JPH02166803A - マイクロ波集積回路 - Google Patents
マイクロ波集積回路Info
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- JPH02166803A JPH02166803A JP63321197A JP32119788A JPH02166803A JP H02166803 A JPH02166803 A JP H02166803A JP 63321197 A JP63321197 A JP 63321197A JP 32119788 A JP32119788 A JP 32119788A JP H02166803 A JPH02166803 A JP H02166803A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高周波ハイブリッド集積回路(HI C)等の
能動素子駆動回路に関わる。
能動素子駆動回路に関わる。
従来の技術
従来の技術としては、例えば特開昭5833802号公
報に示されるようにマイクロ′$1.集積回路において
能動素子駆動用直流回路は第4図に示されるように、マ
イクロ波集積回路が対象とする周波数帯域において1/
4波長となる長さに設定しなおかつ1/4波長のスタブ
を設けることにより、能動素子駆動用直流回路がマイク
ロ波伝送用線路に接続された箇所における、マイクロ波
伝送用線路から見た能動素子駆動用直流回路のインピー
ダンスを高くすることにより、マイクロ波がマイクロ波
伝送用線路から能動素子駆動用直流回路へ漏洩すること
を防止してきた。また新しい試みとしては特開昭61−
150244号公報に示されるようにバイアス回路の1
部分をエアーブリッジとし、直流回路のインピーダンス
をあげることによりマイクロ波が主線路から漏洩するこ
とを防止してきた。
報に示されるようにマイクロ′$1.集積回路において
能動素子駆動用直流回路は第4図に示されるように、マ
イクロ波集積回路が対象とする周波数帯域において1/
4波長となる長さに設定しなおかつ1/4波長のスタブ
を設けることにより、能動素子駆動用直流回路がマイク
ロ波伝送用線路に接続された箇所における、マイクロ波
伝送用線路から見た能動素子駆動用直流回路のインピー
ダンスを高くすることにより、マイクロ波がマイクロ波
伝送用線路から能動素子駆動用直流回路へ漏洩すること
を防止してきた。また新しい試みとしては特開昭61−
150244号公報に示されるようにバイアス回路の1
部分をエアーブリッジとし、直流回路のインピーダンス
をあげることによりマイクロ波が主線路から漏洩するこ
とを防止してきた。
発明が解決しようとする課題
高周波回路をIC化する最大のメリットは回路が小型化
されコストの低下が可能であることである。今後さらに
低コスト化をするためには回路の小型化を進めなくては
ならない、その際に一番の問題となるものは能動素子駆
動用直流回路のような周辺回路である。特に1/4波長
のバイアスラインやスタブはそれ自身が大きいだけでは
なく、他の回路との相互干渉を防ぐために他の回路と一
定の距離をおいて配置しなければならない、このような
理由により、ある程度以上は小型化が困難であるという
課題があった。またこのl/4波長によるマイクロ波阻
止は狭い周波数範囲においてのみ有効であり、広い帯域
を要求さる回路においては使用不能であった。
されコストの低下が可能であることである。今後さらに
低コスト化をするためには回路の小型化を進めなくては
ならない、その際に一番の問題となるものは能動素子駆
動用直流回路のような周辺回路である。特に1/4波長
のバイアスラインやスタブはそれ自身が大きいだけでは
なく、他の回路との相互干渉を防ぐために他の回路と一
定の距離をおいて配置しなければならない、このような
理由により、ある程度以上は小型化が困難であるという
課題があった。またこのl/4波長によるマイクロ波阻
止は狭い周波数範囲においてのみ有効であり、広い帯域
を要求さる回路においては使用不能であった。
したがってこの発明は、マイクロ波集積回路における周
辺回路、とくに能動素子への電源回路の大きさを縮小し
回路を小型化すること及び広い帯域を要求される回路に
おいても使用できる電源回路を提供することを目的とす
る。
辺回路、とくに能動素子への電源回路の大きさを縮小し
回路を小型化すること及び広い帯域を要求される回路に
おいても使用できる電源回路を提供することを目的とす
る。
課題を解決するための手段
