JPH1117411A - マイクロ波回路 - Google Patents
マイクロ波回路Info
- Publication number
- JPH1117411A JPH1117411A JP9171673A JP17167397A JPH1117411A JP H1117411 A JPH1117411 A JP H1117411A JP 9171673 A JP9171673 A JP 9171673A JP 17167397 A JP17167397 A JP 17167397A JP H1117411 A JPH1117411 A JP H1117411A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip line
- dielectric substrate
- microstrip
- length
- overlap
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のくし形電極を用いた直流遮断器では、
くし形電極を形成する各指状片を接続する導体がない場
合には、指状片が使用周波数帯域内で共振し伝送特性の
劣化を惹き起こす。そのために、各指状片を導体により
ボンディング等の手段を用いて接続しなければならない
という問題点があった。 【解決手段】 誘電体基板1の表面に形成されたマイク
ロストリップライン2と、誘電体基板1の裏面に形成さ
れたマイクロストリップライン3とから構成されてい
る。マイクロストリップライン2及び3は信号伝搬軸を
同一とし、長さLの部分の重なりを持っている。長さL
は使用周波数での伝搬波長λgの1/4となっている。
マイクロストリップライン2を伝搬してきた信号は長さ
Lの重なり部分でマイクロストリップライン3へ結合
し、伝搬していく。マイクロストリップライン2及び3
は物理的に分離しており直流成分は遮断される。
くし形電極を形成する各指状片を接続する導体がない場
合には、指状片が使用周波数帯域内で共振し伝送特性の
劣化を惹き起こす。そのために、各指状片を導体により
ボンディング等の手段を用いて接続しなければならない
という問題点があった。 【解決手段】 誘電体基板1の表面に形成されたマイク
ロストリップライン2と、誘電体基板1の裏面に形成さ
れたマイクロストリップライン3とから構成されてい
る。マイクロストリップライン2及び3は信号伝搬軸を
同一とし、長さLの部分の重なりを持っている。長さL
は使用周波数での伝搬波長λgの1/4となっている。
マイクロストリップライン2を伝搬してきた信号は長さ
Lの重なり部分でマイクロストリップライン3へ結合
し、伝搬していく。マイクロストリップライン2及び3
は物理的に分離しており直流成分は遮断される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波回路に
関し、特に、誘電体基板上に形成されたマイクロストリ
ップラインからなり、直流遮断特性を有するマイクロ波
回路に関する。
関し、特に、誘電体基板上に形成されたマイクロストリ
ップラインからなり、直流遮断特性を有するマイクロ波
回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は、従来の直流遮断器(特開昭62
−102601号公報、2ページ左40行から同ページ
右9行、第1図)であり、誘電体基板の表面に第1、第
2の母線となるストリップ線路導体5a、5bが形成さ
れており、上記第1のストリップ導体5aには指状片、
すなわちストリップ電極6b、6dが、第2のストリッ
プ導体5bには同じくストリップ電極6a、6cがそれ
ぞれくし形電極として形成されている。ここで各指状
片、すなわちストリップ電極6a〜6dはそれぞれ幅W
を持ち、それぞれの指状片は互いに間隔Sを持ってい
る。
−102601号公報、2ページ左40行から同ページ
右9行、第1図)であり、誘電体基板の表面に第1、第
2の母線となるストリップ線路導体5a、5bが形成さ
れており、上記第1のストリップ導体5aには指状片、
すなわちストリップ電極6b、6dが、第2のストリッ
プ導体5bには同じくストリップ電極6a、6cがそれ
ぞれくし形電極として形成されている。ここで各指状
片、すなわちストリップ電極6a〜6dはそれぞれ幅W
を持ち、それぞれの指状片は互いに間隔Sを持ってい
る。
【0003】また、それぞれのくし形電極を形成する各
指状片、すなわちストリップ電極6a〜6dは導体7で
接続されている。
指状片、すなわちストリップ電極6a〜6dは導体7で
接続されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、叙上の
従来例において、くし形電極を形成する各指状片を接続
する導体7が設けられていない場合には、指状片が使用
周波数帯域内で共振し、伝送特性の劣化を惹き起こす。
そのために、各指状片を導体7によりボンディング等の
手段を用いて接続しなければならないという問題点があ
った。
従来例において、くし形電極を形成する各指状片を接続
する導体7が設けられていない場合には、指状片が使用
周波数帯域内で共振し、伝送特性の劣化を惹き起こす。
そのために、各指状片を導体7によりボンディング等の
手段を用いて接続しなければならないという問題点があ
った。
【0005】本発明は従来の上記実情に鑑み、従来の技
術に内在する上記課題を解決する為になされたものであ
り、従って本発明の目的は、ボンディング等の後工事を
必要としない直流遮断特性を有する新規なマイクロ波回
路を提供することにある。
術に内在する上記課題を解決する為になされたものであ
り、従って本発明の目的は、ボンディング等の後工事を
必要としない直流遮断特性を有する新規なマイクロ波回
