JPH1118011A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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- JPH1118011A JPH1118011A JP9165802A JP16580297A JPH1118011A JP H1118011 A JPH1118011 A JP H1118011A JP 9165802 A JP9165802 A JP 9165802A JP 16580297 A JP16580297 A JP 16580297A JP H1118011 A JPH1118011 A JP H1118011A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 111
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 111
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 49
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 29
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 121
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 13
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 2
- 101100115215 Caenorhabditis elegans cul-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- H01L27/14831—Area CCD imagers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】３層のポリシリコン膜からなる全画素同時読み
出し方式の撮像装置において、異なるパルスの印加され
る第２層目のポリシリコン膜同士の電気的短絡が生じ
る。 【解決手段】垂直転送電極８は第１層目のポリシリコン
膜で、垂直転送電極９および１０は第２層目のポリシリ
コン膜で、又垂直転送電極１１は第３層目のポリシリコ
ン膜でそれぞれ形成されている。更に垂直最終転送電極
２０は第１層目のポリシリコン膜で、水平蓄積電極１８
ａおよび１８ｂは第２層目のポリシリコン膜で、又水平
障壁電極１９ａおよび１９ｂは第３層目のポリシリコン
膜で形成されている。
出し方式の撮像装置において、異なるパルスの印加され
る第２層目のポリシリコン膜同士の電気的短絡が生じ
る。 【解決手段】垂直転送電極８は第１層目のポリシリコン
膜で、垂直転送電極９および１０は第２層目のポリシリ
コン膜で、又垂直転送電極１１は第３層目のポリシリコ
ン膜でそれぞれ形成されている。更に垂直最終転送電極
２０は第１層目のポリシリコン膜で、水平蓄積電極１８
ａおよび１８ｂは第２層目のポリシリコン膜で、又水平
障壁電極１９ａおよび１９ｂは第３層目のポリシリコン
膜で形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像装置および
その製造方法に関し、特に転送電極構成が３層のポリシ
リコン膜からなる全画素同時読み出し方式のインターラ
イン型ＣＣＤ撮像装置及びその製造方法に関する。
その製造方法に関し、特に転送電極構成が３層のポリシ
リコン膜からなる全画素同時読み出し方式のインターラ
イン型ＣＣＤ撮像装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、固体撮像装置を用いた業務用およ
び家庭用ビデオカメラが広く普及している。これら従来
の業務用および家庭用ビデオカメラは、テレビジョン方
式（例えば、ＮＴＳＣ方式やＰＡＬ方式）に対応させる
ため、水平信号ラインを１ラインおきに走査するインタ
ーレース方式（飛び越し走査方式）を採用していた。一
方、最近ではパーソナルコンピュータ用の画像入力カメ
ラが盛んに開発されているが、この種のカメラの水平走
査方式は、高解像度静止画を得るため、およびコンピュ
ータのディスプレイへの出力のし易さの観点から、全画
素同時読み出し方式が採用されている。この方式は、順
次走査方式、ノンインターレース方式、あるいはプログ
レッシブスキャン方式などとも呼ばれている。全画素同
時読み出し方式のカメラに用いられる固体撮像装置は、
全画素の信号電荷を同時に、かつ、独立に読み出す必要
がある。以下に、このような全画素同時読み出し方式の
固体撮像装置について説明する。
び家庭用ビデオカメラが広く普及している。これら従来
の業務用および家庭用ビデオカメラは、テレビジョン方
式（例えば、ＮＴＳＣ方式やＰＡＬ方式）に対応させる
ため、水平信号ラインを１ラインおきに走査するインタ
ーレース方式（飛び越し走査方式）を採用していた。一
方、最近ではパーソナルコンピュータ用の画像入力カメ
ラが盛んに開発されているが、この種のカメラの水平走
査方式は、高解像度静止画を得るため、およびコンピュ
ータのディスプレイへの出力のし易さの観点から、全画
素同時読み出し方式が採用されている。この方式は、順
次走査方式、ノンインターレース方式、あるいはプログ
レッシブスキャン方式などとも呼ばれている。全画素同
時読み出し方式のカメラに用いられる固体撮像装置は、
全画素の信号電荷を同時に、かつ、独立に読み出す必要
がある。以下に、このような全画素同時読み出し方式の
固体撮像装置について説明する。
【０００３】図１０は、従来の全画素同時読みだし方式
インターライン型ＣＣＤ撮像装置の構成を示す平面図で
ある。本撮像装置は大きく分けて、撮像領域１、水平Ｃ
ＣＤ２及び出力部（電荷検出部）３から構成される。撮
像領域１には、光電変換しその信号電荷を蓄積するフォ
トダイオード４が２次元マトリックス状に複数個設けら
れている。さらに、各フォトダイオード列の間には、垂
直方向に信号電荷を転送する垂直ＣＣＤ５が設けられて
いる。フォトダイオード４と垂直ＣＣＤ５との間には、
各フォトダイオード４から垂直ＣＣＤ５に信号電荷を読
み出すトランスファーゲート領域６が設けられている。
撮像領域１のこれら以外の部分は素子分離領域７であ
る。
インターライン型ＣＣＤ撮像装置の構成を示す平面図で
ある。本撮像装置は大きく分けて、撮像領域１、水平Ｃ
ＣＤ２及び出力部（電荷検出部）３から構成される。撮
像領域１には、光電変換しその信号電荷を蓄積するフォ
トダイオード４が２次元マトリックス状に複数個設けら
れている。さらに、各フォトダイオード列の間には、垂
