JPH11185274A - 発光素子制御装置及び光記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パルス発光状態から直流発光状態への移行時
において、発光素子から過大な出力が出ることを防止で
きる発光素子制御装置及び光記録再生装置を提供する。 【解決手段】 モノマルチバイブレータ１１はパルス発
光状態から直流発光状態への移行時において、所定時間
幅の信号を出力する。ゲート回路１４は上記所定時間幅
の信号が出力されている期間、半導体レーザ３への電流
源１からの電力の供給を停止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学的に情報の記
録，再生或いは消去を行う光ディスク装置等の光情報記
録再生装置の光源として用いられる発光素子の出射光量
を制御する発光素子制御装置及び光記録再生装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来から大容量の情報記録再生装置とし
て光ディスク装置が知られている。この光ディスク装置
では光源として半導体レーザが使用されるが、一般に半
導体レーザは温度ドリフトの影響が大きいため、出射光
量制御を行う半導体レーザ制御装置を用いて、光ディス
クに照射される光ビームの光量を所定値に保持するよう
になされている。

【０００３】また、近年高密度化に適した記録方法とし
て、記録時に半導体レーザをパルス発光させる方法が提
案されている。このようにパルス発光による記録を行う
場合でも、再生時には、半導体レーザは一定出力で直流
発光される。よって、半導体レーザ制御装置では、記録
時には、パルス発光の光量制御を行い、再生時には直流
光の光量制御を行う必要がある。このような、直流発光
とパルス発光の光量制御を行う半導体レーザ制御装置と
して、特開平２−１８７２２号公報に開示されている。

【０００４】図４に従来の半導体レーザ制御装置の構成
図を示す。以下、図面を参照して、従来例を説明する。

【０００５】電流源１から出力された半導体レーザ駆動
電流ａはスイッチ２を介して半導体レーザ３に入力され
半導体レーザ３が駆動される。半導体レーザ３から出射
された光ビームは光情報記録媒体である光ディスク（図
示しない）に向かうとともに、その一部が光検出器４に
入射し、半導体レーザ３の出射光量ｂが検出される。光
検出器４の出力電流ｃは電流電圧変換回路５で電圧に変
換された後、差動増幅器６の一方の入力端子に入力され
る。差動増幅器６の他方の入力端子には切り替えスイッ
チ７を介して、再生モード基準電圧源８あるいは記録モ
ード基準電圧源９が接続される。電流電圧変換回路５の
出力電圧信号ｄと、再生モードあるいは記録モードに応
じた基準電圧信号ｅとの差が差動増幅器６により演算増
幅され（信号ｆ）、抵抗ＲとコンデンサＣよりなるロー
パスフィルタに接続される。ローパスフィルタの出力ｇ
は、制御回路１０によりゲイン調整および位相補償など
が施された後、電流源１にフィードバックされる。こう
して、基準電圧ｅと電流電圧変換回路５の出力ｄとが等
しくなるように制御動作が行われ、その結果、半導体レ
ーザ３からの出射光量ｂが所定の値に保持される。この
ように、記録モード、再生モードいずれの場合も、定常
状態においては半導体レーザ３の出射光量を検出し、そ
れをフィードバックすることにより、出射光量を制御し
ている。

【０００６】図４におけるローパスフィルタは、光量制
御系が必要以上の制御帯域を持つことにより、発振等の
不安定な状態になるのを防ぐものである。半導体レーザ
の制御は、温度ドリフト等の時間的にゆっくりとした変
化を抑制するためのものなので、その制御帯域は低く設
定されるのが一般的である。また、このローパスフィル
タはサージ等の高周波ノイズが半導体レーザに加わるの
を防ぐ役目も果たしている。また、パルス発光時におい
ては、電流電圧変換回路５の出力ｄに含まれるパルス成
分を除去する働きもある。

【０００７】モード信号ｈは、再生モードと記録モード
とを切り替えるための信号であり、図示しないコントロ
ーラから与えられる。モード信号ｈが「Ｈ」レベルの時
に記録モードとなり、「Ｌ」レベルの時に再生モードと
なる。また、モード信号ｈはゲート回路１３にも接続さ
れており、変調信号ｉをモード信号ｈが「Ｈ」レベルの
時のみ通過させるように働く。

