JPH11176748A - 半導体装置製造設備のケミカル噴射装置及びその装置に使用される廃液槽 - Google Patents
半導体装置製造設備のケミカル噴射装置及びその装置に使用される廃液槽Info
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- JPH11176748A JPH11176748A JP20631398A JP20631398A JPH11176748A JP H11176748 A JPH11176748 A JP H11176748A JP 20631398 A JP20631398 A JP 20631398A JP 20631398 A JP20631398 A JP 20631398A JP H11176748 A JPH11176748 A JP H11176748A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 現像設備の現像液噴射が行われた後、サック
バック動作で現像液によって汚染の恐れがあるゼネレー
ターに純水を供給して現像液を洗浄し、廃液を容易に排
出するようにする廃液槽を備える半導体装置製造設備の
ケミカル噴射装置を提供する。 【解決手段】 開閉手段と廃液槽５２の間の配管に設置
されて、サックバック動作のための廃液槽の方への空気
流の流れを発生させるゼネレーター４２、開閉手段とゼ
ネレーター４２の間に設置されサックバック動作時ゼネ
レーター４２の空気流による吸引力が作用することによ
ってゼネレーター４２の方に純水を供給する純水供給部
４０、及び開閉手段の開閉信号を受けてそれに連動され
た純水供給のための信号を純水供給部４０に与える純水
制御回路５１を備える。従って、ゼネレーター４２に純
水を供給して洗浄することでケミカルによる腐食及びそ
れによる事故が防止される。
バック動作で現像液によって汚染の恐れがあるゼネレー
ターに純水を供給して現像液を洗浄し、廃液を容易に排
出するようにする廃液槽を備える半導体装置製造設備の
ケミカル噴射装置を提供する。 【解決手段】 開閉手段と廃液槽５２の間の配管に設置
されて、サックバック動作のための廃液槽の方への空気
流の流れを発生させるゼネレーター４２、開閉手段とゼ
ネレーター４２の間に設置されサックバック動作時ゼネ
レーター４２の空気流による吸引力が作用することによ
ってゼネレーター４２の方に純水を供給する純水供給部
４０、及び開閉手段の開閉信号を受けてそれに連動され
た純水供給のための信号を純水供給部４０に与える純水
制御回路５１を備える。従って、ゼネレーター４２に純
水を供給して洗浄することでケミカルによる腐食及びそ
れによる事故が防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造設備
のケミカル噴射装置及びその装置に使用される廃液槽に
関するもので、より詳しくは現像設備の現像液噴射が行
われた後、サックバック動作で現像液またはそのガスに
よって汚染の恐れがあるゼネレーターに純水を供給して
現像液を洗い、廃液を容易に排出するようにする廃液槽
を提供する半導体装置製造設備のケミカル噴射装置及び
その装置に使用される廃液槽に関するものである。
のケミカル噴射装置及びその装置に使用される廃液槽に
関するもので、より詳しくは現像設備の現像液噴射が行
われた後、サックバック動作で現像液またはそのガスに
よって汚染の恐れがあるゼネレーターに純水を供給して
現像液を洗い、廃液を容易に排出するようにする廃液槽
を提供する半導体装置製造設備のケミカル噴射装置及び
その装置に使用される廃液槽に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の現像液噴射装置は、図１に示すよ
うに、サックバックのためのサックバック配管１０にエ
アーバルブ１１がソレノイドバルブ１２を備えたまま連
結され、エアーバルブ１１にはゼネレーター１３が連結
され、ゼネレーター１３が作動するとエアーバルブ１１
が開いてノズル１４端部の現像液が吸入される。このよ
うに吸入された現像液は廃液槽１６に流入し廃液処理さ
れる。このような一連の処理過程は図示しない制御部に
よって制御される。
うに、サックバックのためのサックバック配管１０にエ
アーバルブ１１がソレノイドバルブ１２を備えたまま連
結され、エアーバルブ１１にはゼネレーター１３が連結
され、ゼネレーター１３が作動するとエアーバルブ１１
が開いてノズル１４端部の現像液が吸入される。このよ
うに吸入された現像液は廃液槽１６に流入し廃液処理さ
れる。このような一連の処理過程は図示しない制御部に
よって制御される。
【０００３】より詳細に説明すれば、現像液供給槽１８
に連結されたノズル１４を通じて、モータ２０上のプレ
ート上に置かれて回転するウェーハ２２上に現像液が噴
射される。噴射された現像液は所定の時間が経過すると
硬化し、ウェーハ２２はアンローディングされて後続工
程に移送される。しかし、現像液噴射が完了したノズル
１４端部には現像液が水滴状態に残留し、現像液の水滴
がウェーハ２２上に落ちると現像不良の原因として作用
して後続工程に影響を与える。
に連結されたノズル１４を通じて、モータ２０上のプレ
ート上に置かれて回転するウェーハ２２上に現像液が噴
射される。噴射された現像液は所定の時間が経過すると
硬化し、ウェーハ２２はアンローディングされて後続工
程に移送される。しかし、現像液噴射が完了したノズル