直方向に信号電荷を転送する垂直ＣＣＤ５が設けられて
いる。フォトダイオード４と垂直ＣＣＤ５との間には、
各フォトダイオード４から垂直ＣＣＤ５に信号電荷を読
み出すトランスファーゲート領域６が設けられている。
撮像領域１のこれら以外の部分は素子分離領域７であ
る。
【０００４】次に、この種の固体撮像装置の動作を説明
する。一定期間内にフォトダイオード４で光電変換さ
れ、蓄積された信号電荷は、トランスファーゲート領域
６を介して垂直ＣＣＤ５に読み出される。垂直ＣＣＤ５
に読み出された信号電荷は、１水平ラインづつ水平ＣＣ
Ｄ２に転送される。水平ＣＣＤ２に転送された信号電荷
は、出力部３まで転送され検出される。
する。一定期間内にフォトダイオード４で光電変換さ
れ、蓄積された信号電荷は、トランスファーゲート領域
６を介して垂直ＣＣＤ５に読み出される。垂直ＣＣＤ５
に読み出された信号電荷は、１水平ラインづつ水平ＣＣ
Ｄ２に転送される。水平ＣＣＤ２に転送された信号電荷
は、出力部３まで転送され検出される。
【０００５】図１１（ａ）は全画素同時読み出し方式に
対応した一般的な撮像装置における画素の平面図、図１
１（ｂ）は図１１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
画素はフォトダイオード４、垂直ＣＣＤ５、トランスフ
ァーゲート領域６、および素子分離領域７からなる。垂
直ＣＣＤ５には、画素あたり４つの垂直転送電極８〜１
１が設けられている。この４つの垂直転送電極のうち少
なくとも１つの垂直転送電極は、フォトダイオード４か
ら垂直ＣＣＤ５に信号電荷を読み出す読み出し電極１２
を兼ねている。
対応した一般的な撮像装置における画素の平面図、図１
１（ｂ）は図１１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
画素はフォトダイオード４、垂直ＣＣＤ５、トランスフ
ァーゲート領域６、および素子分離領域７からなる。垂
直ＣＣＤ５には、画素あたり４つの垂直転送電極８〜１
１が設けられている。この４つの垂直転送電極のうち少
なくとも１つの垂直転送電極は、フォトダイオード４か
ら垂直ＣＣＤ５に信号電荷を読み出す読み出し電極１２
を兼ねている。
【０００６】垂直転送電極８〜１１は３層のポリシリコ
ン膜から形成されている。なお、ポリシリコン膜の形成
順序は、第１層目、第２層目、第３層目の順とする。第
１層目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極８は、垂
直方向に隣接するフォトダイオードを分離する素子分離
領域７上を通り、撮像領域の左右に延在している。第２
層目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極９および１
０は、垂直転送電極８の側壁を覆いながら、撮像領域の
左右に延在している。第３層目のポリシリコン膜からな
る垂直転送電極１１は、垂直転送電極８、９、および１
０で覆われていない垂直ＣＣＤチャネル上部を覆い、か
つ、垂直転送電極８の上部を通りながら、撮像領域の左
右に延在している。
ン膜から形成されている。なお、ポリシリコン膜の形成
順序は、第１層目、第２層目、第３層目の順とする。第
１層目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極８は、垂
直方向に隣接するフォトダイオードを分離する素子分離
領域７上を通り、撮像領域の左右に延在している。第２
層目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極９および１
０は、垂直転送電極８の側壁を覆いながら、撮像領域の
左右に延在している。第３層目のポリシリコン膜からな
る垂直転送電極１１は、垂直転送電極８、９、および１
０で覆われていない垂直ＣＣＤチャネル上部を覆い、か
つ、垂直転送電極８の上部を通りながら、撮像領域の左
右に延在している。
【０００７】図１１（ｂ）で示すように、Ｎ型シリコン
基板１３の一主面上にＰ型ウェル１４が形成され、Ｐ型
ウェル１４の表面にＮ型埋め込み層１５が形成される。
シリコン基板上には、絶縁膜１６を介して第１層目のポ
リシリコン膜からなる垂直転送電極８が形成され、絶縁
膜１６を介して第２層目のポリシリコン膜からなる垂直
転送電極９および１０が形成され、さらに絶縁膜１６を
介して第３層目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極
１１が形成される。これら３層のポリシリコン膜はそれ
ぞれオーバーラップしている。
基板１３の一主面上にＰ型ウェル１４が形成され、Ｐ型
ウェル１４の表面にＮ型埋め込み層１５が形成される。
シリコン基板上には、絶縁膜１６を介して第１層目のポ
リシリコン膜からなる垂直転送電極８が形成され、絶縁
膜１６を介して第２層目のポリシリコン膜からなる垂直
転送電極９および１０が形成され、さらに絶縁膜１６を
介して第３層目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極
１１が形成される。これら３層のポリシリコン膜はそれ
ぞれオーバーラップしている。
【０００８】図１２に、水平ＣＣＤ２の電荷転送方向の
断面図を示す。水平ＣＣＤ２では、Ｎ型シリコン基板１
３の一主面上にＰ型ウェル１４が形成され、Ｐ型ウェル
１４の表面部にＮ型埋め込み層１５が形成されている。
Ｎ型シリコン基板上には、絶縁膜１６を介して第１層目
のポリシリコン膜からなる水平蓄積電極１８および第２
層目のポリシリコン膜からなる水平障壁電極１９が形成
されている。水平蓄積電極１８ａと水平障壁電極１９
ａ、および水平蓄積電極１８ｂと水平障壁電極１９ｂは
それぞれ電気的に接続されており、例えば２相の水平転
送パルスφＨ１およびφＨ２により駆動される。水平障
壁電極１９ａおよび１９ｂ下部のＮ- 型埋め込み層１７
は、水平蓄積電極１８ａおよび１８ｂ下部のＮ型埋め込
み層１５よりも不純物濃度が低く、電子に対するポテン
シャルが高くなっている。
断面図を示す。水平ＣＣＤ２では、Ｎ型シリコン基板１
３の一主面上にＰ型ウェル１４が形成され、Ｐ型ウェル
１４の表面部にＮ型埋め込み層１５が形成されている。
Ｎ型シリコン基板上には、絶縁膜１６を介して第１層目
のポリシリコン膜からなる水平蓄積電極１８および第２
層目のポリシリコン膜からなる水平障壁電極１９が形成
されている。水平蓄積電極１８ａと水平障壁電極１９
ａ、および水平蓄積電極１８ｂと水平障壁電極１９ｂは
それぞれ電気的に接続されており、例えば２相の水平転
送パルスφＨ１およびφＨ２により駆動される。水平障
壁電極１９ａおよび１９ｂ下部のＮ- 型埋め込み層１７
は、水平蓄積電極１８ａおよび１８ｂ下部のＮ型埋め込
み層１５よりも不純物濃度が低く、電子に対するポテン
