JPH11204498A

JPH11204498A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH11204498A
Application number: JP780798A
Authority: JP
Inventors: Yumi Shigemitsu; 光由美重
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-01-19
Filing date: 1998-01-19
Publication date: 1999-07-30

Abstract

(57)【要約】【課題】リアクティブ・イオン・エッチングによりシ
リコン酸化膜にテーパ状の開孔を形成する。【解決手段】まず、半導体基板１０上にシリコン酸化
膜２０を形成する。次に、このシリコン酸化膜２０上に
シリコン窒化膜３０からなる中間膜ＩＭを形成する。次
に、この中間膜ＩＭ上に所定パターンのレジスト４０を
形成する。続いて、中間膜ＩＭを等方性エッチングによ
りエッチングした後に、シリコン酸化膜２０をリアクテ
ィブ・イオン・エッチングによりエッチングして、開孔
２２を形成する。これにより、レジスト４０がリアクテ
ィブ・イオン・エッチングの際にシリコン酸化膜２０に
付着しなくなり、良好なテーパ形状を有する開孔２２を
形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特にリアクティブ・イオン・エッチング
（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）でのエッチング法す
る半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造過程では、シリコン酸
化膜をリアクティブ・イオン・エッチングする必要のあ
る場合が多い。このシリコン酸化膜のリアクティブ・イ
オン・エッチングは、一般に下地膜との高選択比を得る
ためにデポジションガスを用いている。デポジションガ
スを用いると、シリコン酸化膜以外の膜はデポジション
が起こるためエッチングが進まない。一方、シリコン酸
化膜では膜中の酸素によってデポジション反応が阻止さ
れるためにデポジションが起こらずエッチングが進行す
るというメカニズムになっている。エッチング反応は高
エネルギーイオン照射により進行していく。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述のようにシリコン
酸化膜にリアクティブ・イオン・エッチングを行った場
合、イオンは垂直入射される。このため、横方向にはエ
ッチングが進まず、エッチングの側壁形状が垂直にな
る。トランジスタ等を有する半導体装置の製造工程で
は、このエッチング後の工程で上部に薄膜を堆積させる
場合も多い。この場合、エッチング側壁が垂直であると
膜のカバレッジが悪くなり、段切れ等の不良が発生する
可能性が高くなる。このため、エッチングの側壁はテー
パ状に形成されている方が好ましい場合もある。しか
し、リアクティブ・イオン・エッチングではテーパ状の
側壁を得るのは困難である。

【０００４】このようにエッチング対象をテーパ形状に
エッチングするための方法として、デポジションを利用
する方法と、レジストの後退を利用する方法がある。し
かし、これらを利用する場合、プロセス条件の変更が必
要であり、エッチングレートの低下や、下地との選択比
の悪化といった性能悪化を伴う。

【０００５】また、レジストのベーキングをソフトにす
ることによっても、エッチング対象物をテーパ状にエッ
チングすることができる。しかし、レジストパターンニ
ング時のベーキングがソストになると、エッチング時の
イオンエッチングによりレジストがエッチングされてし
まう。このため、テーパ状のエッチング開孔を得ること
はできるが、エッチングされやすいソフトベーキングレ
ジストはイオンからの熱によりエッチング中に変形して
しまう。レジストがエッチング中に変形すると、変形し
たレジストによってエッチング端部が覆われるため、エ
ッチング形状がいびつになってしまう。このため、対象
物をテーパ状にエッチングすることは可能であるが、そ
のテーパの形状の制御までは困難であるという問題があ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に
シリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜
上に中間膜を形成する工程と、前記中間膜上に所定パタ
ーンのレジストを形成する工程と、前記中間膜を等方性
エッチングによりエッチングする工程と、前記シリコン
酸化膜をリアクティブ・イオン・エッチングによりエッ
チングする工程と、を備えたことを特徴とする。

【０００７】

【発明の実施の形態】（第１実施形態）本発明の第１実
施形態は、シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜からなる
中間膜を形成し、この中間膜上に所定パターンのレジス
トを形成した後に、シリコン窒化膜を等方性エッチング
し、シリコン酸化膜をリアクティブ・イオン・エッチン
グすることにより、このシリコン酸化膜にテーパ状の開
孔を形成するものである。より詳しくを、以下に説明す
る。

【０００８】図１乃至図４は、本発明の第１実施形態に
係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。

