JPH11190977A - 表示盤及び該表示盤を有する画像表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 各原色色成分を一様に並べた場合に低輝度
成分の縦縞模様の発生を抑制し、高品位な画像を表示さ
せることを可能にする。 【解決手段】 原色表示要素を行列配置してカラー画像
を表示するための表示盤において、隣り合う行毎に、低
輝度色成分と他の色成分との配列を逆に配列させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は行列配置された基本
色表示要素を用いてカラー表示をなす表示盤及びそれを
用いた画像表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子放出素子として熱陰極素
子と冷陰極素子の２種類が知られている。このうち冷陰
極素子では、たとえば表面伝導型放出素子や、電界放出
型素子（以下ＦＥ型と記す）や、金属／絶縁層／金属型
放出素子（以下ＭＩＭ型と記す）、などが知られてい
る。

【０００３】表面伝導型放出素子としては、たとえば、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，Ｒａｄｉｏ Ｅ−ｎｇ．Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０，（１９６
５）や、後述する他の例が知られている。

【０００４】表面伝導型放出素子は、基板上に形成され
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型放出素子としては、前記エリンソン等によるＳｎ
Ｏ2 薄膜を用いたものの他に、Ａｕ薄膜によるもの
［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：”Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉ
ｌｍｓ”，９，３１７（１９７２）］や、Ｉｎ2 Ｏ3 ／
ＳｎＯ2 薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎ
ｄ Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓ．ＥＤ Ｃｏｎｆ．”，５１９（１９７５）］や、カ
ーボン薄膜によるもの［荒木久 他：真空、第２６巻、
第１号、２２（１９８３）］等が報告されている。

【０００５】これらの表面伝導型放出素子の素子構成の
典型的な例として、図１７に前述のＭ．Ｈａｒｔｗｅｌ
ｌらによる素子の平面図を示す。同図において、３００
１は基板で、３００４はスパッタで形成された金属酸化
物よりなる導電性薄膜である。導電性薄膜３００４は図
示のようにＨ字形の平面形状に形成されている。該導電
性薄膜３００４に後述の通電フォーミングと呼ばれる通
電処理を施すことにより、電子放出部３００５が形成さ
れる。図中の間隔Ｌは、０．５〜１［ｍｍ］，Ｗは、
０．１［ｍｍ］で設定されている。尚、図示の便宜か
ら、電子放出部３００５は導電性薄膜３００４の中央に
矩形の形状で示したが、これは模式的なものであり、実
際の電子放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけ
ではない。

【０００６】Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌらによる素子をはじ
めとして上述の表面伝導型放出素子においては、電子放
出を行う前に導電性薄膜３００４に通電フォーミングと
呼ばれる通電処理を施すことにより電子放出部３００５
を形成するのが一般的であった。すなわち、通電フォー
ミングとは、通電により電子放出部を形成するものであ
り、例えば、前記導電性薄膜３００４の両端に一定の直
流電圧、もしくは、例えば１Ｖ／分程度の非常にゆっく
りとしたレートで昇圧する直流電圧を印加して通電し、
導電性薄膜３００４を局所的に破壊もしくは変形もしく
は変質せしめ、電気的に高抵抗な状態の電子放出部３０
０５を形成することである。尚、局所的に破壊もしくは
変形もしくは変質した導電性薄膜３００４の一部には、
亀裂が発生する。前記通電フォーミング後に導電性薄膜
３００４に適宜の電圧を印加した場合には、前記亀裂付
近において電子放出が行われる。

【０００７】また、ＦＥ型の例は、たとえば、Ｗ．Ｐ．
Ｄｙｋｅ＆Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，”Ｆｉｅ−ｌｄ ｅｍ
ｉｓｓｉｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎＰｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）や、あるい
は、 Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，”Ｐｈｙｓｉｃａｌｐｒ
ｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅ
ｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ
ｍｏｌｙｂｄｅｎｉｕｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）などが知
られている。

【０００８】ＦＥ型の素子構成の典型的な例として、図
１８に前述のＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔらによる素子の断面
図を示す。同図において、３０１０は基板で、３０１１
は導電材料よりなるエミッタ配線、３０１２はエミッタ
コーン、３０１３は絶縁層、３０１４はゲート電極であ
る。本素子は、エミッタコーン３０１２とゲート電極３
０１４の間に適宜の電圧を印加することにより、エミッ
タコーン３０１２の先端部より電界放出を起こさせるも
のである。

【０００９】また、ＦＥ型の他の素子構成として、図１
８のような積層構造ではなく、基板上に基板平面とほぼ
平行にエミッタとゲート電極を配置した例もある。

【００１０】また、ＭＩＭ型の例としては、たとえば、
Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ，”Ｏｐｅｒａｔｉｏｎｏｆ ｔｕｎ
ｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）などが知
られている。ＭＩＭ型の素子構成の典型的な例を図１９
に示す。同図は断面図であり、図において、３０２０は
基板で、３０２１は金属よりなる下電極、３０２２は厚
さ１００オングストローム程度の薄い絶縁層、３０２３
は厚さ８０〜３００オングストローム程度の金属よりな
る上電極である。ＭＩＭ型においては、上電極３０２３
と下電極３０２１の間に適宜の電圧を印加することによ
り、上電極３０２３の表面より電子放出を起こさせるも
のである。

【００１１】上述の冷陰極素子は、熱陰極素子と比較し
て低温で電子放出を得ることができるため、加熱用ヒー
ターを必要としない。したがって、熱陰極素子よりも構
造が単純であり、微細な素子を作成可能である。また、
基板上に多数の素子を高い密度で配置しても、基板の熱
溶融などの問題が発生しにくい。また、熱陰極素子がヒ
ーターの加熱により動作するため応答速度が遅いのとは
異なり、冷陰極素子の場合には応答速度が速いという利
点もある。

【００１２】このため、冷陰極素子を応用するための研
究が盛んに行われてきている。

【００１３】たとえば、表面伝導型放出素子は、冷陰極
素子のなかでも特に構造が単純で製造も容易であること
から、大面積にわたり多数の素子を形成できる利点があ
る。そこで、たとえば本出願人による特開昭６４−３１
３３２号公報において開示されるように、多数の素子を
配列して駆動するための方法が研究されている。