シャルが高くなっている。
【０００９】図１３は、従来の垂直ＣＣＤと水平ＣＣＤ
の接続部の平面図である。この種の固体撮像装置の構成
は、例えば特公平４−１９７５２号公報に開示されてい
る。ここでは、垂直最終転送電極２０が第１層目のポリ
シリコン膜からなる場合について説明する。この垂直最
終転送電極２０にオーバーラップするように第２層目の
ポリシリコン膜からなる水平障壁電極１９ａが形成され
る。ここで、水平障壁電極１９ａは、垂直ＣＣＤ５のチ
ャネル上の垂直最終転送電極２０の側壁を覆うように垂
直ＣＣＤ５をまたいで形成されているが、隣接する垂直
ＣＣＤ５に対応する水平障壁電極１９ａ同士は、素子分
離領域７上で分離されている。
の接続部の平面図である。この種の固体撮像装置の構成
は、例えば特公平４−１９７５２号公報に開示されてい
る。ここでは、垂直最終転送電極２０が第１層目のポリ
シリコン膜からなる場合について説明する。この垂直最
終転送電極２０にオーバーラップするように第２層目の
ポリシリコン膜からなる水平障壁電極１９ａが形成され
る。ここで、水平障壁電極１９ａは、垂直ＣＣＤ５のチ
ャネル上の垂直最終転送電極２０の側壁を覆うように垂
直ＣＣＤ５をまたいで形成されているが、隣接する垂直
ＣＣＤ５に対応する水平障壁電極１９ａ同士は、素子分
離領域７上で分離されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の固体撮
像装置では、図１３に示されるように、水平蓄積電極１
８ａの側壁部２１では、異なるパルスが印加される水平
障壁電極１９ａおよび１９ｂが１μｍ程度の比較的近い
距離で隣合っていた。図１４は、図１３の矢印方向から
見た水平蓄積電極１８ａの側壁部２１あたりの斜視図で
ある。次にこの部分の構造の形成順序の概略を説明す
る。
像装置では、図１３に示されるように、水平蓄積電極１
８ａの側壁部２１では、異なるパルスが印加される水平
障壁電極１９ａおよび１９ｂが１μｍ程度の比較的近い
距離で隣合っていた。図１４は、図１３の矢印方向から
見た水平蓄積電極１８ａの側壁部２１あたりの斜視図で
ある。次にこの部分の構造の形成順序の概略を説明す
る。
【００１１】まず、水平蓄積電極１８となる第１層目の
ポリシリコン膜をパターニングし、次に熱酸化膜やＣＶ
Ｄ酸化膜などの絶縁膜１６を形成する。その後、第２層
目のポリシリコン膜を全面に形成し、レジストマスクを
用いて水平障壁電極１９ａおよび１９ｂをパターニング
する。ここで、第２層目のポリシリコン膜のパターニン
グの際に、側壁部２１に第２層目のポリシリコン膜のエ
ッチング残りが発生すると、異なるパルスが印加される
水平障壁電極１９ａと水平障壁電極１９ｂとの間が電気
的に短絡し、歩留まりが低下するという問題があった。
ポリシリコン膜をパターニングし、次に熱酸化膜やＣＶ
Ｄ酸化膜などの絶縁膜１６を形成する。その後、第２層
目のポリシリコン膜を全面に形成し、レジストマスクを
用いて水平障壁電極１９ａおよび１９ｂをパターニング
する。ここで、第２層目のポリシリコン膜のパターニン
グの際に、側壁部２１に第２層目のポリシリコン膜のエ
ッチング残りが発生すると、異なるパルスが印加される
水平障壁電極１９ａと水平障壁電極１９ｂとの間が電気
的に短絡し、歩留まりが低下するという問題があった。
【００１２】側壁部２１におけるエッチング残りを抑制
するには、サイドエッチング量を多くすればよいが、出
来上がり寸法のばらつきが増加し、ＣＣＤの転送電荷量
などの特性が変動する要因となるため、特に画素寸法が
５μｍ角以下のような固体撮像装置では好ましくない。
ここでは、水平蓄積電極１８ａおよび水平障壁電極１９
ａおよび１９ｂがそれぞれ第１層目のポリシリコン膜お
よび第２層目のポリシリコン膜で形成される場合につい
て説明したが、それぞれ第２層目のポリシリコン膜およ
び第３層目のポリシリコン膜で形成される場合について
も同様の問題に直面することは言うまでもない。
するには、サイドエッチング量を多くすればよいが、出
来上がり寸法のばらつきが増加し、ＣＣＤの転送電荷量
などの特性が変動する要因となるため、特に画素寸法が
５μｍ角以下のような固体撮像装置では好ましくない。
ここでは、水平蓄積電極１８ａおよび水平障壁電極１９
ａおよび１９ｂがそれぞれ第１層目のポリシリコン膜お
よび第２層目のポリシリコン膜で形成される場合につい
て説明したが、それぞれ第２層目のポリシリコン膜およ
び第３層目のポリシリコン膜で形成される場合について
も同様の問題に直面することは言うまでもない。
【００１３】側壁部２１のエッチング残りを除去する別
の方法として、側壁部２１のみ開口されたレジストマス
クを用いて追加エッチングを行う方法もある。しかし、
側壁部２１の近傍は数１０ｎｍの絶縁膜の形成されたア
クティブ領域であるため、エッチングダメージによりデ
バイス特性が劣化する恐れもあり、かつ、リソグラフィ
工程数も増加するため好ましくない。また、エッチング
ダメージが発生しても素子分離領域上なのでデバイス特
性の劣化が仮に生じないとしても、短辺１μｍ以下の微
細な開口部を有するレジストマスクを位置ずれなく形成
することは容易ではないので好ましくない。
の方法として、側壁部２１のみ開口されたレジストマス
クを用いて追加エッチングを行う方法もある。しかし、
側壁部２１の近傍は数１０ｎｍの絶縁膜の形成されたア
クティブ領域であるため、エッチングダメージによりデ
バイス特性が劣化する恐れもあり、かつ、リソグラフィ
工程数も増加するため好ましくない。また、エッチング
ダメージが発生しても素子分離領域上なのでデバイス特
性の劣化が仮に生じないとしても、短辺１μｍ以下の微
細な開口部を有するレジストマスクを位置ずれなく形成
することは容易ではないので好ましくない。
【００１４】本発明の目的は、特性及び歩留まりの向上
した固体撮像装置およびその製造方法を提供することに
ある。
した固体撮像装置およびその製造方法を提供することに
ある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板の
一主面上に２次元マトリックス状に配列された光電変換
素子群と、該光電変換素子に蓄積された信号電荷をトラ
ンスファーゲート部を介して垂直方向へ転送する複数列
の垂直ＣＣＤと、該垂直ＣＣＤの一方の端部に対応して
設けられ信号電荷を水平方向に転送する水平ＣＣＤと、
該水平ＣＣＤに転送された信号電荷を検出し出力する電
荷検出部とを有し、前記垂直ＣＣＤの垂直転送電極が絶
縁膜で分離された３層のポリシリコン膜からなる固体撮
像装置において、前記光電変換素子群と前記垂直ＣＣＤ
と前記トランスファーゲート部と前記水平ＣＣＤとから
なるアクティブ領域における第１層目のポリシリコン膜
の側壁が第２層目のポリシリコン膜により覆われている