１４端部には現像液が水滴状態に残留し、現像液の水滴
がウェーハ２２上に落ちると現像不良の原因として作用
して後続工程に影響を与える。
【０００４】前記現像液の噴射が完了するとゼネレータ
ー１３が作動して空気流が形成され、密閉されている廃
液槽１６を通じているサックバック配管１０に前記空気
流による所定真空が設定されてノズル１４端部の現像液
が吸入されるサックバック（Suck Back）が行われる。
現像液はサックバックでノズル１４端部から供給管に２
ｍｍ〜３ｍｍに吸い込まれてノズル１４の部位で現像液
が硬化することを防止する。
ー１３が作動して空気流が形成され、密閉されている廃
液槽１６を通じているサックバック配管１０に前記空気
流による所定真空が設定されてノズル１４端部の現像液
が吸入されるサックバック（Suck Back）が行われる。
現像液はサックバックでノズル１４端部から供給管に２
ｍｍ〜３ｍｍに吸い込まれてノズル１４の部位で現像液
が硬化することを防止する。
【０００５】工程が繰り返されてサックバックによって
廃液槽１６に流入される現像液の量が徐々に増加するよ
うになる。しかし、廃液槽１６内部には現像液の水位を
感知するレベルセンサー２４が設置されており廃液槽１
６の内部で現像液の水位が一定値を上回るとレベルセン
サー２４が作動して制御部によって警報動作が行われ
る。作業者は、警報が発生すると廃液槽１６が満たされ
たことを判断して廃液を排出する。
廃液槽１６に流入される現像液の量が徐々に増加するよ
うになる。しかし、廃液槽１６内部には現像液の水位を
感知するレベルセンサー２４が設置されており廃液槽１
６の内部で現像液の水位が一定値を上回るとレベルセン
サー２４が作動して制御部によって警報動作が行われ
る。作業者は、警報が発生すると廃液槽１６が満たされ
たことを判断して廃液を排出する。
【０００６】しかし従来の廃液排出は、設備の作動を止
めた状態で、密閉されている廃液槽１６を分解して排出
しなければならないという不便さがあった。また、サッ
クバック動作を遂行するゼネレーター１３内部に現像液
ガスが流入してゼネレーター１３内部はガスによって腐
食されるか、沈着物によってゼネレーター１３が詰まり
動作しないという事故が発生した。これは工程が中断さ
れる要因となり、事故収拾による非稼動時間が増加する
などの問題があった。
めた状態で、密閉されている廃液槽１６を分解して排出
しなければならないという不便さがあった。また、サッ
クバック動作を遂行するゼネレーター１３内部に現像液
ガスが流入してゼネレーター１３内部はガスによって腐
食されるか、沈着物によってゼネレーター１３が詰まり
動作しないという事故が発生した。これは工程が中断さ
れる要因となり、事故収拾による非稼動時間が増加する
などの問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、サッ
クバック動作を遂行するゼネレーターの内部に純水を供
給して現像液を洗浄することでゼネレーターの腐食及び
それによる事故を防止し、現像液噴射時発生する廃液の
処理を容易にする廃液槽を提供する半導体装置製造設備
のケミカル噴射装置及びその装置に使用される廃液層を
提供することにある。
クバック動作を遂行するゼネレーターの内部に純水を供
給して現像液を洗浄することでゼネレーターの腐食及び
それによる事故を防止し、現像液噴射時発生する廃液の
処理を容易にする廃液槽を提供する半導体装置製造設備
のケミカル噴射装置及びその装置に使用される廃液層を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体製造設備のケミカル噴射装置は、ウェーハ上にケ
ミカルを噴射する噴射部のノズルと連結されるサックバ
ック配管が構成され、サックバック配管にサックバック
のためのケミカルの廃液槽への排出を断続する第１開閉
手段を備える半導体装置製造設備のケミカル噴射装置に
おいて、第１開閉手段と廃液槽の間の配管に設置され、
サックバック動作のための空気流の流れを廃液槽の方へ
発生させるゼネレーターと、第１開閉手段とゼネレータ
ーの間に設置され、サックバック動作時、ゼネレーター
の空気流による吸引力によってゼネレーターの方に純水
を供給する純水供給部と、第１開閉手段の開閉信号を受
けてそれに連動した純水供給のための信号を純水供給部
に与える純水制御回路とを備える。
半導体製造設備のケミカル噴射装置は、ウェーハ上にケ
ミカルを噴射する噴射部のノズルと連結されるサックバ
ック配管が構成され、サックバック配管にサックバック
のためのケミカルの廃液槽への排出を断続する第１開閉
手段を備える半導体装置製造設備のケミカル噴射装置に
おいて、第１開閉手段と廃液槽の間の配管に設置され、
サックバック動作のための空気流の流れを廃液槽の方へ
発生させるゼネレーターと、第１開閉手段とゼネレータ
ーの間に設置され、サックバック動作時、ゼネレーター
の空気流による吸引力によってゼネレーターの方に純水
を供給する純水供給部と、第１開閉手段の開閉信号を受
けてそれに連動した純水供給のための信号を純水供給部
に与える純水制御回路とを備える。
【０００９】本発明の請求項２記載の半導体設備のケミ
カル噴射装置によると、ゼネレーターは、第１開閉手段
から流入するケミカルと純水供給部から純水が流入する
配管と、サックバックのための空気流が流入する配管
と、ケミカル、純水及び空気流を廃液槽に流入する配管
とが連結される。