【００１４】また、表面伝導型放出素子の応用について
は、たとえば、画像表示装置、画像記録装置などの画像
形成装置や、荷電ビーム源、等が研究されている。

【００１５】特に、画像表示装置への応用としては、た
とえば本出願人によるＵＳＰ５，０６６，８８３号や特
開平２−２５７５５１号公報や特開平４−２８１３７号
公報において開示されているように、表面伝導型放出素
子と電子ビームの照射により発光する蛍光体とを組み合
わせて用いた画像表示装置が研究されている。表面伝導
型放出素子と蛍光体とを組み合わせて用いた画像表示装
置は、従来の他の方式の画像表示装置よりも優れた特性
が期待されている。たとえば、近年普及してきた液晶表
示装置と比較しても、自発光型であるためバックライト
を必要としない点や、視野角が広い点が優れていると言
える。

【００１６】また、ＦＥ型を多数個ならべて駆動する方
法は、たとえば本出願人によるＵＳＰ４，９０４，８９
５に開示されている。また、ＦＥ型を画像表示装置に応
用した例として、たとえば、Ｒ．Ｍｅｙｅｒらにより報
告された平板型表示装置が知られている。［Ｒ．Ｍｅｙ
ｅｒ：”Ｒｅｃｅｎｔ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｎ
ＭｉｃｒｏｔｉｐｓＤｉｓｐｌａｙ ａｔ ＬＥＴ
Ｉ”，Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ４ｔｈ Ｉｎ
ｔ． Ｖａｃｕｕｍ Ｍｉｃｒｏｅｌｅ−ｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ Ｃｏｎｆ．，Ｎａｇａｈａｍａ，ｐｐ．６〜９
（１９９１）］また、ＭＩＭ型を多数個並べて画像表示
装置に応用した例は、たとえば本出願人による特開平３
−５５７３８号公報に開示されている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】従来このような画像表
示装置の画素配列としては図３に示すように赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青くＢ）の三原色要素をストライプ状に配置
するストライプ配列がよく用いられてきた。

【００１８】しかし例えばＮＴＳＣ方式のテレビの場
合、白色を表示しようとした時の三原色要素の輝度Ｙ
ｒ，Ｙｇ，Ｙｂの比は Ｙｒ：Ｙｇ：Ｙｂ ＝０．３０：０．５９：０．１１ であるため、Ｇの輝度に比べＲ、Ｂの輝度が低くなり特
にＢの輝度が低いためＢの列が縦縞として目立つという
欠点があった。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明はかかる点に着目
したものであり、各原色色成分を一様に並べた場合に低
輝度成分の縦縞模様の発生を抑制し、高品位な画像を表
示させることを可能ならしめる表示盤及びそれを用いた
画像標示装置を提供しようとするものである。

【００２０】この課題を解決するため、例えば本発明の
表示盤は以下の構成を備える。すなわち、原色表示要素
を行列配置してカラー画像を表示するための表示盤であ
って、隣り合う行毎に、低輝度色成分と他の色成分との
配列を逆に配列させたことを特徴とする。

【００２１】また、他の発明は以下の構成を備える。す
なわち、第１、第２、第３の色成分を配置してカラー画
像を表示するための表示盤であって、第１の方向に前記
色成分を第１、第２、第３の順に配置した第１の行と、
該第１の行とは色成分の配置順番を異ならせた第２の行
を有しており、前記第１の方向とは略直交する第２の方
向に、前記第１、第２、第３の色成分のうちの最も低輝
度の色成分が連続しない様に前記第１の行と第２の行と
を並べたことを特徴とする。

【００２２】ここで表示盤全てにおいて、第１の行と第
２の行とをこのように並べなくても良く、特に高品位な
画像を得たい部分のみ上記配列を採用してもよい。ま
た、第１の行と第２の行とは交互に並べることが望まし
いが、交互でなくても良く、第１の行と第２の行とが隣
接ずる部分を有しており、該部分において最低輝度の色
成分が第２の方向に連続しないようになっていれば、そ
の部分で低輝度色成分の連続がとぎれるので発明の目的
を達することができる。

【００２３】また、更に第１の方向と第２の方向とは異
なる第３の方向（第１の方向、第２の方向のいずれかを
縦方向、他方を横方向としたときに、この第３の方向は
斜め方向になる）にも最も低輝度の色成分が連続しない
ように、第１の行と第２の行を並べた部分を有すること
が望ましい。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、添付図面に従って本発明に
係る実施形態を詳細に説明する。

【００２５】図１は、第１の実施形態におけるフロント
パネル上の蛍光体の配列を示している。図示の如く、Ｒ
ＧＢＲＧＢ…の順に並ぶ行と、ＢＧＲＢＧＲ…の順に並
ぶ行が交互に並んでいる点を特徴とする。

【００２６】上下に隣り合う行はＲの位置とＢの位置が
入れ替わっており列方向の並びをみるとＲＢＲＢ、ＧＧ
ＧＧ、ＢＲＢＲとなっており、輝度の低いＢが一列に並
んでいないため縦縞の出現を抑制できる。

【００２７】図２は、第２の実施形態におけるフロント
パネル上の蛍光体の配列を示している。図示の如く、Ｒ
ＧＢＲＧＢ…の順に並ぶ行と、ＲＢＧＲＢＧ…の順に並
ぶ行が交互に並んでいる点を特徴とする。

【００２８】第１の実施形態では、上下に隣り合う行で
Ｒの位置とＢの位置が入れ替わっていたが本第２の実施
形態では、Ｇの位置とＢの位置が入れ替わっている。こ
の場合列方向の並びをみるとＲＲＲＲ、ＧＢＧＢ、ＢＧ
ＢＧとなっており輝度の低いＢが一列に並んでいないた
め縦縞の出現を抑制できる。この場合最も明るいＧとＢ
が交互に並ぶため列ごとの平均輝度の差が第一の例より
小さくなるためよりよく縦縞の出現を抑制できる。すな
わち、表示映像の品位を更に高めることを可能にしてい
る。

【００２９】以下本実施形態に用いた表面伝導型電子放
出素子を行列状にならべた画像表示装置の構造及びその
作成方法について述べる。

【００３０】＜表示パネルの構成と製造法＞先ず、画像
表示装置の表示パネルの構成と製造法について、具体的
な例を示して説明する。

【００３１】図４は、実施形態に用いた表示パネルの斜
視図であり、内部構造を示すためにパネルの１部を切り
欠いて示している。

【００３２】図中、１００５はリアプレート、１００６
は側壁、１００７はフェースプレートであり、１００５
〜１００７により表示パネルの内部を真空に維持するた
めの気密容器を形成している。気密容器を組み立てるに
あたっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保
持させるため封着する必要があるが、たとえばフリット
ガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中
で、摂氏４００〜５００度で１０分以上焼成することに
より封着を達成した。気密容器内部を真空に排気する方
法については後述する。

