JPH11186801A

JPH11186801A - バイアス回路

Info

Publication number: JPH11186801A
Application number: JP9349120A
Authority: JP
Inventors: Seiichi Murakami; 誠一村上
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-12-18
Filing date: 1997-12-18
Publication date: 1999-07-09

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単な構成で、バイアス回路における信号の
漏洩を防止し、ＥＭＩを有効に回避することが可能なバ
イアス回路を提供する。【解決手段】マイクロ波集積回路、マイクロ波モノリ
シック回路、及びハイブリッド集積回路においてトラン
ジスタ、ダイオード等の能動素子を駆動させるための電
力を供給するバイアス回路において、主にＲＦ信号が伝
送する信号線路１０にバイアス供給端子１３から供給さ
れる電圧を介するバイアス線路１１を、基板１上に直接
載置せずに、空気、若しくはテフロン等の低誘電率体を
介して基板１上に支持することにより、線路インピーダ
ンスを向上させ、信号の漏洩を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波集積回
路（以下、単にＭＩＣとも記す。）、マイクロ波モノリ
シック集積回路（以下、単にＭＭＩＣとも記す。）、ハ
イブリッド集積回路（以下、単にＨＩＣとも記す。）等
においてトランジスタ、ダイオード等の能動素子を駆動
させるための電力を供給するバイアス回路に関し、特
に、ＲＦ分布定数的なバイアス回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のマイクロ波集積回路（ＭＩＣ）、
マイクロ波モノリシック集積回路（ＭＭＩＣ）、ハイブ
リッド集積回路（ＨＩＣ）等においては、そのトランジ
スタ、ダイオード等の能動素子を駆動させるための電力
を供給するためにバイアス回路が多用されている。

【０００３】このような従来のバイアス回路は、信号線
路に接続されている能動素子に電力を供給すると共に、
信号線路からの信号を漏洩させないという機能を有して
いる。

【０００４】また、一般に、低周波数の信号を使用して
いる場合は、そのバイアス回路は、集中定数的なバイア
ス回路として駆動させることができる。

【０００５】しかしながら、用いる信号の周波数がマイ
クロ波帯の電磁波となった場合は、もはや集中定数的で
はなく分布定数的となるため、分布定数的な回路を構成
する必要がある。

【０００６】そのため各書（例えば、「マイクロ波回
路」オーム社森田清監修）にあるように、伝送線路
を用いて実効波長程度の大きさのバイアス回路を構成す
ることになる。

【０００７】ここで従来のバイアス回路について、図４
を参照して説明する。図４に従来のバイアス回路の構成
を示し、図４の（ａ）に従来のバイアス回路の一部上面
図を示し、図４の（ｂ）に、図４の（ａ）に示されるＡ
−Ａ’ラインの断面図を示す。

【０００８】図４の（ａ）に示されるように、この従来
のバイアス回路は、基板１上に、信号線路１０が形成さ
れている。また、この信号線路１０には、バイアス線路
１１を介してバイアス供給端子１３が接続されている。
また、バイアス線路１１には、オープンスタブ１２が形
成されている。

【０００９】図４において信号線路１０は主にＲＦ信号
を伝送するために供されるもので、例えばマイクロ波帯
の信号が伝送される。一方、バイアス線路１１はバイア
ス供給端子１３から供給されるＤＣ電圧を信号線路１０
に供給する。オープンスタブ１２は信号線路１０とバイ
アス線路１１との接合点から伝送信号周波数に対する実
効波長の約４分の１の点に形成され、さらにその長さは
実効波長の約４分の１の長さとなっているのが一般的で
ある。

【００１０】このような構成により、従来のバイアス回
路は、信号線路に接続されている能動素子に電力を供給
すると共に、信号線路からの信号の漏洩を防止すること
ができるとしている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
バイアス回路においては、バイアス線路のインピーダン
スが未だ十分ではなく、バイアス供給端子からの信号の
漏洩、特に、伝送信号周波数からずれたところにおける
信号の漏洩が抑えられないという問題点を有し、従っ
て、近年問題となっているいわゆるＥＭＩ（ｅｌｅｃｔ
ｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ、以
下単にＥＭＩと記す。）対策が不十分であるという問題
点を有している。

