JPH11191360A - 薄膜冷陰極 - Google Patents
薄膜冷陰極Info
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- JPH11191360A JPH11191360A JP36630797A JP36630797A JPH11191360A JP H11191360 A JPH11191360 A JP H11191360A JP 36630797 A JP36630797 A JP 36630797A JP 36630797 A JP36630797 A JP 36630797A JP H11191360 A JPH11191360 A JP H11191360A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高電界が印加される層として非晶質絶縁体の
代わりに基板と同種の単結晶真性半導体もしくは多結晶
真性半導体を用いることによって、電子加速層での平均
自由行程を向上させ、電子の放射効率を向上させた薄膜
冷陰極を提供する。 【解決手段】 本発明に係る薄膜冷陰極は、固体内で加
速されたホットエレクトロンを利用して、真空中に電子
を放射する薄膜冷陰極であって、ｎ型半導体基板１と、
ｎ型半導体基板１上に形成された真性半導体２と、真性
半導体２上に形成された薄膜電極３と、を具備し、真性
半導体２に印加される電界で電子が加速されることを特
徴とする。
代わりに基板と同種の単結晶真性半導体もしくは多結晶
真性半導体を用いることによって、電子加速層での平均
自由行程を向上させ、電子の放射効率を向上させた薄膜
冷陰極を提供する。 【解決手段】 本発明に係る薄膜冷陰極は、固体内で加
速されたホットエレクトロンを利用して、真空中に電子
を放射する薄膜冷陰極であって、ｎ型半導体基板１と、
ｎ型半導体基板１上に形成された真性半導体２と、真性
半導体２上に形成された薄膜電極３と、を具備し、真性
半導体２に印加される電界で電子が加速されることを特
徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子顕微鏡や電子
線露光装置などの電子線を用いる装置に使用する冷陰極
に関する。特には、ホットエレクトロンを利用する薄膜
冷陰極に関する。
線露光装置などの電子線を用いる装置に使用する冷陰極
に関する。特には、ホットエレクトロンを利用する薄膜
冷陰極に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の薄膜冷陰極を示す断面図
である。この薄膜冷陰極は、Journalof Vacuum Science
and Technology, vol. B11, pp. 429-432 (1993)に掲
載されたものであり、半導体−絶縁体−金属で構成され
ている。
である。この薄膜冷陰極は、Journalof Vacuum Science
and Technology, vol. B11, pp. 429-432 (1993)に掲
載されたものであり、半導体−絶縁体−金属で構成され
ている。
【０００３】図４に示すように、Ｓｉ等のｎ型半導体か
らなる半導体基板１１の表面上にはＳｉＯ2 等の絶縁体
１２が形成されている。この絶縁体１２は、全体的に厚
さが約５００nmの絶縁体薄膜から構成されており、局所
的に厚さが約５〜２０nmの部分を多数個有する。この厚
さ約５〜２０nmの部分が電子放射部５となる。この絶縁
体１２の上には厚さが約１０〜３０nmのアルミニウム等
からなる薄膜電極１３が形成されている。また、ｎ型半
導体基板１１の裏面上には電極６が形成されている。
らなる半導体基板１１の表面上にはＳｉＯ2 等の絶縁体
１２が形成されている。この絶縁体１２は、全体的に厚
さが約５００nmの絶縁体薄膜から構成されており、局所
的に厚さが約５〜２０nmの部分を多数個有する。この厚
さ約５〜２０nmの部分が電子放射部５となる。この絶縁
体１２の上には厚さが約１０〜３０nmのアルミニウム等
からなる薄膜電極１３が形成されている。また、ｎ型半
導体基板１１の裏面上には電極６が形成されている。