路を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為
に、本発明に係るマイクロ波回路は、誘電体基板の表面
に形成されたマイクロストリップラインと、このマイク
ロストリップラインの端面からλ/4の長さの重なりを
持って前記誘電体基板の裏面に形成されたマイクロスト
リップラインとを備えて構成される。
に、本発明に係るマイクロ波回路は、誘電体基板の表面
に形成されたマイクロストリップラインと、このマイク
ロストリップラインの端面からλ/4の長さの重なりを
持って前記誘電体基板の裏面に形成されたマイクロスト
リップラインとを備えて構成される。
【0007】
【発明の実施の形態】次に本発明をその好ましい各実施
の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【0008】図1は本発明による第1の実施の形態を示
す概略構成図であり、そのうち(a)は平面図、(b)
は(a)のA−A’線に沿って切断し矢印の方向に見た
断面図である。
す概略構成図であり、そのうち(a)は平面図、(b)
は(a)のA−A’線に沿って切断し矢印の方向に見た
断面図である。
【0009】図1(a)、(b)を参照するに、この第
1の実施の形態は、誘電体基板1の表面に形成されたマ
イクロストリップライン2と、誘電体基板1の裏面に形
成されたマイクロストリップライン3とから構成されて
いる。
1の実施の形態は、誘電体基板1の表面に形成されたマ
イクロストリップライン2と、誘電体基板1の裏面に形
成されたマイクロストリップライン3とから構成されて
いる。
【0010】マイクロストリップライン2および3は信
号伝搬軸を同一とし、長さLの部分の重なりを持ってい
る。
号伝搬軸を同一とし、長さLの部分の重なりを持ってい
る。
【0011】長さLは使用周波数での伝搬波長λgの1
/4となっている。マイクロストリップライン2を伝搬
してきた信号は、長さLの重なり部分でマイクロストリ
ップライン3へ結合し、伝搬して行く。マイクロストリ
ップライン2および3は物理的に分離されており、直流
成分は遮断される。
/4となっている。マイクロストリップライン2を伝搬
してきた信号は、長さLの重なり部分でマイクロストリ
ップライン3へ結合し、伝搬して行く。マイクロストリ
ップライン2および3は物理的に分離されており、直流
成分は遮断される。
【0012】図2は本発明による第2の実施の形態を示
す概略構成図であり、誘電体基板1の厚さが厚い場合の
例を示す。
す概略構成図であり、誘電体基板1の厚さが厚い場合の
例を示す。
【0013】図2(a)は平面図、(b)は(a)のB
−B’線に沿って切断し矢印の方向に見た断面図であ
る。
−B’線に沿って切断し矢印の方向に見た断面図であ
る。
【0014】図2(a)、(b)を参照するに、この第
2の実施の形態は、誘電体基板1の表面に形成されたマ
イクロストリップライン2と、誘電体基板1の裏面に形
成されたマイクロストリップライン3及び誘電体基板1
の内層に形成されたストリップ導体4とから構成されて
いる。
2の実施の形態は、誘電体基板1の表面に形成されたマ
イクロストリップライン2と、誘電体基板1の裏面に形
成されたマイクロストリップライン3及び誘電体基板1
の内層に形成されたストリップ導体4とから構成されて
いる。
【0015】マイクロストリップライン2および3とス
トリップ導体4は信号伝搬軸を同一とし、マイクロスト
リップライン2とストリップ導体4は長さLの部分の重
なりを持ち、さらにストリップ導体4はマイクロストリ
ップライン3と長さLの部分の重なりを持っている。長
さLは使用周波数での伝搬波長λgの1/4となってい
る。
トリップ導体4は信号伝搬軸を同一とし、マイクロスト
リップライン2とストリップ導体4は長さLの部分の重
なりを持ち、さらにストリップ導体4はマイクロストリ
ップライン3と長さLの部分の重なりを持っている。長
さLは使用周波数での伝搬波長λgの1/4となってい
る。
【0016】マイクロストリップライン2を伝搬してき
た信号は、長さLの重なり部分でストリップ導体4と結
合し、次の長さLの重なり部分でマイクロストリップラ
イン3へ結合し、伝搬して行く。マイクロストリップラ
イン2および3とストリップ導体4は物理的に分離され
ており、直流成分は遮断される。
た信号は、長さLの重なり部分でストリップ導体4と結
合し、次の長さLの重なり部分でマイクロストリップラ
イン3へ結合し、伝搬して行く。マイクロストリップラ
イン2および3とストリップ導体4は物理的に分離され
ており、直流成分は遮断される。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
誘電体基板の表面に形成されたマイクロストリップライ
ンと、その端面からλ/4の長さの重なりを持って前記
誘電体基板の裏面に形成されたマイクロストリップライ
ンから構成されており、ボンディング等の後工事を必要
とせず、直流遮断特性を有するマイクロ波回路を提供す
る効果が得られる。
誘電体基板の表面に形成されたマイクロストリップライ
ンと、その端面からλ/4の長さの重なりを持って前記
誘電体基板の裏面に形成されたマイクロストリップライ
ンから構成されており、ボンディング等の後工事を必要
とせず、直流遮断特性を有するマイクロ波回路を提供す
る効果が得られる。
【図1】(a)は本発明による第1の実施の形態を示す
平面図、(b)は(a)のA−A’線に沿って切断し矢
印の方向に見た断面図である。
平面図、(b)は(a)のA−A’線に沿って切断し矢
印の方向に見た断面図である。
【図2】(a)は本発明による第2の実施の形態を示す
平面図、(b)は(a)のB−B’線に沿って切断し矢
印の方向に見た断面図である。