【００１２】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
簡単な構成で、バイアス回路における信号の漏洩を防止
し、ＥＭＩを有効に回避することが可能なバイアス回路
を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
直下に、空気、若しくは低誘電率体が形成されているバ
イアス線路を有することを特徴とする。

【００１４】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記バイアス回路が、マイクロ波集積回
路、マイクロ波モノリシック集積回路、及びハイブリッ
ド集積回路のうちのいずれかの回路において、トランジ
スタ、ダイオードその他の能動素子を駆動させるための
電力を供給するバイアス回路であることを特徴とする。

【００１５】請求項３記載の発明は、請求項１又は２に
記載の発明において、前記低誘電率体が、テフロン材で
あることを特徴とする。

【００１６】請求項４記載の発明は、請求項１から３の
いずれかに記載の発明において、前記バイアス回路が、
マイクロストリップ線路形式、コプレナー線路形式、及
びインバーテッドマイクロストリップ線路形式のうちの
いずれか１つの線路形式により形成されていることを特
徴とする。

【００１７】請求項５記載の発明は、請求項１から４の
いずれかに記載の発明において、前記バイアス線路が、
オープンスタブにより支持されていることを特徴とす
る。

【００１８】請求項６記載の発明は、請求項５記載の発
明において、前記オープンスタブが、前記バイアス線路
と信号線路とが接合する接合点から、該信号線路を伝送
する伝送信号の実効波長の略１／４離れた点において、
前記バイアス線路を支持していることを特徴とする。

【００１９】請求項７記載の発明は、請求項５又は６に
記載の発明において、前記オープンスタブの長さが、前
記信号線路を伝送する伝送信号の実効波長の略１／４の
長さであることを特徴とする。

【００２０】請求項８記載の発明は、請求項１から４の
いずれかに記載の発明において、前記バイアス線路が、
ＭＩＭキャパシタにより支持されていることを特徴とす
る。

【００２１】請求項９記載の発明は、請求項８記載の発
明において、前記ＭＩＭキャパシタが、前記バイアス線
路と信号線路とが接合する接合点から、該信号線路を伝
送する伝送信号の実効波長の略１／４離れた点におい
て、前記バイアス線路を支持していることを特徴とす
る。

【００２２】請求項１０記載の発明は、請求項８又は９
に記載の発明において、前記ＭＩＭキャパシタの長さ
が、前記信号線路を伝送する伝送信号の実効波長の略１
／４の長さであることを特徴とする。

【００２３】請求項１１記載の発明は、請求項８から１
０のいずれかに記載の発明において、前記ＭＩＭキャパ
シタが、ビアホールにより、接地されていることを特徴
とする。

【００２４】請求項１２記載の発明は、請求項１から１
１のいずれかに記載の発明において、前記バイアス線路
が、スパイラルインダクタメアンダラインにより構成さ
れていることを特徴とする。

【００２５】請求項１３記載の発明は、両端に、抵抗体
が形成されているバイアス線路を有することを特徴とす
る。

【００２６】請求項１４記載の発明は、請求項１３記載
の発明において、前記バイアス回路が、マイクロ波集積
回路、マイクロ波モノリシック集積回路、ハイブリッド
集積回路において、トランジスタ、ダイオードその他の
能動素子を駆動させるための電力を供給するバイアス回
路であることを特徴とする。

【００２７】請求項１５記載の発明は、請求項１３又は
１４に記載の発明において、前記抵抗体の厚さが、略２
ミクロンであることを特徴とする。

【００２８】請求項１６記載の発明は、請求項１３から
１５のいずれかに記載の発明において、前記バイアス回
路が、マイクロストリップ線路形式、コプレナー線路形
式、及びインバーテッドマイクロストリップ線路形式の
うちのいずれか１つの線路形式により形成されているこ
とを特徴とする。

【００２９】請求項１７記載の発明は、請求項１３から
１６のいずれかに記載の発明において、前記バイアス線
路が、スパイラルインダクタメアンダラインにより構成
されていることを特徴とする。

【００３０】

【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明に係
るバイアス回路の実施形態について詳細に説明する。