すなわち、この発明の要旨とするところは絶縁性基板上
に形成される、能動素子駆動用回路を含むマイクロ波集
積回路において、マイクロ波伝送用線路に接続される前
記能動素子駆動用直流回路に含まれる線路の少なくとも
1箇所が、基板上に形成された高抵抗体膜上に直流電流
を流すための低抵抗膜を形成した2層構造で形成された
こと、もしくは基板上に形成された基板材料よりも誘電
率が小さい誘電体膜上に形成されるものである。
に形成される、能動素子駆動用回路を含むマイクロ波集
積回路において、マイクロ波伝送用線路に接続される前
記能動素子駆動用直流回路に含まれる線路の少なくとも
1箇所が、基板上に形成された高抵抗体膜上に直流電流
を流すための低抵抗膜を形成した2層構造で形成された
こと、もしくは基板上に形成された基板材料よりも誘電
率が小さい誘電体膜上に形成されるものである。
作用
能動素子用T4源供給回路への高周波の漏洩防止として
l/4波長の回路を使用せずにマイクロ波阻止が行なえ
、全体として、小型な回路設計ができる。
l/4波長の回路を使用せずにマイクロ波阻止が行なえ
、全体として、小型な回路設計ができる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
マイクロ波集積回路として14GHz帯のパワーアンプ
を例として説明する。基板として純度99.5%、鏡面
研磨のアルミナ基板及びチタン酸バリウム基板を使用し
第1図のような構成によりパワーアンプを構成した。第
1図、第2図が本発明における回路である。第3図が第
1図、第2図における電気的回路である。第4図が従来
の方法における回路である。第1図では特許請求範囲第
(+)項記載の方法によりドレイン電流供給回路107
が高抵抗膜、ここでは窒化タンタル110(シート抵抗
25Ω/口、膜厚tooo人)上に形成されている。第
2図では特許請求範囲第(2)項記載の方法によりドレ
イン電流供給回路207が基板、ここではチタン酸バリ
ウム基板202(誘電率・1000)よりも誘電率の低
い誘電体Sin□210(膜厚1.5 μm、 誘電率
=4)上に形成されている。いままでの方法によるとゲ
ート電圧及びドレイン電流供給回路の主線路からバイパ
スコンデンサまでの長さはその回路が取り扱う周波数に
おいて基板内波長の1/4波長の長さである必要があっ
た。これはゲート電圧及びドレイン電流供給回路がバイ
パスコンデンサのところで高周波的にみてシチートの状
態にあり、そこから1/4波長はなれた主線路への接続
点では主線路からみたインピーダンスが高くなるという
ことを利用している。しかしこの方法は回路の共振を利
用しており、回路規模の縮小、広帯域にできない、しか
し、第1図、第2図の方法を使用するとこの回路の共振
を利用することなく電源供給回路のインピーダンスを高
めることができる。その理由としては、特許請求範囲第
(1)項記載の状況においてはドレイン電流供給回路は
マイクロ波伝送用の主線路から分岐した線路とみな、す
ことができる。
を例として説明する。基板として純度99.5%、鏡面
研磨のアルミナ基板及びチタン酸バリウム基板を使用し
第1図のような構成によりパワーアンプを構成した。第
1図、第2図が本発明における回路である。第3図が第
1図、第2図における電気的回路である。第4図が従来
の方法における回路である。第1図では特許請求範囲第
(+)項記載の方法によりドレイン電流供給回路107
が高抵抗膜、ここでは窒化タンタル110(シート抵抗
25Ω/口、膜厚tooo人)上に形成されている。第
2図では特許請求範囲第(2)項記載の方法によりドレ
イン電流供給回路207が基板、ここではチタン酸バリ
ウム基板202(誘電率・1000)よりも誘電率の低
い誘電体Sin□210(膜厚1.5 μm、 誘電率
=4)上に形成されている。いままでの方法によるとゲ
ート電圧及びドレイン電流供給回路の主線路からバイパ
スコンデンサまでの長さはその回路が取り扱う周波数に
おいて基板内波長の1/4波長の長さである必要があっ
た。これはゲート電圧及びドレイン電流供給回路がバイ
パスコンデンサのところで高周波的にみてシチートの状
態にあり、そこから1/4波長はなれた主線路への接続
点では主線路からみたインピーダンスが高くなるという
ことを利用している。しかしこの方法は回路の共振を利
用しており、回路規模の縮小、広帯域にできない、しか
し、第1図、第2図の方法を使用するとこの回路の共振
を利用することなく電源供給回路のインピーダンスを高
めることができる。その理由としては、特許請求範囲第