【０００８】変調信号ｉは、インバータ１６により極性
反転したのち、ゲート回路１３に加えられる。変調信号
ｉは、記録方法に応じた信号であり、単一周波数や所定
のパターンの信号である。

【０００９】次に、再生モードおよび記録モードでの制
御動作について説明する。再生モードにおいては、モー
ド信号ｈは「Ｌ」レベルとなる。このとき、切り替えス
イッチ７は、再生モード基準電圧源８に接続される。ま
た、ゲート回路１３の出力は、「Ｈ」レベルに固定され
るため、スイッチ２は常にオンとなる。

【００１０】この場合、半導体レーザ３は直流発光さ
れ、その出射光量ｂがモード信号ｈにより選択された再
生モード基準電圧源８で設定された光量となるように、
駆動電流ａが制御される。このときの半導体レーザの出
射光量は数ｍＷ程度の比較的低い光量にされる。

【００１１】ここで、再生モードでは半導体レーザの帰
還光によるノイズを抑制するために駆動電流ａに数百Ｍ
Ｈｚの高周波電流を重畳する、いわゆる高周波重畳を行
う場合もあるが、ここでは説明を簡単にするために半導
体レーザは直流駆動されるとして説明する。

【００１２】次に、記録モードにおける制御動作につい
て説明する。記録モード時には、モード信号が「Ｈ」レ
ベルとなり、切り替えスイッチ７は記録モード基準電圧
源９に接続される。また、モード信号が「Ｈ」レベルと
なるので、ゲート回路１３の出力ｋは変調信号ｉに応じ
た信号となり、「Ｈ」もしくは「Ｌ」レベルとなる。

【００１３】ゲート回路１３の出力ｋが「Ｈ」レベルの
時、スイッチ２は、オンとなり、電流源１から出力され
る電流ａが半導体レーザ３に流れる。また、ゲート回路
１３の出力ｋが「Ｌ」レベルの時は、スイッチ２はオフ
となり、半導体レーザ３には電流は流れない。こうして
半導体レーザ３は変調信号ｉに応じてパルス発光され
る。ここで、変調信号ｉの周波数は数ＭＨｚから数十Ｍ
Ｈｚの比較的高い周波数なので、パルス発光による検出
信号は平滑化され、電流電圧変換回路５の出力にはパル
ス発光された光の平均光量が現れることになる。よっ
て、その平均光量が記録モード基準電圧源で設定された
光量となるように、駆動電流ａが制御される。

【００１４】なお、記録時にはレーザ光により光ディス
クの記録膜に物理的な変化を起こす必要があるため、比
較的高い出力の出射光量が必要であるが、特にパルス発
光により記録する場合は、パルス幅が数十ｎｓのパルス
状の光で記録するため、直流発光により記録する場合に
比べてさらに高い出力の出射光量が必要となる。具体的
には数十ｍＷの出射光量が必要である。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来の半導体レーザ光量制御装置では、記録モー
ドから再生モードに切り替わった際に、一定時間の間、
記録モードにおいて出力するのと同等の高い出力の出射
光量が持続してしまうという問題を有している。

【００１６】この点について図５を用いて説明する。図
５には、図４に示す装置における（ａ）モード信号ｈ、
（ｂ）ローパスフィルタの出力ｇおよび（ｃ）出射光量
ｂを示す。記録モード時、すなわちモード信号ｈが、
「Ｈ」レベルの期間中は、前述したように駆動電流ａは
変調信号ｉに応じて、スイッチ２によりオン／オフさ
れ、半導体レーザ３の出射光量ｂは、スイッチ２がオン
のときは出射光量ｂはＰｗｍａｘとなり、スイッチ２が
オフの時は出射光量ｂは０となる。また、出射光量の平
均値は、記録モード基準電圧源９で設定された電圧にな
るように制御されている。