【００３１】図１に、本発明に係るバイアス回路の第１
の実施形態の構成図を示し、図１の（ａ）に第１の実施
形態に係るバイアス回路の一部上面図を示し、図１の
（ｂ）に、図１の（ａ）に示されるバイアス回路の断面
図を示す。但し、図１に示される各部材において、図４
に示される従来のバイアス回路の各部材と同様な部材に
は同じ番号を付す。

【００３２】図１の（ａ）に示されるように、この第１
の実施形態に係るバイアス回路は、基板１上に信号線路
１０が形成されている。ただし、図１の（ａ）に示され
る場合では、簡単のため、バイアス回路の横方向は省略
している。以下の説明においても同様である。

【００３３】そして、信号線路１０には、バイアス線路
１１を介してバイアス供給端子１３から電圧（ＤＣ電
圧）が供給されている。また、バイアス線路１１には、
オープンスタブ１２が接続されている。

【００３４】図４に示される従来のバイアス回路と同様
に、図１において信号線路１０は主にＲＦ信号を伝送す
るために供されるもので、例えばマイクロ波帯の信号が
伝送される。一方、バイアス線路１１はバイアス供給端
子１３から供給されるＤＣ電圧を信号線路１０に供給す
る。

【００３５】ただし、この第１の実施形態に係るバイア
ス回路においては、このバイアス線路１１が基板１直上
に直接接触して固定又は載置されているのではなく、空
気を介して基板１上に支持されている。

【００３６】具体的には、信号線路１０、オープンスタ
ブ１２、及びバイアス供給端子１３により基板１直上に
空気を介して支持されている。

【００３７】この状態を図１の（ｂ）を参照してより詳
細に説明する。図１の（ｂ）に、図１の（ａ）に示され
るバイアス回路の断面図を示す。この断面図は、図１の
（ａ）に示されるＡ−Ａ’ラインにおける切断面を示し
ている。

【００３８】図１の（ｂ）に示されるように、基板１
は、接地金属２上に載置されている。また、図１の
（ｂ）からも明らかなように、バイアス線路１２が、信
号線路１０、オープンスタブ１２、及びバイアス供給端
子１３により基板１直上に空気を介して支持されてい
る。

【００３９】従って、空気の誘電率は略１であるため、
バイアス線路１１のインピーダンスは空気を介さない場
合に比べて高くなる。

【００４０】さらに、オープンスタブ１２が信号線路１
０とバイアス線路１１との接合点から、伝送信号周波数
の実効波長に対する約４分の１の点に形成され、さら
に、その長さが実効波長の約４分の１の長さとなってい
ることにより、信号線路１０とバイアス線路１１との接
合点からバイアス線路１１側を見た伝送信号周波数に対
するインピーダンスは極めて大きくなる。さらに、バイ
アス線路１１の線路インピーダンスは基本的に大きいた
め、伝送信号周波数からずれたところにおいても伝送信
号のバイアス供給端子１３からの漏洩を抑えることがで
きる。

【００４１】従って、図１に示されるバイアス回路にお
いては、効果的にバイアス供給端子１３からの信号の漏
洩が抑えられる共に、伝送信号周波数からずれたところ
においても伝送信号のバイアス供給端子１３からの漏洩
を抑えることができる。

【００４２】ただし、図１に示される構造のバイアス回
路において、バイアス線路１１の直下には空気が存在し
ていると説明したが、本発明の要旨は、基板１とバイア
ス線路１１との直接の接触を回避し、インピーダンスを
向上させることにより、バイアス供給端子からの信号の
漏洩を防止するものであるため、バイアス線路１１の下
に存在する部材は、空気に限らず、例えばテフロン材の
ような低誘電率体等のその他のバイアス線路１１のイン
ピーダンスを増大させる部材を任意に形成することが可
能である。

【００４３】また、バイアス線路１１の代わりに、例え
ばスパイラルインダクタメアンダライン等を利用しても
同様の効果を得ることができる。

【００４４】また、上述の説明においては、バイアス回
路の線路形式については特に指定はされていないが、こ
の線路形式として、マイクロストリップ線路形式、コプ
レナー線路形式、及びインバーテッドマイクロストリッ
プ線路形式等のその他の適宜な線路形式を用いることが
可能である。