ことを特徴とするものである。
一主面上に２次元マトリックス状に配列された光電変換
素子群と、該光電変換素子に蓄積された信号電荷をトラ
ンスファーゲート部を介して垂直方向へ転送する複数列
の垂直ＣＣＤと、該垂直ＣＣＤの一方の端部に対応して
設けられ信号電荷を水平方向に転送する水平ＣＣＤと、
該水平ＣＣＤに転送された信号電荷を検出し出力する電
荷検出部とを有し、前記垂直ＣＣＤの垂直転送電極が絶
縁膜で分離された３層のポリシリコン膜からなる固体撮
像装置において、前記光電変換素子群と前記垂直ＣＣＤ
と前記トランスファーゲート部と前記水平ＣＣＤとから
なるアクティブ領域における第１層目のポリシリコン膜
の側壁が第２層目のポリシリコン膜により覆われている
ことを特徴とするものである。
【００１６】ここで、第２層目のポリシリコン膜は、第
１層目のポリシリコン膜より後工程で、かつ、第３層目
のポリシリコン膜より前工程で形成されており、垂直転
送電極のうち、絶縁膜を介して水平転送電極に接する垂
直最終転送電極が、第１層目のポリシリコン膜で形成さ
れている。また、垂直最終転送電極に絶縁膜を介して接
する水平転送電極が、第２層目のポリシリコン膜からな
る。
１層目のポリシリコン膜より後工程で、かつ、第３層目
のポリシリコン膜より前工程で形成されており、垂直転
送電極のうち、絶縁膜を介して水平転送電極に接する垂
直最終転送電極が、第１層目のポリシリコン膜で形成さ
れている。また、垂直最終転送電極に絶縁膜を介して接
する水平転送電極が、第２層目のポリシリコン膜からな
る。
【００１７】さらに、アクティブ領域から、その周囲の
フィールド領域へ延在する垂直転送電極のうち、第２層
目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極の延在する長
さが最小であることが望ましく、かつ、第１層目のポリ
シリコン膜からなる垂直転送電極の延在する長さが最大
であることが望ましい。
フィールド領域へ延在する垂直転送電極のうち、第２層
目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極の延在する長
さが最小であることが望ましく、かつ、第１層目のポリ
シリコン膜からなる垂直転送電極の延在する長さが最大
であることが望ましい。
【００１８】さらに、第２層目のポリシリコン膜をパタ
ーニングした後、絶縁膜を形成する前に、フィールド領
域上に形成された第１層目のポリシリコン膜の側壁部分
の一部を選択的にエッチングしてもよい。
ーニングした後、絶縁膜を形成する前に、フィールド領
域上に形成された第１層目のポリシリコン膜の側壁部分
の一部を選択的にエッチングしてもよい。
【００１９】
【作用】撮像領域を始めとするアクティブ領域において
は、第１層目のポリシリコン膜の側壁が、絶縁膜を介し
て、第２層目のポリシリコン膜によってすべて覆われて
いる。そのため、アクティブ領域では、第１層目のポリ
シリコン膜の側壁部において第２層目のポリシリコン膜
のエッチング残りは発生しない。したがって、第２層目
のポリシリコン膜からなる異なる転送パルスの印加され
る転送電極同士の電気的な短絡が抑制される。
は、第１層目のポリシリコン膜の側壁が、絶縁膜を介し
て、第２層目のポリシリコン膜によってすべて覆われて
いる。そのため、アクティブ領域では、第１層目のポリ
シリコン膜の側壁部において第２層目のポリシリコン膜
のエッチング残りは発生しない。したがって、第２層目
のポリシリコン膜からなる異なる転送パルスの印加され
る転送電極同士の電気的な短絡が抑制される。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２１】図１は、本発明の第１の実施の形態の撮像
装置における、垂直ＣＣＤと水平ＣＣＤの接続部を示す
平面図である。
装置における、垂直ＣＣＤと水平ＣＣＤの接続部を示す
平面図である。
【００２２】垂直転送電極８〜１１は、従来と同様に３
層のポリシリコン膜から形成されている。形成方法につ
いては後述する。なお、ポリシリコン膜の形成順序は、
第１層目、第２層目、第３層目の順とする。垂直転送電
極８は点線で示すように第１目のポリシリコン膜で形成
され、垂直転送電極９および１０は一点鎖線で示すよう
に第２層目のポリシリコン膜で形成され、垂直転送電極
１１は実線で示すように第３層目のポリシリコン膜で形
成されている。また、垂直最終転送電極２０は第１層目
のポリシリコン膜で形成されている。さらに、水平蓄積
電極１８ａおよび１８ｂは第２層目のポリシリコン膜で
形成され、水平障壁電極１９ａおよび１９ｂは第３層目
のポリシリコン膜で形成されている。
層のポリシリコン膜から形成されている。形成方法につ
いては後述する。なお、ポリシリコン膜の形成順序は、
第１層目、第２層目、第３層目の順とする。垂直転送電
極８は点線で示すように第１目のポリシリコン膜で形成
され、垂直転送電極９および１０は一点鎖線で示すよう
に第２層目のポリシリコン膜で形成され、垂直転送電極
１１は実線で示すように第３層目のポリシリコン膜で形
成されている。また、垂直最終転送電極２０は第１層目
のポリシリコン膜で形成されている。さらに、水平蓄積
電極１８ａおよび１８ｂは第２層目のポリシリコン膜で
形成され、水平障壁電極１９ａおよび１９ｂは第３層目
のポリシリコン膜で形成されている。
【００２３】ここで注目すべき点は、アクティブ領域内
においては、第１層目のポリシリコン膜からなる垂直最
終転送電極２０の水平ＣＣＤ側の側壁は、絶縁膜を介し
て、第２層目のポリシリコン膜からなる水平蓄積電極１
８ａで完全に覆われていることである。さらに、垂直最
終転送電極２０の垂直ＣＣＤ側の側壁も、絶縁膜を介し
て、第２層目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極１
０で完全に覆われている。なお、画素の垂直転送電極の
構成は図１１で示した従来例と同様であり、第１層目の
ポリシリコン膜からなる垂直転送電極８の側壁は、第２
層目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極９および１
０で完全に覆われている。
においては、第１層目のポリシリコン膜からなる垂直最
終転送電極２０の水平ＣＣＤ側の側壁は、絶縁膜を介し
て、第２層目のポリシリコン膜からなる水平蓄積電極１
８ａで完全に覆われていることである。さらに、垂直最
終転送電極２０の垂直ＣＣＤ側の側壁も、絶縁膜を介し
て、第２層目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極１
０で完全に覆われている。なお、画素の垂直転送電極の
構成は図１１で示した従来例と同様であり、第１層目の