【００１７】さて、記録モードから再生モードに切り換
わるとスイッチ２はオン状態となる。このとき、電流源
１は、それまでの、パルス発光時と同様の光量すなわ
ち、Ｐｗｍａｘが得られるような、電流を半導体レーザ
３に流す。これは、制御系がフィードバック系として構
成されていることに起因する。すなわち、フィードバッ
ク系では、検出信号が所定の目標値からずれたことを検
出して初めて、それをフィードバックし、制御量を調整
するように動作するからである。よって、記録モードに
おいてＰｗｍａｘに相当する電流を半導体レーザ３に流
すように制御動作していた状態から、再生モードに切り
替えた直後は、記録モードにおいて流していたＰｗｍａ
ｘに相当する電流を半導体レーザ３に流すのである。し
かし、Ｐｗｍａｘを連続して流すと、再生モードにおけ
る所定の出射光量Ｐｒに対して光量が大きすぎるので、
電流源１に流す電流を減らすよう制御がされる。ここ
で、前述のように制御系は所定の制御帯域を有してい
る。よって、出射光量ｂは記録モード時のピーク光量Ｐ
ｗｍａｘから再生光量Ｐｒに、制御系の制御帯域で決ま
る応答時間にしたがって徐々に低下して行く。光量制御
系の制御帯域は、通常数ｋＨｚ程度とされるので、応答
時間は数百μｓ程度である。よって、記録モードから再
生モードに切り換わる際に、数百μｓの間、数十ｍＷも
の非常に高い出力を出すことになる。

【００１８】ところで、半導体レーザはパルス発光時の
定格は数十ｍＷであるが、連続発光時の定格はパルス発
光時の２分の１以下であり、パルス発光時と同じ出射光
量を長時間に渡り出力すると、半導体レーザの破壊、も
しくは劣化を招くという重大な問題を有している。した
がって、上記のごとく記録モードから再生モードへの移
行時に高い出力を出せば、その破壊や劣化が生じる虞れ
がある。

【００１９】半導体レーザ制御系の制御帯域を広くし、
応答時間を短くすることで、大きな出射光量を出す期間
を短縮することは可能であるが、制御帯域を広くすると
制御系が不安定になり易く、また、温度ドリフトの抑圧
に必要とされる制御帯域以上の制御帯域を持つことにな
るため、高い周波数にも応答してしまい、サージ等のノ
イズが半導体レーザの駆動電流に混入し、半導体レーザ
を破壊してしまうという問題がある。

【００２０】本発明は、上記問題に鑑みなされたもので
あって、記録モードから再生モードに切り換わる際の発
光素子からの出射光量の増大を防ぎ、発光素子の劣化を
回避できる発光素子制御装置及び光記録再生装置を提供
することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発光素
子制御装置は、発光素子を、パルス駆動である第１の状
態と、該第１の状態よりも低駆動電力且つ低周波数での
駆動である第２の状態と、で少なくとも駆動する発光素
子制御装置であって、前記発光素子の出射光量を検出す
る検出手段と、該検出手段の検出結果に応じて、前記発
光素子に加える駆動電力を制御する第１の制御手段と、
該第１の制御手段による前記発光素子の駆動を、前記第
１の状態と前記第２の状態との間で切り替える切り替え
手段と、前記第１の状態から前記第２の状態への切り替
え時に、前記第１の制御手段による前記発光素子の駆動
を一旦休止させ、前記発光素子に加える駆動電力を減少
させた後、再び前記第１の制御手段による前記発光素子
の駆動を再開させる第２の制御手段と、を備えたことを
特徴としている。

【００２２】請求項２に記載の発光素子制御装置は、請
求項１に記載の発光素子制御装置において、前記第１の
制御手段による前記発光素子の駆動を休止している期間
中に、前記第１の制御手段の有する時定数を減少させる
第３の制御手段を備えたことを特徴としている。

【００２３】請求項３に記載の発光素子制御装置は、請
求項１または請求項２に記載の発光素子制御装置におい
て、前記第１の制御手段による前記発光素子の駆動の休
止期間は、該休止期間経過時に前記発光素子に加わって
いる駆動電力が前記第２の状態における駆動電力と略同
一となる期間に設定されていることを特徴としている。

【００２４】請求項４に記載の発光素子制御装置は、請
求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発光素子制御装
置において、前記第１の制御手段による制御の休止期間
中に、前記発光素子への電力の供給を遮断するスイッチ
手段を有することを特徴としている。

