JPH11185654A - 表示盤及び該表示盤を有する画像表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ２行２列の基本配列の行の輝度差、列の輝度
差が少なくなるので輝度差による横縞あるいは縦縞によ
る視覚妨害が少なくし画質を向上させる。 【解決手段】 ＲＧＢの３原色表示要素と画像表示に寄
与しない１要素により２行２列のパターンを構成する
際、潜在的な各表示要素の輝度に着目し、１行目の輝度
合計と２行目の輝度合計、更には、１列目の輝度合計と
２列目の輝度合計の差が最小にする配列を採用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は行列配置された原色
表示要素を用いてカラー表示を行なう表示盤及び該表示
盤を備えた画像表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子放出素子として熱陰極素
子と冷陰極素子の２種類が知られている。このうち冷陰
極素子では、たとえば表面伝導型放出素子や、電界放出
型素子（以下ＦＥ型と記す）や、金属／絶縁層／金属型
放出素子（以下ＭＩＭ型と記す）、などが知られてい
る。

【０００３】表面伝導型放出素子としては、たとえば、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，Ｒａｄｉｏ Ｅ−ｎｇ．Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０，（１９６
５）や、後述する他の例が知られている。

【０００４】表面伝導型放出素子は、基板上に形成され
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型放出素子としては、前記エリンソン等によるＳｎ
Ｏ2 薄膜を用いたものの他に、Ａｕ薄膜によるもの
［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：”Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉ
ｌｍｓ”，９，３１７（１９７２）］や、Ｉｎ2 Ｏ3 ／
ＳｎＯ2 薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎ
ｄ Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓ．ＥＤ Ｃｏｎｆ．”，５１９（１９７５）］や、カ
ーボン薄膜によるもの［荒木久 他：真空、第２６巻、
第１号、２２（１９８３）］等が報告されている。

【０００５】これらの表面伝導型放出素子の素子構成の
典型的な例として、図１８に前述のＭ．Ｈａｒｔｗｅｌ
ｌらによる素子の平面図を示す。同図において、３００
１は基板で、３００４はスパッタで形成された金属酸化
物よりなる導電性薄膜である。導電性薄膜３００４は図
示のようにＨ字形の平面形状に形成されている。該導電
性薄膜３００４に後述の通電フォーミングと呼ばれる通
電処理を施すことにより、電子放出部３００５が形成さ
れる。図中の間隔Ｌは、０．５〜１［ｍｍ］，Ｗは、
０．１［ｍｍ］で設定されている。尚、図示の便宜か
ら、電子放出部３００５は導電性薄膜３００４の中央に
矩形の形状で示したが、これは模式的なものであり、実
際の電子放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけ
ではない。

【０００６】Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌらによる素子をはじ
めとして上述の表面伝導型放出素子においては、電子放
出を行う前に導電性薄膜３００４に通電フォーミングと
呼ばれる通電処理を施すことにより電子放出部３００５
を形成するのが一般的であった。すなわち、通電フォー
ミングとは、通電により電子放出部を形成するものであ
り、例えば前記導電性薄膜３００４の両端に一定の直流
電圧、もしくは、例えば１Ｖ／分程度の非常にゆっくり
としたレートで昇圧する直流電圧を印加して通電し、導
電性薄膜３００４を局所的に破壊もしくは変形もしくは
変質せしめ、電気的に高抵抗な状態の電子放出部３００
５を形成することである。尚、局所的に破壊もしくは変
形もしくは変質した導電性薄膜３００４の一部には、亀
裂が発生する。前記通電フォーミング後に導電性薄膜３
００４に適宜の電圧を印加した場合には、前記亀裂付近
において電子放出が行われる。

【０００７】また、ＦＥ型の例は、たとえば、Ｗ．Ｐ．
Ｄｙｋｅ＆Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，”Ｆｉｅ−ｌｄ ｅｍ
ｉｓｓｉｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎＰｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）や、あるい
は、 Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，”Ｐｈｙｓｉｃａｌｐｒ
ｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅ
ｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ
ｍｏｌｙｂｄｅｎｉｕｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）などが知
られている。

【０００８】ＦＥ型の素子構成の典型的な例として、図
１９に前述のＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔらによる素子の断面
図を示す。同図において、３０１０は基板で、３０１１
は導電材料よりなるエミッタ配線、３０１２はエミッタ
コーン、３０１３は絶縁層、３０１４はゲート電極であ
る。本素子は、エミッタコーン３０１２とゲート電極３
０１４の間に適宜の電圧を印加することにより、エミッ
タコーン３０１２の先端部より電界放出を起こさせるも
のである。

【０００９】また、ＦＥ型の他の素子構成として、図１
９のような積層構造ではなく、基板上に基板平面とほぼ
平行にエミッタとゲート電極を配置した例もある。

【００１０】また、ＭＩＭ型の例としては、たとえば、
Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ，”Ｏｐｅｒａｔｉｏｎｏｆ ｔｕｎ
ｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）などが知
られている。ＭＩＭ型の素子構成の典型的な例を図２０
に示す。同図は断面図であり、図において、３０２０は
基板で、３０２１は金属よりなる下電極、３０２２は厚
さ１００オングストローム程度の薄い絶縁層、３０２３
は厚さ８０〜３００オングストローム程度の金属よりな
る上電極である。ＭＩＭ型においては、上電極３０２３
と下電極３０２１の間に適宜の電圧を印加することによ
り、上電極３０２３の表面より電子放出を起こさせるも
のである。

【００１１】上述の冷陰極素子は、熱陰極素子と比較し
て低温で電子放出を得ることができるため、加熱用ヒー
ターを必要としない。したがって、熱陰極素子よりも構
造が単純であり、微細な素子を作成可能である。また、
基板上に多数の素子を高い密度で配置しても、基板の熱
溶融などの問題が発生しにくい。また、熱陰極素子がヒ
ーターの加熱により動作するため応答速度が遅いのとは
異なり、冷陰極素子の場合には応答速度が速いという利
点もある。

【００１２】このため、冷陰極素子を応用するための研
究が盛んに行われてきている。

【００１３】たとえば、表面伝導型放出素子は、冷陰極
素子のなかでも特に構造が単純で製造も容易であること
から、大面積にわたり多数の素子を形成できる利点があ
る。そこで、たとえば本出願人による特開昭６４−３１
３３２号公報において開示されるように、多数の素子を
配列して駆動するための方法が研究されている。

