JPH11195813A - 窒化ガリウム系半導体素子 - Google Patents
窒化ガリウム系半導体素子Info
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- JPH11195813A JPH11195813A JP36142097A JP36142097A JPH11195813A JP H11195813 A JPH11195813 A JP H11195813A JP 36142097 A JP36142097 A JP 36142097A JP 36142097 A JP36142097 A JP 36142097A JP H11195813 A JPH11195813 A JP H11195813A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 素子自体にはクラックが発生しないようにし
て素子の収率を向上させること及び素子自体の残留応力
を解消して素子の信頼性を向上させること。 【解決手段】 サファイア基板上に、複数の十字溝を、
それぞれの先端を互いに向かい合わせるように配置し、
且つそれぞれの中心点が四角形の頂点に位置するように
配置している。このようなサファイア基板上に３−５族
化合物半導体層の結晶成長を行うと、前記十字溝の溝に
沿って結晶成長が進む。この際、溝を形成する斜面で囲
まれた部分は実効的に成長速度が速く、成長面は略平坦
に形成されていくため、この溝の部分には特に応力が集
中しやすく、前記四角形の辺に沿ってクラックが発生
し、その代わり、前記四角形内部の素子領域にはクラッ
クが生じない。これにより、素子自体にはクラックが発
生しないため、素子の収率を向上させるだけでなく、素
子自体の残留応力を解消して素子の信頼性が向上する。
て素子の収率を向上させること及び素子自体の残留応力
を解消して素子の信頼性を向上させること。 【解決手段】 サファイア基板上に、複数の十字溝を、
それぞれの先端を互いに向かい合わせるように配置し、
且つそれぞれの中心点が四角形の頂点に位置するように
配置している。このようなサファイア基板上に３−５族
化合物半導体層の結晶成長を行うと、前記十字溝の溝に
沿って結晶成長が進む。この際、溝を形成する斜面で囲
まれた部分は実効的に成長速度が速く、成長面は略平坦
に形成されていくため、この溝の部分には特に応力が集
中しやすく、前記四角形の辺に沿ってクラックが発生
し、その代わり、前記四角形内部の素子領域にはクラッ
クが生じない。これにより、素子自体にはクラックが発
生しないため、素子の収率を向上させるだけでなく、素
子自体の残留応力を解消して素子の信頼性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒化物系３−５族化
合物半導体成長層を有する窒化ガリウム系半導体素子に
関する。
合物半導体成長層を有する窒化ガリウム系半導体素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、紫外から可視光領域までの発光が
得られる３−５族化合物半導体材料として、ＧａＮ、Ｉ
ｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＡｌＮ等が知られ
ている。図１４はこれらを用いて製造された発光機能を
有する従来の窒化ガリウム系半導体素子で、活性層にＩ
ｎＧａＮ層を用いたダブルヘテロ構造の発光ダイオード
の構造例を示した断面図である。単結晶のサファイア基
板１１上には、ＧａＮバッファー層１２、ｎ型のＧａＮ
層１３、ｎ型のＡｌＧａＮクラッド層１４、ＩｎＧａＮ
活性層１５、ｐ型のＡｌＧａＮクラッド層１６、ｐ＋型
のＧａＮ（コンタクト）層１７を成長させて素子を形成
する。
得られる３−５族化合物半導体材料として、ＧａＮ、Ｉ
ｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＡｌＮ等が知られ
ている。図１４はこれらを用いて製造された発光機能を
有する従来の窒化ガリウム系半導体素子で、活性層にＩ
ｎＧａＮ層を用いたダブルヘテロ構造の発光ダイオード
の構造例を示した断面図である。単結晶のサファイア基
板１１上には、ＧａＮバッファー層１２、ｎ型のＧａＮ
層１３、ｎ型のＡｌＧａＮクラッド層１４、ＩｎＧａＮ
活性層１５、ｐ型のＡｌＧａＮクラッド層１６、ｐ＋型
のＧａＮ（コンタクト）層１７を成長させて素子を形成
する。
【０００３】このような窒化ガリウム系半導体素子の結
晶成長方法としては、ＭＯ−ＣＶＤ法を用い、キャリア
ガスとしてＨ２、Ｎ２のどちらか一方、或いは両者の混
合ガスを用いている。原料ガスとして３族にはＴＭＧ
（トリメチルガリウム）、ＴＭＩ（トリメチルインディ
ウム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）のバブリン
グガスを、５族にはＮＨ３(アンモニア）を用いる。こ
の他に、ドーピングガスとしてｎ型不純物にはＳｉをＳ
ｉＨ４(モノシラン）のバブリングガスとして、ｐ型不
純物にはＭｇをＣｐ２Ｍｇ（ビスシクロペンタジエニル
マグネシウム）のバブリングガスとして供給する。
晶成長方法としては、ＭＯ−ＣＶＤ法を用い、キャリア
ガスとしてＨ２、Ｎ２のどちらか一方、或いは両者の混
合ガスを用いている。原料ガスとして３族にはＴＭＧ
（トリメチルガリウム）、ＴＭＩ（トリメチルインディ
ウム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）のバブリン
グガスを、５族にはＮＨ３(アンモニア）を用いる。こ
の他に、ドーピングガスとしてｎ型不純物にはＳｉをＳ
ｉＨ４(モノシラン）のバブリングガスとして、ｐ型不
純物にはＭｇをＣｐ２Ｍｇ（ビスシクロペンタジエニル
マグネシウム）のバブリングガスとして供給する。
【０００４】こうして得られた構造のサファイア基板１
１のｎ型ＧａＮ層１３のｎ層表面をエッチングによって
露出した後、ｎ電極２２を形成し、ｐ＋型のＧａＮコン
タクト層１７にｐ電極２１を形成して、図１５に示すよ
うな素子構造を得る。このｐ電極２１とｎ電極２２間
に、電圧を印加することにより、ＩｎＧａＮ活性層１５