【００２５】請求項５に記載の発光素子制御装置は、発
光素子を、パルス駆動である第１の状態と、該第１の状
態よりも低駆動電力且つ低周波数での駆動である第２の
状態と、で少なくとも駆動する発光素子制御装置であっ
て、前記発光素子の出射光量を検出する検出手段と、該
検出手段の検出結果に応じて、前記発光素子に加える駆
動電力を制御する第１の制御手段と、該第１の制御手段
による前記発光素子の駆動を、前記第１の状態と前記第
２の状態との間で切り替える切り替え手段と、前記第１
の状態から前記第２の状態への切り替え時に、前記第１
の制御手段の有する時定数を減少させる第３の制御手
段、を備えたことを特徴としている。

【００２６】請求項６に記載の光記録再生装置は、発光
素子をパルス駆動して記録媒体に記録された情報を記録
（消去）するとともに、記録（消去）時よりも低駆動電
力且つ低周波数で前記発光素子を駆動して記録媒体から
情報を再生する光記録再生装置において、前記発光素子
の出射光量を検出する検出手段と、該検出手段の検出結
果に応じて、前記発光素子に加える駆動電力を制御する
第１の制御手段と、該第１の制御手段による前記発光素
子の駆動を、記録（消去）状態と再生状態との間で切り
替える切り替え手段と、記録（消去）状態から再生状態
への切り替え時に、前記第１の制御手段による前記発光
素子の駆動を一旦休止させ、前記発光素子に加える駆動
電力を減少させた後、再び前記第１の制御手段による前
記発光素子の駆動を再開させる第２の制御手段と、を備
えたことを特徴としている。

【００２７】なお、上記本発明の構成における“低周波
数”は勿論“直流”をも含むものである。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明の半導体レーザ制御装置の
実施の形態について、図面を参照して説明する。図１に
本発明による実施の形態における半導体レーザ制御装置
の構成図を示す。

【００２９】電流源１から出力された半導体レーザ駆動
電流ａはスイッチ２を介して半導体レーザ３に入力され
半導体レーザ３が駆動される。半導体レーザ３から出射
された光ビームは光情報記録媒体である光ディスク（図
示しない）に向かうとともに、その一部が光検出器４に
入射し、半導体レーザ３の出射光量ｂが検出される。光
検出器４の出力電流ｃは電流電圧変換回路５で電圧に変
換された後、差動増幅器６の一方の入力端子に入力され
る。差動増幅器６の他方の入力端子には切り替えスイッ
チ７を介して、再生モード基準電圧源８あるいは記録モ
ード基準電圧源９が接続される。電流電圧変換回路５の
出力電圧信号ｄと、再生モードあるいは記録モードに応
じた基準電圧信号ｅとの差が差動増幅器６により演算増
幅され、抵抗ＲとコンデンサＣよりなるローパスフィル
タに接続される。コンデンサＣの両端には、スイッチ１
２が接続されている。スイッチ１２は、モノマルチバイ
ブレータ１１の出力ｎに応じてオン／オフする。ローパ
スフィルタの出力ｇは、制御回路１０によりゲイン調整
および位相補償などが施された後、電流源１にフィード
バックされる。こうして、基準電圧ｅと電流電圧変換回
路５の出力ｄとが等しくなるように制御動作が行われ、
その結果、半導体レーザ３からの出射光量ｂが所定の値
に保持される。

【００３０】モード信号ｈは、再生モードと記録モード
とを切り替えるための信号であり、図示しないコントロ
ーラから与えられる。モード信号ｈが「Ｈ」レベルの時
に記録モードとなり、「Ｌ」レベルの時には、再生モー
ドとなる。

【００３１】また、モード信号ｈはゲート回路１３に接
続されており、変調信号ｉをモード信号ｈが「Ｈ」レベ
ルの時のみ通過させるように働く。変調信号ｉは、イン
バータ１６により極性反転したのち、ゲート回路１３に
加えられる。変調信号ｉは、記録方法に応じた信号であ
り、単一周波数や所定のパターンの信号である。

【００３２】さらに、モード信号ｈは、モノマルチバイ
ブレータ１１の入力にも接続されている。モノマルチバ
イブレータ１１は所定の時間幅のパルスを出力するもの
で、ここではモード信号ｈが「Ｈ」レベルから「Ｌ」レ
ベルに変化する立ち下がりでトリガされ、所定の時間幅
のパルスを出力する。モノマルチバイブレータ１１の出
力ｎは、前述したように、スイッチ１２に接続されてい
る。また、インバータ１５を通してゲート回路１４にも
接続されており、モノマルチバイブレータ１１の出力ｎ
が「Ｌ」レベルの時のみ、ゲート回路１３の出力ｊを通
過させるように働く。

