JPH11168018A - 厚膜低値高周波数誘導子およびその製造方法 - Google Patents

厚膜低値高周波数誘導子およびその製造方法

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JPH11168018A
JPH11168018A JP10263038A JP26303898A JPH11168018A JP H11168018 A JPH11168018 A JP H11168018A JP 10263038 A JP10263038 A JP 10263038A JP 26303898 A JP26303898 A JP 26303898A JP H11168018 A JPH11168018 A JP H11168018A
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coil
conductor
conductor layer
substrate
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Herman Person
パーソン ヘルマン
Thomas L Veik
エル ヴェイク トーマス
Jeffrey T Adelman
ティー アデルマン ジェフリー
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 表皮効果を含む抵抗損を低減した、厚膜低値
高周波数誘導子を提供する。 【解決手段】 パルス形レーザーカッターを形成しよう
とする線状切断部全長にわたって同時に当てて、おおむ
ね矩形形状の横断面切断部を形成することによって、導
体層を複数の線状切断部に分断する処理によって、厚膜
低値高周波数誘導子を製造する。導体本体は、乾燥厚膜
インク層である。この厚膜低値高周波数誘導子の製造方
法は、感光性銀インクの乾燥層で構成される導体層を確
保する工程、前記インクをその所望形状のネガでマスキ
ングする工程、前記インクをＵＶ放射線に晒す工程、前
記インクを現像する工程、および前記層を焼成して銀を
前記層に付着させる工程を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低値高周波数誘導
子の設計および構成に関する。この誘導子は、通信業界
に特に適している。絶えず誘導子を小型化し、その周波
数を高めていこうとするのが現在の傾向である。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】従来の代表的誘導子
は、以下の２つの製造処理、すなわち、１）薄膜（Thin
Film)、または、２）それぞれ螺旋状に巻かれた銅めっ
きセラミックコアのいずれかを使用している。薄膜処理
は、多額の資本支出を要するに加え、Ｑ要件を満たすに
足る導体厚さを達成するまでに長い時間がかかり、製造
コストが高くなる。第２処理すなわち螺旋形パーツにつ
いては、主にパーツを個別に取り扱う必要があるため、
製造コストが非常に高い。パーツを個別に取り扱うと、
製造時間および製造コストともに飛躍的に増大する。Ｑ
は、誘導子の品質尺度であり、抵抗損総計に対する誘導
リアクタスの比率である。誘導リアクタンスは望ましい
ものであるが、抵抗損（表皮効果もその１つ）は望まし
くないものである。
【０００３】表皮効果とは、導体の全横断面域を利用す
るような要領で電流を流す代わりに、導体の表面近くを
流れるように交番させようとする傾向を意味する。この
現象が発生すると導体の抵抗が高くなり、これによって
Ｑは低下する。導体横断面が、各側部に鋭角域を含む場
合は、表皮効果はさらに悪化する。従来の設備および方
法では、製造時の導体層の横断切断部が非矩形形状の横
断切断部を形成するため、Ｑ値が低下する。
【０００４】高周波数オンセラミックチップ誘導子は、
現在、セラミック基板上に細線を形成する厚膜導体イン
クをスクリーン印刷することによって製造されている。
代替方法として、光作像性（photoimageable) 導体イン
クを、マスクを介して紫外（ＵＶ）放射線に晒してか
ら、湿式化学処理によってパターンを現像する方法があ
る。しかし、これらの２つの方法は、約４ミルを越える
幅の広い線しか形成できないため、螺旋の巻き数に限界
がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
主目的は、表皮効果を含む抵抗損が低い厚膜低値高周波
数誘導子を提供することにある。本発明の別の目的は、
表皮効果を誘発する側縁部に鋭角域を有しない厚膜低値
高周波数誘導子、およびその製造方法を提供することに
ある。
【０００６】本発明のさらなる目的は、全面カットを同
時に実施して、切断時間を短縮するようにしたパルス形
レーザ切断技法を使用することにある。本発明のさらに
別の目的は、紫外線に晒した感光性銀積層プリントイン
クを、適切なネガ像マスクと組み合わせて使用して所望
像を形成する、誘導子製造方法を提供することにある。
【０００７】本発明のさらに別の目的は、非磁性誘電基
板上面に多巻螺旋コイルを備えるチップ誘導子を提供す
ることにある。
【０００８】本発明のさらに別の目的は、レーザビーム
を使用して、基板上の導電層に螺旋コイルパターンをア
ブレート（ablating; 焼剥離形成）することによって形