ポリシリコン膜からなる垂直転送電極８の側壁は、第２
層目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極９および１
０で完全に覆われている。
【００２４】このように第１の実施の形態によれば、ア
クティブ領域内では、第１層目のポリシリコン膜の側壁
はすべて第２層目のポリシリコン膜で覆われているた
め、第１層目のポリシリコン膜の側壁部において第２層
目のポリシリコン膜のエッチング残りは発生しない。し
たがって、第２層目のポリシリコン膜からなる異なる転
送パルスの印加される転送電極同士の電気的な短絡が抑
制され、製造歩留まりが向上する。
クティブ領域内では、第１層目のポリシリコン膜の側壁
はすべて第２層目のポリシリコン膜で覆われているた
め、第１層目のポリシリコン膜の側壁部において第２層
目のポリシリコン膜のエッチング残りは発生しない。し
たがって、第２層目のポリシリコン膜からなる異なる転
送パルスの印加される転送電極同士の電気的な短絡が抑
制され、製造歩留まりが向上する。
【００２５】次に、撮像領域の外側における垂直転送電
極と垂直バスラインとの接続構成について説明する。図
２は、本発明の第２の実施の形態の撮像装置における、
配線領域の垂直転送電極と垂直バスラインとの接続部の
構成図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２
（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）
におけるＣ−Ｃ断面図である。ここでは、垂直ＣＣＤ５
が４相の垂直転送パルスにより駆動される場合を示して
いる。
極と垂直バスラインとの接続構成について説明する。図
２は、本発明の第２の実施の形態の撮像装置における、
配線領域の垂直転送電極と垂直バスラインとの接続部の
構成図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２
（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）
におけるＣ−Ｃ断面図である。ここでは、垂直ＣＣＤ５
が４相の垂直転送パルスにより駆動される場合を示して
いる。
【００２６】図２（ａ）に示されるように、各垂直転送
電極８〜１１は配線領域まで延びており、垂直転送電極
と直交して設けられた垂直バスライン２２〜２５とそれ
ぞれコンタクト孔２６により接続されている。各垂直転
送電極８〜１１の下部には図２（ｂ）に示すように、数
百ｎｍ〜２μｍの厚い絶縁膜２７が形成されている。こ
のように、通常、配線領域は厚い絶縁膜２７の形成され
たフィールド領域に設けられる。なお、本明細書の記述
の上では、アクティブ領域以外の領域をフィールド領域
とする。また、ここでは撮像領域の右側の配線構成につ
いて説明したが、撮像領域の左側についても同様であ
る。尚図２において１４はシリコン基板上に形成された
Ｐ型ウェルである。
電極８〜１１は配線領域まで延びており、垂直転送電極
と直交して設けられた垂直バスライン２２〜２５とそれ
ぞれコンタクト孔２６により接続されている。各垂直転
送電極８〜１１の下部には図２（ｂ）に示すように、数
百ｎｍ〜２μｍの厚い絶縁膜２７が形成されている。こ
のように、通常、配線領域は厚い絶縁膜２７の形成され
たフィールド領域に設けられる。なお、本明細書の記述
の上では、アクティブ領域以外の領域をフィールド領域
とする。また、ここでは撮像領域の右側の配線構成につ
いて説明したが、撮像領域の左側についても同様であ
る。尚図２において１４はシリコン基板上に形成された
Ｐ型ウェルである。
【００２７】図２（ａ）から明らかなように、配線領域
では、垂直転送電極８の側壁が垂直転送電極９および１
０で完全には覆われていない。これは、垂直転送電極９
および１０には異なる垂直転送パルスが印加されるため
である。したがって、第１層目のポリシリコン膜の側壁
に沿って第２層目のポリシリコン膜のエッチング残りが
生じ、垂直転送電極９および１０が電気的短絡する恐れ
がある。
では、垂直転送電極８の側壁が垂直転送電極９および１
０で完全には覆われていない。これは、垂直転送電極９
および１０には異なる垂直転送パルスが印加されるため
である。したがって、第１層目のポリシリコン膜の側壁
に沿って第２層目のポリシリコン膜のエッチング残りが
生じ、垂直転送電極９および１０が電気的短絡する恐れ
がある。
【００２８】ところで、電気的短絡は、第２層目のポリ
シリコン膜によって覆われていない第１層目のポリシリ
コン膜の側壁部の長さＬが短い程発生し易いと考えられ
る。そこで、図２に示した本発明の第２の実施の形態で
は、長さＬをより長くするため、第１層目のポリシリコ
ン膜からなる垂直転送電極８を撮像領域から最も離れた
位置の垂直バスライン２５と接続できる位置まで延在さ
せ、かつ、第２層目のポリシリコン膜からなる垂直転送
電極１０および９を撮像領域に最も近い位置の垂直バス
ライン２２およびその次に近い位置の垂直バスライン２
３と接続できる位置まで延在させている。ここで、垂直
転送電極９および１０と垂直バスライン２２および２３
との接続の仕方は逆でもよい。
シリコン膜によって覆われていない第１層目のポリシリ
コン膜の側壁部の長さＬが短い程発生し易いと考えられ
る。そこで、図２に示した本発明の第２の実施の形態で
は、長さＬをより長くするため、第１層目のポリシリコ
ン膜からなる垂直転送電極８を撮像領域から最も離れた
位置の垂直バスライン２５と接続できる位置まで延在さ
せ、かつ、第２層目のポリシリコン膜からなる垂直転送
電極１０および９を撮像領域に最も近い位置の垂直バス
ライン２２およびその次に近い位置の垂直バスライン２
３と接続できる位置まで延在させている。ここで、垂直
転送電極９および１０と垂直バスライン２２および２３
との接続の仕方は逆でもよい。
【００２９】このような垂直転送電極構成にすることに
より、第１層目のポリシリコン膜の側壁に第２層目のポ
リシリコン膜のエッチング残りが発生し、電気的短絡が
生じやすい状態になった場合でも、長さＬを長く確保し
ているため電気的短絡の程度が低減される。ここで、低
減の効果を見積もる。最も電気的短絡が生じやすい垂直
転送電極構成（図示しない）は、第１層目のポリシリコ
ン膜からなる垂直転送電極が、他の層のポリシリコン膜
からなる垂直転送電極よりも撮像領域に近い側までしか
延在していない場合である。この時の長さＬは、第１層
目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極に重なる２つ
の第２層目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極の間
隔と等価であり、通常１μｍ程度である。一方、図２に