【００１４】また、表面伝導型放出素子の応用について
は、たとえば、画像表示装置、画像記録装置などの画像
形成装置や、荷電ビーム源、等が研究されている。

【００１５】特に、画像表示装置への応用としては、た
とえば本出願人によるＵＳＰ５，０６６，８８３や特開
平２−２５７５５１号公報や特開平４−２８１３７号公
報において開示されているように、表面伝導型放出素子
と電子ビームの照射により発光する蛍光体とを組み合わ
せて用いた画像表示装置が研究されている。表面伝導型
放出素子と蛍光体とを組み合わせて用いた画像表示装置
は、従来の他の方式の画像表示装置よりも優れた特性が
期待されている。たとえば、近年普及してきた液晶表示
装置と比較しても、自発光型であるためバックライトを
必要としない点や、視野角が広い点が優れていると言え
る。

【００１６】また、ＦＥ型を多数個ならべて駆動する方
法は、たとえば本出願人によるＵＳＰ４，９０４，８９
５に開示されている。また、ＦＥ型を画像表示装置に応
用した例として、たとえば、Ｒ．Ｍｅｙｅｒらにより報
告された平板型表示装置が知られている。［Ｒ．Ｍｅｙ
ｅｒ：”Ｒｅｃｅｎｔ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｎ
ＭｉｃｒｏｔｉｐｓＤｉｓｐｌａｙ ａｔ ＬＥＴ
Ｉ”，Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ４ｔｈ Ｉｎ
ｔ． Ｖａｃｕｕｍ Ｍｉｃｒｏｅｌｅ−ｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ Ｃｏｎｆ．，Ｎａｇａｈａｍａ，ｐｐ．６〜９
（１９９１）］また、ＭＩＭ型を多数個並べて画像表示
装置に応用した例は、たとえば本出願人による特開平３
−５５７３８号公報に開示されている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】従来、このような画像
表示装置の画素配列としては、水平方向に並んだＲ，
Ｇ，Ｂ３つの蛍光体を１つの画素とするストライプ配列
が多く用いられてきた。しかし、このストライプ配列に
おいて、図３（ａ）のように蛍光体が正方形に近い形状
をしている場合、Ｒ，Ｇ，Ｂの組である画素が横長にな
るため、水平方向解像度が低くなる。また、垂直方向に
同一色の蛍光体が並ぶため、画像を表示した際、縦縞が
目立つといった欠点があった。

【００１８】このような問題を解決するために、図３
（ｂ）に示すような市松配列が考えられる。この市松配
列では、図に示すように１画素につき水平２要素、垂直
２要素を基本配列とし、解像度を向上させるため、緑
（Ｇ）に２要素が割り当てられ、赤（Ｒ）と青（Ｂ）は
１要素ずつ割り当てる。

【００１９】この市松配列を用いてカラー表示を行った
場合、解像度は期待どおり向上するが、赤，青の表示要
素が水平方向には２行に１行、垂直方向には２列に１列
となるため、観察者には、赤水平線と青水平線が交互に
現われている、あるいは、赤垂直線と青垂直線が交互に
現われているように見えることがあり、画質低下の原因
となっていた。

【００２０】また、上記の市松配列では、２要素の緑の
出力を、それぞれ１／２に制限することでカラーバラン
スをとるため、素子の性能を最大限に生かしているとは
言えなかった。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明はかかる点に着目
したものであり、２行２列の基本配列の行の輝度差、列
の輝度差が少なくして、輝度差による横縞あるいは縦縞
による視覚妨害が少なくし画質を向上させることを可能
ならしめる表示盤及び該表示盤を有する画像表示装置を
提供しようとするものである。

【００２２】この課題を解決するため、例えば本発明の
表示盤はいかに示す構成を備える。すなわち、原色表示
要素を行列配置してカラー画像を表示するための表示盤
であって、３原色表示要素と画像表示に寄与しない１要
素により２行２列の基本配列を形成し、原色表示要素の
うち輝度値が最大の原色表示要素と２番目に高い原色表
示要素を基本配列の対角位置に配置することを特徴とす
る。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、添付図面に従って本発明に
係る実施形態を詳細に説明する。

【００２４】一般に、原色表示要素を２行２列に配置し
面積的加法混色で所望の１色を再現するとき、その原色
表示要素の配置には各要素の輝度値の配慮が必要であ
る。

【００２５】３原色表示要素ＲＧＢの色度をＣＩＥ−Ｘ
ＹＺ色度座標で表現したものを Ｒ（ＸR，ＹR，ＺR），Ｇ（ＸG，ＹG，ＺG）Ｂ（ＸB，
ＹB，ＺＢ） とすれば、３原色表示要素の輝度値は、ＹR，ＹG，ＹB
である。

【００２６】具体的には、３原色表示要素ＲＧＢとして
ＮＴＳＣ方式の三原色、基礎刺激としてＣ光源を選んだ
場合、 ＹR＝０．３０，ＹG＝０．５９，ＹB＝０．１１ となる。

【００２７】このような３原色表示要素と１非表示要素
を２行２列の行列Ｍに配置する場合、行列Ｍの各要素ｍ
11，ｍ12，ｍ21，ｍ22に配する要素により、行ごと、列
ごとの輝度和を計算でき、また、行間の輝度差、列間の
輝度差の大きい方をもって行間・列間の最大輝度差とす
れば、最大輝度差が小さいほど輝度縞差が小さく、観察
者に縞状妨害感を与えない表示装置と言えよう。

【００２８】図２１は、上記３原色表示要素と１非表示
要素を２行２列に配置した場合の行・列ごとの輝度和
と、行間・列間の輝度差の大なる方を計算したものであ
る。ＮＴＳＣ方式の三原色を用いた場合、行間・列間の
最大輝度差の中で最小のものは０．４０であり、これ
は、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）を対角位置に配置した場合
である。

【００２９】これに従う配列させたのが図１である。図
示で、Ｂは青色表示要素、Ｒは赤色表示要素、Ｇは緑色
表示要素、ｘは非表示要素を表わす。図２は、本発明の
第２の実施形態における配列を示しており、図１の実施
形態の緑表示要素と非表示要素を交換したものである。

【００３０】以上、図１または図２の配列を２次元的に
繰り返すことで生成した表示盤で実際に画像を表示させ
たところ、先の従来技術の項で説明した問題点が改善さ
れたことが確かめられた。