【００３３】リアプレート１００５には、基板１００１
が固定されているが、該基板上には冷陰極素子１００２
がＮｘＭ個形成されている。（Ｎ，Ｍは２以上の正の整
数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定され
る。たとえば、高品位テレビジョンの表示を目的とした
表示装置においては、Ｎ＝３０００，Ｍ＝１０００以上
の数を設定することが望ましい。本実施形態において
は、Ｎ＝３０７２，Ｍ＝１０２４とした。）前記ＮｘＭ
個の冷陰極素子は、Ｍ本の行方向配線１００３とＮ本の
列方向配線１００４により単純マトリクス配線されてい
る。前記、１００１〜１００４によって構成される部分
をマルチ電子ビーム源と呼ぶ。なお、マルチ電子ビーム
源の製造方法や構造については、後で詳しく述べる。

【００３４】本実施形態においては、気密容器のリアプ
レート１００５にマルチ電子ビーム源の基板１００１を
固定する構成としたが、マルチ電子ビーム源の基板１０
０１が十分な強度を有するものである場合には、気密容
器のリアプレートとしてマルチ電子ビーム源の基板１０
０１自体を用いてもよい。

【００３５】また、フェースプレート１００７の下面に
は、蛍光膜１００８が形成されている。本実施形態はカ
ラー表示装置であるため、蛍光膜１００８の部分にはＣ
ＲＴの分野で用いられる赤、緑、青、の３原色の蛍光体
が塗り分けられている。各色の蛍光体は、たとえば図１
もしくは図２に示すような配列を成している。尚、蛍光
体のストライプの間には黒色の導電体１０１０が設けて
ある。黒色の導電体１０１０を設ける目的は、電子ビー
ムの照射位置に多少のずれがあっても表示色にずれが生
じないようにする事や、外光の反射を防止して表示コン
トラストの低下を防ぐ事、電子ビームによる蛍光膜のチ
ャージアップを防止する事などである。黒色の導電体１
０１０には、黒鉛を主成分として用いたが、上記の目的
に適するものであればこれ以外の材料を用いても良い。

【００３６】また、蛍光膜１００８のリアプレート側の
面には、ＣＲＴの分野では公知のメタルバック１００９
を設けてある。メタルバック１００９を設けた目的は、
蛍光膜１００８が発する光の一部を鏡面反射して光利用
率を向上させる事や、負イオンの衝突から蛍光膜１００
８を保護する事や、電子ビーム加速電圧を印加するため
の電極として作用させる事、蛍光膜１００８を励起した
電子の導電路として作用させる事などである。メタルバ
ック１００９は、蛍光膜１００８をフェースプレート基
板１００７上に形成した後、蛍光膜表面を平滑化処理
し、その上にＡｌを真空蒸着する方法により形成した。
なお、蛍光膜１００８に低電圧用の蛍光体材料を用いた
場合には、メタルバック１００９は用いない。

【００３７】また、本実施形態では用いなかったが、加
速電圧の印加用や蛍光膜の導電性向上を目的として、フ
ェースプレート基板１００７と蛍光膜１００８との間
に、たとえばＩＴＯを材料とする透明電極を設けてもよ
い。

【００３８】また、Ｄx1〜ＤxmおよびＤy1〜Ｄynおよび
Ｈｖは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気的
に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子であ
る。Ｄx1〜Ｄxmはマルチ電子ビーム源の行方向配線１０
０３と、Ｄy1〜Ｄynはマルチ電子ビーム源の列方向配線
１００４と、Ｈｖはフェースプレートのメタルバック１
００９と電気的に接続している。

【００３９】また、気密容器内部を真空に排気するに
は、気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポ
ンプとを接続し、気密容器内を１０のマイナス７乗［Ｔ
ｏｒｒ］程度の真空度まで排気する。その後、排気管を
封止するが、気密容器内の真空度を維持するために、封
止の直前あるいは封止後に気密容器内の所定の位置にゲ
ッター膜（不図示）を形成する。ゲッター膜とは、たと
えばＢａを主成分とするゲッター材料をヒーターもしく
は高周波加熱により加熱し蒸着して形成した膜であり、
該ゲッター膜の吸着作用により気密容器内は１ｘ１０マ
イナス５乗ないしは１ｘ１０マイナス７乗［Ｔｏｒｒ］
の真空度に維持される。

【００４０】以上、本実施形態の表示パネルの基本構成
と製法を説明した。

【００４１】次に、実施形態の表示パネルに用いたマル
チ電子ビーム源の製造方法について説明する。実施形態
の画像表示装置に用いるマルチ電子ビーム源は、冷陰極
素子を単純マトリクス配線した電子源であれば、冷陰極
素子の材料や形状あるいは製法に制限はない。したがっ
て、たとえば表面伝導型放出素子やＦＥ型、あるいはＭ
ＩＭ型などの冷陰極素子を用いることができる。

【００４２】ただし、表示画面が大きくてしかも安価な
表示装置が求められる状況のもとでは、これらの冷陰極
素子の中でも、表面伝導型放出素子が特に好ましい。す
なわち、ＦＥ型ではエミッタコーンとゲート電極の相対
位置や形状が電子放出特性を大きく左右するため、極め
て高精度の製造技術を必要とするが、これは大面積化や
製造コストの低減を達成するには不利な要因となる。ま
た、ＭＩＭ型では、絶縁層と上電極の膜厚を薄くてしか
も均一にする必要があるが、これも大面積化や製造コス
トの低減を達成するには不利な要因となる。その点、表
面伝導型放出素子は、比較的製造方法が単純なため、大
面積化や製造コストの低減が容易である。また、発明者
らは、表面伝導型放出素子の中でも、電子放出部もしく
はその周辺部を微粒子膜から形成したものがとりわけ電
子放出特性に優れ、しかも製造が容易に行えることを見
いだしている。したがって、高輝度で大画面の画像表示
装置のマルチ電子ビーム源に用いるには、最も好適であ
ると言える。そこで、上記実施形態の表示パネルにおい
ては、電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形
成した表面伝導型放出素子を用いた。そこで、まず好適
な表面伝導型放出素子について基本的な構成と製法およ
び特性を説明し、その後で多数の素子を単純マトリクス
配線したマルチ電子ビーム源の構造について述べる。