示した垂直転送電極構成にすれば、長さＬを数１０μｍ
にすることが可能なため、電気的短絡不良を数１０分の
１に低減できる。
より、第１層目のポリシリコン膜の側壁に第２層目のポ
リシリコン膜のエッチング残りが発生し、電気的短絡が
生じやすい状態になった場合でも、長さＬを長く確保し
ているため電気的短絡の程度が低減される。ここで、低
減の効果を見積もる。最も電気的短絡が生じやすい垂直
転送電極構成（図示しない）は、第１層目のポリシリコ
ン膜からなる垂直転送電極が、他の層のポリシリコン膜
からなる垂直転送電極よりも撮像領域に近い側までしか
延在していない場合である。この時の長さＬは、第１層
目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極に重なる２つ
の第２層目のポリシリコン膜からなる垂直転送電極の間
隔と等価であり、通常１μｍ程度である。一方、図２に
示した垂直転送電極構成にすれば、長さＬを数１０μｍ
にすることが可能なため、電気的短絡不良を数１０分の
１に低減できる。
【００３０】なお、垂直転送パルスが４相以上であって
も、上述のように長さＬが長くなるような垂直転送電極
構成にすることで、第２層目のポリシリコン膜からなる
垂直転送電極同士の電気的短絡を抑制できることは明白
である。
も、上述のように長さＬが長くなるような垂直転送電極
構成にすることで、第２層目のポリシリコン膜からなる
垂直転送電極同士の電気的短絡を抑制できることは明白
である。
【００３１】つぎに、さらに歩留まりを向上させるため
のデバイスの製造方法を説明する。図３〜図９は、本発
明の第３の実施の形態の撮像装置の製造方法を説明する
ための図である。ここで、図３〜図５、図８、および図
９は、図２に示した平面図および断面図にそれぞれ対応
しており、図６および図７は図２の平面図に対応してい
る。ここで示した製造工程は垂直転送電極と垂直バスラ
インとの接続部の形成方法のみであるが、その他の画素
の製造方法などについては一般的な製造方法と同様であ
る。
のデバイスの製造方法を説明する。図３〜図９は、本発
明の第３の実施の形態の撮像装置の製造方法を説明する
ための図である。ここで、図３〜図５、図８、および図
９は、図２に示した平面図および断面図にそれぞれ対応
しており、図６および図７は図２の平面図に対応してい
る。ここで示した製造工程は垂直転送電極と垂直バスラ
インとの接続部の形成方法のみであるが、その他の画素
の製造方法などについては一般的な製造方法と同様であ
る。
【００３２】まず、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、
シリコン基板上にＰ型ウェル１４を形成したのち、酸化
膜や窒化膜からなる厚い絶縁膜２７を形成する。次でこ
の厚い絶縁膜２７上に第１層目のポリシリコン膜を全面
に形成した後、レジストマスク（図示しない）を用いて
エッチングし、垂直転送電極８を形成する。続いて、図
４（ａ）〜（ｃ）に示すように、垂直転送電極８の周囲
に、熱酸化あるいはＣＶＤ（化学気相成長）などにより
絶縁膜を形成する。その後、第２層目のポリシリコン膜
を全面に形成する。続いて、図５（ａ）〜（ｃ）に示す
ように、レジストマスク（図示しない）を用いて第２層
目のポリシリコン膜をエッチングし、垂直転送電極９お
よび１０を形成する。この際、エッチングが不十分であ
ると、第１層目のポリシリコン膜の側壁部に第２層目の
ポリシリコン膜のエッチング残り２８が生じる。
シリコン基板上にＰ型ウェル１４を形成したのち、酸化
膜や窒化膜からなる厚い絶縁膜２７を形成する。次でこ
の厚い絶縁膜２７上に第１層目のポリシリコン膜を全面
に形成した後、レジストマスク（図示しない）を用いて
エッチングし、垂直転送電極８を形成する。続いて、図
４（ａ）〜（ｃ）に示すように、垂直転送電極８の周囲
に、熱酸化あるいはＣＶＤ（化学気相成長）などにより
絶縁膜を形成する。その後、第２層目のポリシリコン膜
を全面に形成する。続いて、図５（ａ）〜（ｃ）に示す
ように、レジストマスク（図示しない）を用いて第２層
目のポリシリコン膜をエッチングし、垂直転送電極９お
よび１０を形成する。この際、エッチングが不十分であ
ると、第１層目のポリシリコン膜の側壁部に第２層目の
ポリシリコン膜のエッチング残り２８が生じる。
【００３３】そこで、第１層目のポリシリコン膜の側壁
部近傍のみ開口されたレジストマスクを用いて追加エッ
チングを行うことでエッチング残り２８を完全に除去す
る。このときのレジストマスクパターンは、図６に示す
ような、第１層目のポリシリコン膜の側壁部を取り囲む
ようなパターン２９、あるいは、図７に示すような、第
１層目のポリシリコン膜の側壁部および上部を含む四角
いパターン３０などを用いる。
部近傍のみ開口されたレジストマスクを用いて追加エッ
チングを行うことでエッチング残り２８を完全に除去す
る。このときのレジストマスクパターンは、図６に示す
ような、第１層目のポリシリコン膜の側壁部を取り囲む
ようなパターン２９、あるいは、図７に示すような、第
１層目のポリシリコン膜の側壁部および上部を含む四角
いパターン３０などを用いる。
【００３４】続いて、図８（ａ）〜（ｃ）に示すよう
に、垂直転送電極９および１０の周囲に、熱酸化あるい
はＣＶＤなどにより絶縁膜を形成する。その後、第３層
目のポリシリコン膜を全面に形成した後、レジストマス
ク（図示しない）を用いてエッチングし、垂直転送電極
１１を形成する。さらに、図９（ａ）〜（ｃ）に示すよ
うに、ＣＶＤなどにより絶縁膜を形成したのち、レジス
トマスク（図示しない）を用いてドライエッチングなど
によりコンタクト孔２６を開口する。その後、図２
（ａ）〜（ｃ）に示すように、アルミニウム膜やタング
ステン膜などの金属からなる垂直バスライン２２〜２５
を形成し、さらに酸化シリコン膜や窒化シリコン膜など
からカバー膜（図示しない）を形成し固体撮像装置を完
成させる。
に、垂直転送電極９および１０の周囲に、熱酸化あるい
はＣＶＤなどにより絶縁膜を形成する。その後、第３層
目のポリシリコン膜を全面に形成した後、レジストマス
ク（図示しない）を用いてエッチングし、垂直転送電極
１１を形成する。さらに、図９（ａ）〜（ｃ）に示すよ
うに、ＣＶＤなどにより絶縁膜を形成したのち、レジス
トマスク（図示しない）を用いてドライエッチングなど
によりコンタクト孔２６を開口する。その後、図２
（ａ）〜（ｃ）に示すように、アルミニウム膜やタング
ステン膜などの金属からなる垂直バスライン２２〜２５
を形成し、さらに酸化シリコン膜や窒化シリコン膜など
からカバー膜（図示しない）を形成し固体撮像装置を完
成させる。
【００３５】以上のように、第１層目のポリシリコン膜
の側壁部に第２層目のエッチング残りが発生した場合で