【００３１】＜表示パネルの構成と製造法＞次に、本発
明を適用した画像表示装置の表示パネルの構成と製造法
について、具体的な例を示して説明する。

【００３２】図４は、実施形態に用いた表示パネルの斜
視図であり、内部構造を示すためにパネルの１部を切り
欠いて示している。

【００３３】図中、１００５はリアプレート、１００６
は側壁、１００７はフェースプレートであり、１００５
〜１００７により表示パネルの内部を真空に維持するた
めの気密容器を形成している。気密容器を組み立てるに
あたっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保
持させるため封着する必要があるが、たとえばフリット
ガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中
で、摂氏４００〜５００度で１０分以上焼成することに
より封着を達成した。気密容器内部を真空に排気する方
法については後述する。

【００３４】リアプレート１００５には、基板１００１
が固定されているが、該基板上には冷陰極素子１００２
がＮｘＭ個形成されている。（Ｎ，Ｍは２以上の正の整
数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定され
る。たとえば、高品位テレビジョンの表示を目的とした
表示装置においては、Ｎ＝３０００，Ｍ＝１０００以上
の数を設定することが望ましい。本実施形態において
は、Ｎ＝３０７２，Ｍ＝１０２４とした。）前記ＮｘＭ
個の冷陰極素子は、Ｍ本の行方向配線１００３とＮ本の
列方向配線１００４により単純マトリクス配線されてい
る。前記１００１〜１００４によって構成される部分を
マルチ電子ビーム源と呼ぶ。なお、マルチ電子ビーム源
の製造方法や構造については、後で詳しく述べる。

【００３５】本実施形態においては、気密容器のリアプ
レート１００５にマルチ電子ビーム源の基板１００１を
固定する構成としたが、マルチ電子ビーム源の基板１０
０１が十分な強度を有するものである場合には、気密容
器のリアプレートとしてマルチ電子ビーム源の基板１０
０１自体を用いてもよい。

【００３６】また、フェースプレート１００７の下面に
は、蛍光膜１００８が形成されている。本実施形態はカ
ラー表示装置であるため、蛍光膜１００８の部分にはＣ
ＲＴの分野で用いられる赤、緑、青、の３原色の蛍光体
が塗り分けられている。各色の蛍光体は、たとえば図１
の配列に従うのであれば図５に示すようにストライプ状
に塗り分けられ、蛍光体のストライプの間には黒色の導
電体１０１０が設けてある。黒色の導電体１０１０を設
ける目的は、電子ビームの照射位置に多少のずれがあっ
ても表示色にずれが生じないようにする事や、外光の反
射を防止して表示コントラストの低下を防ぐ事、電子ビ
ームによる蛍光膜のチャージアップを防止する事などで
ある。黒色の導電体１０１０には、黒鉛を主成分として
用いたが、上記の目的に適するものであればこれ以外の
材料を用いても良い。

【００３７】また、蛍光膜１００８のリアプレート側の
面には、ＣＲＴの分野では公知のメタルバック１００９
を設けてある。メタルバック１００９を設けた目的は、
蛍光膜１００８が発する光の一部を鏡面反射して光利用
率を向上させる事や、負イオンの衝突から蛍光膜１００
８を保護する事や、電子ビーム加速電圧を印加するため
の電極として作用させる事や、蛍光膜１００８を励起し
た電子の導電路として作用させる事などである。メタル
バック１００９は、蛍光膜１００８をフェースプレート
基板１００７上に形成した後、蛍光膜表面を平滑化処理
し、その上にＡｌを真空蒸着する方法により形成した。
なお、蛍光膜１００８に低電圧用の蛍光体材料を用いた
場合には、メタルバック１００９は用いない。

【００３８】また、本実施形態では用いなかったが、加
速電圧の印加用や蛍光膜の導電性向上を目的として、フ
ェースプレート基板１００７と蛍光膜１００８との間
に、たとえばＩＴＯを材料とする透明電極を設けてもよ
い。

【００３９】また、Ｄx1〜ＤxmおよびＤy1〜Ｄynおよび
Ｈｖは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気的
に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子であ
る。Ｄx1〜Ｄxmはマルチ電子ビーム源の行方向配線１０
０３と、Ｄy1〜Ｄynはマルチ電子ビーム源の列方向配線
１００４と、Ｈｖはフェースプレートのメタルバック１
００９と電気的に接続している。

【００４０】また、気密容器内部を真空に排気するに
は、気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポ
ンプとを接続し、気密容器内を１０のマイナス７乗［Ｔ
ｏｒｒ］程度の真空度まで排気する。その後、排気管を
封止するが、気密容器内の真空度を維持するために、封
止の直前あるいは封止後に気密容器内の所定の位置にゲ
ッター膜（不図示）を形成する。ゲッター膜とは、たと
えばＢａを主成分とするゲッター材料をヒーターもしく
は高周波加熱により加熱し蒸着して形成した膜であり、
該ゲッター膜の吸着作用により気密容器内は１ｘ１０マ
イナス５乗ないしは１ｘ１０マイナス７乗［Ｔｏｒｒ］
の真空度に維持される。

【００４１】以上、本発明実施形態の表示パネルの基本
構成と製法を説明した。

【００４２】次に、前記実施形態の表示パネルに用いた
マルチ電子ビーム源の製造方法について説明する。本発
明の画像表示装置に用いるマルチ電子ビーム源は、冷陰
極素子を単純マトリクス配線した電子源であれば、冷陰
極素子の材料や形状あるいは製法に制限はない。したが
って、たとえば表面伝導型放出素子やＦＥ型、あるいは
ＭＩＭ型などの冷陰極素子を用いることができる。