【００４３】＜表面伝導型放出素子の好適な素子構成と
製法＞電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形
成する表面伝導型放出素子の代表的な構成には、平面型
と垂直型の２種類があげられる。

【００４４】＜平面型の表面伝導型放出素子＞まず最初
に、平面型の表面伝導型放出素子の素子構成と製法につ
いて説明する。図５に示すのは、平面型の表面伝導型放
出素子の構成を説明するための平面図（ａ）および断面
図（ｂ）である。図中、１１０１は基板、１１０２と１
１０３は素子電極、１１０４は導電性薄膜、１１０５は
通電フォーミング処理により形成した電子放出部、１１
１３は通電活性化処理により形成した薄膜である。

【００４５】基板１１０１としては、たとえば、石英ガ
ラスや青板ガラスをはじめとする各種ガラス基板や、ア
ルミナをはじめとする各種セラミクス基板、あるいは上
述の各種基板上にたとえばＳｉＯ2 を材料とする絶縁層
を積層した基板、などを用いることができる。

【００４６】また、基板１１０１上に基板面と平行に対
向して設けられた素子電極１１０２と１１０３は、導電
性を有する材料によって形成されている。たとえば、Ｎ
ｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，
Ａｇ等をはじめとする金属、あるいはこれらの金属の合
金、あるいはＩｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 をはじめとする金属
酸化物、ポリシリコンなどの半導体、などの中から適宜
材料を選択して用いればよい。電極を形成するには、た
とえば真空蒸着などの製膜技術とフォトリソグラフィ
ー、エッチングなどのパターニング技術を組み合わせて
用いれば容易に形成できるが、それ以外の方法（たとえ
ば印刷技術）を用いて形成してもさしつかえない。

【００４７】素子電極１１０２と１１０３の形状は、当
該電子放出素子の応用目的に合わせて適宜設計される。
一般的には、電極間隔Ｌは通常は数百オングストローム
から数百マイクロメーターの範囲から適当な数値を選ん
で設計されるが、なかでも表示装置に応用するために好
ましいのは数マイクロメーターより数十マイクロメータ
ーの範囲である。また、素子電極の厚さｄについては、
通常は数百オングストロームから数マイクロメーターの
範囲から適当な数値が選ばれる。

【００４８】また、導電性薄膜１１０４の部分には、微
粒子膜を用いる。ここで述べた微粒子膜とは、構成要素
として多数の微粒子を含んだ膜（島状の集合体も含む）
のことをさす。微粒子膜を微視的に調べれば、通常は、
個々の微粒子が離間して配置された構造か、あるいは微
粒子が互いに隣接した構造か、あるいは微粒子が互いに
重なり合った構造が観測される。

【００４９】微粒子膜に用いた微粒子の粒径は、数オン
グストロームから数千オングストロームの範囲に含まれ
るものであるが、なかでも好ましいのは１０オングスト
ロームから２００オングストロームの範囲のものであ
る。また、微粒子膜の膜厚は、以下に述べるような諸条
件を考慮して適宜設定される。すなわち、素子電極１１
０２あるいは１１０３と電気的に良好に接続するのに必
要な条件、後述する通電フォーミングを良好に行うのに
必要な条件、微粒子膜自身の電気抵抗を後述する適宜の
値にするために必要な条件、などである。

【００５０】具体的には、数オングストロームから数千
オングストロームの範囲のなかで設定するが、なかでも
好ましいのは１０オングストロームから５００オングス
トロームの間である。

【００５１】また、微粒子膜を形成するのに用いられう
る材料としては、たとえば、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ａｇ，
Ａｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｂ，などをはじめとする金属や、ＰｄＯ，Ｓ
ｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＰｂＯ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，などをはじ
めとする酸化物や、ＨｆＢ2 ，ＺｒＢ2 ，ＬａＢ6 ，Ｃ
ｅＢ6 ，ＹＢ4 ，ＧｄＢ4 ，などをはじめとする硼化物
や、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ，
などをはじめとする炭化物や、ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｈｆ
Ｎ，などをはじめとする窒化物や、Ｓｉ，Ｇｅ，などを
はじめとする半導体や、カーボン、などがあげられ、こ
れらの中から適宜選択される。

【００５２】以上述べたように、導電性薄膜１１０４を
微粒子膜で形成したが、そのシート抵抗値については、
１０の３乗から１０の７乗［オーム／ｓｑ］の範囲に含
まれるよう設定した。

【００５３】なお、導電性薄膜１１０４と素子電極１１
０２および１１０３とは、電気的に良好に接続されるの
が望ましいため、互いの一部が重なりあうような構造を
とっている。その重なり方は、図５の例においては、下
から、基板、素子電極、導電性薄膜の順序で積層した
が、場合によっては下から基板、導電性薄膜、素子電
極、の順序で積層してもさしつかえない。

【００５４】また、電子放出部１１０５は、導電性薄膜
１１０４の一部に形成された亀裂状の部分であり、電気
的には周囲の導電性薄膜よりも高抵抗な性質を有してい
る。亀裂は、導電性薄膜１１０４に対して、後述する通
電フォーミングの処理を行うことにより形成する。亀裂
内には、数オングストロームから数百オングストローム
の粒径の微粒子を配置する場合がある。なお、実際の電
子放出部の位置や形状を精密かつ正確に図示するのは困
難なため、図５においては模式的に示した。

【００５５】また、薄膜１１１３は、炭素もしくは炭素
化合物よりなる薄膜で、電子放出部１１０５およびその
近傍を被覆している。薄膜１１１３は、通電フォーミン
グ処理後に、後述する通電活性化の処理を行うことによ
り形成する。

【００５６】薄膜１１１３は、単結晶グラファイト、多
結晶グラファイト、非晶質カーボン、のいずれかか、も
しくはその混合物であり、膜厚は５００［オングストロ
ーム］以下とするが、３００［オングストローム］以下
とするのがさらに好ましい。

【００５７】以上、好ましい素子の基本構成を述べた
が、実施形態においては以下のような素子を用いた。

【００５８】すなわち、基板１１０１には青板ガラスを
用い、素子電極１１０２と１１０３にはＮｉ薄膜を用い
た。素子電極の厚さｄは１０００［オングストロー
ム］、電極間隔Ｌは２［マイクロメーター］とした。