【０００９】図１からわかるように、シリコン基板から
なる半導体基板１０上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition ）により、シリコン酸化膜２０を堆積する。次
に、このシリコン酸化膜２０上に、ＣＶＤにより、中間
膜としてのシリコン窒化膜を２００ｎｍ堆積する。つま
り、下地としてのシリコン酸化膜２０上に、他種類の膜
としてのシリコン窒化膜３０を形成する。このシリコン
窒化膜３０が中間膜ＩＭを構成する。続いて、このシリ
コン窒化膜３０上に、レジスト４０を塗布して所定のパ
ターンにパターンニングする。これによりレジスト４０
にレジスト開孔４２を形成する。このレジスト開孔４２
形成後にベーキングを行う。このレジスト４０の現像後
のベーキングは、例えば、１３０℃で３分行う。以上の
工程により図１に示す中間半導体装置が得られる。

【００１０】次に、図２からわかるように、シリコン窒
化膜３０を等方性エッチングすることにより空間３２を
形成する。すなわち、レジスト４０とシリコン酸化膜２
０との間に、空間３２を形成する。等方性エッチングと
しては、例えば、ＲＩＥでＳＦ₆ガス流量１００ｓｃｃ
ｍ、圧力２０Ｐａ、ＲＦパワー１０００Ｗで３０秒間エ
ッチングを行うことが考えられる。または、例えば、弗
酸で３０秒間エッチングを行うことが考えられる。つま
り、シリコン窒化膜３０をケミカルエッチング効果の高
いガスを用いて、サイドエッチングの大きい条件で等方
性エッチングする。このように等方性エッチングをする
ことにより、シリコン窒化膜３０が選択的にエッチング
される。これにより、シリコン窒化膜２０を大きくサイ
ドエッチングして、空間３２を形成する。以上の工程の
より図２に示す中間半導体装置が得られる。

【００１１】次に、図３からわかるように、シリコン酸
化膜２０をＲＩＥでエッチングすることにより酸化膜開
孔２２を形成する。例えば、ＣＨＦ₃ガス流量２０ｓｃ
ｃｍ、Ｏ₂ガス流量５０ｓｃｃｍ、圧力２０Ｐａで２４
０秒間、リアクティブ・イオン・エッチングをする。こ
のリアクティブ・イオン・エッチングの際には、レジス
ト４０はソフトベーキングのため、プラズマによってエ
ッチングされて、変形する。しかし、レジスト４０とシ
リコン酸化膜２０との間には空間３２が形成されている
ため、シリコン酸化膜２０にレジスト４０が付着するこ
とはない。以上の工程により図３に示す中間半導体装置
が得られる。

【００１２】次に、図４からわかるように、レジスト４
０を除去する。このようにして、半導体基板１０との選
択比を高く保ちながら、シリコン酸化膜２０をテーパ形
状の酸化膜開孔２２を形成する。以上の工程により図４
に示す中間半導体装置が得られる。

【００１３】以上のように本実施形態に係る半導体装置
の製造方法によれば、図３からわかるように、レジスト
４０とシリコン酸化膜２０との間に空間３２が形成され
ているので、このシリコン酸化膜２０をＲＩＥでエッチ
ングする際に、レジスト４０がシリコン酸化膜２０に付
着するのを防止でき、シリコン酸化膜２０に良好なテー
パ形状の開孔２２を形成することができる。

【００１４】より詳しくは、シリコン酸化膜２０上に中
間膜ＩＭであるシリコン窒化膜３０を堆積させ、このシ
リコン窒化膜３０上にレジスト４０をパターンニングす
る。続いて、上層であるシリコン窒化膜３０をケミカル
エッチング効果の高いガスを用いてサイドエッチングの
大きい条件でエッチングする。その後シリコン酸化膜２
０をＲＩＥでエッチングする。このＲＩＥの際には、レ
ジスト４０はソフトベーキングのためのプラズマによっ
てエッチングされて、変形する。しかし、レジスト４０
とシリコン酸化膜２０との間には空間３２があるため、
レジスト４０が熱変形しても、シリコン酸化膜２０にレ
ジスト４０が付着しないようにすることができる。この
ようにレジスト４０が付着しないようにすることによ
り、レジスト４０の後退をスムーズに行うことができ、
シリコン酸化膜２０に良好なテーパ状の開孔２２を形成
することができる。すなわち、レジスト４０の端部が次
第に変形していくことにより、結果的にテーパ状の開孔
２２を形成することができる。