カル噴射装置によると、ゼネレーターは、第１開閉手段
から流入するケミカルと純水供給部から純水が流入する
配管と、サックバックのための空気流が流入する配管
と、ケミカル、純水及び空気流を廃液槽に流入する配管
とが連結される。
【００１０】本発明の請求項３記載の半導体設備のケミ
カル噴射装置によると、純水供給部は、第１開閉手段と
ゼネレーターが連結される配管から分岐して設置され、
純水の流量を制御する流速制御機、及び流速制御機に連
結されて純水制御回路から与えられる信号により純水の
供給を開閉する第２開閉手段を備える。
カル噴射装置によると、純水供給部は、第１開閉手段と
ゼネレーターが連結される配管から分岐して設置され、
純水の流量を制御する流速制御機、及び流速制御機に連
結されて純水制御回路から与えられる信号により純水の
供給を開閉する第２開閉手段を備える。
【００１１】本発明の請求項４記載の半導体設備のケミ
カル噴射装置によると、純水制御回路は、第２開閉手段
の開閉をサックバックが始まると同時に純水をゼネレー
ターに供給して洗浄し、サックバックが終了した後にも
所定の時間の間さらに供給するように信号を与える。
カル噴射装置によると、純水制御回路は、第２開閉手段
の開閉をサックバックが始まると同時に純水をゼネレー
ターに供給して洗浄し、サックバックが終了した後にも
所定の時間の間さらに供給するように信号を与える。
【００１２】本発明の請求項５記載の半導体設備のケミ
カル噴射装置によると、廃液槽は、ゼネレーターに連結
されてケミカル、純水及び空気流が流入する流入部と、
空気流を排出する排気部とを備える。
カル噴射装置によると、廃液槽は、ゼネレーターに連結
されてケミカル、純水及び空気流が流入する流入部と、
空気流を排出する排気部とを備える。
【００１３】本発明の請求項６記載の半導体設備のケミ
カル噴射装置によると、廃液槽は、ケミカル及び純水を
排出する排出部と、排出部を断続する第３開閉手段とを
さらに備える。
カル噴射装置によると、廃液槽は、ケミカル及び純水を
排出する排出部と、排出部を断続する第３開閉手段とを
さらに備える。
【００１４】本発明の請求項７記載の半導体設備のケミ
カル噴射装置によると、純水制御回路は、第１開閉手段
の開閉信号の入力を受けて、反転遅延信号を出力する反
転遅延手段と、反転遅延手段に連結されて、第２開閉手
段の開閉を断続するスイッチング手段とを備える。
カル噴射装置によると、純水制御回路は、第１開閉手段
の開閉信号の入力を受けて、反転遅延信号を出力する反
転遅延手段と、反転遅延手段に連結されて、第２開閉手
段の開閉を断続するスイッチング手段とを備える。
【００１５】本発明の請求項８記載の半導体設備のケミ
カル噴射装置によると、反転遅延手段は、単安定マルチ
バイブレーターを備える。本発明の請求項９記載の半導
体設備のケミカル噴射装置によると、反転遅延手段は、
可変抵抗がコンデンサーと並列に連結され、これによっ
て決定される時定数として遅延時間を可変する。
カル噴射装置によると、反転遅延手段は、単安定マルチ
バイブレーターを備える。本発明の請求項９記載の半導
体設備のケミカル噴射装置によると、反転遅延手段は、
可変抵抗がコンデンサーと並列に連結され、これによっ
て決定される時定数として遅延時間を可変する。
【００１６】本発明の請求項１０記載の半導体設備のケ
ミカル噴射装置によると、純水制御回路は、反転遅延手
段に並列で駆動電圧を受けて回路の電源供給の有無を表
示する第１表示手段を備える。
ミカル噴射装置によると、純水制御回路は、反転遅延手
段に並列で駆動電圧を受けて回路の電源供給の有無を表
示する第１表示手段を備える。
【００１７】本発明の請求項１１記載の半導体設備のケ
ミカル噴射装置によると、第１表示手段に並列で連結さ
れ、反転遅延手段の信号が純水供給タイミングである時
発光する第２表示手段をさらに備える。
ミカル噴射装置によると、第１表示手段に並列で連結さ
れ、反転遅延手段の信号が純水供給タイミングである時
発光する第２表示手段をさらに備える。
【００１８】本発明の請求項１２記載の半導体設備のケ
ミカル噴射装置によると、反転遅延手段は、第１開閉手
段から与えられる入力信号が上昇する時、反転出力段の
出力信号が下降する。
ミカル噴射装置によると、反転遅延手段は、第１開閉手
段から与えられる入力信号が上昇する時、反転出力段の
出力信号が下降する。
【００１９】本発明の請求項１３記載の半導体設備のケ
ミカル噴射装置によると、出力信号は、５秒〜１５秒の
間ロー状態を維持してゼネレーターに純水を供給する。
ミカル噴射装置によると、出力信号は、５秒〜１５秒の
間ロー状態を維持してゼネレーターに純水を供給する。
【００２０】本発明の請求項１４記載の半導体装置製造
設備のケミカル噴射装置に使用される廃液槽は、所定の
真空形成のためのゼネレーターを備える半導体装置製造
設備のケミカル噴射装置に使用される廃液槽において、
ゼネレーターに連結されてケミカル、純水及び空気流が
流入する流入部と、空気流が排出される排気部と、ケミ
カル及び純水が排出される排出部とを備える。
設備のケミカル噴射装置に使用される廃液槽は、所定の
真空形成のためのゼネレーターを備える半導体装置製造
設備のケミカル噴射装置に使用される廃液槽において、
ゼネレーターに連結されてケミカル、純水及び空気流が
流入する流入部と、空気流が排出される排気部と、ケミ
カル及び純水が排出される排出部とを備える。
【００２１】本発明の請求項１５記載の半導体装置製造