(1)項記載の状況においてはドレイン電流供給回路は
マイクロ波伝送用の主線路から分岐した線路とみな、す
ことができる。
その際にマイクロストリップ線路において高周波の電流
密度は第5図のようになり、ここで第6図のようにこの
線路を高抵抗の膜上に形成すると結果として線路のイン
ピーダンスが高くなり、高周波阻止ができるからである
。また特許請求範囲第(2)項記載の状況においても同
様にドレイン電流供給回路はマイクロ波伝送用の主線路
から分岐した線路とみなすことができる。しかしこのド
レイン電流供給回路は基板よりも誘電率の低い膜上に形
成されており、線路のインピーダンスはマイクロ波伝送
用の主線路よりもかなり高くなっているからである。実
際に従来の回路および第1図、第2図の回路を作成し第
1図、第2図の回路においては電源供給回路の接続部1
06,206の長さを1/4波長よりも短くしたけれど
もアンプの特性に影響はなかった。しかし、従来の回路
において同様に電源供給回路の接続部106,206の
長さを1/4波長よりも短くしたところ、ゲイン、最大
出力の低下などの特性悪化が認められた。
密度は第5図のようになり、ここで第6図のようにこの
線路を高抵抗の膜上に形成すると結果として線路のイン
ピーダンスが高くなり、高周波阻止ができるからである
。また特許請求範囲第(2)項記載の状況においても同
様にドレイン電流供給回路はマイクロ波伝送用の主線路
から分岐した線路とみなすことができる。しかしこのド
レイン電流供給回路は基板よりも誘電率の低い膜上に形
成されており、線路のインピーダンスはマイクロ波伝送
用の主線路よりもかなり高くなっているからである。実
際に従来の回路および第1図、第2図の回路を作成し第
1図、第2図の回路においては電源供給回路の接続部1
06,206の長さを1/4波長よりも短くしたけれど
もアンプの特性に影響はなかった。しかし、従来の回路
において同様に電源供給回路の接続部106,206の
長さを1/4波長よりも短くしたところ、ゲイン、最大
出力の低下などの特性悪化が認められた。
発明の効果
以上この発明によれば、能動素子用電源供給回路への高
周波の漏洩防止として1/4波長の回路を使用せずにマ
イクロ波阻止が行なえ、全体として小型な回路が設計で
きる。
周波の漏洩防止として1/4波長の回路を使用せずにマ
イクロ波阻止が行なえ、全体として小型な回路が設計で
きる。
また抵抗体、誘電体としては実施例にあげたものに限る
必要はなく、例としてあげたものと同様の特性をもつも
のであれば使用可能であることは当然のことである。
必要はなく、例としてあげたものと同様の特性をもつも
のであれば使用可能であることは当然のことである。
第1図は本発明の方法による回路基板の構成図、第2図
は本発明の方法による回路基板の構成図、第3図は従来
の方法による回路基板の構成図、第4図は第1図〜第3
図の電気回路図、第5図はストリップラインに流れる高
周波電流の分布を示す説明図、第6図は第1図、第2図
の方法による回路のドレイン電流供給回路の主線路への
接続ラインの断面図である。 101.301・・・・・・入力側アルミナ基板、20
2・・・・・・入力側チタン酸バリウム基板、l O2
,302・・・・・・出力側アルミナ基板、202・・
・・・・出力側チタン酸バリウム基板103,203,
303・・・・・・FET、104,204,304・
・・・・・ゲート側バイパスコンデンサ、105,20
5,305・・・・・・ドレイン側バイパスコンデンサ
、106.206306・・・・・・ゲート電圧供給回
路の主線路への接続ライン、107,207,307・
・・・・・ドレイン電流供給回路の主線路への接続ライ
ン、108゜208.308・・・・・・入力端ストリ
ップライン、109.209,309・・・・・・出力
側ストリップライン、110・・・・・・窒化タンタル
抵抗膜、210・・・・・・Sing誘電体膜、501
,601・・・・・・アルミナ基板、502,602・
・・・・・アース電掻、503゜603・・・・・・ス
トリップライン、604・・・・・・窒化タンタル抵抗
膜もしくはSieg誘電体膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名161−−
−へ力貸l 7+1/け&叛10F−−−土力fXクア
ルミナ1J万10f−一−ゲ未4ン臼矢治外回】各つを
鴎へnn患モラリTDT・−一トーレイジノ電:aX袷
9;6−リ[、Lへめ*R+イソft#−△、V倶リス
にり一゛ライシ toq−−−出力イjIIIスLす、ブライノflO−