【００１５】このようにシリコン酸化膜２０の開孔２２
をテーパ状に形成することにより、この開孔２２内に薄
膜を形成する場合におけるカバレッジを良くすることが
できる。すなわち、開孔２２内に形成する薄膜に、段切
れ等が生じるおそれを回避することができる。

【００１６】しかも、エッチングレート、選択比等を変
更することなく、シリコン酸化膜２０における開孔２２
の形状を、垂直形状からテーパ形状にすることができ
る。またレジスト４０のベーキング条件を変更すること
で、テーパ角の制御を容易することができる。すなわ
ち、レジスト４０の端部の変形速度を制御することによ
り、結果的にテーパの形状を制御することができる。こ
のため、シリコン酸化膜２０における開孔２２のテーパ
形状を、容易に所望の形状とすることができる。

【００１７】（第２実施形態）本発明の第２実施形態
は、上述した第１実施形態を変形して、シリコン酸化膜
上に形成した中間膜としてのシリコン窒化膜を、上層中
間膜と下層中間膜の二層構造とすることにより、この中
間膜もテーパ形状に形成することができるようにしたも
のである。より詳しくを、以下に説明する。

【００１８】図５乃至図８は、本発明の第２実施形態に
係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。

【００１９】図５からわかるように、シリコン基板から
なる半導体基板１０上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition ）により、シリコン酸化膜２０を堆積する。次
に、このシリコン酸化膜上に、下層中間膜としての下層
シリコン窒化膜５０を形成し、この下層シリコン窒化膜
５０上に上層シリコン窒化膜５２を形成する。本実施形
態においては、プラズマＣＶＤにより、電極間距離７５
０ｍｉｌで下層シリコン窒化膜５０を２００ｎｍ堆積
し、その上に同じくプラズマＣＶＤにより、電極間距離
９００ｍｉｌで上層シリコン窒化膜５２を５０ｎｍ堆積
する。これら下層シリコン窒化膜５０と上層シリコン窒
化膜５２とで、中間膜ＩＭを構成する。続いて、この上
層シリコン窒化膜５２上に、レジスト４０を塗布して所
定のパターンにパターンニングする。これによりレジス
ト４０にレジスト開孔４２を形成する。このレジスト開
孔４２形成後にベーキングを行う。このレジスト４０の
現像後のベーキングは、例えば、１３０℃で３分行う。
以上の工程により図５に示す中間半導体装置が得られ
る。

【００２０】次に、図６からわかるように、シリコン窒
化膜５０、５２を等方性エッチングすることにより空間
５４を形成する。すなわち、レジスト４０とシリコン酸
化膜２０との間に、空間５４を形成する。等方性エッチ
ングとしては、例えば、ＲＩＥでＳＦ₆ガス流量１００
ｓｃｃｍ、圧力２０Ｐａ、ＲＦパワー１０００Ｗで３０
秒間エッチングを行うことが考えられる。または、例え
ば、弗酸で３０秒間薬液エッチングを行うことが考えら
れる。つまり、下層シリコン窒化膜５０と上層シリコン
窒化膜５２とから構成された中間膜ＩＭを、ケミカルエ
ッチング効果の高いガスを用いて、サイドエッチングの
大きい条件で等方性エッチングする。このように等方性
エッチングをすることにより、シリコン窒化膜５０、５
２から形成された中間膜ＩＭが選択的にエッチングされ
る。これにより、中間膜ＩＭを大きくサイドエッチング
して、空間５４を形成する。しかも、中間膜ＩＭは二層
であるため、上層シリコン窒化膜５２に引っ張られて、
エッチング形状はテーパ形状になる。以上の工程のより
図６に示す中間半導体装置が得られる。

【００２１】次に、図７からわかるように、ガス切り替
えを行い、シリコン酸化膜２０をＲＩＥでエッチングす
ることにより酸化膜開孔２２を形成する。例えば、ＣＨ
Ｆ₃ガス流量２０ｓｃｃｍ、Ｏ₂ガス流量５０ｓｃｃ
ｍ、圧力２０Ｐａで２４０秒間、リアクティブ・イオン
・エッチングをする。このリアクティブ・イオン・エッ
チングの際には、レジスト４０はソフトベーキングのた
め、プラズマによってエッチングされて、変形する。し
かし、レジスト４０とシリコン酸化膜２０との間には空
間５４が形成されているため、シリコン酸化膜２０にレ
ジスト４０が付着することはない。以上の工程により図
７に示す中間半導体装置が得られる。