設備のケミカル噴射装置によると、排出部は、廃液排出
が容易であるようにバルブをさらに備える。本発明の請
求項１６記載の半導体装置製造設備のケミカル噴射装置
によると、廃液槽の上部内壁は、収容される廃液の水位
を感知するセンシング手段をさらに設置する。
設備のケミカル噴射装置によると、排出部は、廃液排出
が容易であるようにバルブをさらに備える。本発明の請
求項１６記載の半導体装置製造設備のケミカル噴射装置
によると、廃液槽の上部内壁は、収容される廃液の水位
を感知するセンシング手段をさらに設置する。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施例を
添付した図面に基づき詳しく説明する。図２によると、
現像液供給槽３０は供給ラインを通じてノズル３２に連
結されている。ノズル３２から所定の距離離れた下部
に、ウェーハ３４がモーター３６の上に連結されたプレ
ート上に置かれている。ノズル３２と近接した供給ライ
ンには分岐したサックバック配管３７を通じて吸入開閉
用エアーバルブ３８が連結されており、エアーバルブ３
８には管を通じて純水供給部４０が連結される。エアー
バルブ３８はソレノイドバルブ４４の開閉によって連動
されるように連結されており、純水供給部４０を経てゼ
ネレーター４２が連結されている。
添付した図面に基づき詳しく説明する。図２によると、
現像液供給槽３０は供給ラインを通じてノズル３２に連
結されている。ノズル３２から所定の距離離れた下部
に、ウェーハ３４がモーター３６の上に連結されたプレ
ート上に置かれている。ノズル３２と近接した供給ライ
ンには分岐したサックバック配管３７を通じて吸入開閉
用エアーバルブ３８が連結されており、エアーバルブ３
８には管を通じて純水供給部４０が連結される。エアー
バルブ３８はソレノイドバルブ４４の開閉によって連動
されるように連結されており、純水供給部４０を経てゼ
ネレーター４２が連結されている。
【００２３】純水供給部４０は、純水供給ラインに流速
制御機４６及びエアーバルブ４８が連結されている。エ
アーバルブ４８にはソレノイドバルブ５０が連結されて
ソレノイドバルブ５０の開閉によって連動する。ソレノ
イドバルブ４４とソレノイドバルブ５０の各端子Ａ、Ｂ
の間には、端子Ａの入力電圧によって、純水の供給及び
供給時間のための端子Ｂの信号を可変させる純水制御回
路５１が連結されている。そして、端子Ａの信号によっ
て端子Ｂに与えられる静電圧（TTLレベル）が変化して
ソレノイドバルブ５０に与えられるように構成されてい
る。
制御機４６及びエアーバルブ４８が連結されている。エ
アーバルブ４８にはソレノイドバルブ５０が連結されて
ソレノイドバルブ５０の開閉によって連動する。ソレノ
イドバルブ４４とソレノイドバルブ５０の各端子Ａ、Ｂ
の間には、端子Ａの入力電圧によって、純水の供給及び
供給時間のための端子Ｂの信号を可変させる純水制御回
路５１が連結されている。そして、端子Ａの信号によっ
て端子Ｂに与えられる静電圧（TTLレベル）が変化して
ソレノイドバルブ５０に与えられるように構成されてい
る。
【００２４】ゼネレーター４２には空気流を供給する管
が連結され、他の一側には廃液槽５２が管を通じて連結
されている。廃液槽５２には空気流が排気される排気管
５４が連結され、廃液排出のための排水管５６がバルブ
５８を備えて連結されている。また、廃液槽５２の内部
には廃液の水位を感知するレベルセンサー６０が備えら
れている。
が連結され、他の一側には廃液槽５２が管を通じて連結
されている。廃液槽５２には空気流が排気される排気管
５４が連結され、廃液排出のための排水管５６がバルブ
５８を備えて連結されている。また、廃液槽５２の内部
には廃液の水位を感知するレベルセンサー６０が備えら
れている。
【００２５】前述したように構成された本実施例は、現
像液噴射完了と同時にゼネレーター４２が作動して、エ
アーバルブ３８が開きサックバック配管３７に所定の真
空が設定されてサックバックが行われる。サックバック
が行われると同時に純水をゼネレーター４２に流入させ
てサックバックによって流入した現像液を洗浄して廃液
槽５２に流入させる。このような一連の処理過程は図示
しない制御部によって制御される。
像液噴射完了と同時にゼネレーター４２が作動して、エ
アーバルブ３８が開きサックバック配管３７に所定の真
空が設定されてサックバックが行われる。サックバック
が行われると同時に純水をゼネレーター４２に流入させ
てサックバックによって流入した現像液を洗浄して廃液
槽５２に流入させる。このような一連の処理過程は図示
しない制御部によって制御される。
【００２６】より具体的には、ウェーハ３４がローディ
ングされると、現像液が現像液供給槽３０から供給管を
通じてウェーハ３４上に噴射される。現像液の噴射は所
定の噴射設定時間の間遂行され、ウェーハ３４上に噴射
された現像液はウェーハの表面の露光されたフォトレジ
スト膜質を部分的に溶解させる。この際、現像液噴射完
了と同時にノズル３２ではサックバック動作が行われる
が、これを現像液が噴射される場合とサックバックが行
われる場合での動作を分けて調べて見ると次のようであ
る。
ングされると、現像液が現像液供給槽３０から供給管を
通じてウェーハ３４上に噴射される。現像液の噴射は所
定の噴射設定時間の間遂行され、ウェーハ３４上に噴射
された現像液はウェーハの表面の露光されたフォトレジ
スト膜質を部分的に溶解させる。この際、現像液噴射完