【０００４】上記薄膜冷陰極において、半導体基板１１
と薄膜電極１３との間に、薄膜電極１３の側を正極性に
して数Ｖの電圧を印加すると、電子放射部５からホット
エレクトロンと呼ばれる速度エネルギーを持った電子が
放射される。
と薄膜電極１３との間に、薄膜電極１３の側を正極性に
して数Ｖの電圧を印加すると、電子放射部５からホット
エレクトロンと呼ばれる速度エネルギーを持った電子が
放射される。
【０００５】図５は、図４に示す薄膜冷陰極に電圧を印
加した時のエネルギーバンドを示す図である。この図に
おいて、１１、１２、１３はそれぞれ図４に示す半導体
基板１１、絶縁体１２、薄膜電極（金属）１３のエネル
ギーバンド状態を示し、１５は真空のエネルギーバンド
状態を示し、１７は半導体基板のフェルミ準位を示す。
ここで、半導体基板１１と薄膜電極１３との間に、薄膜
電極１３の側を正極性にして電圧Ｖg を印加すると、印
加電圧は図５に示すように、半導体基板１１と絶縁体１
２に分配される。この状態では、半導体基板１１の伝導
帯の電子は絶縁体１２をトンネル効果で透過する。この
電子は絶縁体１２の伝導帯における高電界によって加速
され、薄膜電極１３を透過した後、薄膜電極１３の仕事
関数を超えるエネルギーを持つ電子が真空中に放射され
る。
加した時のエネルギーバンドを示す図である。この図に
おいて、１１、１２、１３はそれぞれ図４に示す半導体
基板１１、絶縁体１２、薄膜電極（金属）１３のエネル
ギーバンド状態を示し、１５は真空のエネルギーバンド
状態を示し、１７は半導体基板のフェルミ準位を示す。
ここで、半導体基板１１と薄膜電極１３との間に、薄膜
電極１３の側を正極性にして電圧Ｖg を印加すると、印
加電圧は図５に示すように、半導体基板１１と絶縁体１
２に分配される。この状態では、半導体基板１１の伝導
帯の電子は絶縁体１２をトンネル効果で透過する。この
電子は絶縁体１２の伝導帯における高電界によって加速
され、薄膜電極１３を透過した後、薄膜電極１３の仕事
関数を超えるエネルギーを持つ電子が真空中に放射され
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ホットエレ
クトロンを利用した上記従来の薄膜冷陰極では、電子が
加速される層が非晶質絶縁体であり、電子が絶縁体の伝
導帯を走行する際に散乱を受けエネルギーを失う。この
ため、散乱による放射電子のエネルギーの広がりと放射
効率の低下が起こり、真空中へ放射される電子電流は薄
膜中を流れる電流に比べて非常に小さいという問題があ
った。
クトロンを利用した上記従来の薄膜冷陰極では、電子が
加速される層が非晶質絶縁体であり、電子が絶縁体の伝
導帯を走行する際に散乱を受けエネルギーを失う。この
ため、散乱による放射電子のエネルギーの広がりと放射
効率の低下が起こり、真空中へ放射される電子電流は薄
膜中を流れる電流に比べて非常に小さいという問題があ
った。
【０００７】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、高電界が印加される層と
して非晶質絶縁体の代わりに基板と同種の単結晶真性半
導体もしくは多結晶真性半導体を用いることによって、
電子加速層での平均自由行程を向上させ、電子の放射効
率を向上させた薄膜冷陰極を提供することにある。
れたものであり、その目的は、高電界が印加される層と
して非晶質絶縁体の代わりに基板と同種の単結晶真性半
導体もしくは多結晶真性半導体を用いることによって、
電子加速層での平均自由行程を向上させ、電子の放射効
率を向上させた薄膜冷陰極を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る薄膜冷陰極は、固体内で加速されたホ
ットエレクトロンを利用して、真空中に電子を放射する
薄膜冷陰極であって；ｎ型半導体基板と、 該ｎ型半導
体基板上に形成された真性半導体膜と、 該真性半導体
膜上に形成された電極と、 を具備し、該真性半導体膜
に印加される電界で電子が加速されることを特徴とする
薄膜冷陰極。
め、本発明に係る薄膜冷陰極は、固体内で加速されたホ
ットエレクトロンを利用して、真空中に電子を放射する