【００２２】次に、図８からわかるように、レジスト４
０を除去する。このようにして、半導体基板１０との選
択比を高く保ちながら、シリコン酸化膜２０をテーパ形
状の酸化膜開孔２２を形成する。以上の工程により図８
に示す中間半導体装置が得られる。

【００２３】以上のように本実施形態に係る半導体装置
の製造方法によれば、図７からわかるように、第１実施
形態と同様に、レジスト４０とシリコン酸化膜２０との
間に空間５４が形成されているので、このシリコン酸化
膜２０をＲＩＥでエッチングする際に、レジスト４０が
シリコン酸化膜２０に付着するのを防止でき、シリコン
酸化膜２０に良好なテーパ形状の開孔２２を形成するこ
とができる。

【００２４】そのうえ、中間膜ＩＭを下層シリコン窒化
膜５０と上層シリコン窒化膜５２との二層構造としたの
で、中間膜ＩＭをテーパ上にエッチングすることができ
る。すなわち、下地であるシリコンからなる半導体基板
１０との高選択比を高く保ちながらシリコン酸化膜２０
をテーパ状にエッチングすることができるとともに、上
層の中間膜ＩＭについてもテーパ状にエッチングするこ
とができる。

【００２５】このようにシリコン酸化膜２０の開孔２２
をテーパ状に形成することともに、中間膜ＩＭの開孔も
テーパ状に形成することより、この開孔２２内に薄膜を
形成する場合におけるカバレッジをより一層良くするこ
とができる。すなわち、開孔２２内に形成した薄膜に、
段切れ等が生じるおそれをより一層回避することができ
る。

【００２６】しかも、第１実施形態と同様に、エッチン
グレート、選択比等を変更することなく、シリコン酸化
膜２０における開孔２２の形状を、垂直形状からテーパ
形状にすることができる。またレジスト４０のベーキン
グ条件を変更することで、テーパ角の制御を容易するこ
とができる。

【００２７】（第３実施形態）第３実施形態は、本発明
を液晶表示装置の製造方法に適用したものである。より
詳しくを、以下に説明する。

【００２８】図９乃至図１２は、本実施形態に係る液晶
表示装置におけるアレイ基板の製造方法を示す工程断面
図である。図１３はアレイ基板の平面図であり、図１４
及び図１５はその部分断面図である。図９乃至図１２に
おける図中左側部分は、図１３における走査線パッド１
５２部分にあたるＢ−Ｂ線断面図である。図９乃至図１
２における図中中央部分は、図１３におけるＴＦＴ領域
にあたるＡ−Ａ線断面図である。図９乃至図１２におけ
る図中右側部分は、図１３における信号線パッド１６２
にあたるＣ−Ｃ線断面図である。

【００２９】図９（ａ）からわかるように、ガラス基板
１０１上にスパッターによりＡＩ−Ｙ合金膜を２００ｎ
ｍ厚で堆積する。続いて、このＡＩ−Ｙ合金膜上に、Ｍ
ｏ膜を３０ｎｍ厚で堆積する。そして、これらＡＩ−Ｙ
合金膜とＭｏ膜とを、第１のマスクパターンを用いて露
光し、現像、パターニング（第１のパターニング）をす
ることにより、４８０本の走査線１１１と、４８０本の
補助容量線１１３（図１３参照）を形成する。このと
き、ガラス基板１０１の一端辺１０１ａ側、１０１ｂ側
（図１３参照）に引き出された接続端１１１ａ、１１１
ｂも形成される。

【００３０】次に図９（ｂ）からわかるように、、ＣＶ
Ｄ法により１５０ｎｍ厚の酸化シリコン膜から成る第１
ゲート絶縁膜１１５を堆積する。続いて、この第１ゲー
ト絶縁膜１１５上に、ＣＶＤ法により、１５０ｎｍ厚の
酸化シリコン膜から成る第２ゲート絶縁膜１１７と、５
０ｎｍ厚のａ−Ｓｉ：Ｈからなる半導体被膜１１９と、
２００ｎｍ厚の窒化シリコン膜からなるチャネル保護被
膜１２１とを、連続的に、大気にさらすことなく形成す
る。

