JPS6286901A - フインライン回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 〆　導波管とフィンラインとの変換部に於ける誘電体基
板をテーパ状とし、導波管内の電磁界が徐々に誘電体基
板に集中するようにして、整合性を改善したものである
。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、スイッチ回路等に適用できるフィンライン回
路に関するものである。

導波管とフィンラインとの変換を行い、フィンラインに
スイッチングダイオードを設けて、高周波スイッチ回路
を構成することが知られている。

この場合に、誘電体基板に導体パターンを形成したフィ
ンラインを、導波管内のＥ面に設けるものであり、導波
管とフィンラインとの整合性が良いことが要望されてい
る。

〔従来の技術〕

従来のフィンライン回路は、高周波スイッチ回路に適用
した場合、第３図、第４図及び第５図に示す構成となる
。尚、第４図は第３図のＡ−Ａ　”線に沿った断面図、
第５図は第３図のＢ−Ｂ　’線に沿った断面図である。

導波管１１内のＥ面に配置されたフィンライン１２は、
第４図に示すように、矩形の誘電体基板１２ｃに導体パ
ターン１２ａ、１２ｂが形成されたものであり、導体パ
ターン１２ａ、１２ｂ間にスリットが形成され、そのス
リットを短絡するようにＰＩＮダイオードやショットキ
ーダイオード等のダイオード１４が接続され、導体パタ
ーン１２ａ、１２ｂに端子１５゜１６が接続され、端子
１５．１６からダイオード１４にバイアス電圧が印加さ
れる。このバイアス電圧供給の構成は図示を省略してい
る。

端子１５．１６からダイオード１４に順方向バイアス電
圧を印加すると、ダイオード１４のインピーダンスが小
さくなり、導体パターン１２ａ。

１２ｂとダイオード１４とを介して短絡回路が形成され
、高周波信号の伝搬は阻止される。又ダイオード１４に
逆バイアス電圧を印加すると、ダイオード１４のインピ
ーダンスは大きくなり、高周波信号は導波管１１内を伝
搬することになる。即ち、ダイオード１４に印加するバ
イアス電圧によって、導波管１１内を伝搬する高周波信
号のオン、オフを制御する高周波スイッチ回路が構成さ
れる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来のフィンライン回路は、第４図に示すように、矩形
の誘電体基板１２ｃを、導波管１１と平行に配置したも
のであり、従って、高周波信号の仏殿方向に対して垂直
面を有するものとなる。この誘電体基板１２ｃの垂直面
により、導波管１１内の電磁界が急変するので、導波管
１１とフィンライン１２との整合が充分でなかった。

本発明は、導波管とフィンラインとの整合を改善するこ
とを目的とするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明のフィンライン回路は、第１図を参照して説明す
ると、導波管１と、そのＥ面に配置したフィンライン２
との変換部がテーパ状となるように誘電体基板２ａを形
成したものである。この誘電体基板２ａには導体パター
ン２ｂ、２ｃが形成され、高周波スイッチ回路を構成す
る場合は、導体パターン２ｂ、２ｃ間にダイオード３が
接続さ′　れ、端子４からバイアス電圧が印加される。

誘電体基板２ａは、導波管１とフィンライン２との変換
部に於いてのみテーパ状であれば良いもので、他の部分
の形状は任意とすることができるものである。

〔作用〕

導波管１とフィンライン２との変換部に於ける誘電体基
板２ａがテーバ状となっているので、導波管１内の電磁
界が徐々に誘電体基板２ａに集中することになるから、
導波管１とフィンライン２との整合を改善することがで
きる。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。

第１図は本発明の一実施例の断面図であり、導波管１の
Ｅ面に配置したフィンライン２の誘電体基板２ａを正方
形とした場合を示し、その正方形の誘電体基板２ａの一
方の対角線を、導波管１の管軸と平行となるようにし、
それによって、導波管１とフィンライン２との変換部に
於ける誘電体基板２ａをテーバ状としたものである。

この誘電体基板２ａの一方の面に導体パターン２ｂ、２
ｃが形成され、その導体パターン２ｂ。

２０間に、導波管１の管軸と平行のスリットが形成され
る。誘電体基板２ａを一部欠截して示しているから、導
体パターン２ｂ、２ｃは一部分割されて示されているが
、第４図に示す導体パターンと同様に連続したものであ
る。この導体パターン２ｂ、２ｃは導波管１と直流的に
接続されて誘電体基板１ａが固定される。

又誘電体基板２ａの他方の面にそれぞれλ／４（λ＝管
内波長）の長さのスタブ’ｌｄ、２ｅがダイオード３対
応に分離して形成され、スタブ２ｄ、２ｃ間にビームリ
ード型のＰＩＮダイオードやショットキーダイオード等
のダイオード３が接続され、スタブ２ｄにはインダクタ
ンス２ｆを介して端子４が接続され、スタブ２ｅはイン
ダクタンス２ｇを介して接地される。従って、ダイオー
ド３に対してバイアス電圧を端子４から印加できること
になる。

