である。
【図２】並列に接続された複数の直列共振回路の回路図
である。
である。
【図３】本発明のバンドストップフィルタ部品の外観斜
視図である。
視図である。
【図４】図３に外観を示すバンドストップフィルタ部品
の内部に形成されたフィルタ回路の一部である直列共振
回路１つ分を示す模式図である。
の内部に形成されたフィルタ回路の一部である直列共振
回路１つ分を示す模式図である。
【図５】図２に示すフィルタ回路の製造工程を示す図で
ある。
ある。
【図６】図２に示すフィルタ回路の製造工程を示す図で
ある。
ある。
【図７】図２に示すフィルタ回路の製造工程を示す図で
ある。
ある。
【図８】図２に示すフィルタ回路の製造工程を示す図で
ある。
ある。
【図９】図２に示すフィルタ回路の製造工程を示す図で
ある。
ある。
【図１０】図２に示す構造のフィルタ回路と、直列共振
隘路１段のみの場合のフィルタ特性を示した図である。
隘路１段のみの場合のフィルタ特性を示した図である。
【図１１】Ｔ型フィルタの等価回路図である。
【図１２】π（パイ）型フィルタの等価回路図である。
１０ バンドストップフィルタ部品 １１ 基体 １２ 端子電極 １３ 接地電極 １４，１４＿１，１４＿２，…，１４＿ｎ 直列共振
回路 １５ インダクタ １６ キャパシタ １１１ ベース基板 １１２ 第２層 １１２ａ スルーホール １１３ 第３層 １１４ 第４層 １１４ａ スルーホール １１５ 第５層 １１６ 第６層 １１６ａ スルーホール １１７ 第７層 １１８ 第８層 １１８ａ スルーホール １１９ 第９層 １２０ 第１０層 １２０ａ スルーホール １２１ 第１１層 １３１，１３２，１３３，１３４，１３５，１３６，１
３７，１３８，１３９，１４０ 導体膜
回路 １５ インダクタ １６ キャパシタ １１１ ベース基板 １１２ 第２層 １１２ａ スルーホール １１３ 第３層 １１４ 第４層 １１４ａ スルーホール １１５ 第５層 １１６ 第６層 １１６ａ スルーホール １１７ 第７層 １１８ 第８層 １１８ａ スルーホール １１９ 第９層 １２０ 第１０層 １２０ａ スルーホール １２１ 第１１層 １３１，１３２，１３３，１３４，１３５，１３６，１
３７，１３８，１３９，１４０ 導体膜
Claims (3)
- 【請求項１】 磁性体材料および誘電体材料双方を含有
する磁器材料からなる基体と、 前記基体内部に形成された、信号伝送路上の点と接地ラ
インとの間に接続され、該信号伝送路上を伝送される信
号中の所定の周波数帯域内の信号成分を選択的に通過さ
せることにより、該信号成分の、該信号伝送路上の伝送
を阻止する二端子型受動フィルタ回路とを備えたことを
特徴とするバンドストップフィルタ部品。 - 【請求項２】 前記受動フィルタ回路が、それぞれが互
いに直列に接続されたインダクタとキャパシタとからな
り共振周波数が相互に異なる複数の直列共振回路が並列
に接続されたものであることを特徴とする請求項１記載
のバンドストップフィルタ部品。 - 【請求項３】 前記複数の直列共振回路のうち互いに隣
接した共振周波数を持つ２つの直列共振回路のバンド幅
どうしが一部重なるように、前記複数の直列共振回路そ
れぞれの共振周波数及びバンド幅が定められてなること
を特徴とする請求項２記載のバンドストップフィルタ部
品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10004995A JPH11205064A (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | バンドストップフィルタ部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10004995A JPH11205064A (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | バンドストップフィルタ部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11205064A true JPH11205064A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11599188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10004995A Pending JPH11205064A (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | バンドストップフィルタ部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11205064A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004312741A (ja) * | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Stmicroelectronics Sa | 一体型の二帯域インダクタンス及びその応用 |
| US20120306595A1 (en) * | 2010-03-01 | 2012-12-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic-wave filter device |
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-
1998
- 1998-01-13 JP JP10004995A patent/JPH11205064A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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