【００３３】次に、再生モードおよび記録モードでの制
御動作について説明する。再生モードにおいては、モー
ド信号ｈは「Ｌ」レベルとなる。このとき、切り替えス
イッチ７は再生モード基準電圧源８に接続される。ま
た、ゲート回路１３の出力は変調信号ｉに関係なく
「Ｈ」レベルに固定される。モノマルチバイブレータ１
１の出力は「Ｌ」レベルであるので、ゲート回路１４の
出力ｋは「Ｈ」レベルとなり、スイッチ２は常にオンと
なる。

【００３４】これにより再生時には半導体レーザ３は直
流発光され、その出射光量ｂがモード信号ｈにより選択
された再生モード基準電圧源で設定された光量となるよ
うに、駆動電流ａが制御される。このときの半導体レー
ザの出射光量は数ｍＷ程度の比較的低い出力にされる。

【００３５】次に、記録モードにおける制御動作につい
て説明する。記録モード時にはモード信号が「Ｈ」レベ
ルとなり、切り替えスイッチ７は記録モード基準電圧源
９に接続される。また、モード信号が「Ｈ」レベルとな
るので、ゲート回路１３の出力は変調信号ｉに応じて
「Ｈ」もしくは「Ｌ」レベルとなる。モノマルチバイブ
レータ１１の出力は「Ｌ」レベルなので、ゲート回路１
４の出力には変調信号ｉと同一の信号が現れる。

【００３６】ゲート回路１４の出力ｋが「Ｈ」レベルの
時、スイッチ２は、オンとなり、電流源１から出力され
る電流ａが半導体レーザ３に流れる。また、ゲート回路
１４の出力ｋが「Ｌ」レベルの時は、スイッチ２はオフ
となり、半導体レーザ３には電流は流れない。こうして
半導体レーザ３は変調信号ｉに応じて、パルス発光され
る。ここで、変調信号ｉの周波数は、数ＭＨｚから数十
ＭＨｚの比較的高い周波数なので、パルス発光による検
出信号は平滑化され、電流電圧変換回路５の出力には、
パルス発光された光の平均光量が現れることになる。よ
って、その平均光量が記録モード基準電圧源で設定され
た光量となるように、駆動電流ａが制御される。

【００３７】なお、記録時には、レーザ光により光ディ
スクの記録膜に物理的な変化を起こす必要があるため、
比較的高い出力の出射光量が必要であるが、特にパルス
発光により記録する場合は、パルス幅が数十ｎｓのパル
ス状の光で記録するため、直流発光により記録する場合
に比べてさらに高い出力の出射光量が必要となる。具体
的には数十ｍＷの出射光量が必要とされる。

【００３８】このように、記録モード，再生モードいず
れの場合も、定常状態においては、半導体レーザ３の出
射光量を検出し、それをフィードバックすることによ
り、出射光量を制御している。

【００３９】次に、記録モードから再生モードに切り替
える際の動作について説明する。図２に記録モードから
再生モードに切り替える際の各部の信号を示す。図２に
おいては、（ａ）モード信号ｈ、（ｂ）モノマルチバイ
ブレータの出力ｎ、（ｃ）ローパスフィルタの出力ｇ、
（ｄ）出射光量ｂを示している。

【００４０】記録モードから再生モードに切り替えるた
めに、モード信号ｈは、「Ｈ」レベルから「Ｌ」レベル
となる（図２（ａ））。モノマルチバイブレータ１１
は、前述のようにモード信号が「Ｈ」レベルから「Ｌ」
レベルとなる立ち下がり時点でトリガされる。これによ
り、モノマルチバイブレータ１１の出力ｎには、あらか
じめ設定された時間幅Ｔのパルスが発生する（図２
（ｂ））。モノマルチバイブレータ１１の出力ｎは、イ
ンバータ１５を通してゲート回路１４に接続されている
ので、Ｔの期間だけゲート回路１４の出力ｋは「Ｌ」レ
ベルとなり、スイッチ２はオフとされる。この結果、電
流源１から半導体レーザ３へ流れる電流は遮断され、出
射光量ｂは０となる。すなわち、スイッチ２がオフとな
った時点で光量制御系は、フィードバック制御状態を一
時的に休止することになる。こうして、記録モードから
再生モードへの切り替え時に半導体レーザ３から高い出
力が出されることを防ぐことができる。