ダイオード３に対してバイアス電圧を印加する為の構成
は、前述の構成以外に、例えば、導体パターン２ｂ、２
ｃを導波管１と誘電体を介して直流的に絶縁し、導体パ
ターン２ｂ、２０間にダイオード３を接続し、導体パタ
ーン２ｂ、２０間にバイアス電圧を印加する構成とする
ことも可能である。

このダイオード３に端子４から順方向バイアス電圧を印
加すると、ダイオード３のインピーダンスが小さくなり
、導体パターン２ｂ、２ｃとスタブ２ｄ、２ｅとが結合
しているから、スタブ２ｄ、２ｅに接続されたダイオー
ド３を介して導体パターン２ｂ、２ａ間が短絡されるこ
とになり、高周波信号の伝搬は阻止される。又端子４か
ら逆方向バイアス電圧を印加すると、ダイオード３のイ
ンピーダンスは大きくなり、高周波信号は伝搬される。

フィンライン２を構成する誘電体基板２ａは、前述の実
施例のように正方形とすると、その製作が容易であると
共に、その角部を利用することができるが、正方形以外
の他の形状とすることも勿論可能である。又導波管１と
フィンライン２との変換部に於いて、テーパ状となれば
良いものであって、その先端に丸みを持たせることも可
能である。

第２図は本発明の他の実施例の断面図であり、５はＡ、
Ｂ、Ｃの開口を有するＴ型の導波管、６はフィンライン
、６ａは誘電体基板、５ｂ、５ｃ、６ｄは導体パターン
、７，８はダイオード、９ａ、９ｂは端子である。ダイ
オード７．８にバイアス電圧を印加する為の構成は、前
述の実施例と同様な構成とするか、或いは導体パターン
６ｂ。

６ｃ、６ｄを導波管５から絶縁して図示の接続構成とす
ることができる。この実施例は、開口Ａから開口Ｂ、Ｃ
に対して高周波信号のオン、オフを行う高周波スイッチ
回路に適用した場合を示すものである。

正方形の誘電体基板６ａにＴ型スリットが形成されるよ
うに、導体パターン６ｂ、６ｃ、６ｄを設け、接地した
導体パターン６ｂと導体パターン６Ｃとの間にダイオー
ド７を接続し、導体パターン６ｄとの間にダイオード８
を接続し、誘電体基板６ａの角部が導波管の管軸方向に
突出するように配置したものである。それによって、導
波管とフィンラインとの変換部に於ルする誘電体基板６
ａがテーパ状となり、電磁界が徐々に誘電体基板に集中
することになる。

端子９ａからダイオード７に順方向バイアス電圧を印加
すると、ダイオード７のインピーダンスが小さくなり、
開口Ａからの高周波信号は、開口Ｂには伝搬しない。反
対に端子９ａから逆方向バイアス電圧を印加すると、ダ
イオード７のインピーダンスが大きくなり、開口Ａから
の高周波信号は開口Ｂに伝搬する。同様に、端子９ｂか
らダイオード８に順方向バイアス電圧を印加すると、ダ
イオード８のインピーダンスは小さくなり、開口Ａから
の高周波信号は開口Ｃには伝搬しないが、逆方向バイア
ス電圧を印加すると、ダイオード８のインピーダンスは
大きくなり、開口Ａからの高周波信号は開口Ｃに伝搬す
る。

このような高周波スイッチ回路に於いても、導波管とフ
ィンラインとの整合性が良くなることにより、高周波の
スイッチング特性が改善されることになる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、導波管１とフィンライ
ン２との変換部がテーパ状となるように誘電体基板２ａ
を構成したものであり、導波管内の電磁界がフィンライ
ン２に対して徐々に集中することになって、導波管とフ
ィンラインとの整合性を改善することができるものであ
る。従って、導波管型の高周波スイッチ回路等に適用し
て、高周波特性を改善することができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明の
他の実施例の断面図、第３図は従来例の断面図、第４図
は第３図のＡ−Ａ“線に沿った断面図、第５図は第３図
のＢ−Ｂ　’線に沿った断面図である。 １．５は導波管、２．６はフィンライン、２ａ、５ａは
誘電体基板、２ｂ、２ｃ、６ｂ、６ｃ。 ６ｄは導体パターン、２ｄ、２ｅはスタブ、３゜７．８
はダイオードである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　導波管内のＥ面にフィンラインを配置したフィンライ
   ン回路に於いて、 導波管（１）とフィンライン（２）との変換部がテーパ
   状となるように誘電体基板（２ａ）を形成した ことを特徴とするフィンライン回路。