も、追加エッチングすることでエッチング残りを完全に
除去できるため、電気的短絡は完全に回避できる。ま
た、追加エッチングに用いるレジストマスクパターンは
数μｍ以上の大きさで形成でき、特に精度の必要な目合
わせも必要ないため、極めて容易にパターニングでき
る。さらに、この領域は厚い絶縁膜の形成されたフィー
ルド領域であるため、追加エッチングによるダメージで
デバイス特性が劣化することはない。
の側壁部に第２層目のエッチング残りが発生した場合で
も、追加エッチングすることでエッチング残りを完全に
除去できるため、電気的短絡は完全に回避できる。ま
た、追加エッチングに用いるレジストマスクパターンは
数μｍ以上の大きさで形成でき、特に精度の必要な目合
わせも必要ないため、極めて容易にパターニングでき
る。さらに、この領域は厚い絶縁膜の形成されたフィー
ルド領域であるため、追加エッチングによるダメージで
デバイス特性が劣化することはない。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、垂
直転送電極を構成する３層のポリシリコン膜のうち、第
１層目のポリシリコン膜の側壁部に沿う、異なるパルス
の印加される第２層目のポリシリコン膜間の距離を長く
確保できるため、第１層目のポリシリコン膜の側壁部に
形成される第２層目のポリシリコン膜のエッチング残り
による電気的短絡を低減できる。さらに、第２層目のポ
リシリコン膜のエッチング残りが発生すると考えられる
部分を局所的に追加エッチングすることで、完全にエッ
チング残りを除去できるため、電気的短絡を回避でき
る。この場合、追加エッチングする箇所はフィールド領
域のため、エッチングダメージによりデバイス特性を劣
化させることがない。さらに、追加エッチングをする箇
所は、数μｍ以上の大きいパターンであるため露光の目
合わせ精度を特に必要とせず、エッチングの制御精度も
特に必要ない。したがって、工程が増えても、固体撮像
装置の製造歩留まりの向上が図られるうえ、その増加工
程もそれほど精度を必要としないため効果的である。
直転送電極を構成する３層のポリシリコン膜のうち、第
１層目のポリシリコン膜の側壁部に沿う、異なるパルス
の印加される第２層目のポリシリコン膜間の距離を長く
確保できるため、第１層目のポリシリコン膜の側壁部に
形成される第２層目のポリシリコン膜のエッチング残り
による電気的短絡を低減できる。さらに、第２層目のポ
リシリコン膜のエッチング残りが発生すると考えられる
部分を局所的に追加エッチングすることで、完全にエッ
チング残りを除去できるため、電気的短絡を回避でき
る。この場合、追加エッチングする箇所はフィールド領
域のため、エッチングダメージによりデバイス特性を劣
化させることがない。さらに、追加エッチングをする箇
所は、数μｍ以上の大きいパターンであるため露光の目
合わせ精度を特に必要とせず、エッチングの制御精度も
特に必要ない。したがって、工程が増えても、固体撮像
装置の製造歩留まりの向上が図られるうえ、その増加工
程もそれほど精度を必要としないため効果的である。
【図１】本発明の第１の実の形態の撮像装置における、
垂直ＣＣＤと水平ＣＣＤの接続部を示す平面図である。
垂直ＣＣＤと水平ＣＣＤの接続部を示す平面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の撮像装置におけ
る、配線部分における平面図及び断面図である。
る、配線部分における平面図及び断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態の撮像装置におけ
る、配線部分の製造方法を説明する為の平面図及び断面
図である。
る、配線部分の製造方法を説明する為の平面図及び断面
図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の撮像装置におけ
る、配線部分の製造方法を説明する為の平面図及び断面
図である。
る、配線部分の製造方法を説明する為の平面図及び断面
図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態の撮像装置におけ
る、配線部分の製造方法を説明する為の平面図及び断面
図である。
る、配線部分の製造方法を説明する為の平面図及び断面
図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態の撮像装置におけ
る、配線部分の製造方法に用いるマスクパターンを示す
図である。
る、配線部分の製造方法に用いるマスクパターンを示す
図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態の撮像装置におけ
る、配線部分の製造方法に用いる他のマスクパターンを
示す図である。
る、配線部分の製造方法に用いる他のマスクパターンを
示す図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態の撮像装置におけ
る、配線部分の製造方法を説明する為の平面図及び断面
図である。
る、配線部分の製造方法を説明する為の平面図及び断面
図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態の撮像装置におけ
る、配線部分の製造方法を説明する為の平面図及び断面
図である。
る、配線部分の製造方法を説明する為の平面図及び断面
図である。
【図１０】従来の全画素同時読みだし方式インターライ
ン型ＣＣＤ撮像装置の平面図である。
ン型ＣＣＤ撮像装置の平面図である。
【図１１】全画素同時読み出し方式に対応した一般的な
撮像装置における、画素の平面図及び断面図である。
撮像装置における、画素の平面図及び断面図である。
【図１２】水平ＣＣＤの電荷転送方向の断面図である。
【図１３】従来の撮像装置の垂直ＣＣＤと水平ＣＣＤの
接続部の平面図である。
接続部の平面図である。
【図１４】従来の撮像装置の垂直ＣＣＤと水平ＣＣＤの
接続部の斜視図である。
接続部の斜視図である。
１ 撮像領域 ２ 水平ＣＣＤ ３ 出力部（電荷検出部） ４ フォトダイオード ５ 垂直ＣＣＤ ６ トランスファーゲート領域 ７ 素子分離領域 ８〜１１ 垂直転送電極 １２ 読み出し電極 １３ Ｎ型シリコン基板 １４ Ｐ型ウェル １５ Ｎ型埋め込み層 １６，２７ 絶縁膜 １７ Ｎ- 型埋め込み層 １８ 水平蓄積電極 １９ 水平障壁電極 ２０ 垂直最終転送電極 ２１ 側壁部 ２２〜２５ 垂直バスライン ２６ コンタクト孔 ２７ 厚い絶縁膜（フィールド絶縁膜） ２８ 第２層目のポリシリコン膜のエッチング残り ２９ 第２層目のポリシリコン膜を局所的に追加エッ
チングするパターンの第１例 ３０ 第２層目のポリシリコン膜を局所的に追加エッ
チングするパターンの第２例