を発光させる。
１のｎ型ＧａＮ層１３のｎ層表面をエッチングによって
露出した後、ｎ電極２２を形成し、ｐ＋型のＧａＮコン
タクト層１７にｐ電極２１を形成して、図１５に示すよ
うな素子構造を得る。このｐ電極２１とｎ電極２２間
に、電圧を印加することにより、ＩｎＧａＮ活性層１５
を発光させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような窒化物系
３−５族化合物半導体成長層を有する半導体素子では、
例えばＡｌＧａＮクラッド層１４を高Ａｌ組成にした
り、膜厚を厚く形成すると、各層の格子不整合や、熱膨
張係数差に起因する応力で成長層にクラックが生じると
いう問題があった。これは、ＡｌＧａＮ又はＧａＮ系成
長層が適当層の強度限界が破断圧縮強度よりも引張り強
度限界のほうが低いため、引張り歪みを持つＡｌＧａＮ
クラッド層１４、若しくは隣接する層に、比較的容易に
クラックが発生するためである。
３−５族化合物半導体成長層を有する半導体素子では、
例えばＡｌＧａＮクラッド層１４を高Ａｌ組成にした
り、膜厚を厚く形成すると、各層の格子不整合や、熱膨
張係数差に起因する応力で成長層にクラックが生じると
いう問題があった。これは、ＡｌＧａＮ又はＧａＮ系成
長層が適当層の強度限界が破断圧縮強度よりも引張り強
度限界のほうが低いため、引張り歪みを持つＡｌＧａＮ
クラッド層１４、若しくは隣接する層に、比較的容易に
クラックが発生するためである。
【０００６】このクラックが素子化工程を経て得られる
チップの表面にあると、チップが不良となる。また、ク
ラックが入らなかった場合、チップは不良にはならない
が、素子内に残留応力が内在しており信頼性の観点から
望ましくない。このため、ＡｌＧａＮクラッド層１４な
どのＡｌ組成や膜厚には、クラックが入らない臨界値が
発生し、この臨界値が実際のデバイスを設計する際の自
由度を下げることになる。またＡｌ組成や膜厚の臨界値
以下でも、残留応力が成長層に内在しているため、この
残留応力に起因する欠陥が成長する可能性があり、この
場合でも素子の信頼性が低くなるという問題があった。
チップの表面にあると、チップが不良となる。また、ク
ラックが入らなかった場合、チップは不良にはならない
が、素子内に残留応力が内在しており信頼性の観点から
望ましくない。このため、ＡｌＧａＮクラッド層１４な
どのＡｌ組成や膜厚には、クラックが入らない臨界値が
発生し、この臨界値が実際のデバイスを設計する際の自
由度を下げることになる。またＡｌ組成や膜厚の臨界値
以下でも、残留応力が成長層に内在しているため、この
残留応力に起因する欠陥が成長する可能性があり、この
場合でも素子の信頼性が低くなるという問題があった。
【０００７】本発明は、上述の如き従来の課題を解決す
るためになされたもので、その目的は、ウェハー上の素
子領域の周辺にクラックを発生させることにより、素子
自体にはクラックが発生しないようにして素子の収率を
向上させることができる共に、素子自体の残留応力を解
消して信頼性を向上させることができる窒化ガリウム系
化合物半導体素子を提供することである。
るためになされたもので、その目的は、ウェハー上の素
子領域の周辺にクラックを発生させることにより、素子
自体にはクラックが発生しないようにして素子の収率を
向上させることができる共に、素子自体の残留応力を解
消して信頼性を向上させることができる窒化ガリウム系
化合物半導体素子を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明の特徴は、基板上に少なくとも１層以上
の３−５族化合物半導体の成長層を積層した窒化ガリウ
ム系半導体素子において、前記基板の主面に、所定間隔
離して規則的に配置され且つ所定形状を有する複数の凹
部を形成することにある。
に、第１の発明の特徴は、基板上に少なくとも１層以上
の３−５族化合物半導体の成長層を積層した窒化ガリウ
ム系半導体素子において、前記基板の主面に、所定間隔
離して規則的に配置され且つ所定形状を有する複数の凹
部を形成することにある。
【０００９】この第１の発明によれば、前記基板上の複
数の凹部に沿って、この上に積層された窒化ガリウム半
導体層にクラックが入り、このクラックで囲まれた素子
領域にはクラックか入らないだけでなく、残留応力も解
放される。これにより、素子層内部に残留する応力に起
因して成長する欠陥が著しく減少する。
数の凹部に沿って、この上に積層された窒化ガリウム半
導体層にクラックが入り、このクラックで囲まれた素子
領域にはクラックか入らないだけでなく、残留応力も解
放される。これにより、素子層内部に残留する応力に起
因して成長する欠陥が著しく減少する。
【００１０】第２の発明の特徴は、基板上に少なくとも
１層以上の３−５族化合物半導体の成長層を積層した窒
化ガリウム系半導体素子において、前記基板の主面に、
所定間隔離して規則的に配置され且つ所定形状を有する
複数の凸部を形成することにある。
１層以上の３−５族化合物半導体の成長層を積層した窒
化ガリウム系半導体素子において、前記基板の主面に、
所定間隔離して規則的に配置され且つ所定形状を有する
複数の凸部を形成することにある。
【００１１】この第２の発明によれば、前記基板上の複
数の凸部に沿って、この上に積層された窒化ガリウム半
導体層にクラックが入り、このクラックで囲まれた素子
領域にはクラックか入らないだけでなく、残留応力も解
放される。これにより、素子層内部に残留する応力に起
因して成長する欠陥が著しく減少する。
数の凸部に沿って、この上に積層された窒化ガリウム半
導体層にクラックが入り、このクラックで囲まれた素子
領域にはクラックか入らないだけでなく、残留応力も解
放される。これにより、素子層内部に残留する応力に起
因して成長する欠陥が著しく減少する。
【００１２】第３の発明の特徴は、基板上に少なくとも
１層以上の３−５族化合物半導体の成長層を積層した窒
化ガリウム系半導体素子において、前記基板の主面に、
規則的に配列された複数の帯状の溝を形成することにあ
る。
１層以上の３−５族化合物半導体の成長層を積層した窒
化ガリウム系半導体素子において、前記基板の主面に、