【００４１】一方、モノマルチバイブレータ１１の出力
ｎはスイッチ１２にも接続されており、Ｔの期間スイッ
チ１２がオンとなるので、その結果コンデンサＣの両端
が短絡される。

【００４２】記録モードでは、ローパスフィルタの出力
ｇには半導体レーザ３に記録パワーＰｗｍａｘに相当す
る電流を流すように電圧が発生しており、これによっ
て、コンデンサＣに電荷が蓄えられている。スイッチ１
２が短絡することにより、コンデンサＣに充電された電
荷が放電される。このため、ローパスフィルターの出力
電圧ｇは、コンデンサＣの容量とスイッチ１２のオン抵
抗で決まる時定数で急速に０に減少する（図２
（ｃ））。この結果、電流源１から流すべき電流値も０
となる。

【００４３】ここで、スイッチ１２のオン抵抗は、１Ω
以下と非常に小さな値とできる。このようにオン抵抗値
の非常に小さな素子として、例えばＭＯＳＦＥＴがあ
る。こうした素子を使うことにより、放電の時定数は１
μｓ以下の極めて小さな値とすることができる。

【００４４】この後、モノマルチバイブレータ１１の出
力ｎが「Ｌ」レベルに戻るとスイッチ１２がオフとな
り、また、スイッチ２がオンとなるので、フィードバッ
ク動作による通常の光量制御動作が再開され、半導体レ
ーザ３の出射光量は制御帯域で決まる応答時間で、所定
の再生モードの光量Ｐｒまで上昇することになる。この
場合、前述のようにコンデンサＣは放電されており、ロ
ーパスフィルタの出力ｇは０となっているので、出射光
量ｂは０から上昇していくことになり、半導体レーザか
ら高い出力が出されることは全くない（図２（ｄ））。

【００４５】モノマルチバイブレータ１１により発生す
るパルスの時間幅Ｔは、コンデンサＣに蓄えられた電荷
を放電するのに十分な時間に設定されている。前述のよ
うに、放電の時定数は１μｓ以下であるので、出射光量
が０となっても光ディスク装置のフォーカス、トラッキ
ングサーボに悪影響を及ぼすことはない。

【００４６】また、上記の実施の形態では、モノマルチ
バイブレータ１１により発生するパルスの時間幅Ｔを、
コンデンサＣに蓄えられた電荷が０になる時間幅に設定
したが、コンデンサＣの両端の電圧が再生モードでの半
導体レーザ３の出射光量Ｐｒに相当する電圧にほぼ等し
くなった時点で、フィードバック制御を再開するように
時間幅Ｔを設定するとさらに良い。このように設定した
場合の各信号の波形を図３に示す。

【００４７】図３において、（ａ）はモード信号ｈを、
（ｂ）はモノマルチバイブレータ１１の出力ｎを、
（ｃ）はローパスフィルタ出力ｇを、（ｄ）は半導体レ
ーザの出射光量ｂを示している。

【００４８】前述した図２においては、コンデンサＣの
電荷が０になるまで、スイッチ１２をオンしており、ロ
ーパスフィルタの出力ｇは０となる。このため、その
後、モノマルチバイブレータ１１の出力ｎが「Ｌ」レベ
ルに戻って、フィードバック動作による通常の光量制御
状態が再開されても、半導体レーザ３の出射光量が所定
の再生光量Ｐｒに達するまでは、制御帯域で決まる応答
時間分だけの時間がかかってしまう。この場合、所定の
再生光量Ｐｒに達するまでは、光ディスク装置は、記録
された情報を読み出す等の再生動作を行うことができな
いため、高速性を求められる応用分野では問題がある。