薄膜冷陰極であって；ｎ型半導体基板と、 該ｎ型半導
体基板上に形成された真性半導体膜と、 該真性半導体
膜上に形成された電極と、 を具備し、該真性半導体膜
に印加される電界で電子が加速されることを特徴とする
薄膜冷陰極。
【０００９】上記薄膜冷陰極では、電子が高電界により
加速を受ける領域を真性半導体膜により形成しているた
め、その平均自由行程を向上させることができる。した
がって、散乱によるエネルギーの損失を極めて低減する
ことができ、電子の放射効率を向上させることができ
る。
加速を受ける領域を真性半導体膜により形成しているた
め、その平均自由行程を向上させることができる。した
がって、散乱によるエネルギーの損失を極めて低減する
ことができ、電子の放射効率を向上させることができ
る。
【００１０】また、上記真性半導体膜がホモエピタキシ
ャル成長により形成されることが好ましい。また、上記
電極が、金属又は高濃度の不純物が導入された低抵抗半
導体により形成されていることが好ましい。また、上記
ｎ型半導体基板の不純物濃度は１０15〜１０19cm-3であ
ることが好ましい。また、上記真性半導体膜は、そのキ
ャリア濃度が１０12cm-3未満であることが好ましく、そ
の膜厚が１０〜１００nmであることが好ましい。また、
上記電極が１０15cm-3以上の濃度の不純物が導入された
半導体により形成されていることが好ましく、該電極の
厚さが１０〜３０nmであることが好ましい。
ャル成長により形成されることが好ましい。また、上記
電極が、金属又は高濃度の不純物が導入された低抵抗半
導体により形成されていることが好ましい。また、上記
ｎ型半導体基板の不純物濃度は１０15〜１０19cm-3であ
ることが好ましい。また、上記真性半導体膜は、そのキ
ャリア濃度が１０12cm-3未満であることが好ましく、そ
の膜厚が１０〜１００nmであることが好ましい。また、
上記電極が１０15cm-3以上の濃度の不純物が導入された
半導体により形成されていることが好ましく、該電極の
厚さが１０〜３０nmであることが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の
形態による薄膜冷陰極を示す断面図である。この薄膜冷
陰極は、ｎ型半導体−真性半導体−金属で構成されたト
ンネル陰極である。ｎ型Ｓｉ半導体基板１の裏面上には
電極６が形成されている。また、ｎ型Ｓｉ半導体基板１
の表面上には厚さが１０〜１００nm程度のＳｉ真性半導
体２が形成されている。このＳｉ真性半導体２の上には
厚さが５００nm程度の酸化膜からなる素子分離用絶縁体
４が形成されており、この素子分離用絶縁体４は電子放
射部５となる領域が開口されている。この開口部の内面
上及び素子分離用絶縁体４上には厚さが１０〜３０nmの
アルミニウム等からなる薄膜電極３が形成されている。
つまり、Ｓｉ真性半導体２上に形成された薄膜電極３が
電子放射部５となり、隣り合う電子放射部５は素子分離
用絶縁体４により分離される。
実施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の
形態による薄膜冷陰極を示す断面図である。この薄膜冷
陰極は、ｎ型半導体−真性半導体−金属で構成されたト
ンネル陰極である。ｎ型Ｓｉ半導体基板１の裏面上には
電極６が形成されている。また、ｎ型Ｓｉ半導体基板１
の表面上には厚さが１０〜１００nm程度のＳｉ真性半導
体２が形成されている。このＳｉ真性半導体２の上には
厚さが５００nm程度の酸化膜からなる素子分離用絶縁体
４が形成されており、この素子分離用絶縁体４は電子放
射部５となる領域が開口されている。この開口部の内面
上及び素子分離用絶縁体４上には厚さが１０〜３０nmの
アルミニウム等からなる薄膜電極３が形成されている。
つまり、Ｓｉ真性半導体２上に形成された薄膜電極３が
電子放射部５となり、隣り合う電子放射部５は素子分離
用絶縁体４により分離される。
【００１２】図２（ａ）〜（ｄ）は、図１に示す薄膜冷
陰極の作製プロセスを示す断面図である。先ず、図２
（ａ）に示すように、不純物濃度が１０15〜１０19cm-3
程度のｎ型Ｓｉ半導体基板１を準備する。このｎ型Ｓｉ