規則的に配列された複数の帯状の溝を形成することにあ
る。
【００１３】この第３の発明によれば、前記基板上の帯
状の溝に沿って、この上に積層された窒化ガリウム半導
体層にクラックが入り、このクラックで囲まれた素子領
域にはクラックか入らないだけでなく、残留応力も解放
される。これにより、素子層内部に残留する応力に起因
して成長する欠陥が著しく減少する。
状の溝に沿って、この上に積層された窒化ガリウム半導
体層にクラックが入り、このクラックで囲まれた素子領
域にはクラックか入らないだけでなく、残留応力も解放
される。これにより、素子層内部に残留する応力に起因
して成長する欠陥が著しく減少する。
【００１４】第４の発明の特徴は、基板上に少なくとも
１層以上の３−５族化合物半導体の成長層を積層した窒
化ガリウム系半導体素子において、前記基板の主面に、
規則的に配列された複数の帯状の突起を形成することに
ある。
１層以上の３−５族化合物半導体の成長層を積層した窒
化ガリウム系半導体素子において、前記基板の主面に、
規則的に配列された複数の帯状の突起を形成することに
ある。
【００１５】この第４の発明によれば、前記基板上の帯
状の突起に沿って、この上に積層された窒化ガリウム半
導体層にクラックが入り、このクラックで囲まれた素子
領域にはクラックか入らないだけでなく、残留応力も解
放される。これにより、素子層内部に残留する応力に起
因して成長する欠陥が著しく減少する。
状の突起に沿って、この上に積層された窒化ガリウム半
導体層にクラックが入り、このクラックで囲まれた素子
領域にはクラックか入らないだけでなく、残留応力も解
放される。これにより、素子層内部に残留する応力に起
因して成長する欠陥が著しく減少する。
【００１６】第５の発明の特徴は、基板上に少なくとも
１層以上の３−５族化合物半導体の成長層を積層した窒
化ガリウム系半導体素子において、前記基板の主面に、
規則的に配列された帯状の輻射熱吸収領域を形成するこ
とにある。
１層以上の３−５族化合物半導体の成長層を積層した窒
化ガリウム系半導体素子において、前記基板の主面に、
規則的に配列された帯状の輻射熱吸収領域を形成するこ
とにある。
【００１７】この第５の発明によれば、前記基板上の帯
状の輻射熱吸収領域に沿って、この上に積層された窒化
ガリウム半導体層にクラックが入り、このクラックで囲
まれた素子領域にはクラックか入らないだけでなく、残
留応力も解放される。これにより、素子層内部に残留す
る応力に起因して成長する欠陥が著しく減少する。
状の輻射熱吸収領域に沿って、この上に積層された窒化
ガリウム半導体層にクラックが入り、このクラックで囲
まれた素子領域にはクラックか入らないだけでなく、残
留応力も解放される。これにより、素子層内部に残留す
る応力に起因して成長する欠陥が著しく減少する。
【００１８】第６の発明の特徴は、基板上に少なくとも
１層以上の３−５族化合物半導体の成長層を積層した窒
化ガリウム系半導体素子において、前記基板の背面に、
規則的に配列された帯状の輻射熱吸収領域を形成するこ
とにある。
１層以上の３−５族化合物半導体の成長層を積層した窒
化ガリウム系半導体素子において、前記基板の背面に、
規則的に配列された帯状の輻射熱吸収領域を形成するこ
とにある。
【００１９】この第６の発明によれば、前記基板背面の
帯状の輻射熱吸収領域に対応した前記基板主面の帯状領
域も輻射熱の吸収が高くなるため、この上に積層された
窒化ガリウム半導体層の前記帯状領域に沿った部分に前
記クラックが入り、このクラックで囲まれた素子領域に
はクラックか入らないだけでなく、残留応力も解放され
る。これにより、素子層内部に残留する応力に起因して
成長する欠陥が著しく減少する。
帯状の輻射熱吸収領域に対応した前記基板主面の帯状領
域も輻射熱の吸収が高くなるため、この上に積層された
窒化ガリウム半導体層の前記帯状領域に沿った部分に前
記クラックが入り、このクラックで囲まれた素子領域に
はクラックか入らないだけでなく、残留応力も解放され
る。これにより、素子層内部に残留する応力に起因して
成長する欠陥が著しく減少する。
【００２０】第７の発明の特徴は、前記輻射熱吸収領域
は残りの基板面に対して前記領域面の細かい凹凸を付け
ることにより形成することにある。
は残りの基板面に対して前記領域面の細かい凹凸を付け
ることにより形成することにある。
【００２１】この第７の発明によれば、細かい凹凸を付
けられた面、例えば鏡面仕上げをしていない面などは、
鏡面仕上げをした回りの面に比べて輻射熱をよく吸収す
る。
けられた面、例えば鏡面仕上げをしていない面などは、
鏡面仕上げをした回りの面に比べて輻射熱をよく吸収す
る。
【００２２】第８の発明の特徴は、前記成長層の最上層
は、ＡｌＮ層であることにある。
は、ＡｌＮ層であることにある。
【００２３】この第８の発明によれば、ＡｌＮ層では強
い引張り応力、熱歪みが得られるため、容易に破断強度
限界以上の引っ張り応力が得られ、上記クラックが容易
に入る。
い引張り応力、熱歪みが得られるため、容易に破断強度
限界以上の引っ張り応力が得られ、上記クラックが容易
に入る。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は本発明の窒化ガリウム系半
導体素子の第１の実施の形態を示した平面図である。サ
ファイア基板１１の主面上に複数の十字状の溝３１を形
成し、且つこの十字溝３１を形成する２つの溝は互いに
直交するように配置して、十字溝３１を形成している。
また、これら複数の十字溝３１はそれぞれの先端部分を
互いに向かい合わせるように配置し、且つそれぞれの中
心点が四角形の頂点に位置するように配置されている。
に基づいて説明する。図１は本発明の窒化ガリウム系半
導体素子の第１の実施の形態を示した平面図である。サ
ファイア基板１１の主面上に複数の十字状の溝３１を形
成し、且つこの十字溝３１を形成する２つの溝は互いに
直交するように配置して、十字溝３１を形成している。
また、これら複数の十字溝３１はそれぞれの先端部分を
互いに向かい合わせるように配置し、且つそれぞれの中
心点が四角形の頂点に位置するように配置されている。
【００２５】図２は上記した十字溝３１を有するサファ