【００４９】しかし、図３に示すように、ローパスフィ
ルタの出力ｇが再生光量Ｐｒに相当する電圧にほぼ等し
い値になった時点で通常の光量制御状態が再開されるよ
うにすれば、半導体レーザ３の出射光量がＰｒに達する
までの時間を短縮することができる。ここで、ローパス
フィルタの出力ｇと半導体レーザの出射光量は半導体レ
ーザの温度ドリフト等により必ずしも１対１の対応とな
るわけではないので、再生光量Ｐｒに完全に一致させる
ことはできないが、その場合でも、コンデンサＣの電荷
を完全に０にする場合に比べて短い時間で再生光量Ｐｒ
に到達することができる。

【００５０】以上説明したように、本発明の実施の形態
における半導体レーザ制御装置では、記録モードから再
生モードに切り替える際に、所定の時間フィードバック
制御状態を休止し、電流源１から半導体レーザ３に流れ
る電流をスイッチ２により完全に０にするとともに、同
時に、制御系の中で最も応答時間が遅い部分の時定数を
一時的に小さくすることにより、極めて短い時間で電流
源１の電流出力値を０とするようにしている。そして、
これにより半導体レーザ３の破壊や劣化を防止してい
る。しかしながら、半導体レーザ３への電流の遮断と、
時定数の低減の２つを両方行う必要はなく、時定数の低
減のみを行っても良い。この場合、高い出力が半導体レ
ーザ３から出射される時間は１μｓ以下と極めて短くで
きるので、記録時の光量が比較的小さい場合には、半導
体レーザ３に及ぼす影響を大幅に低減できる。

【００５１】なお、上記実施の形態においては、半導体
レーザをパルス駆動からそれより低駆動電力の直流駆動
へと切り替える場合に、半導体レーザの出射光量の増大
を防止できる点について述べたが、本発明の効果は、半
導体レーザをパルス駆動からそれより低駆動電力，低駆
動電流駆動へと切り替える場合であれば同様に得ること
ができる。

【００５２】また、上記実施の形態では、記録時から再
生時への切り替え時について述べたが、消去時から再生
時への切り替え時についても同様に対応できる。

【００５３】さらに、上記実施の形態では、記録時から
再生時への切り替え時に半導体レーザに供給する駆動電
力を０としているが、必ずしも０にする必要はなく、駆
動電力を減少させるだけでも構わない。但し、この場
合、減少させた駆動電力は半導体レーザへの供給電流が
過大とならないレベルに設定しておく必要がある。

【００５４】なお、発光素子としては半導体レーザ以外
に、発光ダイオード等の他の発光素子が使用できる。

【００５５】

【発明の効果】本発明の発光素子制御装置は、発光素子
をパルス駆動する第１の状態から発光素子を低周波数駆
動（直流駆動を含む）する第２の状態への切り替え時
に、通常の光量制御を行うフィードバック制御動作を一
時的に休止するとともに、休止期間中に発光素子の出射
光量を減少させるようにするので、発光素子が過大な出
力を出す期間を短くすることができ、発光素子の劣化、
破壊が防止できる。

【００５６】また、フィードバック制御動作を休止して
いる期間中に制御系の時定数を小さくするようにするこ
とにより、発光素子が過大な出力を出す期間を更に短く
することができ、発光素子の劣化、破壊防止効果が更に
高まる。

【００５７】さらに、フィードバック制御動作の休止期
間経過時に発光素子に加わっている電力が再生光量に相
当する電力にほぼ等しい値になった時点で、再びフィー
ドバック動作による通常の光量制御状態が再開されるよ
うにしているので、再生光量に整定するまでの時間を短
縮でき、再生動作を迅速に再開できる。

【００５８】また、フィードバック制御動作を休止して
いる期間中に発光素子への電力の供給を遮断するスイッ
チ手段を設けているため、発光素子が過大な出力を出す
ことが全くなく、発光素子の劣化、破壊が完全に防止で
きる。

【００５９】また、本発明の光記録再生装置は、発光素
子をパルス駆動する記録（消去）時から、発光素子を低
周波数駆動（直流駆動を含む）する再生時への切り替え
時に、通常の光量制御を行うフィードバック制御動作を
一時的に休止するとともに、休止期間中に発光素子の出
射光量を減少させるようにするので、発光素子が過大な
出力を出す期間を短くすることができ、発光素子の劣
化、破壊が防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の発光素子制御装置の一例を示す構成図
である。