了と同時にノズル３２ではサックバック動作が行われる
が、これを現像液が噴射される場合とサックバックが行
われる場合での動作を分けて調べて見ると次のようであ
る。
【００２７】先ず、現像液が噴射される場合の動作は現
像液供給槽３０からノズル３２に現像液が供給されてウ
ェーハ３４上に噴射される。この際のエアーバルブ３８
は閉じられており、ゼネレーター４２は作動しない。ま
た、純水も供給されず、所定の噴射設定時間が経過する
と現像液の噴射を停止する。
像液供給槽３０からノズル３２に現像液が供給されてウ
ェーハ３４上に噴射される。この際のエアーバルブ３８
は閉じられており、ゼネレーター４２は作動しない。ま
た、純水も供給されず、所定の噴射設定時間が経過する
と現像液の噴射を停止する。
【００２８】サックバックが行われる場合での動作は前
述した現像液の噴射が完了するのと同時に行われる。先
ず、ゼネレーター４２が作動して空気流の流れによって
配管３７に所定の真空が設定される。前記空気流は、ゼ
ネレーター４２の作動で廃液槽５２に流入されて連結さ
れた配管５４を通じて排気される。
述した現像液の噴射が完了するのと同時に行われる。先
ず、ゼネレーター４２が作動して空気流の流れによって
配管３７に所定の真空が設定される。前記空気流は、ゼ
ネレーター４２の作動で廃液槽５２に流入されて連結さ
れた配管５４を通じて排気される。
【００２９】真空が設定されると同時にエアーバルブ３
８が１秒程度の時間の間開いて、ノズル３２の端部の現
像液が２ｍｍ〜３ｍｍ程度供給管の内部に吸入されるサ
ックバックが行われる。この際、エアーバルブ４８が開
かれながら現像液によってゼネレーター４２が汚染され
ることを防止するために純水が約１０秒の間ゼネレータ
ー４２に供給される。流速制御機４６は純水の流れる速
度を変化させる。
８が１秒程度の時間の間開いて、ノズル３２の端部の現
像液が２ｍｍ〜３ｍｍ程度供給管の内部に吸入されるサ
ックバックが行われる。この際、エアーバルブ４８が開
かれながら現像液によってゼネレーター４２が汚染され
ることを防止するために純水が約１０秒の間ゼネレータ
ー４２に供給される。流速制御機４６は純水の流れる速
度を変化させる。
【００３０】図３及び図４に示すように純水が供給され
る時間は可変である。図３の構成はお互い並列で連結さ
れた可変抵抗ＶＲ１、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２及びリレー６
４に駆動電圧Ｖｃｃが与えられ、可変抵抗ＶＲ１には抵
抗Ｒ３が直列で単安定マルチバイブレーター６２に連結
されている。また、可変抵抗ＶＲ１及び抵抗Ｒ３がコン
デンサーＣ１と並列に連結されて時定数を決定する。そ
して、抵抗Ｒ１にはキャソードが接地された発光ダイオ
ードＬＥＤ１が連結される。
る時間は可変である。図３の構成はお互い並列で連結さ
れた可変抵抗ＶＲ１、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２及びリレー６
４に駆動電圧Ｖｃｃが与えられ、可変抵抗ＶＲ１には抵
抗Ｒ３が直列で単安定マルチバイブレーター６２に連結
されている。また、可変抵抗ＶＲ１及び抵抗Ｒ３がコン
デンサーＣ１と並列に連結されて時定数を決定する。そ
して、抵抗Ｒ１にはキャソードが接地された発光ダイオ
ードＬＥＤ１が連結される。
【００３１】単安定マルチバイブレーター６２のまた他
の入力側は、エアーバルブ４８に与えられる電圧が与え
られる。反転出力端子Ｑ−は、抵抗Ｒ２に直列で連結さ
れた発光ダイオードＬＥＤ２とトランジスターＱ１のベ
ースに直列で連結された抵抗Ｒ４が並列で連結されてい
る。トランジスターＱ１のコレクターはリレー６４に連
結され、エミッタは接地される。リレー６４のスイッチ
ング端子の一端子はソレノイドバルブ５０側の一端子Ｂ
と共通で、他の端子は接地される。前述したように構成
された回路は図４のような波形で動作する。
の入力側は、エアーバルブ４８に与えられる電圧が与え
られる。反転出力端子Ｑ−は、抵抗Ｒ２に直列で連結さ
れた発光ダイオードＬＥＤ２とトランジスターＱ１のベ
ースに直列で連結された抵抗Ｒ４が並列で連結されてい
る。トランジスターＱ１のコレクターはリレー６４に連
結され、エミッタは接地される。リレー６４のスイッチ
ング端子の一端子はソレノイドバルブ５０側の一端子Ｂ
と共通で、他の端子は接地される。前述したように構成
された回路は図４のような波形で動作する。
【００３２】具体的に現像液の噴射が完了するとサック
バックのために端子Ａを通じて単安定マルチバイブレー
ター６２とソレノイドバルブ４４に入力される信号は図
４のようである。端子Ａを通じて与えられる信号にソレ
ノイドバルブ４４が作動してこれに連動されるエアーバ
ルブ３８が１秒の間開くようになる。
バックのために端子Ａを通じて単安定マルチバイブレー
ター６２とソレノイドバルブ４４に入力される信号は図
４のようである。端子Ａを通じて与えられる信号にソレ
ノイドバルブ４４が作動してこれに連動されるエアーバ
ルブ３８が１秒の間開くようになる。
【００３３】そして、純水制御回路５１では端子Ａの信
号がローからハイに変わる時、単安定マルチバイブレー
ター６２の反転出力端子Ｑ−信号はハイから時定数分の
時間の間遅延されてローの状態になる。そうすると、オ
ン状態であったトランジスターＱ１がロー信号が入力さ
れてターンオフされてリレー６４がオフされ、端子Ｂで
の電圧はローからハイ状態を約１０秒程度ソレノイドバ