【００５９】微粒子膜の主要材料としてＰｄもしくはＰ
ｄＯを用い、微粒子膜の厚さは約１００［オングストロ
ーム］、幅Ｗは１００［マイクロメータ］とした。

【００６０】次に、好適な平面型の表面伝導型放出素子
の製造方法について説明する。図６の（ａ）〜（ｄ）
は、表面伝導型放出素子の製造工程を説明するための断
面図で、各部材の表記は図１５と同一である。 １）まず、図６（ａ）に示すように、基板１１０１上に
素子電極１１０２および１１０３を形成する。

【００６１】形成するにあたっては、あらかじめ基板１
１０１を洗剤、純水、有機溶剤を用いて十分に洗浄後、
素子電極の材料を堆積させる。（堆積する方法として
は、たとえば、蒸着法やスパッタ法などの真空成膜技術
を用ればよい。）その後、堆積した電極材料を、フォト
リソグラフィー・エッチング技術を用いてパターニング
し、同図（ａ）に示した一対の素子電極１１０２と１１
０３を形成する。

【００６２】２）次に、同図（ｂ）に示すように、導電
性薄膜１１０４を形成する。

【００６３】形成するにあたっては、まず図（ａ）の基
板に有機金属溶液を塗布して乾燥し、加熱焼成処理して
微粒子膜を成膜した後、フォトリソグラフィー・エッチ
ングにより所定の形状にパターニングする。ここで、有
機金属溶液とは、導電性薄膜に用いる微粒子の材料を主
要元素とする有機金属化合物の溶液である。（具体的に
は、本実施形態では主要元素としてＰｄを用いた。ま
た、実施形態では塗布方法として、ディッピング法を用
いたが、それ以外のたとえばスピンナー法やスプレー法
を用いてもよい。） また、微粒子膜で作られる導電性薄膜の成膜方法として
は、本実施形態で用いた有機金属溶液の塗布による方法
以外の、たとえば真空蒸着法やスパッタ法、あるいは化
学的気相堆積法などを用いる場合もある。

【００６４】３）次に、同図（ｃ）に示すように、フォ
ーミング用電源１１１０から素子電極１１０２と１１０
３の間に適宜の電圧を印加し、通電フォーミング処理を
行って、電子放出部１１０５を形成する。

【００６５】通電フォーミング処理とは、微粒子膜で作
られた導電性薄膜１１０４に通電を行って、その一部を
適宜に破壊、変形、もしくは変質せしめ、電子放出を行
うのに好適な構造に変化させる処理のことである。微粒
子膜で作られた導電性薄膜のうち電子放出を行うのに好
適な構造に変化した部分（すなわち電子放出部１１０
５）においては、薄膜に適当な亀裂が形成されている。
なお、電子放出部１１０５が形成される前と比較する
と、形成された後は素子電極１１０２と１１０３の間で
計測される電気抵抗は大幅に増加する。

【００６６】通電方法をより詳しく説明するために、図
７に、フォーミング用電源１１１０から印加する適宜の
電圧波形の一例を示す。微粒子膜で作られた導電性薄膜
をフォーミングする場合には、パルス状の電圧が好まし
く、本実施形態の場合には同図に示したようにパルス幅
Ｔ１の三角波パルスをパルス間隔Ｔ２で連続的に印加し
た。その際には、三角波パルスの波高値Ｖｐｆを、順次
昇圧した。また、電子放出部１１０５の形成状況をモニ
ターするためのモニターパルスＰｍを適宜の間隔で三角
波パルスの間に挿入し、その際に流れる電流を電流計１
１１１で計測した。

【００６７】実施形態においては、たとえば１０のマイ
ナス５乗［ｔｏｒｒ］程度の真空雰囲気下において、た
とえばパルス幅Ｔ１を１［ミリ秒］、パルス間隔Ｔ２を
１０［ミリ秒］とし、波高値Ｖｐｆを１パルスごとに
０．１［Ｖ］ずつ昇圧した。そして、三角波を５パルス
印加するたびに１回の割りで、モニターパルスＰｍを挿
入した。フォーミング処理に悪影響を及ぼすことがない
ように、モニターパルスの電圧Ｖｐｍは０．１［Ｖ］に
設定した。そして、素子電極１１０２と１１０３の間の
電気抵抗が１ｘ１０の６乗［オーム］になった段階、す
なわちモニターパルス印加時に電流計１１１１で計測さ
れる電流が１ｘ１０のマイナス７乗［Ａ］以下になった
段階で、フォーミング処理にかかわる通電を終了した。

【００６８】なお、上記の方法は、本実施形態の表面伝
導型放出素子に関する好ましい方法であり、たとえば微
粒子膜の材料や膜厚、あるいは素子電極間隔Ｌなど表面
伝導型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じ
て通電の条件を適宜変更するのが望ましい。

【００６９】４）次に、図６（ｄ）に示すように、活性
化用電源１１１２から素子電極１１０２と１１０３の間
に適宜の電圧を印加し、通電活性化処理を行って、電子
放出特性の改善を行う。

【００７０】通電活性化処理とは、前記通電フォーミン
グ処理により形成された電子放出部１１０５に適宜の条
件で通電を行って、その近傍に炭素もしくは炭素化合物
を堆積せしめる処理のことである。（図においては、炭
素もしくは炭素化合物よりなる堆積物を部材１１１３と
して模式的に示した。）なお、通電活性化処理を行うこ
とにより、行う前と比較して、同じ印加電圧における放
出電流を典型的には１００倍以上に増加させることがで
きる。

【００７１】具体的には、１０のマイナス４乗ないし１
０のマイナス５乗［ｔｏｒｒ］の範囲内の真空雰囲気中
で、電圧パルスを定期的に印加することにより、真空雰
囲気中に存在する有機化合物を起源とする炭素もしくは
炭素化合物を堆積させる。堆積物１１１３は、単結晶グ
ラファイト、多結晶グラファイト、非晶質カーボン、の
いずれかか、もしくはその混合物であり、膜厚は５００
［オングストローム］以下、より好ましくは３００［オ
ングストローム］以下である。

【００７２】通電方法をより詳しく説明するために、図
８（ａ）に、活性化用電源１１１２から印加する適宜の
電圧波形の一例を示す。本実施形態においては、一定電
圧の矩形波を定期的に印加して通電活性化処理を行った
が、具体的には，矩形波の電圧Ｖａｃは１４［Ｖ］，パ
ルス幅Ｔ３は１［ミリ秒］，パルス間隔Ｔ４は１０［ミ
リ秒］とした。なお、上述の通電条件は、本実施形態の
表面伝導型放出素子に関する好ましい条件であり、表面
伝導型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じ
て条件を適宜変更するのが望ましい。