イア基板１１の断面図である。十字溝３１は断面がＶ字
状となっている。
イア基板１１の断面図である。十字溝３１は断面がＶ字
状となっている。
【００２６】このような十字溝３１を表面に有するサフ
ァイア基板１１主面上に、エピタキシャル法により、図
示しない、ｎ型のＧａＮ層、ｎ型のＡｌＧａＮ層などの
３−５族化合物半導体層が順次積層されて、ＬＥＤやレ
ーザーなどの窒化ガリウム系半導体素子が形成される。
尚、各十字溝３１の向かい合う先端を結んだ破線で囲ま
れた四角形の内部３２が１チップ分で、１個の窒化ガリ
ウム系半導体素子が形成される素子領域である。
ァイア基板１１主面上に、エピタキシャル法により、図
示しない、ｎ型のＧａＮ層、ｎ型のＡｌＧａＮ層などの
３−５族化合物半導体層が順次積層されて、ＬＥＤやレ
ーザーなどの窒化ガリウム系半導体素子が形成される。
尚、各十字溝３１の向かい合う先端を結んだ破線で囲ま
れた四角形の内部３２が１チップ分で、１個の窒化ガリ
ウム系半導体素子が形成される素子領域である。
【００２７】次に本実施の形態の基板を用いて結晶を成
長させた時のクラックの発生の仕方について説明する。
上記のような十字溝３１付きサファイア基板１１にｎ型
のＧａＮ層、ｎ型のＡｌＧａＮ層などの３−５族化合物
半導体層の結晶成長を行うと、十字溝３１の形状に沿っ
て成長が進む。この際、溝を形成する斜面で囲まれた部
分は実効的に成長速度が速く、成長面は略平坦に形成さ
れていく。このため、この十字溝３１の部分には特に応
力が集中しやすくなる。
長させた時のクラックの発生の仕方について説明する。
上記のような十字溝３１付きサファイア基板１１にｎ型
のＧａＮ層、ｎ型のＡｌＧａＮ層などの３−５族化合物
半導体層の結晶成長を行うと、十字溝３１の形状に沿っ
て成長が進む。この際、溝を形成する斜面で囲まれた部
分は実効的に成長速度が速く、成長面は略平坦に形成さ
れていく。このため、この十字溝３１の部分には特に応
力が集中しやすくなる。
【００２８】図１のサファイア基板１１主面上に図１４
の従来例と同様にＧａＮバッフアー層、ｎ−ＧａＮ層、
ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層、ＩｎＧａＮ活性層、ｐ−Ａ
ｌＧａＮクラッド層、ｐ−ＧａＮコンタクト層を順次エ
ピタキシヤル成長で形成する。図３はこれら成長層の最
下層から３層の断面図である。
の従来例と同様にＧａＮバッフアー層、ｎ−ＧａＮ層、
ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層、ＩｎＧａＮ活性層、ｐ−Ａ
ｌＧａＮクラッド層、ｐ−ＧａＮコンタクト層を順次エ
ピタキシヤル成長で形成する。図３はこれら成長層の最
下層から３層の断面図である。
【００２９】さて、一般にＡｌＧａＮ層４１には面内で
引っ張られる方向４４に歪みが生じるが、この歪みに加
わり、昇温／降温時の熱膨張係数差による歪みが加わる
ことで、ＡｌＧａＮ層４１自身、或いはこのＡｌＧａＮ
層４１に隣接する層、例えばＧａＮ層４２又はＩｎＧａ
Ｎ層４３にクラック３３が発生する。このクラツク３３
は、ＡｌＧａＮ層４１のＡｌ組成が高ければ高いほど、
頻度及び数量共に大きくなる。
引っ張られる方向４４に歪みが生じるが、この歪みに加
わり、昇温／降温時の熱膨張係数差による歪みが加わる
ことで、ＡｌＧａＮ層４１自身、或いはこのＡｌＧａＮ
層４１に隣接する層、例えばＧａＮ層４２又はＩｎＧａ
Ｎ層４３にクラック３３が発生する。このクラツク３３
は、ＡｌＧａＮ層４１のＡｌ組成が高ければ高いほど、
頻度及び数量共に大きくなる。
【００３０】ここで、図１に示したようにサファイア基
板１１には十字溝３１が形成してあり、この十字溝３１
の部分、或いは十字溝３１の上部に形成される層には応
力が集中しやすいため、優先的に、この部分にクラック
３３が発生する。また、面内方向では更に先鋭な部分に
クラックが発生しやすいため、この十字溝３１の各先端
部分より破線で示したように図１に示すようにクラック
３３が発生する。このクラック３３は、最も近い場所に
設定された対向する十字溝３１の先端部分に終結する。
よって、十字溝３１に囲まれた四角形の素子領域３２に
はクラックは発生しないことになる。
板１１には十字溝３１が形成してあり、この十字溝３１
の部分、或いは十字溝３１の上部に形成される層には応
力が集中しやすいため、優先的に、この部分にクラック
３３が発生する。また、面内方向では更に先鋭な部分に
クラックが発生しやすいため、この十字溝３１の各先端
部分より破線で示したように図１に示すようにクラック
３３が発生する。このクラック３３は、最も近い場所に
設定された対向する十字溝３１の先端部分に終結する。
よって、十字溝３１に囲まれた四角形の素子領域３２に
はクラックは発生しないことになる。
【００３１】既に述べたように、この十字溝３１で囲ま
れた内側３２が１チップの窒化ガリウム系半導体素子と
なるわけであるから、ウェハー領域内にはクラック３３
は存在するものの、発光素子として機能する素子領域３
２にはクラックが存在しないウェハーが得られる。その
後、ウェハーは図１に示したクラック３３に沿って裁断
され、個々の窒化ガリウム系化合物半導体が取り出され
る。
れた内側３２が１チップの窒化ガリウム系半導体素子と
なるわけであるから、ウェハー領域内にはクラック３３
は存在するものの、発光素子として機能する素子領域３
２にはクラックが存在しないウェハーが得られる。その
後、ウェハーは図１に示したクラック３３に沿って裁断
され、個々の窒化ガリウム系化合物半導体が取り出され
る。
【００３２】本実施の形態によれば、サファイア基板１
１上に複数の十字溝３１を互いの先端部が対抗するよう
に且つその中心が四角形の頂点に一致するように配置
し、その上に、ＧａＮバッフアー層４３、ｎ型のＧａＮ
層４１、ｎ型のＡｌＧａＮクラッド層４２等を結晶成長
させて素子を製造することにより、個々の半導体素子を
形成する素子領域３２の境界部分にクラック３３が入
り、一方、素子領域３２内にはクラックが生じないよう
にすることができる。
１上に複数の十字溝３１を互いの先端部が対抗するよう
に且つその中心が四角形の頂点に一致するように配置