【００４５】さらに、この第１の実施形態が適用される
バイアス回路としては、マイクロ波集積回路、マイクロ
波モノリシック集積回路、及びハイブリッド集積回路に
おいてトランジスタ、ダイオード等の能動素子を駆動さ
せるための電力を供給するバイアス回路であって、特に
分布定数的なバイアス回路であることが好ましい。

【００４６】次に、本発明に係るバイアス回路の第２の
実施形態について図２を参照して説明する。図２に、本
発明に係る第２の実施形態のバイアス回路の構成図を示
し、図２の（ａ）にその一部上面図を示し、図２の
（ｂ）に、図２の（ａ）におけるＡ−Ａ’ラインの断面
図を示す。ただし、第２の実施形態における各部材のう
ち、図１に示される本発明に係るバイアス回路の第１の
実施形態と同様な部材には同じ番号を付す。

【００４７】図２を参照すると明らかなように、この第
２の実施形態に係るバイアス回路が、図１に示される第
１の実施形態と異なる点は、図１に示されるオープンス
タブ１２が、ＭＩＭキャパシタ２２に置き換わり、この
ＭＩＭキャパシタ２２がビアホール２３により接地され
ている点である。

【００４８】その他の点、例えば図２における信号線路
１０は主にＲＦ信号を伝送するために供されるもので例
えばマイクロ波帯の信号が伝送されることや、バイアス
線路１１はバイアス供給端子１３から供給されるＤＣ電
圧を信号線路１０に供給すること等は、図１に示される
第１の実施形態に係るバイアス回路と同様である。

【００４９】従って、図２に示されるバイアス線路１１
は、基板１直上に直接接触して固定されているのではな
く、空気を介して基板１上に支持されている点は第１の
実施形態と同様であるが、その支持部材としては、図２
の（ｂ）に示されるように、信号線路１０、ＭＩＭキャ
パシタ２２、及びバイアス供給端子１３により基板１直
上に空気を介して支持されている点が異なる。

【００５０】ＭＩＭキャパシタ２２はビアホール２３に
よりＲＦ的に接地されている。また、このＭＩＭキャパ
シタ２２が位置する点は、信号線路１０とバイアス線路
１１との接合点から伝送信号周波数の実効波長の約４分
の１の距離離れた点である。

【００５１】さらに、ＭＩＭキャパシタ２２に、伝送信
号周波数の実効波長の約４分の１の長さを持たせること
で信号線路１０とバイアス線路１１との接合点からバイ
アス線路１１側を見た伝送信号周波数に対するインピー
ダンスを極めて大きくすることができる。

【００５２】また、バイアス線路１１の線路インピーダ
ンスは基本的に大きいため、伝送信号周波数からずれた
ところにおいても伝送信号のバイアス供給端子１３から
の漏洩を抑えることができる。

【００５３】従って、この第２の実施形態に係るバイア
ス回路においては、基板１直上に空気を介して支持する
ことにより線路のインピーダンスが空気を介さない場合
に比べて高くすることができ、図１に示される第１の実
施形態と同様の効果を得ることができると共に、オープ
ンスタブをＭＩＭキャパシタ２３により置き換えること
により、より広い範囲に渡って本発明を適用することが
可能となる。

【００５４】また、この図２に示される第２の実施形態
に係るバイアス回路においても、バイアス線路１１の直
下には空気が存在していると説明したが、本発明の要旨
は、基板１とバイアス線路１１との直接の接触を回避
し、インピーダンスを向上させることにより、バイアス
供給端子１３からの信号の漏洩を防止するものであるた
め、バイアス線路１１の下に存在する部材は、空気に限
らず、例えばテフロン材のような低誘電率体等のその他
のバイアス線路１１のインピーダンスを向上させる部材
を任意に形成することが可能である。

【００５５】また、この第２の実施形態においても、バ
イアス線路１１の代わりに、例えばスパイラルインダク
タメアンダライン等を利用しても同様の効果を得ること
ができる。