【００４３】ただし、表示画面が大きくてしかも安価な
表示装置が求められる状況のもとでは、これらの冷陰極
素子の中でも、表面伝導型放出素子が特に好ましい。す
なわち、ＦＥ型ではエミッタコーンとゲート電極の相対
位置や形状が電子放出特性を大きく左右するため、極め
て高精度の製造技術を必要とするが、これは大面積化や
製造コストの低減を達成するには不利な要因となる。ま
た、ＭＩＭ型では、絶縁層と上電極の膜厚を薄くてしか
も均一にする必要があるが、これも大面積化や製造コス
トの低減を達成するには不利な要因となる。その点、表
面伝導型放出素子は、比較的製造方法が単純なため、大
面積化や製造コストの低減が容易である。また、発明者
らは、表面伝導型放出素子の中でも、電子放出部もしく
はその周辺部を微粒子膜から形成したものがとりわけ電
子放出特性に優れ、しかも製造が容易に行えることを見
いだしている。したがって、高輝度で大画面の画像表示
装置のマルチ電子ビーム源に用いるには、最も好適であ
ると言える。そこで、上記実施形態の表示パネルにおい
ては、電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形
成した表面伝導型放出素子を用いた。そこで、まず好適
な表面伝導型放出素子について基本的な構成と製法およ
び特性を説明し、その後で多数の素子を単純マトリクス
配線したマルチ電子ビーム源の構造について述べる。

【００４４】＜表面伝導型放出素子の好適な素子構成と
製法＞電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形
成する表面伝導型放出素子の代表的な構成には、平面型
と垂直型の２種類があげられる。

【００４５】＜平面型の表面伝導型放出素子＞まず最初
に、平面型の表面伝導型放出素子の素子構成と製法につ
いて説明する。図６に示すのは、平面型の表面伝導型放
出素子の構成を説明するための平面図（ａ）および断面
図（ｂ）である。図中、１１０１は基板、１１０２と１
１０３は素子電極、１１０４は導電性薄膜、１１０５は
通電フォーミング処理により形成した電子放出部、１１
１３は通電活性化処理により形成した薄膜である。

【００４６】基板１１０１としては、たとえば、石英ガ
ラスや青板ガラスをはじめとする各種ガラス基板や、ア
ルミナをはじめとする各種セラミクス基板、あるいは上
述の各種基板上にたとえばＳｉＯ2 を材料とする絶縁層
を積層した基板、などを用いることができる。

【００４７】また、基板１１０１上に基板面と平行に対
向して設けられた素子電極１１０２と１１０３は、導電
性を有する材料によって形成されている。たとえば、Ｎ
ｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，
Ａｇ等をはじめとする金属、あるいはこれらの金属の合
金、あるいはＩｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 をはじめとする金属
酸化物、ポリシリコンなどの半導体、などの中から適宜
材料を選択して用いればよい。電極を形成するには、た
とえば真空蒸着などの製膜技術とフォトリソグラフィ
ー、エッチングなどのパターニング技術を組み合わせて
用いれば容易に形成できるが、それ以外の方法（たとえ
ば印刷技術）を用いて形成してもさしつかえない。

【００４８】素子電極１１０２と１１０３の形状は、当
該電子放出素子の応用目的に合わせて適宜設計される。
一般的には、電極間隔Ｌは通常は数百オングストローム
から数百マイクロメーターの範囲から適当な数値を選ん
で設計されるが、なかでも表示装置に応用するために好
ましいのは数マイクロメーターより数十マイクロメータ
ーの範囲である。また、素子電極の厚さｄについては、
通常は数百オングストロームから数マイクロメーターの
範囲から適当な数値が選ばれる。

【００４９】また、導電性薄膜１１０４の部分には、微
粒子膜を用いる。ここで述べた微粒子膜とは、構成要素
として多数の微粒子を含んだ膜（島状の集合体も含む）
のことをさす。微粒子膜を微視的に調べれば、通常は、
個々の微粒子が離間して配置された構造か、あるいは微
粒子が互いに隣接した構造か、あるいは微粒子が互いに
重なり合った構造が観測される。

【００５０】微粒子膜に用いた微粒子の粒径は、数オン
グストロームから数千オングストロームの範囲に含まれ
るものであるが、なかでも好ましいのは１０オングスト
ロームから２００オングストロームの範囲のものであ
る。また、微粒子膜の膜厚は、以下に述べるような諸条
件を考慮して適宜設定される。すなわち、素子電極１１
０２あるいは１１０３と電気的に良好に接続するのに必
要な条件、後述する通電フォーミングを良好に行うのに
必要な条件、微粒子膜自身の電気抵抗を後述する適宜の
値にするために必要な条件、などである。

【００５１】具体的には、数オングストロームから数千
オングストロームの範囲のなかで設定するが、なかでも
好ましいのは１０オングストロームから５００オングス
トロームの間である。

【００５２】また、微粒子膜を形成するのに用いられう
る材料としては、たとえば、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ａｇ，
Ａｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｂ，などをはじめとする金属や、ＰｄＯ，Ｓ
ｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＰｂＯ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，などをはじ
めとする酸化物や、ＨｆＢ2 ，ＺｒＢ2 ，ＬａＢ6 ，Ｃ
ｅＢ6 ，ＹＢ4 ，ＧｄＢ4 ，などをはじめとする硼化物
や、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ，
などをはじめとする炭化物や、ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｈｆ
Ｎ，などをはじめとする窒化物や、Ｓｉ，Ｇｅ，などを
はじめとする半導体や、カーボン、などがあげられ、こ
れらの中から適宜選択される。

【００５３】以上述べたように、導電性薄膜１１０４を
微粒子膜で形成したが、そのシート抵抗値については、
１０の３乗から１０の７乗［オーム／ｓｑ］の範囲に含
まれるよう設定した。

【００５４】なお、導電性薄膜１１０４と素子電極１１
０２および１１０３とは、電気的に良好に接続されるの
が望ましいため、互いの一部が重なりあうような構造を
とっている。その重なり方は、図６の例においては、下
から、基板、素子電極、導電性薄膜の順序で積層した
が、場合によっては下から基板、導電性薄膜、素子電
極、の順序で積層してもさしつかえない。

【００５５】また、電子放出部１１０５は、導電性薄膜
１１０４の一部に形成された亀裂状の部分であり、電気
的には周囲の導電性薄膜よりも高抵抗な性質を有してい
る。亀裂は、導電性薄膜１１０４に対して、後述する通
電フォーミングの処理を行うことにより形成する。亀裂
内には、数オングストロームから数百オングストローム
の粒径の微粒子を配置する場合がある。なお、実際の電
子放出部の位置や形状を精密かつ正確に図示するのは困
難なため、図６においては模式的に示した。また、平面
図（ａ）においては、薄膜１１１３の一部を除去した素
子を図示した。

【００５６】また、薄膜１１１３は、炭素もしくは炭素
化合物よりなる薄膜で、電子放出部１１０５およびその
近傍を被覆している。薄膜１１１３は、通電フォーミン
グ処理後に、後述する通電活性化の処理を行うことによ
り形成する。