ルブ５０に与えることが維持される。この状態はゼネレ
ーター４２が作動しながらエアーバルブ４８が開かれ、
純水が供給される時間を意味し、純水が供給される時に
はエアーバルブ３８が閉じられた状態で純水はゼネレー
ター４２の方に流れてライン内部の現像液を洗浄しなが
ら廃液槽５２に排出される。純水の供給時間は可変抵抗
ＶＲ１の調整を通じて変えることができる。
号がローからハイに変わる時、単安定マルチバイブレー
ター６２の反転出力端子Ｑ−信号はハイから時定数分の
時間の間遅延されてローの状態になる。そうすると、オ
ン状態であったトランジスターＱ１がロー信号が入力さ
れてターンオフされてリレー６４がオフされ、端子Ｂで
の電圧はローからハイ状態を約１０秒程度ソレノイドバ
ルブ５０に与えることが維持される。この状態はゼネレ
ーター４２が作動しながらエアーバルブ４８が開かれ、
純水が供給される時間を意味し、純水が供給される時に
はエアーバルブ３８が閉じられた状態で純水はゼネレー
ター４２の方に流れてライン内部の現像液を洗浄しなが
ら廃液槽５２に排出される。純水の供給時間は可変抵抗
ＶＲ１の調整を通じて変えることができる。
【００３４】発光ダイオードＬＥＤ１は赤色発光によっ
て回路の電源供給状態が分かり、緑色の発光ダイオード
ＬＥＤ２は純水が供給される時にのみ発光する。前述し
たように本発明による実施例によると、電源の供給及び
純水の供給の有無を視覚的に確認可能で、現像液による
ゼネレーター４２の汚染を事前に防止することができる
し、廃液槽５２からケミカルを容易に排出することがで
きるという利点がある。
て回路の電源供給状態が分かり、緑色の発光ダイオード
ＬＥＤ２は純水が供給される時にのみ発光する。前述し
たように本発明による実施例によると、電源の供給及び
純水の供給の有無を視覚的に確認可能で、現像液による
ゼネレーター４２の汚染を事前に防止することができる
し、廃液槽５２からケミカルを容易に排出することがで
きるという利点がある。
【００３５】
【発明の効果】従って、本発明によるとゼネレーターに
純水を供給して洗浄することで、ケミカルによる腐食及
びこれによる事故が防止され、純水の供給の有無を確認
することができるし、純水の供給時間の調整が可能で、
純水の消耗量を調節する効果及び廃液槽に排水管を設置
して、廃液の排出が容易に行われる効果がある。
純水を供給して洗浄することで、ケミカルによる腐食及
びこれによる事故が防止され、純水の供給の有無を確認
することができるし、純水の供給時間の調整が可能で、
純水の消耗量を調節する効果及び廃液槽に排水管を設置
して、廃液の排出が容易に行われる効果がある。
【図１】従来の半導体装置製造設備のケミカル噴射装置
を示したブロック図である。
を示したブロック図である。
【図２】半導体装置製造設備のケミカル噴射装置を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図３】本発明の実施例による純水の噴射及び噴射時間
可変のための回路図である。
可変のための回路図である。
【図４】図３の動作を示す波形図である。
１０、３７ サックバック配管 １１、３８、４８ エアーバルブ １２、４４、５０ ソレノイドバルブ １３、４２ ゼネレーター １４、３２ ノズル １６、５２ 廃液槽 １８、３０ 現像液供給槽 ２０、３６ モータ ２２、３４ ウェーハ ２４、６０ レベルセンサー ４０ 純水供給部 ４６ 流速制御機 ５１ 純水制御回路 ５４ 排気管 ５６ 排水管 ５８ バルブ ６２ 単安定マルチバイブレーター ６４ リレー Ｖｃｃ 駆動電圧 ＶＲ１ 可変抵抗 Ｒ１〜Ｒ４ 抵抗 Ｃ１ コンデンサー ＬＥＤ１,ＬＥＤ２ 発光ダイオード Ｑ１ トランジスター
Claims (16)
- 【請求項１】 ウェーハ上にケミカルを噴射する噴射部
のノズルと連結されるサックバック配管が構成され、前
記サックバック配管にサックバックのためのケミカルの
廃液槽への排出を断続する第１開閉手段を備える半導体
装置製造設備のケミカル噴射装置において、 前記第１開閉手段と前記廃液槽の間の配管に設置され、
サックバック動作のための空気流の流れを前記廃液槽へ
向け発生させるゼネレーターと、 前記第１開閉手段と前記ゼネレーターの間に設置され、
サックバック動作時、前記ゼネレーターの空気流による
吸引力によって前記ゼネレーターの方に純水を供給する
純水供給部と、 前記第１開閉手段の開閉信号を受けてそれに連動した前
記純水供給のための信号を前記純水供給部に与える純水
制御回路と、 を備えることを特徴とする半導体装置製造設備のケミカ
ル噴射装置。 - 【請求項２】 前記ゼネレーターは、前記第１開閉手段
から流入するケミカルと前記純水供給部から純水が流入
する配管と、サックバックのための空気流が流入する配
管と、前記ケミカル、純水及び空気流を前記廃液槽に流
入する配管とが連結されることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置製造設備のケミカル噴射装置。 - 【請求項３】 前記純水供給部は、前記第１開閉手段と
前記ゼネレーターが連結される配管から分岐して設置さ
れ、純水の流量を制御する流速制御機、及び前記流速制
御機に連結されて前記純水制御回路から与えられる信号
により純水の供給を開閉する第２開閉手段を備えること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置製造設備のケミ