半導体基板１の上には例えばホモエピタキシャル成長に
より厚さが１０〜１００nm程度のＳｉ真性半導体２が堆
積される。このＳｉ真性半導体２のキャリア濃度は１０
12cm-3未満である。
陰極の作製プロセスを示す断面図である。先ず、図２
（ａ）に示すように、不純物濃度が１０15〜１０19cm-3
程度のｎ型Ｓｉ半導体基板１を準備する。このｎ型Ｓｉ
半導体基板１の上には例えばホモエピタキシャル成長に
より厚さが１０〜１００nm程度のＳｉ真性半導体２が堆
積される。このＳｉ真性半導体２のキャリア濃度は１０
12cm-3未満である。
【００１３】次に、図２（ｂ）に示すように、Ｓｉ真性
半導体２の上にはスパッタなどにより厚さ５００nm程度
のＳｉＯ2 などの酸化膜からなる素子分離用絶縁体４が
成膜される。この素子分離用絶縁体４は隣り合う電子放
射部を分離するためのものでる。
半導体２の上にはスパッタなどにより厚さ５００nm程度
のＳｉＯ2 などの酸化膜からなる素子分離用絶縁体４が
成膜される。この素子分離用絶縁体４は隣り合う電子放
射部を分離するためのものでる。
【００１４】この後、図２（ｃ）に示すように、素子分
離用絶縁体４にはフォトリソグラフィ技術を用いて開口
部４ａが形成される。
離用絶縁体４にはフォトリソグラフィ技術を用いて開口
部４ａが形成される。
【００１５】次に、図２（ｄ）に示すように、この開口
部４ａの内面上及び素子分離用絶縁体４の上には厚さが
１０〜３０nm程度のアルミにウム等からなる薄膜金属３
が形成される。この後、半導体基板１の裏面上には基板
１に電位を与えるための電極６が成膜される。
部４ａの内面上及び素子分離用絶縁体４の上には厚さが
１０〜３０nm程度のアルミにウム等からなる薄膜金属３
が形成される。この後、半導体基板１の裏面上には基板
１に電位を与えるための電極６が成膜される。
【００１６】図３は、図１に示す薄膜冷陰極に電圧を印
加した時のエネルギーバンドを示す図である。この図に
おいて、１、２、３はそれぞれ図１に示す半導体基板
１、Ｓｉ真性半導体２、薄膜電極（金属）３のエネルギ
ーバンド状態を示し、１５は真空のエネルギーバンド状
態を示し、７はｎ型Ｓｉ半導体基板１のフェルミ準位を
示す。
加した時のエネルギーバンドを示す図である。この図に
おいて、１、２、３はそれぞれ図１に示す半導体基板
１、Ｓｉ真性半導体２、薄膜電極（金属）３のエネルギ
ーバンド状態を示し、１５は真空のエネルギーバンド状
態を示し、７はｎ型Ｓｉ半導体基板１のフェルミ準位を
示す。
【００１７】図３を用いて電子放射の機構について説明
する。ｎ型Ｓｉ半導体基板１と薄膜電極３との間に、薄
膜電極３の側を正極性にして電圧Ｖg を印加すると、ｎ
型Ｓｉ半導体基板１の伝導帯の電子は、ｎ型Ｓｉ半導体
基板１と真性Ｓｉ半導体２との界面の障壁を超えるか、
もしくは量子力学的トンネル効果により真性Ｓｉ半導体
２の伝導帯に注入される。この電子は真性Ｓｉ半導体２
の伝導帯における高電界によって加速され、電子放射部
５にある薄膜電極３に到達する。この薄膜電極３は上述
したように極薄く形成されているのでトンネルした電子
は薄膜電極３を透過し、薄膜電極３の表面に到達する。
この表面に到達した電子のうち薄膜電極３の仕事関数を
超えるエネルギーを持つ電子が真空中に放射される。
する。ｎ型Ｓｉ半導体基板１と薄膜電極３との間に、薄
膜電極３の側を正極性にして電圧Ｖg を印加すると、ｎ
型Ｓｉ半導体基板１の伝導帯の電子は、ｎ型Ｓｉ半導体
基板１と真性Ｓｉ半導体２との界面の障壁を超えるか、
もしくは量子力学的トンネル効果により真性Ｓｉ半導体
２の伝導帯に注入される。この電子は真性Ｓｉ半導体２
の伝導帯における高電界によって加速され、電子放射部
５にある薄膜電極３に到達する。この薄膜電極３は上述
したように極薄く形成されているのでトンネルした電子
は薄膜電極３を透過し、薄膜電極３の表面に到達する。
この表面に到達した電子のうち薄膜電極３の仕事関数を
超えるエネルギーを持つ電子が真空中に放射される。
【００１８】上記実施の形態によれば、電子が高電界に
より加速を受ける領域を単結晶半導体であるＳｉ真性半
導体２により形成している。このため、その平均自由行