【００７３】図５（ｄ）に示す１１１４は該表面伝導型
放出素子から放出される放出電流Ｉｅを捕捉するための
アノード電極で、直流高電圧電源１１１５および電流計
１１１６が接続されている。（なお、基板１１０１を、
表示パネルの中に組み込んでから活性化処理を行う場合
には、表示パネルの蛍光面をアノード電極１１１４とし
て用いる。）活性化用電源１１１２から電圧を印加する
間、電流計１１１６で放出電流Ｉｅを計測して通電活性
化処理の進行状況をモニターし、活性化用電源１１１２
の動作を制御する。電流計１１１６で計測された放出電
流Ｉｅの一例を図８（ｂ）に示すが、活性化電源１１１
２からパルス電圧を印加しはじめると、時間の経過とと
もに放出電流Ｉｅは増加するが、やがて飽和してほとん
ど増加しなくなる。このように、放出電流Ｉｅがほぼ飽
和した時点で活性化用電源１１１２からの電圧印加を停
止し、通電活性化処理を終了する。

【００７４】なお、上述の通電条件は、本実施形態の表
面伝導型放出素子に関する好ましい条件であり、表面伝
導型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて
条件を適宜変更するのが望ましい。

【００７５】以上のようにして、図６（ｅ）に示す平面
型の表面伝導型放出素子を製造した。

【００７６】＜垂直型の表面伝導型放出素子＞次に、電
子放出部もしくはその周辺を微粒子膜から形成した表面
伝導型放出素子のもうひとつの代表的な構成、すなわち
垂直型の表面伝導型放出素子の構成について説明する。

【００７７】図９は、垂直型の基本構成を説明するため
の模式的な断面図であり、図中の１２０１は基板、１２
０２と１２０３は素子電極、１２０６は段差形成部材、
１２０４は微粒子膜を用いた導電性薄膜、１２０５は通
電フォーミング処理により形成した電子放出部、１２１
３は通電活性化処理により形成された薄膜である。

【００７８】垂直型が先に説明した平面型と異なる点
は、素子電極のうちの片方（１２０２）が段差形成部材
１２０６上に設けられており、導電性薄膜１２０４が段
差形成部材１２０６の側面を被覆している点にある。し
たがって、図５の平面型における素子電極間隔Ｌは、垂
直型においては段差形成部材１２０６の段差高Ｌｓとし
て設定される。なお、基板１２０１、素子電極１２０２
および１２０３、微粒子膜を用いた導電性薄膜１２０
４、については、前記平面型の説明中に列挙した材料を
同様に用いることが可能である。また、段差形成部材１
２０６には、たとえばＳｉＯ2 のような電気的に絶縁性
の材料を用いる。

【００７９】次に、垂直型の表面伝導型放出素子の製法
について説明する。図１０（ａ）〜（ｆ）は、製造工程
を説明するための断面図で、各部材の表記は図９と同一
である。

【００８０】１）まず、図１０（ａ）に示すように、基
板１２０１上に素子電極１２０３を形成する。

【００８１】２）次に、同図（ｂ）に示すように、段差
形成部材を形成するための絶縁層を積層する。絶縁層
は、たとえばＳｉＯ2 をスパッタ法で積層すればよい
が、たとえば真空蒸着法や印刷法などの他の成膜方法を
用いてもよい。

【００８２】３）次に、同図（ｃ）に示すように、絶縁
層の上に素子電極１２０２を形成する。

【００８３】４）次に、同図（ｄ）に示すように、絶縁
層の一部を、たとえばエッチング法を用いて除去し、素
子電極１２０３を露出させる。

【００８４】５）次に、同図（ｅ）に示すように、微粒
子膜を用いた導電性薄膜１２０４を形成する。形成する
には、前記平面型の場合と同じく、たとえば塗布法など
の成膜技術を用いればよい。

【００８５】６）次に、前記平面型の場合と同じく、通
電フォーミング処理を行い、電子放出部を形成する。
（図６（ｃ）を用いて説明した平面型の通電フォーミン
グ処理と同様の処理を行えばよい。） ７）次に、前記平面型の場合と同じく、通電活性化処理
を行い、電子放出部近傍に炭素もしくは炭素化合物を堆
積させる。（図６（ｄ）を用いて説明した平面型の通電
活性化処理と同様の処理を行えばよい。） 以上のようにして、図１０（ｆ）に示す垂直型の表面伝
導型放出素子を製造した。

【００８６】＜表示装置に用いた表面伝導型放出素子の
特性＞以上、平面型と垂直型の表面伝導型放出素子につ
いて素子構成と製法を説明したが、次に表示装置に用い
た素子の特性について述べる。

【００８７】図１１に、表示装置に用いた素子の、（放
出電流Ｉｅ）対（素子印加電圧Ｖｆ）特性、および（素
子電流Ｉｆ）対（素子印加電圧Ｖｆ）特性の典型的な例
を示す。なお、放出電流Ｉｅは素子電流Ｉｆに比べて著
しく小さく、同一尺度で図示するのが困難であるうえ、
これらの特性は素子の大きさや形状等の設計パラメータ
を変更することにより変化するものであるため、２本の
グラフは各々任意単位で図示した。

【００８８】表示装置に用いた素子は、放出電流Ｉｅに
関して以下に述べる３つの特性を有している。

【００８９】第一に、ある電圧（これを閾値電圧Ｖｔｈ
と呼ぶ）以上の大きさの電圧を素子に印加すると急激に
放出電流Ｉｅが増加するが、一方、閾値電圧Ｖｔｈ未満
の電圧では放出電流Ｉｅはほとんど検出されない。すな
わち、放出電流Ｉｅに関して、明確な閾値電圧Ｖｔｈを
持った非線形素子である。

【００９０】第二に、放出電流Ｉｅは素子に印加する電
圧Ｖｆに依存して変化するため、電圧Ｖｆで放出電流Ｉ
ｅの大きさを制御できる。

【００９１】第三に、素子に印加する電圧Ｖｆに対して
素子から放出される電流Ｉｅの応答速度が速いため、電
圧Ｖｆを印加する時間の長さによって素子から放出され
る電子の電荷量を制御できる。