平面図、(b)は(a)のB−B’線に沿って切断し矢
印の方向に見た断面図である。
【図3】従来例の平面図である。
1…誘電体基板 2、3…マイクロストリップライン 4…ストリップ導体 5a、5b…導体 6a、6b、6c、6d…指状片(ストリップ電極) 7…導体 8…誘電体基板
Claims (4)
- 【請求項1】 誘電体基板の表面に形成された第1のマ
イクロストリップラインと、該第1のマイクロストリッ
プラインの端面からλ/4の長さの重なりを持って前記
誘電体基板の裏面に形成された第2のマイクロストリッ
プラインとを有することを特徴としたマイクロ波回路。 - 【請求項2】 前記第1及び第2のマイクロストリップ
ラインは信号伝搬軸を同一としていることを更に特徴と
する請求項1に記載のマイクロ波回路。 - 【請求項3】 誘電体基板の表面に形成された第1のマ
イクロストリップラインと、該第1のマイクロストリッ
プラインの端面からλ/4の長さの重なりを持って前記
誘電体基板の内層に形成されたストリップ導体と、該ス
トリップ導体の他の端面からλ/4の長さの重なりを持
って前記誘電体基板の裏面に形成された第2のマイクロ
ストリップラインとを有することを特徴としたマイクロ
波回路。 - 【請求項4】 前記第1及び第2のマイクロストリップ
ライン及び前記ストリップ導体は信号伝搬軸を同一とし
ていることを更に特徴とする請求項3に記載のマイクロ
波回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9171673A JPH1117411A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | マイクロ波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9171673A JPH1117411A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | マイクロ波回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1117411A true JPH1117411A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15927582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9171673A Pending JPH1117411A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | マイクロ波回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1117411A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008152852A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Kyocera Corporation | 直流阻止回路、ハイブリッド回路装置、送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置 |
WO2011046404A3 (ko) * | 2009-10-15 | 2011-09-09 | 주식회사 에이스테크놀로지 | 임피던스 매칭을 이용한 dc 차단 장치 |
US10740249B2 (en) | 2004-07-30 | 2020-08-11 | Intel Corporation | Maintaining processor resources during architectural events |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP9171673A patent/JPH1117411A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10740249B2 (en) | 2004-07-30 | 2020-08-11 | Intel Corporation | Maintaining processor resources during architectural events |
WO2008152852A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Kyocera Corporation | 直流阻止回路、ハイブリッド回路装置、送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置 |
US8179304B2 (en) | 2007-06-14 | 2012-05-15 | Kyocera Corporation | Direct-current blocking circuit, hybrid circuit device, transmitter, receiver, transmitter-receiver, and radar device |
JP5171819B2 (ja) * | 2007-06-14 | 2013-03-27 | 京セラ株式会社 | 直流阻止回路、ハイブリッド回路装置、送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置 |
WO2011046404A3 (ko) * | 2009-10-15 | 2011-09-09 | 주식회사 에이스테크놀로지 | 임피던스 매칭을 이용한 dc 차단 장치 |
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