程は従来の薄膜冷陰極のように非晶質絶縁体を用いた場
合よりはるかに大きくなる。したがって、散乱によるエ
ネルギーの損失を極めて低減することができ、電子が加
速を受ける部分に由来する電子エネルギーの広がりと放
射効率の低下を極力抑えることができる。よって、従来
の薄膜冷陰極によって生じる問題、即ち真空中へ放射さ
れる電子電流は薄膜中を流れる電流に比べて非常に小さ
いという問題が生じることはない。
より加速を受ける領域を単結晶半導体であるＳｉ真性半
導体２により形成している。このため、その平均自由行
程は従来の薄膜冷陰極のように非晶質絶縁体を用いた場
合よりはるかに大きくなる。したがって、散乱によるエ
ネルギーの損失を極めて低減することができ、電子が加
速を受ける部分に由来する電子エネルギーの広がりと放
射効率の低下を極力抑えることができる。よって、従来
の薄膜冷陰極によって生じる問題、即ち真空中へ放射さ
れる電子電流は薄膜中を流れる電流に比べて非常に小さ
いという問題が生じることはない。
【００１９】尚、上記実施の形態では、真性半導体とし
てエピタキシャル成長による単結晶Ｓｉを用いている
が、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition）法等によって
成膜される多結晶Ｓｉを用いることも可能である。多結
晶Ｓｉにおいても、非晶質絶縁体と比べれば電子の平均
自由行程ははるかに大きいので、単結晶Ｓｉの場合と同
様の効果を得ることができる。
てエピタキシャル成長による単結晶Ｓｉを用いている
が、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition）法等によって
成膜される多結晶Ｓｉを用いることも可能である。多結
晶Ｓｉにおいても、非晶質絶縁体と比べれば電子の平均
自由行程ははるかに大きいので、単結晶Ｓｉの場合と同
様の効果を得ることができる。
【００２０】また、薄膜冷陰極において、アルミニウム
等からなる薄膜電極３を用いているが、高濃度の不純物
が導入された低抵抗半導体からなる薄膜電極を用いるこ
とも可能である。この場合は、その不純物濃度が１０15
cm-3以上であることが好ましく、薄膜電極の厚さは１０
〜３０nmであることが好ましい。
等からなる薄膜電極３を用いているが、高濃度の不純物
が導入された低抵抗半導体からなる薄膜電極を用いるこ
とも可能である。この場合は、その不純物濃度が１０15
cm-3以上であることが好ましく、薄膜電極の厚さは１０
〜３０nmであることが好ましい。
【００２１】また、薄膜冷陰極において、基板としてＳ
ｉ半導体を用いているが、基板として他の半導体又は金
属材料を用いることも可能である。
ｉ半導体を用いているが、基板として他の半導体又は金
属材料を用いることも可能である。
【００２２】また、薄膜冷陰極において、酸化膜からな
る素子分離用絶縁体４を用いているが、他の絶縁材料か
らなる素子分離用絶縁体を用いることも可能である。
る素子分離用絶縁体４を用いているが、他の絶縁材料か
らなる素子分離用絶縁体を用いることも可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
子が高電界により加速を受ける領域を真性半導体膜によ
り形成している。したがって、電子加速層での平均自由
行程を向上させ、電子の放射効率を向上させた薄膜冷陰
極を提供することができる。
子が高電界により加速を受ける領域を真性半導体膜によ
り形成している。したがって、電子加速層での平均自由
行程を向上させ、電子の放射効率を向上させた薄膜冷陰
極を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態による薄膜冷陰極を示す断
面図である。
面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、図１に示す薄膜冷陰極
の作製プロセスの概要を示す断面図である。
の作製プロセスの概要を示す断面図である。
【図３】図１に示す薄膜冷陰極に電圧を印加した時のエ
ネルギーバンドを示す図である。
ネルギーバンドを示す図である。