【００９２】以上のような特性を有するため、表面伝導
型放出素子を表示装置に好適に用いることができた。た
とえば多数の素子を表示画面の画素に対応して設けた表
示装置において、第一の特性を利用すれば、表示画面を
順次走査して表示を行うことが可能である。すなわち、
駆動中の素子には所望の発光輝度に応じて閾値電圧Ｖｔ
ｈ以上の電圧を適宜印加し、非選択状態の素子には閾値
電圧Ｖｔｈ未満の電圧を印加する。駆動する素子を順次
切り替えてゆくことにより、表示画面を順次走査して表
示を行うことが可能である。

【００９３】また、第二の特性かまたは第三の特性を利
用することにより、発光輝度を制御することができるた
め、諧調表示を行うことが可能である。

【００９４】＜多数素子を単純マトリクス配線したマル
チ電子ビーム源の構造＞次に、上述の表面伝導型放出素
子を基板上に配列して単純マトリクス配線したマルチ電
子ビーム源の構造について述べる。

【００９５】図１２に示すのは、図４の表示パネルに用
いたマルチ電子ビーム源の平面図である。基板上には、
図５で示したものと同様な表面伝導型放出素子が配列さ
れ、これらの素子は行方向配線電極１００３と列方向配
線電極１００４により単純マトリクス状に配線されてい
る。行方向配線電極１００３と列方向配線電極１００４
の交差する部分には、電極間に絶縁層（不図示）が形成
されており、電気的な絶縁が保たれている。

【００９６】図１２のＡ−Ａ’に沿った断面構造を図１
３に示す。

【００９７】なお、このような構造のマルチ電子源は、
あらかじめ基板上に行方向配線電極１００３、列方向配
線電極１００４、電極間絶縁層（不図示）、および表面
伝導型放出素子の素子電極と導電性薄膜を形成した後、
行方向配線電極１００３および列方向配線電極１００４
を介して各素子に給電して通電フォーミング処理と通電
活性化処理を行うことにより製造した。

【００９８】＜表示装置の構成＞図１４は、実施形態に
おける表示装置の主要部分のブロック構成図である。同
図において、１０１は上記の様にして製造された表面伝
導型放出素子を用いた画像表示パネルで、端子Ｄｘ１か
らＤｘｍおよびＤｙ１からＤｙｎを介して外部の電気回
路と接続されている。また画像表示パネル１０１上の高
圧端子Ｄａは外部の高圧電源Ｖａに接続され放出電子を
加速するようになっている。このうち端子Ｄｘ１からＤ
ｘｍには前述のパネル内に設けられているマルチ電子ビ
ーム源すなわちＭ行Ｎ列の行列状にマトリックス配線さ
れた表面伝導型放出素子群を１行ずつ順次駆動してゆく
ための走査信号が印加される。一方、端子Ｄｙ１からＤ
ｙｎには前記走査信号により選択された一行の表面伝導
型放出素子の各素子の出力電子ビームを制御する為の変
調信号が印加される。本実施例では、走査信号は負極性
とし、変調信号を正極性とした。走査信号と変調信号が
同時に印加された素子が、その時間だけ点灯する。

【００９９】画像信号の流れに従い各構成を説明する。

【０１００】入力されたコンボジット画像信号をデコー
ダ１０３で３原色（ＲＧＢ）の輝度信号及び水平、垂直
同期信号（Ｈ＿ＳＹＮＣ，Ｖ＿ＳＹＮＣ）に分離する。
タイミング信号発生回路１０４ではＨ＿ＳＹＮＣ，Ｖ＿
ＳＹＮＣ信号に同期した各種タイミング信号を発生させ
る。ＲＧＢ輝度信号はＳ／Ｈ回路１０５において適当な
タイミングでサンプリングされ保持され、それをデジタ
ル信号（Ａ／Ｄ変換回路も内蔵されているものとする）
に変換する（例えば各８ビット）。こうして得られた１
ライン分のＲＧＢのデジタルデータは、Ｓ／Ｐ変換回路
１０６でもってパラレルに画像信号処理回路１０７に出
力される。

【０１０１】詳細は後述するが、この画像信号処理回路
１０７は、入力した１ライン分のＲＧＢのデータから画
像表示パネル１０１の該当するラインに対応した各色成
分のデータを生成し、それをパルス幅変調回路１０８に
出力する。

【０１０２】パルス幅変調回路１０８は、アナログ電圧
信号に変換するＤ／Ａコンバータ及び三角波発生回路及
びそれらを比較するコンパレータで構成され、パラレル
に入力したそれぞれのデジタルデータに対応するパルス
幅変調信号を生成し、それを表示パネルの端子Ｄｙ１な
いしＤｙｎを通じて表示パネル１０１内の各表面伝導型
放出素子に印加し、１ライン単位に駆動する。ここで駆
動されるラインは、走査回路１０２により選択されたも
のとなる。走査回路１０２はタイミング信号発生回路１
０４より供給されるタイミング信号に応じたラインを選
択するのである。

【０１０３】次に、実施形態における画像信号処理回路
１０７について説明する。ここで、実施形態における表
示パネルの蛍光膜１００８は、図１のようなパターンで
各色成分の蛍光体が配列されているものとする。つま
り、２ライン単位に発光色成分の配列が繰り返される場
合である。

【０１０４】図１５は、図１に示した蛍光膜パターンに
適用した場合の画像信号処理回路１０７のブロック構成
図を示している。

【０１０５】図示で、２０１は水平同期信号をカウント
するカウンタであり、偶数ライン、奇数ラインのいずれ
かを判断するための信号（従って１ビット）を出力す
る。

【０１０６】２０２は、カウンタ２０１からの出力信号
に従い、Ｓ／Ｐ変換回路１０６から出力されてきた１ラ
イン分のＲＧＢデータを、レジスタ２０３ａ、２０３ｂ
のいずれか一方に出力するセレクタである。レジスタ２
０３ａ、２０３ｂは１ライン分のデータを記憶する容量
を有する。２０４はカウンタ２０１からの信号に従いレ
ジスタ２０３ａ、２０３ｂのいずれか一方の出力を選択
し、パルス幅変調回路１０８に出力する。但し、セレク
タ２０４は、セレクタ２０２が出力対象として選択して
いない側のレジスタを選択することになる。