【００５６】また、この第２の実施形態においても、バ
イアス回路の線路形式については特に指定はされていな
いが、この線路形式として、マイクロストリップ線路形
式、コプレナー線路形式、及びインバーテッドマイクロ
ストリップ線路形式等のその他の適宜な線路形式を用い
ることが可能である。

【００５７】さらに、この第２の実施形態が適用される
バイアス回路としては、マイクロ波集積回路、マイクロ
波モノリシック集積回路、及びハイブリッド集積回路に
おいてトランジスタ、ダイオード等の能動素子を駆動さ
せるための電力を供給するバイアス回路であって、特に
分布定数的なバイアス回路であることが好ましい。

【００５８】次に、本発明に係るバイアス回路の第３の
実施形態について、図３を参照して説明する。図３に本
発明に係るバイアス回路の第３の実施形態の構成図を示
し、図３の（ａ）に、第３の実施形態に係るバイアス回
路の一部上面図を示し、図３の（ｂ）に、図３の（ａ）
に示されるＡ−Ａ’ラインの断面図を示し、図３の
（ｃ）に、図３の（ａ）に示されるＢ−Ｂ’ラインの断
面図を示す。ただし、図３に示される各部材おいて、図
１に示される第１の実施形態に係るバイアス回路と同様
の部材には、同じ番号を付す。

【００５９】この第３の実施形態は、図３の（ａ）に示
されるように、基板１上に、信号線路１０が形成されて
おり、さらにこの信号線路１０は、バイアス線路１１を
介してバイアス供給端子１３に接続されている。

【００６０】また、バイアス線路１１には、オープンス
タブ１２が形成されていると共に、その線路の両端に抵
抗体１０１が形成されている。

【００６１】上述の第１の実施形態、及び第２の実施形
態と同様に、図３の（ａ）に示される信号線路１０は主
にＲＦ信号を伝送するために供されるもので、例えばマ
イクロ波帯の信号が伝送される。

【００６２】一方、バイアス線路１１はバイアス供給端
子１３から供給されるＤＣ電圧を信号線路１０に供給す
る。

【００６３】この第３の実施形態が上述の第１の実施形
態と異なる点としては、図３の（ｂ）に示されるよう
に、バイアス線路１１が基板１上に直接載置されている
点である。

【００６４】そのため、図３の（ｃ）に示される断面図
からも明らかなように、信号の漏洩を防止するために、
バイアス線路１１には、その線路両端に抵抗体１０１が
表皮効果程度の厚さ約２ミクロン程度施してある。ただ
し、この第３の実施形態においては、抵抗体１０１の厚
さは約２ミクロンであるとしているが、本発明はこのよ
うな厚さの抵抗体に限定するものではなく、その厚さは
適宜変更して調整することが可能である。

【００６５】一般にＲＦ信号は線路の両端に電界集中す
るためこの抵抗体１０１によりＲＦ電力は消費される。
一方バイアス線路１１のＤＣ電力消費は線路断面積によ
るため抵抗体１０１によるＤＣ電力消費は抵抗体１０１
がない場合とほとんど変わらない。

【００６６】従って、この第３の実施形態に係るバイア
ス回路においては、有効に信号の漏洩を防止することが
できる。

【００６７】また、オープンスタブ１２は信号線路１０
とバイアス線路１１の接合点から伝送信号周波数の実効
波長の約４分の１離れた位置に形成されている。また、
その長さが、実効波長の約４分の１の長さとなっている
ことにより、信号線路１０とバイアス線路１１との接合
点からバイアス線路１１側を見た伝送信号周波数に対す
るインピーダンスは極めて大きくなる。

【００６８】さらに、バイアス線路１１上の抵抗体１０
１によりＲＦ電力の消費が大きくなっているため、伝送
信号周波数からずれたところにおいても伝送信号のバイ
アス供給端子１３からの漏洩が抑えられる。

【００６９】また、この第３の実施形態が適用されるバ
イアス回路としては、マイクロ波集積回路、マイクロ波
モノリシック集積回路、及びハイブリッド集積回路にお
いてトランジスタ、ダイオード等の能動素子を駆動させ
るための電力を供給するバイアス回路であって、特に分
布定数的なバイアス回路であることが好ましい。