【図４】従来の薄膜冷陰極を示す断面図である。
【図５】図４に示す薄膜冷陰極に電圧を印加した時のエ
ネルギーバンドを示す図である。
ネルギーバンドを示す図である。
１…ｎ型Ｓｉ半導体基板 ２…Ｓｉ真性半
導体 ３…薄膜電極（薄膜金属） ４…素子分離用
絶縁体 ４ａ…開口部 ５…電子放射部 ６…電極 ７…ｎ型Ｓｉ半導体基板のフェルミ準位 １１…ｎ型Ｓｉ半導体基板 １２…絶縁体 １３…薄膜電極（金属） １５…真空のエ
ネルギーバンド １７…半導体基板のフェルミ準位
導体 ３…薄膜電極（薄膜金属） ４…素子分離用
絶縁体 ４ａ…開口部 ５…電子放射部 ６…電極 ７…ｎ型Ｓｉ半導体基板のフェルミ準位 １１…ｎ型Ｓｉ半導体基板 １２…絶縁体 １３…薄膜電極（金属） １５…真空のエ
ネルギーバンド １７…半導体基板のフェルミ準位
Claims (8)
- 【請求項１】 固体内で加速されたホットエレクトロン
を利用して、真空中に電子を放射する薄膜冷陰極であっ
て；ｎ型半導体基板と、 該ｎ型半導体基板上に形成された真性半導体膜と、 該真性半導体膜上に形成された電極と、 を具備し、該真性半導体膜に印加される電界で電子が加
速されることを特徴とする薄膜冷陰極。 - 【請求項２】 上記真性半導体膜が単結晶真性半導体か
らなることを特徴とする請求項１記載の薄膜冷陰極。 - 【請求項３】 上記真性半導体膜が多結晶真性半導体か
らなることを特徴とする請求項１記載の薄膜冷陰極。 - 【請求項４】 上記真性半導体膜がホモエピタキシャル
成長により形成されたことを特徴とする請求項１記載の
薄膜冷陰極。 - 【請求項５】 上記電極が、金属又は高濃度の不純物が
導入された低抵抗半導体により形成されていることを特
徴とする請求項１〜４のうちのいずれか１項記載の薄膜
冷陰極。 - 【請求項６】 上記ｎ型半導体基板の不純物濃度は１０
15〜１０19cm-3であることを特徴とする請求項１〜５の
うちのいずれか１項記載の薄膜冷陰極。 - 【請求項７】 上記真性半導体膜は、そのキャリア濃度
が１０12cm-3未満であり、その膜厚が１０〜１００nmで
あることを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか１
項記載の薄膜冷陰極。 - 【請求項８】 上記電極が１０15cm-3以上の濃度の不純
物が導入された半導体により形成されており、該電極の
厚さが１０〜３０nmであることを特徴とする請求項１〜
５のうちのいずれか１項記載の薄膜冷陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36630797A JPH11191360A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 薄膜冷陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36630797A JPH11191360A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 薄膜冷陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191360A true JPH11191360A (ja) | 1999-07-13 |
Family
ID=18486455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36630797A Pending JPH11191360A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 薄膜冷陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11191360A (ja) |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP36630797A patent/JPH11191360A/ja active Pending
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