【００３１】次に図１０（ａ）からわかるように、走査
線１１１をマスクとした裏面露光技術により、走査線１
１１に自己整合的にチャネル保護被膜をパターニングす
る。さらに、このチャネル保護被膜を、ＴＦＴ領域に対
応するように第２のマスクパターンを用いて露光し、現
像、パターニング（第２のパターニング）をして、島状
のチャネル保護膜１２２を形成する。

【００３２】次に図１０（ｂ）からわかるように、良好
なオーミックコンタクトが得られるように、露出する半
導体被膜１１９表面を弗酸で処理する。続いて、この半
導体被膜１１９上に、ＣＶＤ法により、不純物としてリ
ンを含む３０ｎｍ厚のｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈからなる低抵抗
半導体被膜１２３を堆積する。さらに、この低抵抗半導
体被膜１２３上に、スパッターにより、３００ｎｍ厚の
Ｍｏ−Ｗ合金膜１２５を堆積する。

【００３３】次に図１１（ａ）からわかるように、第３
のマスクパターンを用いて露光、現像し、Ｍｏ−Ｗ合金
膜１２５と、低抵抗半導体被膜１２３と、半導体被膜１
１９とを、パターニング（第３のパターニング）してＲ
ＩＥにより一括してエッチングすることにより、半導体
膜１２０と、低抵抗半導体膜１２４ａ、１２４ｂと、ソ
ース電極１２６ｂと、信号線１１０（図１３参照）と、
この信号線１１０と一体の接続端１１１ｂ（図１３参
照）と、信号線１１０と一体のドレイン電極１２６ａを
形成する。すなわち、酸化シリコン膜からなる第２ゲー
ト絶縁膜１１７と、チャネル保護膜１２２との、エッチ
ング選択比を制御することにより、一括エッチングで、
これらを形成する。

【００３４】次に図１１（ｂ）からわかるように、この
上にプラズマＣＶＤにより、基板間距離７５０ｍｉｌで
２００ｎｍ厚の窒化シリコン膜からなる絶縁膜１２７を
堆積する。さらに、この絶縁膜１２７上に、基板間距離
９００ｍｉｌで５０ｎｍ厚の窒化シリコン膜１２８を堆
積する。

【００３５】次に図１２（ａ）からわかるように、第４
のマスクパターンを用いて露光、現像して、所定パター
ンのレジストＲＴを形成する。続いて、ＲＩＥで、例え
ばＳＦ₆ガス流量１００ｓｃｃｍ、圧力２０Ｐａ、ＲＦ
パワー１０００Ｗの条件下で、３０秒間エッチングを行
い、層間絶縁膜１２７と窒化シリコン膜１２８とを除去
して、コンタクトホール１２９ａを形成する。つまり、
等方性エッチングで窒化シリコンからなる絶縁膜１２７
と、窒化シリコン膜１２８とを、エッチングする。この
とき、図１２（ａ）からわかるように、等方性エッチン
グであるので、これら絶縁膜１２７と窒化シリコン膜１
２８とのサイドが大きくエッチングされる。

【００３６】次に図１２（ｂ）からわかるように、ＲＩ
Ｅで、例えばＣＨＦ₃ガス流量２００ｓｃｃｍＯ₂ガス
流量５０ｓｃｃｍ、圧力２０Ｐａの条件下で、２４０秒
間エッチングを行い、コンタクトホール１２９ｂ、１２
９ｃを形成する。すなわち、コンタクトホール１２９ａ
から露出している酸化シリコンからなる第１、第２ゲー
ト絶縁膜１１５、１１７を、ＭｏＷ合金膜１２５と高選
択比を保ちながらエッチングをしてコンタクトホール１
２９ｂ、１２９ｃを形成する。これらのコンタクトホー
ルのうちのコンタクトホール１２９ｃの拡大図を図１６
に示す。この図１６からわかるように、コンタクトホー
ル１２９ｃは順テーパ形状となる。なお、コンタクトホ
ール１２９ｂも順テーパ形状となっている。

【００３７】続いて、この上に１００ｎｍ厚のＩＴＯ膜
をスパッターにより堆積し、第５のマスクパターンを用
いて露光、現像、パターニング（第５のパターニング）
することにより、画素電極１３１を形成する。これと同
時に、コンタクトホール１２９ｂを介して走査線１１１
の接続端１１１ａに電気的に接続される画素電極１３１
と同一材料からなる走査線接続パッド１１２ａを形成す
る。また、コンタクトホール１２９ｃを介して信号線１
１０の接続端１１１ｂに電気的に接続される画素電極１
３１と同一材料からなる信号線接続パッド１１２ｂを形
成する。