【００５７】薄膜１１１３は、単結晶グラファイト、多
結晶グラファイト、非晶質カーボン、のいずれかか、も
しくはその混合物であり、膜厚は５００［オングストロ
ーム］以下とするが、３００［オングストローム］以下
とするのがさらに好ましい。

【００５８】以上、好ましい素子の基本構成を述べた
が、実施形態においては以下のような素子を用いた。

【００５９】すなわち、基板１１０１には青板ガラスを
用い、素子電極１１０２と１１０３にはＮｉ薄膜を用い
た。素子電極の厚さｄは１０００［オングストロー
ム］、電極間隔Ｌは２［マイクロメーター］とした。

【００６０】微粒子膜の主要材料としてＰｄもしくはＰ
ｄＯを用い、微粒子膜の厚さは約１００［オングストロ
ーム］、幅Ｗは１００［マイクロメータ］とした。

【００６１】次に、好適な平面型の表面伝導型放出素子
の製造方法について説明する。図７（ａ）〜（ｄ）は、
表面伝導型放出素子の製造工程を説明するための断面図
で、各部材の表記は図６と同一である。

【００６２】１）まず、図７（ａ）に示すように、基板
１１０１上に素子電極１１０２および１１０３を形成す
る。

【００６３】形成するにあたっては、あらかじめ基板１
１０１を洗剤、純水、有機溶剤を用いて十分に洗浄後、
素子電極の材料を堆積させる。（堆積する方法として
は、たとえば、蒸着法やスパッタ法などの真空成膜技術
を用ればよい。）その後、堆積した電極材料を、フォト
リソグラフィー・エッチング技術を用いてパターニング
し、同図（ａ）に示した一対の素子電極（１１０２と１
１０３）を形成する。

【００６４】２）次に、同図（ｂ）に示すように、導電
性薄膜１１０４を形成する。

【００６５】形成するにあたっては、まず同図（ａ）の
基板に有機金属溶液を塗布して乾燥し、加熱焼成処理し
て微粒子膜を成膜した後、フォトリソグラフィー・エッ
チングにより所定の形状にパターニングする。ここで、
有機金属溶液とは、導電性薄膜に用いる微粒子の材料を
主要元素とする有機金属化合物の溶液である。（具体的
には、本実施形態では主要元素としてＰｄを用いた。ま
た、実施形態では塗布方法として、ディッピング法を用
いたが、それ以外のたとえばスピンナー法やスプレー法
を用いてもよい。） また、微粒子膜で作られる導電性薄膜の成膜方法として
は、本実施形態で用いた有機金属溶液の塗布による方法
以外の、たとえば真空蒸着法やスパッタ法、あるいは化
学的気相堆積法などを用いる場合もある。

【００６６】３）次に、同図（ｃ）に示すように、フォ
ーミング用電源１１１０から素子電極１１０２と１１０
３の間に適宜の電圧を印加し、通電フォーミング処理を
行って、電子放出部１１０５を形成する。

【００６７】通電フォーミング処理とは、微粒子膜で作
られた導電性薄膜１１０４に通電を行って、その一部を
適宜に破壊、変形、もしくは変質せしめ、電子放出を行
うのに好適な構造に変化させる処理のことである。微粒
子膜で作られた導電性薄膜のうち電子放出を行うのに好
適な構造に変化した部分（すなわち電子放出部１１０
５）においては、薄膜に適当な亀裂が形成されている。
なお、電子放出部１１０５が形成される前と比較する
と、形成された後は素子電極１１０２と１１０３の間で
計測される電気抵抗は大幅に増加する。

【００６８】通電方法をより詳しく説明するために、図
８に、フォーミング用電源１１１０から印加する適宜の
電圧波形の一例を示す。微粒子膜で作られた導電性薄膜
をフォーミングする場合には、パルス状の電圧が好まし
く、本実施形態の場合には同図に示したようにパルス幅
Ｔ１の三角波パルスをパルス間隔Ｔ２で連続的に印加し
た。その際には、三角波パルスの波高値Ｖｐｆを、順次
昇圧した。また、電子放出部１１０５の形成状況をモニ
ターするためのモニターパルスＰｍを適宜の間隔で三角
波パルスの間に挿入し、その際に流れる電流を電流計１
１１１で計測した。

【００６９】実施形態においては、たとえば１０のマイ
ナス５乗［ｔｏｒｒ］程度の真空雰囲気下において、た
とえばパルス幅Ｔ１を１［ミリ秒］、パルス間隔Ｔ２を
１０［ミリ秒］とし、波高値Ｖｐｆを１パルスごとに
０．１［Ｖ］ずつ昇圧した。そして、三角波を５パルス
印加するたびに１回の割りで、モニターパルスＰｍを挿
入した。フォーミング処理に悪影響を及ぼすことがない
ように、モニターパルスの電圧Ｖｐｍは０．１［Ｖ］に
設定した。そして、素子電極１１０２と１１０３の間の
電気抵抗が１ｘ１０の６乗［オーム］になった段階、す
なわちモニターパルス印加時に電流計１１１１で計測さ
れる電流が１ｘ１０のマイナス７乗［Ａ］以下になった
段階で、フォーミング処理にかかわる通電を終了した。

【００７０】なお、上記の方法は、本実施形態の表面伝
導型放出素子に関する好ましい方法であり、たとえば微
粒子膜の材料や膜厚、あるいは素子電極間隔Ｌなど表面
伝導型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じ
て通電の条件を適宜変更するのが望ましい。

【００７１】４）次に、図７（ｄ）に示すように、活性
化用電源１１１２から素子電極１１０２と１１０３の間
に適宜の電圧を印加し、通電活性化処理を行って、電子
放出特性の改善を行う。

【００７２】通電活性化処理とは、前記通電フォーミン
グ処理により形成された電子放出部１１０５に適宜の条
件で通電を行って、その近傍に炭素もしくは炭素化合物
を堆積せしめる処理のことである。（図においては、炭
素もしくは炭素化合物よりなる堆積物を部材１１１３と
して模式的に示した。）なお、通電活性化処理を行うこ
とにより、行う前と比較して、同じ印加電圧における放
出電流を典型的には１００倍以上に増加させることがで
きる。