【図２】図１の発光素子制御装置の動作を説明する説明
図である。

【図３】図１の発光素子制御装置の動作の他の例を説明
する説明図である。

【図４】従来の発光素子制御装置の構成図である。

【図５】図４の発光素子制御装置の動作を説明する説明
図である。

【符号の説明】

１ 電流源 ２、１２ スイッチ ３ 半導体レーザ ４ 光検出器 ５ 電流電圧変換回路 ６ 差動増幅器 ７ 切り替えスイッチ ８ 再生モード基準電圧源 ９ 記録モード基準電圧源 １０ 制御回路 １１ モノマルチバイブレータ １３、１４ ゲート回路 １５、１６ インバータ ｈ モード信号 ｎ モノマルチバイブレータの出力 ｇ ローパスフィルタの出力 ｂ 半導体レーザの出射光量

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発光素子を、パルス駆動である第１の状
   態と、該第１の状態よりも低駆動電力且つ低周波数での
   駆動である第２の状態と、で少なくとも駆動する発光素
   子制御装置であって、 前記発光素子の出射光量を検出する検出手段と、 該検出手段の検出結果に応じて、前記発光素子に加える
   駆動電力を制御する第１の制御手段と、 該第１の制御手段による前記発光素子の駆動を、前記第
   １の状態と前記第２の状態との間で切り替える切り替え
   手段と、 前記第１の状態から前記第２の状態への切り替え時に、
   前記第１の制御手段による前記発光素子の駆動を一旦休
   止させ、前記発光素子に加える駆動電力を減少させた
   後、再び前記第１の制御手段による前記発光素子の駆動
   を再開させる第２の制御手段と、を備えたことを特徴と
   する発光素子制御装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の発光素子制御装置にお
   いて、 前記第１の制御手段による前記発光素子の駆動を休止し
   ている期間中に、前記第１の制御手段の有する時定数を
   減少させる第３の制御手段を備えたことを特徴とする請
   求項１に記載の発光素子制御装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の発光素
   子制御装置において、 前記第１の制御手段による前記発光素子の駆動の休止期
   間は、該休止期間経過時に前記発光素子に加わっている
   電力が前記第２の状態における駆動電力と略同一となる
   期間に設定されていることを特徴とする発光素子制御装
   置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
   の発光素子制御装置において、 前記第１の制御手段による制御の休止期間中に、前記発
   光素子への駆動電力の供給を遮断するスイッチ手段を有
   することを特徴とする発光素子制御装置。
5. 【請求項５】 発光素子を、パルス駆動である第１の状
   態と、該第１の状態よりも低駆動電力且つ低周波数での
   駆動である第２の状態と、で少なくとも駆動する発光素
   子制御装置であって、 前記発光素子の出射光量を検出する検出手段と、 該検出手段の検出結果に応じて、前記発光素子に加える
   駆動電力を制御する第１の制御手段と、 該第１の制御手段による前記発光素子の駆動を、前記第
   １の状態と前記第２の状態との間で切り替える切り替え
   手段と、 前記第１の状態から前記第２の状態への切り替え時に、
   前記第１の制御手段の有する時定数を減少させる第３の
   制御手段、を備えたことを特徴とする発光素子制御装
   置。
6. 【請求項６】 発光素子をパルス駆動して記録媒体に記
   録された情報を記録（消去）するとともに、記録（消
   去）時よりも低駆動電力且つ低周波数で前記発光素子を
   駆動して記録媒体から情報を再生する光記録再生装置に
   おいて、 前記発光素子の出射光量を検出する検出手段と、 該検出手段の検出結果に応じて、前記発光素子に加える
   駆動電力を制御する第１の制御手段と、 該第１の制御手段による前記発光素子の駆動を、記録
   （消去）状態と再生状態との間で切り替える切り替え手
   段と、 記録（消去）状態から再生状態への切り替え時に、前記
   第１の制御手段による前記発光素子の駆動を一旦休止さ
   せ、前記発光素子に加える駆動電力を減少させた後、再
   び前記第１の制御手段による前記発光素子の駆動を再開
   させる第２の制御手段と、を備えたことを特徴とする光
   記録再生装置。