【００７０】また、この第３の実施形態においても、バ
イアス線路１１の代わりに、例えばスパイラルインダク
タメアンダライン等を利用しても同様の効果を得ること
ができる。

【００７１】また、この第３の実施形態においても、バ
イアス回路の線路形式については特に指定はされていな
いが、この線路形式として、マイクロストリップ線路形
式、コプレナー線路形式、及びインバーテッドマイクロ
ストリップ線路形式等のその他の適宜な線路形式を用い
ることが可能である。

【００７２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、バイアス線路が、信号線路、オープンスタブ
若しくはＭＩＭキャパシタ、及びバイアス供給端子によ
り基板直上に、空気、若しくはテフロン材等の低誘電率
体を介して支持されているため線路のインピーダンスは
これらを介さない場合に比べて高くなり、バイアス供給
端子からの信号の漏洩を抑えることが可能になると共
に、通常のバイアス線路に比べて伝送信号周波数からず
れたところにおいてさえもバイアス供給端子からの信号
の漏洩を抑え、ＥＭＩ問題を有効に回避することが可能
なバイアス回路を提供することができる。

【００７３】また、バイアス線路の両端に抵抗体を形成
させたバイアス線路を有するバイアス回路においては、
漏洩する信号が抵抗体にて消費されるため、有効にバイ
アス供給端子からの信号の漏洩が抑えられ、ＥＭＩ問題
を有効に回避することが可能なバイアス回路を提供する
ことができる。

【００７４】特に、請求項１記載の発明によれば、直下
に、空気、若しくは低誘電率体が形成されているバイア
ス線路を有することから、その線路のインピーダンスを
向上させることができ、伝送周波数の信号のみならず、
伝送周波数からずれた信号においても、有効に信号の漏
洩を抑えることが可能なバイアス回路を提供することが
できる。

【００７５】また、請求項２記載の発明によれば、請求
項１記載の発明の効果が得られると共に、バイアス回路
が、マイクロ波集積回路、マイクロ波モノリシック回
路、及びハイブリッド集積回路のいずれかの回路におい
て、トランジスタ、ダイオードその他の能動素子を駆動
させるための電力を供給するバイアス回路であることか
ら、幅広い分野に渡って有効に活用することが可能なバ
イアス回路を提供することができる。

【００７６】また、請求項３記載の発明によれば、請求
項１又は２に記載の発明の効果が得られると共に、低誘
電率体が、テフロン材であることから、線路のインピー
ダンスを容易に向上させることが可能なバイアス回路を
提供することができる。

【００７７】また、請求項４記載の発明によれば、請求
項１から３のいずれかに記載の発明の効果が得られると
共に、バイアス回路が、マイクロストリップ線路形式、
コプレナー線路形式、及びインバーテッドマイクロスト
リップ線路形式のうちのいずれか１つの線路形式により
形成されていることから、さらにその適用範囲を拡大す
ることが可能なバイアス回路を提供することができる。

【００７８】また、請求項５記載の発明によれば、請求
項１から４のいずれかに記載の発明の効果が得られると
共に、バイアス線路が、オープンスタブにより支持され
ていることから、線路のインピーダンスの微調整を容易
に行うことが可能なバイアス回路を提供することができ
る。

【００７９】また、請求項６記載の発明によれば、請求
項５記載の発明の効果が得られると共に、オープンスタ
ブが、バイアス線路と信号線路とが接合する接合点か
ら、信号線路を伝送する伝送信号の実効波長の略１／４
離れた点において、バイアス線路を支持していることか
ら、信号線路とバイアス線路との接合点からバイアス線
路側を見た伝送信号周波数に対するインピーダンスを極
めて大きくすることが可能なバイアス回路を提供するこ
とができる。

【００８０】また、請求項７記載の発明によれば、請求
項５又は６に記載の発明の効果が得られると共に、オー
プンスタブの長さが、信号線路を伝送する伝送信号の実
効波長の略１／４の長さであることから、さらに、信号
線路とバイアス線路との接合点からバイアス線路側を見
た伝送信号周波数に対するインピーダンスを大きくする
ことが可能なバイアス回路を提供することができる。