【００７３】具体的には、１０のマイナス４乗ないし１
０のマイナス５乗［ｔｏｒｒ］の範囲内の真空雰囲気中
で、電圧パルスを定期的に印加することにより、真空雰
囲気中に存在する有機化合物を起源とする炭素もしくは
炭素化合物を堆積させる。堆積物１１１３は、単結晶グ
ラファイト、多結晶グラファイト、非晶質カーボン、の
いずれかか、もしくはその混合物であり、膜厚は５００
［オングストローム］以下、より好ましくは３００［オ
ングストローム］以下である。

【００７４】通電方法をより詳しく説明するために、図
９（ａ）に、活性化用電源１１１２から印加する適宜の
電圧波形の一例を示す。本実施形態においては、一定電
圧の矩形波を定期的に印加して通電活性化処理を行った
が、具体的には，矩形波の電圧Ｖａｃは１４［Ｖ］，パ
ルス幅Ｔ３は１［ミリ秒］，パルス間隔Ｔ４は１０［ミ
リ秒］とした。なお、上述の通電条件は、本実施形態の
表面伝導型放出素子に関する好ましい条件であり、表面
伝導型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じ
て条件を適宜変更するのが望ましい。

【００７５】図７（ｄ）に示す１１１４は該表面伝導型
放出素子から放出される放出電流Ｉｅを捕捉するための
アノード電極で、直流高電圧電源１１１５および電流計
１１１６が接続されている。（なお、基板１１０１を、
表示パネルの中に組み込んでから活性化処理を行う場合
には、表示パネルの蛍光面をアノード電極１１１４とし
て用いる。）活性化用電源１１１２から電圧を印加する
間、電流計１１１６で放出電流Ｉｅを計測して通電活性
化処理の進行状況をモニターし、活性化用電源１１１２
の動作を制御する。電流計１１１６で計測された放出電
流Ｉｅの一例を図９（ｂ）に示すが、活性化電源１１１
２からパルス電圧を印加しはじめると、時間の経過とと
もに放出電流Ｉｅは増加するが、やがて飽和してほとん
ど増加しなくなる。このように、放出電流Ｉｅがほぼ飽
和した時点で活性化用電源１１１２からの電圧印加を停
止し、通電活性化処理を終了する。

【００７６】なお、上述の通電条件は、本実施形態の表
面伝導型放出素子に関する好ましい条件であり、表面伝
導型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて
条件を適宜変更するのが望ましい。

【００７７】以上のようにして、図７（ｅ）に示す平面
型の表面伝導型放出素子を製造した。

【００７８】＜垂直型の表面伝導型放出素子＞次に、電
子放出部もしくはその周辺を微粒子膜から形成した表面
伝導型放出素子のもうひとつの代表的な構成、すなわち
垂直型の表面伝導型放出素子の構成について説明する。

【００７９】図１０は、垂直型の基本構成を説明するた
めの模式的な断面図であり、図中の１２０１は基板、１
２０２と１２０３は素子電極、１２０６は段差形成部
材、１２０４は微粒子膜を用いた導電性薄膜、１２０５
は通電フォーミング処理により形成した電子放出部、１
２１３は通電活性化処理により形成した薄膜である。

【００８０】垂直型が先に説明した平面型と異なる点
は、素子電極のうちの片方（１２０２）が段差形成部材
１２０６上に設けられており、導電性薄膜１２０４が段
差形成部材１２０６の側面を被覆している点にある。し
たがって、図６の平面型における素子電極間隔Ｌは、垂
直型においては段差形成部材１２０６の段差高Ｌｓとし
て設定される。なお、基板１２０１、素子電極１２０２
および１２０３、微粒子膜を用いた導電性薄膜１２０
４、については、前記平面型の説明中に列挙した材料を
同様に用いることが可能である。また、段差形成部材１
２０６には、たとえばＳｉＯ2 のような電気的に絶縁性
の材料を用いる。

【００８１】次に、垂直型の表面伝導型放出素子の製法
について説明する。図１１（ａ）〜（ｆ）は、製造工程
を説明するための断面図で、各部材の表記は図１０と同
一である。

【００８２】１）まず、図１１（ａ）に示すように、基
板１２０１上に素子電極１２０３を形成する。

【００８３】２）次に、同図（ｂ）に示すように、段差
形成部材を形成するための絶縁層を積層する。絶縁層
は、たとえばＳｉＯ2 をスパッタ法で積層すればよい
が、たとえば真空蒸着法や印刷法などの他の成膜方法を
用いてもよい。

【００８４】３）次に、同図（ｃ）に示すように、絶縁
層の上に素子電極１２０２を形成する。

【００８５】４）次に、同図（ｄ）に示すように、絶縁
層の一部を、たとえばエッチング法を用いて除去し、素
子電極１２０３を露出させる。

【００８６】５）次に、同図（ｅ）に示すように、微粒
子膜を用いた導電性薄膜１２０４を形成する。形成する
には、前記平面型の場合と同じく、たとえば塗布法など
の成膜技術を用いればよい。

【００８７】６）次に、前記平面型の場合と同じく、通
電フォーミング処理を行い、電子放出部を形成する。
（図７（ｃ）を用いて説明した平面型の通電フォーミン
グ処理と同様の処理を行えばよい。） ７）次に、前記平面型の場合と同じく、通電活性化処理
を行い、電子放出部近傍に炭素もしくは炭素化合物を堆
積させる。（図７（ｄ）を用いて説明した平面型の通電
活性化処理と同様の処理を行えばよい。） 以上のようにして、図１１（ｆ）に示す垂直型の表面伝
導型放出素子を製造した。

【００８８】＜表示装置に用いた表面伝導型放出素子の
特性＞以上、平面型と垂直型の表面伝導型放出素子につ
いて素子構成と製法を説明したが、次に表示装置に用い
た素子の特性について述べる。

【００８９】図１２に、表示装置に用いた素子の、（放
出電流Ｉｅ）対（素子印加電圧Ｖｆ）特性、および（素
子電流Ｉｆ）対（素子印加電圧Ｖｆ）特性の典型的な例
を示す。なお、放出電流Ｉｅは素子電流Ｉｆに比べて著
しく小さく、同一尺度で図示するのが困難であるうえ、
これらの特性は素子の大きさや形状等の設計パラメータ
を変更することにより変化するものであるため、２本の
グラフは各々任意単位で図示した。