’tJ乙りJりIし抵僧℃嗅 第 図 第 図
は本発明の方法による回路基板の構成図、第3図は従来
の方法による回路基板の構成図、第4図は第1図〜第3
図の電気回路図、第5図はストリップラインに流れる高
周波電流の分布を示す説明図、第6図は第1図、第2図
の方法による回路のドレイン電流供給回路の主線路への
接続ラインの断面図である。 101.301・・・・・・入力側アルミナ基板、20
2・・・・・・入力側チタン酸バリウム基板、l O2
,302・・・・・・出力側アルミナ基板、202・・
・・・・出力側チタン酸バリウム基板103,203,
303・・・・・・FET、104,204,304・
・・・・・ゲート側バイパスコンデンサ、105,20
5,305・・・・・・ドレイン側バイパスコンデンサ
、106.206306・・・・・・ゲート電圧供給回
路の主線路への接続ライン、107,207,307・
・・・・・ドレイン電流供給回路の主線路への接続ライ
ン、108゜208.308・・・・・・入力端ストリ
ップライン、109.209,309・・・・・・出力
側ストリップライン、110・・・・・・窒化タンタル
抵抗膜、210・・・・・・Sing誘電体膜、501
,601・・・・・・アルミナ基板、502,602・
・・・・・アース電掻、503゜603・・・・・・ス
トリップライン、604・・・・・・窒化タンタル抵抗
膜もしくはSieg誘電体膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名161−−
−へ力貸l 7+1/け&叛10F−−−土力fXクア
ルミナ1J万10f−一−ゲ未4ン臼矢治外回】各つを
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’tJ乙りJりIし抵僧℃嗅 第 図 第 図
Claims (2)
- (1)絶縁性基板上に形成される、能動素子駆動用回路
を含むマイクロ波集積回路において、マイクロ波伝送用
線路に接続される前記能動素子駆動用直流回路に含まれ
る線路の少なくとも1箇所が、基板上に形成された高抵
抗体膜上に直流電流を流すための低抵抗体膜を形成した
2層構造で形成されていることを特徴とするマイクロ波
集積回路。 - (2)絶縁性基板上に形成される、能動素子駆動用回路
を含むマイクロ波集積回路において、マイクロ波伝送用
線路に接続される前記能動素子駆動用直流回路に含まれ
る線路の少なくとも1箇所が、基板上に形成された基板
材料よりも誘電率が小さい誘電体膜上に形成されたこと
を特徴とするマイクロ波集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63321197A JPH02166803A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63321197A JPH02166803A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | マイクロ波集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02166803A true JPH02166803A (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=18129874
Family Applications (1)
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JP63321197A Pending JPH02166803A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | マイクロ波集積回路 |
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Country | Link |
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JP (1) | JPH02166803A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1988
- 1988-12-20 JP JP63321197A patent/JPH02166803A/ja active Pending
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