カル噴射装置。 - 【請求項４】 前記純水制御回路は、前記第２開閉手段
の開閉をサックバックが始まると同時に純水を前記ゼネ
レーターに供給して洗浄し、サックバックが終了した後
にも所定の時間の間さらに供給するように前記信号を与
えることを特徴とする請求項３記載の半導体装置製造設
備のケミカル噴射装置。 - 【請求項５】 前記廃液槽は、前記ゼネレーターに連結
されてケミカル、純水及び空気流が流入する流入部と、
前記空気流を排出する排気部とを備えることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置製造設備のケミカル噴射装
置。 - 【請求項６】 前記廃液槽は、ケミカル及び純水を排出
する排出部と、前記排出部を断続する第３開閉手段とを
さらに備えることを特徴とする請求項５記載の半導体装
置製造設備のケミカル噴射装置。 - 【請求項７】 前記純水制御回路は、前記第１開閉手段
の開閉信号の入力を受けて、反転遅延信号を出力する反
転遅延手段と、前記反転遅延手段に連結されて、前記第
２開閉手段の開閉を断続するスイッチング手段とを備え
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置製造設備
のケミカル噴射装置。 - 【請求項８】 前記反転遅延手段は、単安定マルチバイ
ブレーターを備えることを特徴とする請求項７記載の半
導体装置製造設備のケミカル噴射装置。 - 【請求項９】 前記反転遅延手段は、可変抵抗がコンデ
ンサーと並列に連結され、これによって決定される時定
数として遅延時間を可変することを特徴とする請求項７
記載の半導体装置製造設備のケミカル噴射装置。 - 【請求項１０】 前記純水制御回路は、前記反転遅延手
段に並列で駆動電圧を受けて回路の電源供給の有無を表
示する第１表示手段を備えることを特徴とする請求項７
記載の半導体装置製造設備のケミカル噴射装置。 - 【請求項１１】 前記第１表示手段に並列で連結され、
前記反転遅延手段の信号が純水供給タイミングである時
に発光する第２表示手段をさらに備えることを特徴とす
る請求項１０記載の半導体装置製造設備のケミカル噴射
装置。 - 【請求項１２】 前記反転遅延手段は、前記第１開閉手
段から与えられる入力信号が上昇する時、反転出力段の
出力信号が下降することを特徴とする請求項７記載の半
導体装置製造設備のケミカル噴射装置。 - 【請求項１３】 前記出力信号は、５秒〜１５秒の間ロ
ー状態を維持して前記ゼネレーターに純水を供給するこ
とを特徴とする請求項１２記載の半導体装置製造設備の
ケミカル噴射装置。 - 【請求項１４】 所定の真空形成のためのゼネレーター
を備える半導体装置製造設備のケミカル噴射装置に使用
される廃液槽において、 前記ゼネレーターに連結されてケミカル、純水及び空気
流が流入する流入部と、 前記空気流が排出される排気部と、 前記ケミカル及び純水が排出される排出部と、 を備えることを特徴とする半導体装置製造設備のケミカ
ル噴射装置に使用される廃液槽。 - 【請求項１５】 前記排出部は、廃液排出が容易である
ようにバルブをさらに備えることを特徴とする請求項１
４記載の半導体装置製造設備のケミカル噴射装置。 - 【請求項１６】 前記廃液槽の上部内壁は、収容される
廃液の水位を感知するセンシング手段をさらに設置する
ことを特徴とする請求項１４記載の半導体装置製造設備
のケミカル噴射装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1997P66716 | 1997-12-08 | ||
| KR1019970066716A KR100254793B1 (ko) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 반도체장치 제조설비의 케미컬 분사장치 및 그 장치에 사용되는폐액조 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11176748A true JPH11176748A (ja) | 1999-07-02 |
| JP4291899B2 JP4291899B2 (ja) | 2009-07-08 |
Family
ID=19526690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20631398A Expired - Fee Related JP4291899B2 (ja) | 1997-12-08 | 1998-07-22 | 半導体装置製造設備のケミカル噴射装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6026986A (ja) |
| JP (1) | JP4291899B2 (ja) |
| KR (1) | KR100254793B1 (ja) |
| TW (1) | TW438632B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017224701A (ja) * | 2016-06-15 | 2017-12-21 | 三菱電機株式会社 | 薬液ノズルおよび回転塗布装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040093938A1 (en) * | 2002-11-15 | 2004-05-20 | Chung-Te Tsai | Liquid in pipeline and liquid level detection and warning system |