【００９０】表示装置に用いた素子は、放出電流Ｉｅに
関して以下に述べる３つの特性を有している。

【００９１】第一に、ある電圧（これを閾値電圧Ｖｔｈ
と呼ぶ）以上の大きさの電圧を素子に印加すると急激に
放出電流Ｉｅが増加するが、一方、閾値電圧Ｖｔｈ未満
の電圧では放出電流Ｉｅはほとんど検出されない。

【００９２】すなわち、放出電流Ｉｅに関して、明確な
閾値電圧Ｖｔｈを持った非線形素子である。

【００９３】第二に、放出電流Ｉｅは素子に印加する電
圧Ｖｆに依存して変化するため、電圧Ｖｆで放出電流Ｉ
ｅの大きさを制御できる。

【００９４】第三に、素子に印加する電圧Ｖｆに対して
素子から放出される電流Ｉｅの応答速度が速いため、電
圧Ｖｆを印加する時間の長さによって素子から放出され
る電子の電荷量を制御できる。

【００９５】以上のような特性を有するため、表面伝導
型放出素子を表示装置に好適に用いることができた。た
とえば多数の素子を表示画面の画素に対応して設けた表
示装置において、第一の特性を利用すれば、表示画面を
順次走査して表示を行うことが可能である。すなわち、
駆動中の素子には所望の発光輝度に応じて閾値電圧Ｖｔ
ｈ以上の電圧を適宜印加し、非選択状態の素子には閾値
電圧Ｖｔｈ未満の電圧を印加する。駆動する素子を順次
切り替えてゆくことにより、表示画面を順次走査して表
示を行うことが可能である。

【００９６】また、第二の特性かまたは第三の特性を利
用することにより、発光輝度を制御することができるた
め、諧調表示を行うことが可能である。

【００９７】＜多数素子を単純マトリクス配線したマル
チ電子ビーム源の構造＞次に、上述の表面伝導型放出素
子を基板上に配列して単純マトリクス配線したマルチ電
子ビーム源の構造について述べる。

【００９８】図１３に示すのは、図４の表示パネルに用
いたマルチ電子ビーム源の平面図である。基板上には、
図６で示したものと同様な表面伝導型放出素子が配列さ
れ、これらの素子は行方向配線電極１００３と列方向配
線電極１００４により単純マトリクス状に配線されてい
る。行方向配線電極１００３と列方向配線電極１００４
の交差する部分には、電極間に絶縁層（不図示）が形成
されており、電気的な絶縁が保たれている。

【００９９】図１３のＡ−Ａ’に沿った断面を図１４に
示す。

【０１００】なお、このような構造のマルチ電子源は、
あらかじめ基板上に行方向配線電極１００３、列方向配
線電極１００４、電極間絶縁層（不図示）、および表面
伝導型放出素子の素子電極と導電性薄膜を形成した後、
行方向配線電極１００３および列方向配線電極１００４
を介して各素子に給電して通電フォーミング処理と通電
活性化処理を行うことにより製造した。

【０１０１】＜表示装置の構成＞図１５は、実施形態に
おける表示装置の主要部分のブロック構成図である。同
図において、１０１は上記の様にして製造された表面伝
導型放出素子を用いた画像表示パネルで、端子Ｄｘ１か
らＤｘｍおよびＤｙ１からＤｙｎを介して外部の電気回
路と接続されている。また画像表示パネル１０１上の高
圧端子Ｄａは外部の高圧電源Ｖａに接続され放出電子を
加速するようになっている。このうち端子Ｄｘ１からＤ
ｘｍには前述のパネル内に設けられているマルチ電子ビ
ーム源すなわちＭ行Ｎ列の行列状にマトリックス配線さ
れた表面伝導型放出素子群を１行ずつ順次駆動してゆく
ための走査信号が印加される。一方、端子Ｄｙ１からＤ
ｙｎには前記走査信号により選択された一行の表面伝導
型放出素子の各素子の出力電子ビームを制御する為の変
調信号が印加される。本実施例では、走査信号は負極性
とし、変調信号を正極性とした。走査信号と変調信号が
同時に印加された素子が、その時間だけ点灯する。

【０１０２】画像信号の流れに従い各構成を説明する。

【０１０３】入力されたコンボジット画像信号をデコー
ダ１０３で３原色（ＲＧＢ）の輝度信号及び水平、垂直
同期信号（Ｈ＿ＳＹＮＣ，Ｖ＿ＳＹＮＣ）に分離する。
タイミング信号発生回路１０４ではＨ＿ＳＹＮＣ，Ｖ＿
ＳＹＮＣ信号に同期した各種タイミング信号を発生させ
る。ＲＧＢ輝度信号はＳ／Ｈ回路１０５において適当な
タイミングでサンプリングされ保持され、それをデジタ
ル信号（Ａ／Ｄ変換回路も内蔵されているものとする）
に変換する（例えば各色成分８ビット）。こうして得ら
れた１ライン分のＲＧＢのデジタルデータは、Ｓ／Ｐ変
換回路でもってパラレルに画像信号処理回路１０７に出
力される。

【０１０４】詳細は後述するが、この画像信号処理回路
１０７は、入力した１ライン分のＲＧＢのデータから画
像表示パネル１０１の該当するラインに対応した各色成
分のデータを生成し、それをパルス幅変調回路１０８に
出力する。

【０１０５】パルス幅変調回路１０８は、アナログ電圧
信号に変換するＤ／Ａコンバータ及び三角波発生回路及
びそれらを比較するコンパレータで構成され、パラレル
に入力したそれぞれのデジタルデータに対応するパルス
幅変調信号を生成し、それを表示パネルの端子Ｄｙ１な
いしＤｙｎを通じて表示パネル１０１内の各表面伝導型
放出素子に印加し、１ライン単位に駆動する。ここで駆
動されるラインは、走査回路１０２により選択されたも
のとなる。走査回路１０２はタイミング信号発生回路１
０４より供給されるタイミング信号に応じたラインを選
択するのである。

【０１０６】次に、実施形態における画像信号処理回路
１０７について説明する。ここで、実施形態における表
示パネルの蛍光膜１００８は、図１のようなパターンで
各色成分の蛍光体が配列されているものとする。

【０１０７】基本的に、表示パネル上の２ラインが、入
力した映像信号の１ラインに対応する。つまり、図１の
配列を採用した場合には、１走査ラインの画像信号を入
力する度に２ライン駆動することになる。