し、その上に、ＧａＮバッフアー層４３、ｎ型のＧａＮ
層４１、ｎ型のＡｌＧａＮクラッド層４２等を結晶成長
させて素子を製造することにより、個々の半導体素子を
形成する素子領域３２の境界部分にクラック３３が入
り、一方、素子領域３２内にはクラックが生じないよう
にすることができる。
【００３３】これにより、窒化ガリウム系半導体素子の
性能に影響のない素子の周囲にクラックが発生するた
め、素子の収率を向上させることができる共に、素子の
周囲にクラックが発生しているため、素子を形成する窒
化物系３−５族化合物半導体層の残留応力を解放するこ
とができる。このために、素子層内部に残留する応力に
起因して成長する欠陥を著しく減少させることができ、
素子の信頼性を向上させることができる。又、ＡｌＧａ
Ｎクラッド層４４などのＡｌ組成や膜厚の臨界値を無視
し得るか、なくなるため、デバイスを設計する際の自由
度を向上させることができる。
性能に影響のない素子の周囲にクラックが発生するた
め、素子の収率を向上させることができる共に、素子の
周囲にクラックが発生しているため、素子を形成する窒
化物系３−５族化合物半導体層の残留応力を解放するこ
とができる。このために、素子層内部に残留する応力に
起因して成長する欠陥を著しく減少させることができ、
素子の信頼性を向上させることができる。又、ＡｌＧａ
Ｎクラッド層４４などのＡｌ組成や膜厚の臨界値を無視
し得るか、なくなるため、デバイスを設計する際の自由
度を向上させることができる。
【００３４】尚、上記した十字溝３１の代わりに、図４
に示すように断面が三角形状の十字突起３５であって
も、同様の効果がある。又、図５に示すように断面が三
角形状の帯状の凸部７１をサファイア基板１１の表面に
格子を形成するように配列しても同様の効果がある。こ
の場合、帯状の凸部７１で囲まれた領域７２に素子が形
成され、凸部７１に沿って、その上に積層される成長層
にクラックが入り、同様の効果がある。又、凸部７１の
配列は直行する格子でなく、斜交する格子であっても同
様の効果があり、この場合は、前記凸部７１がサファイ
ア基板１１の劈開方向に沿っているため、素子を切り出
し易くすることができる。更に、凸部７１の代わりに、
凹分をサファイア基板１１の表面に格子を形成するよう
に配列しても同様の効果がある。
に示すように断面が三角形状の十字突起３５であって
も、同様の効果がある。又、図５に示すように断面が三
角形状の帯状の凸部７１をサファイア基板１１の表面に
格子を形成するように配列しても同様の効果がある。こ
の場合、帯状の凸部７１で囲まれた領域７２に素子が形
成され、凸部７１に沿って、その上に積層される成長層
にクラックが入り、同様の効果がある。又、凸部７１の
配列は直行する格子でなく、斜交する格子であっても同
様の効果があり、この場合は、前記凸部７１がサファイ
ア基板１１の劈開方向に沿っているため、素子を切り出
し易くすることができる。更に、凸部７１の代わりに、
凹分をサファイア基板１１の表面に格子を形成するよう
に配列しても同様の効果がある。
【００３５】図６は本発明の窒化ガリウム系半導体素子
の第２の実施の形態を示した平面図である。本例も、サ
ファイア基板１１に複数の十字状溝５１を付け、互いの
先端部が向き合うように配置してある。この十字状溝５
１は２本の溝が互いに直交せず、６０度の角度で交差し
ている。従って、４個の十字状溝５１の中心がひとつの
平行四辺形の頂点に位置するように配置され、このひと
つの平行四辺形でできた領域５３が１個の窒化ガリウム
系半導体素子となる素子領域である。
の第２の実施の形態を示した平面図である。本例も、サ
ファイア基板１１に複数の十字状溝５１を付け、互いの
先端部が向き合うように配置してある。この十字状溝５
１は２本の溝が互いに直交せず、６０度の角度で交差し
ている。従って、４個の十字状溝５１の中心がひとつの
平行四辺形の頂点に位置するように配置され、このひと
つの平行四辺形でできた領域５３が１個の窒化ガリウム
系半導体素子となる素子領域である。
【００３６】これは、サファイア基板１１は六方晶であ
り、通常の半導体の様に直交する方向に劈開性を有して
いない。そこで、十字状溝５１の２個の溝の斜交角度を
基板１１の割れる方向及び角度に合わせて設定して、上
記したように４個の十字状溝５１が平行四辺形を形成す
るように配置することにより、１個の窒化ガリウム系半
導体素子を切り出す時に、切り出しやすいようにしてい
る。
り、通常の半導体の様に直交する方向に劈開性を有して
いない。そこで、十字状溝５１の２個の溝の斜交角度を
基板１１の割れる方向及び角度に合わせて設定して、上
記したように４個の十字状溝５１が平行四辺形を形成す
るように配置することにより、１個の窒化ガリウム系半
導体素子を切り出す時に、切り出しやすいようにしてい
る。
【００３７】ここで、上記のようなサファイア基板１１
上に、複数の窒化物系３−５族化合物半導体層のデバイ
ス構造を順次形成すると、図１に示した第１の実施の形
態と同様の理由により、溝部分５１に沿って破線のよう
にクラック５２が発生し、ここでも素子として機能する
素子領域５３を囲むようにクラックが発生する。
上に、複数の窒化物系３−５族化合物半導体層のデバイ
ス構造を順次形成すると、図１に示した第１の実施の形
態と同様の理由により、溝部分５１に沿って破線のよう
にクラック５２が発生し、ここでも素子として機能する
素子領域５３を囲むようにクラックが発生する。
【００３８】本実施の形態によれば、サファイア基板１
１の劈開方向に合わせて、十字状溝５１の２個の溝の斜
交角度を設定して４個の十字状溝５１が平行四辺形の頂
点に位置するように配置することにより、第１の実施の
形態よりも、規則的にクラック５２が発生しやすくな
り、クラックが素子領域５３を囲むように入り、素子領
域５３の内部には入らないようにすることができる。
１の劈開方向に合わせて、十字状溝５１の２個の溝の斜
交角度を設定して４個の十字状溝５１が平行四辺形の頂
点に位置するように配置することにより、第１の実施の
形態よりも、規則的にクラック５２が発生しやすくな
り、クラックが素子領域５３を囲むように入り、素子領
域５３の内部には入らないようにすることができる。