【０１０７】先に説明したように、ここでは蛍光膜パタ
ーンが図１に示すようになっているものとして説明して
いる。ここで説明を簡単にするため、Ｓ／Ｐ変換回路１
０６から出力されるデータの並びがＲＧＢＲＧＢ…とな
っているものとする。

【０１０８】従って、図１によれば、奇数行の画素の色
成分の並びはＲＧＢＲＧＢ…として出力し、偶数行の色
成分の並びはＢＧＲＢＧＲ…として出力することが必要
になる。

【０１０９】そこで、実施形態では、Ｓ／Ｐ変換回路１
０６からの出力信号を、図１６に示すようなレジスタ２
０３ａ、２０３ｂへの結線とした。尚、図示では各レジ
スタの先頭の１画素を構成している色成分ＲＧＢについ
てのみ示したが、他の画素位置についても同様である。

【０１１０】この結果、Ｓ／Ｐ変換回路から出力されて
くるＲＧＢＲＧＢ…の配列の配列は、１行単位にＲＧＢ
ＲＧＢ…のパターンとＢＧＲＢＧＲ…のパターンに交互
に変わることになり、図１に示した色成分の蛍光膜に対
しての駆動が可能となる。

【０１１１】尚、セレクタ２０４は、レジスタ２０３
ａ、２０３ｂからのデータをそのまま受けて出力するこ
とになるので、図示ではその配線は示していない。

【０１１２】以上の構成をすることで、例えば図１のパ
ターンを有する蛍光膜１００８を有する表示パネルを駆
動し、映像（画像）を表示させることができる。

【０１１３】尚、第２の実施形態（図２）のようなパタ
ーンであっても適用できることは、上記説明からすれば
容易に理解できよう。また、図１４〜図１６は一例であ
って、その回路構成によって本願発明が限定されるもの
でない。要するに、図１、或いは図２に示すパターンで
もって駆動できれば良いからである。

【０１１４】また、図１、図２のパターン以外として、 ＲＢＧＲＢＧＲＢＧ… ＧＢＲＧＢＲＧＢＲ… というパターンも考えられるが、これだと輝度（もしく
は刺激量）の低いＢ成分が列（縦）に並んでしまうの
で、望ましくはない。すなわち、図１、図２とりわけ、
図２の如く、Ｇ成分とＢ成分が行毎に交互になるように
することが最も好ましいパターンである。

【０１１５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、各
原色色成分を一様に並べた場合に低輝度成分の縦縞模様
の発生を抑制し、高品位な画像を表示させることが可能
になる。

【０１１６】

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態における蛍光膜上の蛍光体の配
列を示す図である。

【図２】第２の実施形態における蛍光膜上の蛍光体の配
列を示す図である。

【図３】一般的な蛍光体の配列を示す図である。

【図４】実施形態における表示パネルの一部を切り欠い
て示した斜視図である。

【図５】実施形態で用いた平面型の表面伝導形放出素子
の平面及び断面図である。

【図６】平面型の表面伝導型放出素子の製造工程を示す
図である。

【図７】通電フォーミング処理の際の印加電圧波形を表
す図である。

【図８】通電活性化処理の際の印加電圧の波形及び放出
電流Ｉｅの変化を表す図である。

【図９】垂直型の表面伝導型放出素子の断面図である。

【図１０】垂直型の表面伝導型放出素子の製造工捏を示
す図である。

【図１１】実施形態で用いた表面伝導型放出素子の典型
的な特性を示す図である。

【図１２】実施形態で用いたマルチ電子ビーム源の基板
の平面図である。

【図１３】実施形態で用いたマルチ電子ビーム源の基板
の一部断面図である。

【図１４】実施形態における表示装置の駆動部分のブロ
ック構成図である。

【図１５】図１４における画像信号処理回路のブロック
構成図である。

【図１６】図１５におけるレジスタの画像データの格納
状態を示す図である。

【図１７】表面伝導形放出素子の構造を示す図である。

【図１８】ＦＥ型素子の構造を示す図である。

【図１９】ＭＩＭ型素子の構造を示す図である。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 原色表示要素を行列配置してカラー画像
   を表示するための表示盤であって、 隣り合う行で、低輝度色成分と他の色成分との配列を逆
   に配列させたことを特徴とする表示盤。
2. 【請求項２】 前記低輝度色成分は青成分であって、前
   記他の色成分は赤成分であることを特徴とする請求項第
   １項に記載の表示盤。
3. 【請求項３】 前記低輝度色成分は青成分であって、前
   記他の色成分は緑成分であることを特徴とする請求項第
   １項に記載の表示盤。
4. 【請求項４】 電子放出素子を基板上に複数個配列した
   電子線発生装置と、当該電子線発生装置と対向する位置
   にあって電子線の照射により発光する蛍光体とを有する
   画像表示装置であって、 前記蛍光体は、隣り合う行毎に、低輝度色成分と他の色
   成分との配列を逆に配列させたことを特徴とする画像表
   示装置。
5. 【請求項５】 前記電子放出素子は表面伝導型電子放出
   素子であることを特徴とする請求項４に記載の画像表示
   装置。
6. 【請求項６】 前記低輝度色成分は青成分であって、前
   記他の色成分は赤成分であることを特徴とする請求項第
   ４項に記載の画像表示装置。
7. 【請求項７】 前記低輝度色成分は青成分であって、前
   記他の色成分は緑成分であることを特徴とする請求項第
   ４項に記載の画像表示装置。
8. 【請求項８】 第１、第２、第３の色成分を配置してカ
   ラー画像を表示するための表示盤であって、 第１の方向に前記色成分を第１、第２、第３の順に配置
   した第１の行と、該第１の行とは色成分の配置順番を異
   ならせた第２の行を有しており、前記第１の方向とは略
   直交する第２の方向に、前記第１、第２、第３の色成分
   のうちの最も低輝度の色成分が連続しない様に前記第１
   の行と第２の行とを並べたことを特徴とする表示盤。
9. 【請求項９】 前記第１の行と第２の行を交互に並べた
   ことを特徴とする請求項第８項に記載の表示盤。
10. 【請求項１０】 前記各色成分はあ、各色成分を発する
    発光部であり、該発光部を発光させる手段を更に備える
    ことを特徴とする請求項第８項又は第９項の記載の表示
    盤。
11. 【請求項１１】 前記発光部は蛍光体であって、前記発
    光部を発光させる手段は該蛍光体に電子を照射する手段
    であることを特徴とする請求項第１０項に記載の表示
    盤。