【０１０８】図１６は、第１の実施形態の蛍光膜パター
ンに適用した場合の画像信号処理回路１０７のブロック
構成図を示している。

【０１０９】図示で、２０１ａ、２０１ｂは、表示パネ
ル１０１の１ライン分の画像データを蓄積するだけの容
量を持ったレジスタである。

【０１１０】先に説明したように、１入力ラインに対し
て２ライン駆動することになるわけであるから、入力さ
れた水平同期信号の周波数を２倍に逓倍するため、図示
の如く逓倍回路２０４を設け、その２倍に逓倍された信
号をカウントするカウンタ２０５を設けた。このカウン
タはレジスタ２０１ａ，２０１ｂのいずれか一方を選択
するために用いるものであり、基本的に表示パネル上の
奇数ラインと偶数ラインとを判別できれば良いから、そ
のカウント値は１ビットである。すなわち、セレクタ２
０２は、カウンタ２０５からの出力信号に従いレジスタ
２０１ａ、２０１ｂの何れか一方を順番に選択し、その
出力データをパルス幅変調回路１０８に出力する。

【０１１１】レジスタ２０１ａ、２０１ｂは、図１の配
列を採用するのであれば、図１７のように、Ｓ／Ｐ変換
回路１０６に格納されたＲＧＢＲＧＢ…形式のデータに
つき、各レジスタの入力が図１に示す色成分を格納する
よう配線されている。尚、図示では最初の１画素のＲＧ
Ｂデータに対するレジスタ２０１ａ、２０１ｂについて
のみ示した。

【０１１２】映像信号の１走査ライン分の入力に対し、
２個のレジスタにデータが供給され、記憶される。そし
て、レジスタ２０１ａ、２０１ｂを順に駆動すること
で、図１に示すパターンで映像を表示させることが可能
になる。

【０１１３】尚、レジスタ２０１ｂであるが、図示の場
合には非表示要素を格納するメモリを確保して示してい
るが、実際には非表示要素部分のメモリを確保する必要
はなく、レジスタ２０１ａの半分の容量を備えれば良
い。また、これまでの説明から明らかなように、図１の
パターンで画像を表示するのであれば、表示パネルの偶
数ラインに対応する表面伝導型電子放出素子の数は、奇
数行のそれの半分で構わない。

【０１１４】更に、図２１に従えば、行間・列間の最大
輝度差が０．４０のパターンは、図１、図２以外にも存
在する。しかしながら、同値のパターンは、基本的に図
１、図２の回転させたパターンであるので、実質的に違
いはない。

【０１１５】更にまた、仮に図１のパターンをＭ、図２
のパターンをＮとした場合に、１行１列及び２行２列目
をＭ、１行２列及び２行１列目をＮで構成した４×４の
パターンを用いても良い。

【０１１６】以上説明したように、本実施形態に従え
ば、水平垂直の色縞の出現を低減するので画質を向上さ
せる効果がある。

【０１１７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
２行２列の基本配列の行の輝度差、列の輝度差が少なく
して、輝度差による横縞あるいは縦縞による視覚妨害が
少なくし画質を向上させることが可能になる。

【０１１８】

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態における色成分の配列パターン
を示す図である。

【図２】第２の実施形態における色成分の配列パターン
を示す図である。

【図３】一般的なストライプ配列及び、発明者等が考察
した配列を示す図である。

【図４】実施形態における画像表示装置の、表示パネル
の一部を切り欠いて示した斜視図である。

【図５】実施形態における表示パネルのフェースプレー
トの蛍光体配列を例示した平面図である。

【図６】実施形態で用いた平面型の表面伝導型放出素子
の平面及び断面図である。

【図７】実施形態における平面型の表面伝導型放出素子
の製造工程を示す図である。

【図８】実施例における通電フォーミング処理の際の印
加電圧波形を示す図である。

【図９】実施形態における通電活性化処理の際の印加電
圧波形及び放電電流Ｉｅの変化を示す図である。

【図１０】実施形態における垂直型の表面伝導型放出素
子の断面図である。

【図１１】実施形態における垂直型の表面伝導型放出素
子の製造工程を示す図である。

【図１２】実施形態で用いた表面伝導型放出素子の典型
的な特性を示す図である。

【図１３】実施形態で用いたマルチ電子ビーム源の基板
の平面図である。

【図１４】実施形態で用いたマルチ電子ビーム源の基板
の一部断面図である。

【図１５】実施形態における表示装置の駆動部分のブロ
ック構成図である。

【図１６】図１５における画像信号処理回路のブロック
構成図である。

【図１７】図１６におけるレジスタ群の画像データの格
納状態を示す図である。

【図１８】表面伝導型放出素子の一例を示す図である。

【図１９】ＦＥ型素子の一例を示す図である。

【図２０】ＭＩＭ型素子の一例を示す図である。

【図２１】各色成分の組み合せによる行間輝度差を示す
図である。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 原色表示要素を行列配置してカラー画像
   を表示するための表示盤であって、 ３原色表示要素と画像表示に寄与しない１要素により２
   行２列の基本配列を形成し、 原色表示要素のうち輝度値が最大の原色表示要素と２番
   目に高い原色表示要素を基本配列の対角位置に配置する
   ことを特徴とする表示盤。
2. 【請求項２】 原色表示要素のうち緑色（Ｇ）と赤色
   （Ｒ）を基本配列の対角位置に配置することを特徴とす
   る請求項第１項に記載の表示盤。
3. 【請求項３】 表示盤上の行列状に配置された各色成分
   の蛍光体に向けて電子源から放出した電子を飛翔させ、
   表示させる画像表示装置であって、 前記表示盤における１画素について、３原色表示要素と
   画像表示に寄与しない１要素による合計４要素を２行２
   列で構成し、原色表示要素のうち輝度値が最大の原色表
   示要素と２番目に高い原色表示要素を基本配列の対角位
   置に配置することを特徴とする画像表示装置。
4. 【請求項４】 原色表示要素のうち緑色（Ｇ）と赤色
   （Ｒ）を基本配列の対角位置に配置することを特徴とす
   る請求項第３項に記載の画像表示装置。
5. 【請求項５】 前記電子源は表面伝導型電子放出素子の
   配列を有することを特徴とする請求項第３項に記載の画
   像表示装置。