| US7950407B2 (en) * | 2007-02-07 | 2011-05-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for rapid filling of a processing volume |
| US8240520B2 (en) * | 2008-04-02 | 2012-08-14 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Material extruder |
| US8916793B2 (en) | 2010-06-08 | 2014-12-23 | Applied Materials, Inc. | Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow |
| US9338871B2 (en) * | 2010-01-29 | 2016-05-10 | Applied Materials, Inc. | Feedforward temperature control for plasma processing apparatus |
| US8880227B2 (en) * | 2010-05-27 | 2014-11-04 | Applied Materials, Inc. | Component temperature control by coolant flow control and heater duty cycle control |
| US10274270B2 (en) | 2011-10-27 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | Dual zone common catch heat exchanger/chiller |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR830002140Y1 (ko) * | 1980-06-24 | 1983-10-15 | 후지덴기 세이조오 가부시기 가이샤 | 음료자동판매기에 있어서의 급수계통의 세정회로 |
| US4792092A (en) * | 1987-11-18 | 1988-12-20 | The Devilbiss Company | Paint color change system |
| US5526841A (en) * | 1993-08-20 | 1996-06-18 | Detsch; Steven G. | Water line decontamination system |
| US5601127A (en) * | 1995-08-16 | 1997-02-11 | Hanson; Scott A. | Beverage dispenser cleaning system |
| US5690151A (en) * | 1996-04-02 | 1997-11-25 | Packaging Systems, Inc. | Dual channel bag filling machine with a clean-in-place system that cleans one channel while the other continues to fill bags |
| US5938120A (en) * | 1997-06-13 | 1999-08-17 | Abbott Laboratories | Fluid system and method |
-
1997
- 1997-12-08 KR KR1019970066716A patent/KR100254793B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-07-22 JP JP20631398A patent/JP4291899B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-03 TW TW87112752A patent/TW438632B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-10-07 US US09/167,528 patent/US6026986A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017224701A (ja) * | 2016-06-15 | 2017-12-21 | 三菱電機株式会社 | 薬液ノズルおよび回転塗布装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW438632B (en) | 2001-06-07 |
| JP4291899B2 (ja) | 2009-07-08 |
| KR100254793B1 (ko) | 2000-05-01 |
| KR19990048103A (ko) | 1999-07-05 |
| US6026986A (en) | 2000-02-22 |
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