【００３９】これにより、１個のウエハーから取れる窒
化ガリウム系半導体素子の収率を第１の実施の形態より
も向上させることができると共に、窒化ガリウム系半導
体素子の各成長層内の残留応力の解放度も高いため、素
子の信頼性をより向上させることができる。又、成長層
にはサファイアの割れ易い面に沿ってクラックが入って
いる訳であるから、クラック５２に沿って素子分離を行
う場合、容易に素子を分離することができ、素子形状も
比較的きれいなものを得ることができる。
化ガリウム系半導体素子の収率を第１の実施の形態より
も向上させることができると共に、窒化ガリウム系半導
体素子の各成長層内の残留応力の解放度も高いため、素
子の信頼性をより向上させることができる。又、成長層
にはサファイアの割れ易い面に沿ってクラックが入って
いる訳であるから、クラック５２に沿って素子分離を行
う場合、容易に素子を分離することができ、素子形状も
比較的きれいなものを得ることができる。
【００４０】尚、本実施の形態の十字状溝５１に代わ
り、断面が凸部の十字状突起を用いても、同様の効果が
ある。
り、断面が凸部の十字状突起を用いても、同様の効果が
ある。
【００４１】図７は本発明の窒化ガリウム系半導体素子
の第３の実施の形態を示した平面図である。本例は、溝
の形状を３本の溝を放射状に配置した形状の溝形６１と
し、各溝形６１の先端が互いに向き合うように、且つ溝
形６１の中心が六角形の各頂点に位置するように配置し
てある。
の第３の実施の形態を示した平面図である。本例は、溝
の形状を３本の溝を放射状に配置した形状の溝形６１と
し、各溝形６１の先端が互いに向き合うように、且つ溝
形６１の中心が六角形の各頂点に位置するように配置し
てある。
【００４２】このようなサファイア基板１１上に、複数
の窒化物系３−５族化合物半導体層のデバイス構造を順
次形成すると、図１に示した第１の実施の形態と同様の
理由により、前記した六角形の辺に沿ってクラックが発
生し、ここでも素子として機能する六角形の素子領域６
２を囲むようにクラックが発生し、このクラックに沿っ
て基板１１であるサフアイアは割れやすく、基板１１を
裏面研磨等で薄くすることにより、ブレーキング＆エキ
スバンドのみで素子分離が可能となり、図６に示した第
２の実施の形態と同様の効果がある。
の窒化物系３−５族化合物半導体層のデバイス構造を順
次形成すると、図１に示した第１の実施の形態と同様の
理由により、前記した六角形の辺に沿ってクラックが発
生し、ここでも素子として機能する六角形の素子領域６
２を囲むようにクラックが発生し、このクラックに沿っ
て基板１１であるサフアイアは割れやすく、基板１１を
裏面研磨等で薄くすることにより、ブレーキング＆エキ
スバンドのみで素子分離が可能となり、図６に示した第
２の実施の形態と同様の効果がある。
【００４３】図８は本発明の窒化ガリウム系半導体素子
の第４の実施の形態を示した平面図である。本例は、サ
ファイア基板１１の表面に、格子状に熱輻射吸収の高い
帯状の輻射熱吸収領域８１を形成してある。この輻射熱
吸収領域８１に囲まれた四角形の領域８２が１個の窒化
ガリウム化合物半導体が形成される素子領域となる。こ
の輻射熱吸収領域８１の部分は残りの部分に比べて、そ
の表面が図９に示すように凸凹になっていて、曇り又は
不透明になっており、熱輻射の吸収が鏡面仕上げをして
ある残りの表面部分よりも大きくなっている。
の第４の実施の形態を示した平面図である。本例は、サ
ファイア基板１１の表面に、格子状に熱輻射吸収の高い
帯状の輻射熱吸収領域８１を形成してある。この輻射熱
吸収領域８１に囲まれた四角形の領域８２が１個の窒化
ガリウム化合物半導体が形成される素子領域となる。こ
の輻射熱吸収領域８１の部分は残りの部分に比べて、そ
の表面が図９に示すように凸凹になっていて、曇り又は
不透明になっており、熱輻射の吸収が鏡面仕上げをして
ある残りの表面部分よりも大きくなっている。
【００４４】上記のような曇った輻射熱吸収領域８１付
きのサファイア基板１１に、窒化物系３−５族化合物半
導体層の結晶成長を行うと、輻射熱吸収領域８１部分で
は実効的な成長温度が高く、従って半導体層のＡｌ組成
が高くなる。この結果、ＡｌＧａＮ層は面方向で、Ａｌ
組成に図１０に示すような疎密を生じることになる。図
１０において、Ａｌ組成層の真ん中下部に輻射熱吸収領
域があると、この部分のＡｌ組成密度が高くなる。
きのサファイア基板１１に、窒化物系３−５族化合物半
導体層の結晶成長を行うと、輻射熱吸収領域８１部分で
は実効的な成長温度が高く、従って半導体層のＡｌ組成
が高くなる。この結果、ＡｌＧａＮ層は面方向で、Ａｌ
組成に図１０に示すような疎密を生じることになる。図
１０において、Ａｌ組成層の真ん中下部に輻射熱吸収領
域があると、この部分のＡｌ組成密度が高くなる。
【００４５】このため、この面方向に発生したＡｌ組成
の疎密に従って、格子不整合差や熱膨張係数差が上下の
成長層との間のみならず、同一成長層の面内で発生す
る。この結果、成長層間、成長層面内での残留歪みは、
サファイア基板１１に施した輻射熱吸収領域８１部分の
上部で極大となる。これにより、図１０の８９で示すよ
うに輻射熱吸収領域に沿ってクラックが入ることにな
る。
の疎密に従って、格子不整合差や熱膨張係数差が上下の
成長層との間のみならず、同一成長層の面内で発生す
る。この結果、成長層間、成長層面内での残留歪みは、
サファイア基板１１に施した輻射熱吸収領域８１部分の
上部で極大となる。これにより、図１０の８９で示すよ
うに輻射熱吸収領域に沿ってクラックが入ることにな
る。
【００４６】従って、本実施の形態でも、クラックは、
図８に示すように輻射熱吸収領域８１に沿って格子状に
入り、素子領域８２の部分には入らないことになるた
め、１枚のウェハーから取れる素子の収率を向上させる
ことができると共に、クラックの発生に伴って素子内に
残留する応力の解放が行われ、素子の信頼性が向上す
る。
図８に示すように輻射熱吸収領域８１に沿って格子状に
入り、素子領域８２の部分には入らないことになるた
め、１枚のウェハーから取れる素子の収率を向上させる
ことができると共に、クラックの発生に伴って素子内に
残留する応力の解放が行われ、素子の信頼性が向上す
る。