チングするパターンの第１例 ３０ 第２層目のポリシリコン膜を局所的に追加エッ
チングするパターンの第２例
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板の一主面上に２次元マトリッ
クス状に配列された光電変換素子群と、該光電変換素子
に蓄積された信号電荷をトランスファーゲート部を介し
て垂直方向へ転送する複数列の垂直ＣＣＤと、該垂直Ｃ
ＣＤの一方の端部に対応して設けられ信号電荷を水平方
向に転送する水平ＣＣＤと、該水平ＣＣＤに転送された
信号電荷を検出し出力する電荷検出部とを有し、前記垂
直ＣＣＤの垂直転送電極が絶縁膜で分離された３層のポ
リシリコン膜からなる固体撮像装置において、前記光電
変換素子群と前記垂直ＣＣＤと前記トランスファーゲー
ト部と前記水平ＣＣＤとからなるアクティブ領域におけ
る第１層目のポリシリコン膜の側壁が第２層目のポリシ
リコン膜により覆われていることを特徴とする固体撮像
装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の固体撮像装置を製造する
方法であって、第２層目のポリシリコン膜が第１層目の
ポリシリコン膜より後工程で、かつ、第３層目のポリシ
リコン膜より前工程で形成されることを特徴とする固体
撮像装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の方法により製造された固
体撮像装置であって、垂直転送電極のうち、絶縁膜を介
して水平転送電極に接する垂直最終転送電極が、第１層
目のポリシリコン膜で形成されていることを特徴とする
固体撮像装置。 - 【請求項４】 垂直最終転送電極に絶縁膜を介して接す
る水平転送電極が、第２層目のポリシリコン膜から形成
されていることを特徴とする請求項３記載の固体撮像装
置。 - 【請求項５】 アクティブ領域からその周囲のフィール
ド領域へ延在する垂直転送電極のうち、第２層目のポリ
シリコン膜からなる垂直転送電極の延在する長さが最大
であることを特徴とする請求項５記載の固体撮像装置。 - 【請求項６】 アクティブ領域からフィールド領域へ延
在する垂直転送電極のうち第１層目のポリシリコン膜か
らなる垂直転送電極の延在する長さが最大であることを
特徴とする請求項５記載の固体撮像装置。 - 【請求項７】 請求項４記載の固体撮像装置を製造する
方法であって、第２層目のポリシリコン膜をパターニン
グした後、絶縁膜を形成する前に、フィールド領域上に
形成された第１層目のポリシリコン膜の側壁部分の一部
を選択的にエッチングすることを特徴とする請求項４記
載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9165802A JP2894323B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US09/102,566 US6441853B1 (en) | 1997-06-23 | 1998-06-23 | Solid-state image sensor having vertical transfer electrodes protected from short circuiting |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9165802A JP2894323B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1118011A true JPH1118011A (ja) | 1999-01-22 |
| JP2894323B2 JP2894323B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=15819279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9165802A Expired - Fee Related JP2894323B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6441853B1 (ja) |
| JP (1) | JP2894323B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4397989B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2010-01-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体エネルギー検出器 |
| US6693671B1 (en) * | 2000-03-22 | 2004-02-17 | Eastman Kodak Company | Fast-dump structure for full-frame image sensors with lod antiblooming structures |
| JP2007115912A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2009076746A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、撮像装置、及び固体撮像素子の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0419752A (ja) | 1990-05-15 | 1992-01-23 | Fujitsu Ltd | 電子写真感光体 |
| JP2845216B2 (ja) * | 1996-09-27 | 1999-01-13 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2914496B2 (ja) * | 1996-12-05 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子 |
-
1997
- 1997-06-23 JP JP9165802A patent/JP2894323B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-23 US US09/102,566 patent/US6441853B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6441853B1 (en) | 2002-08-27 |
| JP2894323B2 (ja) | 1999-05-24 |
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