【００８１】また、請求項８記載の発明によれば、請求
項１から４のいずれかに記載の発明の効果が得られると
共に、バイアス線路が、ＭＩＭキャパシタにより支持さ
れていることから、さらにその適用範囲を拡大すること
が可能なバイアス回路を提供することができる。

【００８２】また、請求項９記載の発明によれば、請求
項８記載の発明の効果が得られると共に、ＭＩＭキャパ
シタが、バイアス線路と信号線路とが接合する接合点か
ら、信号線路を伝送する伝送信号の実効波長の略１／４
の点において、バイアス線路を支持していることから、
信号線路とバイアス線路との接合点からバイアス線路側
を見た伝送信号周波数に対するインピーダンスを極めて
大きくすることが可能なバイアス回路を提供することが
できる。

【００８３】また、請求項１０記載の発明によれば、請
求項８又は９に記載の発明の効果が得られると共に、Ｍ
ＩＭキャパシタの長さが、信号線路を伝送する伝送信号
の実効波長の略１／４の長さであることから、さらに、
信号線路とバイアス線路との接合点からバイアス線路側
を見た伝送信号周波数に対するインピーダンスを大きく
することが可能なバイアス回路を提供することができ
る。

【００８４】また、請求項１１記載の発明によれば、請
求項８から１０のいずれかに記載の発明の効果が得られ
ると共に、ＭＩＭキャパシタが、ビアホールにより、Ｒ
Ｆ的に接地されていることから、さらに有効に信号の漏
洩を防止することが可能なバイアス回路を提供すること
ができる。

【００８５】また、請求項１２記載の発明によれば、請
求項１から１１のいずれかに記載の発明の効果が得られ
ると共に、バイアス線路が、スパイラルインダクタメア
ンダラインにより構成されていることから、その適用範
囲をさらに拡大することが可能なバイアス回路を提供す
ることができる。

【００８６】また、請求項１３記載の発明によれば、両
端に、抵抗体が形成されているバイアス線路を有するこ
とから、線路の両端に電界集中しているＲＦ信号のＲＦ
電力が有効に消費される一方、バイアス線路のＤＣ消費
電力は線路断面積によるため、ＤＣ消費電力は抵抗体が
無い場合と殆ど変わらないため、伝送信号周波数の信号
のみならず、伝送信号周波数からずれた信号において
も、その信号のバイアス供給端子からの漏洩を抑えるこ
とが可能なバイアス回路を提供することができる。

【００８７】また、請求項１４記載の発明によれば、請
求項１３記載の発明の効果が得られると共に、バイアス
回路が、マイクロ波集積回路、マイクロ波モノリシック
回路、ハイブリッド集積回路において、トランジスタ、
ダイオードその他の能動素子を駆動させるための電力を
供給するバイアス回路であることから、幅広い分野に渡
って有効に活用することが可能なバイアス回路を提供す
ることができる。

【００８８】また、請求項１５記載の発明によれば、請
求項１３又は１４に記載の発明の効果が得られると共
に、抵抗体の厚さが、略２ミクロンであることから、そ
の厚さが表皮効果程度となり、有効に電力を消費するこ
とができ、さらに確実に信号の漏洩を防止することが可
能なバイアス回路を提供することができる。

【００８９】また、請求項１６記載の発明によれば、請
求項１３から１５のいずれかに記載の発明の効果が得ら
れると共に、バイアス回路が、マイクロストリップ線路
形式、コプレナー線路形式、及びインバーテッドマイク
ロストリップ線路形式のうちのいずれか１つの線路形式
により形成されていることから、さらにその適用範囲を
拡大することが可能なバイアス回路を提供することがで
きる。

【００９０】さらに、請求項１７記載の発明によれば、
請求項１３から１６のいずれかに記載の発明の効果が得
られると共に、バイアス線路が、スパイラルインダクタ
メアンダラインにより構成されていることから、さらに
その適用範囲を拡大することが可能なバイアス回路を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るバイアス回路の第１の実施形態の
構成を示す図であり、（ａ）が、その一部上面図、
（ｂ）が、その断面図である。