【００４７】図１１は本発明の窒化ガリウム系半導体素
子の第５の実施の形態を示した平面図である。サファイ
ア基板１１の表面に、格子状に熱輻射の吸収の高い輻射
熱吸収領域１１１を縦横に且つ斜向するように配列して
ある。これにより、本実施の形態では素子領域１１２に
成長されるＡｌ組成の半導体層にクラックがサフアイア
基板１１の割れ易い方向に沿って入るため、図８の第４
の実施の形態よりも素子分離を容易に行うことができる
が、他の効果は同様である。
子の第５の実施の形態を示した平面図である。サファイ
ア基板１１の表面に、格子状に熱輻射の吸収の高い輻射
熱吸収領域１１１を縦横に且つ斜向するように配列して
ある。これにより、本実施の形態では素子領域１１２に
成長されるＡｌ組成の半導体層にクラックがサフアイア
基板１１の割れ易い方向に沿って入るため、図８の第４
の実施の形態よりも素子分離を容易に行うことができる
が、他の効果は同様である。
【００４８】図１２は本発明の窒化ガリウム系半導体素
子の第６の実施の形態を示した平面図である。サファイ
ア基板１１の表面に、熱輻射吸収の高い輻射熱吸収領域
９１を蜂の巣状に配列してある。これにより、本実施の
形態では、サファイア基板１１上に成長する半導体層
に、クラックが６方晶形であるサファイア基板１１の最
も割れ易い方向に沿って入るため、素子分離を極めて容
易に行うことができ、他の効果は図１１の第５の実施の
形態と同様である。
子の第６の実施の形態を示した平面図である。サファイ
ア基板１１の表面に、熱輻射吸収の高い輻射熱吸収領域
９１を蜂の巣状に配列してある。これにより、本実施の
形態では、サファイア基板１１上に成長する半導体層
に、クラックが６方晶形であるサファイア基板１１の最
も割れ易い方向に沿って入るため、素子分離を極めて容
易に行うことができ、他の効果は図１１の第５の実施の
形態と同様である。
【００４９】なお、上記した第４〜第６の実施の形態の
輻射熱吸収領域８１、１１１、９１は、表面が凸凹した
領域で形成されているが、基板１１の主面上に別途形成
した熱吸収効率の高い金属・セラミック・半導体層等で
あっても同様の効果が得られる。又、第４〜第６の実施
の形態で示した輻射熱吸収領域８１、１１１、９１はサ
ファイア基板１１の背面に形成しても、同様の効果があ
る。
輻射熱吸収領域８１、１１１、９１は、表面が凸凹した
領域で形成されているが、基板１１の主面上に別途形成
した熱吸収効率の高い金属・セラミック・半導体層等で
あっても同様の効果が得られる。又、第４〜第６の実施
の形態で示した輻射熱吸収領域８１、１１１、９１はサ
ファイア基板１１の背面に形成しても、同様の効果があ
る。
【００５０】図１３は本発明の窒化ガリウム系半導体素
子の第７の実施の形態を示した断面図である。単結晶の
サファイア基板１０８上には、ＧａＮバッファー層１０
７、ｎ型のＧａＮ層１０６、ｎ型のＡｌＧａＮクラッド
層１０５、ＩｎＧａＮ活性層１０４、ｐ型のＡｌＧａＮ
クラッド層１０３、ｐ＋型のＧａＮ（コンタクト）層１
０２及び最上層にＡｌＮ層１０１を成長させて素子を形
成する。
子の第７の実施の形態を示した断面図である。単結晶の
サファイア基板１０８上には、ＧａＮバッファー層１０
７、ｎ型のＧａＮ層１０６、ｎ型のＡｌＧａＮクラッド
層１０５、ＩｎＧａＮ活性層１０４、ｐ型のＡｌＧａＮ
クラッド層１０３、ｐ＋型のＧａＮ（コンタクト）層１
０２及び最上層にＡｌＮ層１０１を成長させて素子を形
成する。
【００５１】本例も、サファイア基板１０８の主面に
は、上記した第１〜第６の実施の形態で示した十字溝と
か、輻射熱吸収領域が施されており、素子領域の周囲に
クラックが入るようにしてある。特に、強い引張り応
力、熱歪みが得られるＡｌＮ層１０１を最上層に積層し
てあるため、容易に破断強度限界以上の引っ張り応力が
得られ、上記クラックを入り易くすることができると共
に、この層１０１により素子の表面を保護することがで
きる。
は、上記した第１〜第６の実施の形態で示した十字溝と
か、輻射熱吸収領域が施されており、素子領域の周囲に
クラックが入るようにしてある。特に、強い引張り応
力、熱歪みが得られるＡｌＮ層１０１を最上層に積層し
てあるため、容易に破断強度限界以上の引っ張り応力が
得られ、上記クラックを入り易くすることができると共
に、この層１０１により素子の表面を保護することがで
きる。
【００５２】以上、第１〜第７の実施の形態を用いて本
発明を説明したが、本発明の範囲はこれら実施の形態に
のみ限定されるものでなく、本発明はその要旨を逸脱す
ることなく、サファイア基板上に形成された溝、凹部、
凸部。突起、輻射熱吸収領域の形状および配列において
異なる種々の形態および配列にも実施することができ
る。
発明を説明したが、本発明の範囲はこれら実施の形態に
のみ限定されるものでなく、本発明はその要旨を逸脱す
ることなく、サファイア基板上に形成された溝、凹部、
凸部。突起、輻射熱吸収領域の形状および配列において
異なる種々の形態および配列にも実施することができ
る。
【００５３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の窒
化ガリウム系半導体素子によれば、ウェハー上の素子領
域の周囲にクラックを発生させることにより、素子自体
にはクラックが発生しないようにして素子の収率を向上
させることができると共に、素子自体の残留応力を解消
して信頼性を向上させることができる。
化ガリウム系半導体素子によれば、ウェハー上の素子領
域の周囲にクラックを発生させることにより、素子自体
にはクラックが発生しないようにして素子の収率を向上
させることができると共に、素子自体の残留応力を解消
して信頼性を向上させることができる。
【図１】本発明の窒化ガリウム系半導体素子の第１の実
施の形態を示した平面図である。
施の形態を示した平面図である。
【図２】図１に示した十字溝を有するサファイア基板の
断面図である。
断面図である。
【図３】図１に示した十字溝を有するサファイア基板上
に積層された成長層の一部を示した断面図である。
に積層された成長層の一部を示した断面図である。
【図４】図１に示した十字溝を有するサファイア基板の
他の例を示した断面図である。