【００３８】図１４と図１５は完成品としての液晶表示
装置の断面を示す図である。これらの図のうち図１４
は、図１３におけるＡ−Ａ線断面に相当する断面図であ
り、図１５は、図１３におけるＤ−Ｄ線断面に相当する
断面図である。

【００３９】これらの図からわかるように、この液晶表
示装置は、アレイ基板１００と対向基板２００との間
に、液晶４００を封止して構成されている。これらアレ
イ基板１００と対向基板２００とにおける液晶４００側
の面には、それぞれ、配向膜１４１、２４１が形成され
ている。この液晶表示装置の構造自体は通常のものであ
るので、ここでは詳しい説明を省略する。

【００４０】以上のように本実施形態によれば、コンタ
クトホール１２９ｂ、１２９ｃを順テーパ状に形成する
ことができるので、これらの上にＩＴＯ膜をスパッタし
た場合のカバレッジを良くすることができ、段切れ不良
を防ぐことができる。すなわち、走査線接続パッド１１
２ａと信号線接続パッド１１２ｂとを、段切れなく良好
に形成することができる。

【００４１】なお、本発明は上記実施形態に限定されず
種々に変形可能である。例えば、中間膜ＩＭは、シリコ
ン窒化膜に限るものではなく、ポリシリコン、モリブデ
ン等であっても良い。すなわち、中間膜ＩＭを等方性エ
ッチングする際に、シリコン酸化膜に対して選択性を有
する材質のものであれば良い。また、この中間膜ＩＭは
一層構造、二層構造に限るものではなく、三層構造、四
層構造等の多層構造であっても良い。さらに、中間膜Ｉ
Ｍが多層構造である場合には、この中間膜ＩＭを互いに
異なる素材で形成してもよい。例えば、中間膜ＩＭが二
層構造の場合、上層中間膜をシリコン窒化膜とし、下層
中間膜をポリシリコンとするような、構成も可能であ
る。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、シリコン酸化膜をリア
クティブ・イオン・エッチングでエッチングする際に、
レジストとシリコン窒化膜との間に、中間膜を形成した
ので、シリコン酸化膜にテーパ状の開孔を形成すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造
工程を示す断面図の一部。

【図２】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造
工程を示す断面図の一部。

【図３】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造
工程を示す断面図の一部。

【図４】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造
工程を示す断面図の一部。

【図５】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造
工程を示す断面図の一部。

【図６】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造
工程を示す断面図の一部。

【図７】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造
工程を示す断面図の一部。

【図８】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造
工程を示す断面図の一部。

【図９】本発明を液晶表示装置の製造工程に適用した一
例を示す工程断面図の一部。

【図１０】本発明を液晶表示装置の製造工程に適用した
一例を示す工程断面図の一部。

【図１１】本発明を液晶表示装置の製造工程に適用した
一例を示す工程断面図の一部。

【図１２】本発明を液晶表示装置の製造工程に適用した
一例を示す工程断面図の一部。

【図１３】液晶表示装置におけるアレイ基板の平面図。

【図１４】図１３のＡ−Ａ線断面における液晶表示装置
の断面図。

【図１５】図１３のＤ−Ｄ線断面における液晶表示装置
の断面図。

【図１６】図１２（ｂ）におけるコンタクト開孔近傍の
拡大断面図。

【符号の説明】

１０半導体基板２０シリコン酸化膜２２開孔３０シリコン窒化膜３２空間４０レジスト４２レジスト開孔５０下層シリコン窒化膜５２上層シリコン窒化膜ＩＭ中間膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上にシリコン酸化膜を形成する
工程と、前記シリコン酸化膜上に中間膜を形成する工程と、前記中間膜上に所定パターンのレジストを形成する工程
と、前記中間膜を等方性エッチングによりエッチングする工
程と、前記シリコン酸化膜をリアクティブ・イオン・エッチン
グによりエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記シリコン酸化膜と前記レジストとの間
の前記中間膜は、一層構造のものとして形成されること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】前記中間膜は、シリコン窒化膜であること
を特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記シリコン酸化膜と前記レジストとの間
の前記中間膜は、上層中間膜と下層中間膜とからなる二
層構造のものとして、形成されることを特徴とする請求
項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記上層中間膜と前記下層中間膜とは、と
もに、シリコン窒化膜であることを特徴とする請求項４
に記載の半導体装置の製造方法。