【図２】本発明に係るバイアス回路の第２の実施形態の
構成を示す図であり、（ａ）が、その一部上面図、
（ｂ）が、その断面図である。

【図３】本発明に係るバイアス回路の第３の実施形態の
構成を示す図であり、（ａ）が、その一部上面図、
（ｂ）及び（ｃ）が、その断面図である。

【図４】従来のバイアス回路の構成を示す図である。

【符号の説明】

１基板２接地金属１０信号線路１１バイアス線路１２オープンスタブ１３バイアス供給端子２２ＭＩＭキャパシタ２３ビアホール１０１抵抗体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】直下に、空気、若しくは低誘電率体が形
成されているバイアス線路を有することを特徴とするバ
イアス回路。
【請求項２】前記バイアス回路が、マイクロ波集積回路、マイクロ波モノリシック集積回
路、及びハイブリッド集積回路のうちのいずれかの回路
において、トランジスタ、ダイオードその他の能動素子
を駆動させるための電力を供給するバイアス回路である
ことを特徴とする請求項１記載のバイアス回路。
【請求項３】前記低誘電率体が、テフロン材であることを特徴とする請求項１又は２に記
載のバイアス回路。
【請求項４】前記バイアス回路が、マイクロストリップ線路形式、コプレナー線路形式、及
びインバーテッドマイクロストリップ線路形式のうちの
いずれか１つの線路形式により形成されていることを特
徴とする請求項１から３のいずれかに記載のバイアス回
路。
【請求項５】前記バイアス線路が、オープンスタブにより支持されていることを特徴とする
請求項１から４のいずれかに記載のバイアス回路。
【請求項６】前記オープンスタブが、前記バイアス線路と信号線路とが接合する接合点から、
該信号線路を伝送する伝送信号の実効波長の略１／４離
れた点において、前記バイアス線路を支持していること
を特徴とする請求項５記載のバイアス回路。
【請求項７】前記オープンスタブの長さが、前記信号線路を伝送する伝送信号の実効波長の略１／４
の長さであることを特徴とする請求項５又は６に記載の
バイアス回路。
【請求項８】前記バイアス線路が、ＭＩＭキャパシタにより支持されていることを特徴とす
る請求項１から４のいずれかに記載のバイアス回路。
【請求項９】前記ＭＩＭキャパシタが、前記バイアス線路と信号線路とが接合する接合点から、
該信号線路を伝送する伝送信号の実効波長の略１／４離
れた点において、前記バイアス線路を支持していること
を特徴とする請求項８記載のバイアス回路。
【請求項１０】前記ＭＩＭキャパシタの長さが、前記信号線路を伝送する伝送信号の実効波長の略１／４
の長さであることを特徴とする請求項８又は９に記載の
バイアス回路。
【請求項１１】前記ＭＩＭキャパシタが、ビアホールにより、接地されていることを特徴とする請
求項８から１０のいずれかに記載のバイアス回路。
【請求項１２】前記バイアス線路が、スパイラルインダクタメアンダラインにより構成されて
いることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記
載のバイアス回路。
【請求項１３】両端に、抵抗体が形成されているバイ
アス線路を有することを特徴とするバイアス回路。
【請求項１４】前記バイアス回路が、マイクロ波集積回路、マイクロ波モノリシック集積回
路、ハイブリッド集積回路において、トランジスタ、ダ
イオードその他の能動素子を駆動させるための電力を供
給するバイアス回路であることを特徴とする請求項１３
記載のバイアス回路。
【請求項１５】前記抵抗体の厚さが、略２ミクロンであることを特徴とする請求項１３又は１
４に記載のバイアス回路。
【請求項１６】前記バイアス回路が、マイクロストリップ線路形式、コプレナー線路形式、及
びインバーテッドマイクロストリップ線路形式のうちの
いずれか１つの線路形式により形成されていることを特
徴とする請求項１３から１５のいずれかに記載のバイア
ス回路。
【請求項１７】前記バイアス線路が、スパイラルインダクタメアンダラインにより構成されて
いることを特徴とする請求項１３から１６のいずれかに
記載のバイアス回路。