他の例を示した断面図である。
【図５】図１に示したサファイア基板上に形成され、格
子状に配列された帯状の凸部を示した斜視図である。
子状に配列された帯状の凸部を示した斜視図である。
【図６】本発明の窒化ガリウム系半導体素子の第２の実
施の形態を示した平面図である。
施の形態を示した平面図である。
【図７】本発明の窒化ガリウム系半導体素子の第３の実
施の形態を示した平面図である。
施の形態を示した平面図である。
【図８】本発明の窒化ガリウム系半導体素子の第４の実
施の形態を示した平面図である。
施の形態を示した平面図である。
【図９】図８に示したサファイア基板の断面図である。
【図１０】図８に示したサファイア基板上の成長層のＡ
ｌ組成の疎密を示した摸式図である。
ｌ組成の疎密を示した摸式図である。
【図１１】本発明の窒化ガリウム系半導体素子の第５の
実施の形態を示した平面図である。
実施の形態を示した平面図である。
【図１２】本発明の窒化ガリウム系半導体素子の第６の
実施の形態を示した平面図である。
実施の形態を示した平面図である。
【図１３】本発明の窒化ガリウム系半導体素子の第７の
実施の形態を示した断面図である。
実施の形態を示した断面図である。
【図１４】従来の窒化ガリウム系半導体素子の構成例を
示した断面図である。
示した断面図である。
【図１５】従来の窒化ガリウム系半導体素子の構成例を
示した断面図である。
示した断面図である。
１１、１０８ サファイア基板 ３１ 十字溝 ３２、５３、６２、７２、８２、９２、１１２ 素子領
域 ３３、５２、８９ クラック ３５ 十字突起 ４１ ＡｌＧａＮ層 ４２ ＧａＮ層 ４３ ＩｎＧａＮ層 ５１ 十字状溝 ６１ 溝形 ７１ 凸部 ８１、９１、１１１ 輻射熱吸収領域 １０１ ＡｌＮ層 １０２ ｐ型のＧａＮコンタクト層 １０３ ｐ型のＡｌＧａＮクラッド層 １０４ ＩｎＧａＮ活性層 １０５ ｎ型のＡｌＧａＮクラッド層 １０６ ｎ型のＧａＮ層 １０７ ＧａＮバッファー層
域 ３３、５２、８９ クラック ３５ 十字突起 ４１ ＡｌＧａＮ層 ４２ ＧａＮ層 ４３ ＩｎＧａＮ層 ５１ 十字状溝 ６１ 溝形 ７１ 凸部 ８１、９１、１１１ 輻射熱吸収領域 １０１ ＡｌＮ層 １０２ ｐ型のＧａＮコンタクト層 １０３ ｐ型のＡｌＧａＮクラッド層 １０４ ＩｎＧａＮ活性層 １０５ ｎ型のＡｌＧａＮクラッド層 １０６ ｎ型のＧａＮ層 １０７ ＧａＮバッファー層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 伸洋 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝川崎事業所内
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも１層以上の３−５族
化合物半導体の成長層を積層した窒化ガリウム系半導体
素子において、 前記基板の主面に、所定間隔離して規則的に配置され且
つ所定形状を有する複数の凹部を形成することを特徴と
する窒化ガリウム系半導体素子。 - 【請求項２】 基板上に少なくとも１層以上の３−５族
化合物半導体の成長層を積層した窒化ガリウム系半導体
素子において、 前記基板の主面に、所定間隔離して規則的に配置され且
つ所定形状を有する複数の凸部を形成することを特徴と
する窒化ガリウム系半導体素子。 - 【請求項３】 基板上に少なくとも１層以上の３−５族
化合物半導体の成長層を積層した窒化ガリウム系半導体
素子において、 前記基板の主面に、規則的に配列された複数の帯状の溝
を形成することを特徴とする窒化ガリウム系半導体素
子。 - 【請求項４】 基板上に少なくとも１層以上の３−５族
化合物半導体の成長層を積層した窒化ガリウム系半導体
素子において、 前記基板の主面に、規則的に配列された複数の帯状の突
起を形成することを特徴とする窒化ガリウム系半導体素
子。 - 【請求項５】 基板上に少なくとも１層以上の３−５族
化合物半導体の成長層を積層した窒化ガリウム系半導体
素子において、 前記基板の主面に、規則的に配列された帯状の輻射熱吸
収領域を形成することを特徴とする窒化ガリウム系半導
体素子。 - 【請求項６】 基板上に少なくとも１層以上の３−５族
化合物半導体の成長層を積層した窒化ガリウム系半導体
素子において、 前記基板の背面に、規則的に配列された帯状の輻射熱吸
収領域を形成することを特徴とする窒化ガリウム系半導
体素子。 - 【請求項７】 前記輻射熱吸収領域はこの領域面に細か
い凹凸付けることにより形成することを特徴とする請求
項５又は６記載の窒化ガリウム系半導体素子。 - 【請求項８】 前記成長層の最上層は、ＡｌＮ層である
ことを特徴とする請求項１乃至７いずれか１記載の窒化
ガリウム系半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36142097A JP3805883B2 (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 窒化ガリウム系半導体ウエハおよび窒化ガリウム系半導体素子、ならびにそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36142097A JP3805883B2 (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 窒化ガリウム系半導体ウエハおよび窒化ガリウム系半導体素子、ならびにそれらの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195813A true JPH11195813A (ja) | 1999-07-21 |
| JP3805883B2 JP3805883B2 (ja) | 2006-08-09 |
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ID=18473507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (17)
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