成される螺旋コイルを備えるチップ誘導子を提供するこ
とにある。
【０００９】本発明のさらに別の目的は、電磁スペクト
ルの紫外線領域で作用するエキシマレーザを使用して、
基板上の導電層に螺旋コイルパターンをアブレートする
ことによって形成されるチップ誘導子コイルを提供する
ことにある。
【００１０】本発明のさらに別の目的は、約９であるア
ルミナのそれより遙かに低い約４の誘電率を有する基板
基材層を提供することにある。
【００１１】本発明のさらに別の目的は、アルミナ製の
基板であって、その上面を被覆するとともに前記導電層
の下に位置する低誘電率誘電体層を有する基板を提供す
ることにある。
【００１２】本発明のさらに別の目的は、導電層をアブ
レートして、アルミナ基板の上側の低誘電率誘電層また
はアルミナ基板自体に切り込みをいれることなく螺旋導
電コイルの形状を形成できるエキシマレーザを提供する
ことにある。
【００１３】本発明のさらに別の目的は、両コイルを離
間保持する低Ｋ誘電体層を挟みつつも、各コイル一端と
結合して２つのコイルを直列させるように位置決めされ
た通孔を介して、第１螺旋コイル上に位置決めされた第
２コイルを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】米国特許第５，０９１，
２８６号明細書に開示されているレーザパルス波動技法
を用いて、導電コイルにコイル像をレーザカット形成す
る。この米国特許第５，０９１，２８６号明細書の低パ
ルス波動技法を参考文献として本明細書中に組み込んで
おく。この方法によると、従来の厚膜スクリーン印刷法
で得られるよりも、より矩形の導体横断面部が得られ
る。
【００１５】また本発明は、高周波数オンセラミックチ
ップ誘導子を製造する新規かつ改良された方法にも関す
る。この新規な方法によると、線の幅を従来許容されて
いた２ミルより遙かに狭くすることによって、より高い
インダクタンス値を達成できる。線の幅を狭くすれば、
従来よりさらに多くのループを形成できる。
【００１６】この新規な方法は、エキシマレーザから紫
外線を出力することによって、基板上の平坦層形状の導
体材に、プレナ形コイルパターンを切り込むものであ
る。ただし、微細集光走査ビームで線状切断部を形成
（代表的な工業用金属切断作業で行われているような）
するのではなく、約４ｘ３ｃｍ四方の広い断面積を有す
るビームを、コイルパターンを含む金属のステンシル
（stencil）マスクを介して照射する。これによって、
ビームの均一強度 の断面は、コイルパターンを含む断
面に変成される。
【００１７】次に、変成されたビームを、コイルパター
ンをアブレーション処理によって、焼き付けまたは永久
転写定着（transfixed)させ た半加工状態（blank)の金
属標的に集光させる。ＵＶエキシマレーザは、パルス形
の出力を有しているため、導電材にクリーンかつクリア
なパターンを造り出すには、１つ以上のパルスが必要で
ある。所望のパルス数は、導体の厚さが増すに従って多
くなる。厚膜印刷、薄膜溶着またはセラミック面に金属
箔を接着することによって、適切なオンセラミック導体
標的を形成できる。
【００１８】本発明の別の実施例では、小さい誘導子に
破砕できるように処方された高（非常に硬い）アルミナ
セラミックシートを確保する工程を含む特殊フィルムス
クリーニング処理によって、導体層の矩形横断切断部を
形成する。その上に、銀積層インクの有機層を印刷して
から乾燥させる。所望像のネガであるフォトマスクを、
乾燥された光作像性インクと接触するように被せる。
【００１９】次に、この立体配置（configuration)をＵ
Ｖ放射線に晒して、フォトマスクによってマスキングさ
れていないインクを重合させる。次にフォトマスクを除
去して、「インク」を化学現像させ、非重合材料を洗い
流すと、所望の銀像が残る。次に装置を燃焼させて、非
現像材料を洗い流すと銀像が残る。その後、各像間に適
宜の架橋を印刷できる。この処理によって、矩形の横断
面を有すると共に、従来の厚膜スクリー ン印刷で得ら
れるより小さい線幅および間隔の線を有する導体を提供
する導体層が形成される。
【００２０】
【実施例】誘導子の製造プロセスを説明する前に、数百
もしくは数千にもおよぶ各部品が、各基板上に形成され
ていることを理解されたい。各基板は、矩形に配列され
たチップ誘導子を保持することになる。基板材料はアル
ミナであり、その頂面上の後日印刷される各誘導子の境
界となる位置には、製造者によって予めすじ付け（scor
ed) がされている。すじ付けをしておくと、全てのスク
リーン印刷工程の完了時に、基板をそれぞれの誘導子に
ばらし易い。基板の底側部のすじ付けについては任意で
ある。
【００２１】各パターンは、適宜インクで厚膜スクリー
ン印刷される。各プリントには、基板−プリント間およ
び各プリント間を適切に整合させるための所望の整合マ
ークが施されている。
【００２２】図２（Ａ）に示す第１プリントは、銀底部
側成端であり、基板底部のすじ無し側に印刷される。底
側部のすじ付けは任意である。
【００２３】図２（Ｂ）に示す第２プリントは、誘電率
が低い誘電基材である。低値高周波数誘導子の非常に重
要な資質の１つは、自己共振周波数（ＳＲＦ）が高いこ
とである。これを達成するため、できるだけ低い誘電率
を有する材料で誘電子を製造する必要がある。アルミナ
基板の誘電率は非常に高く、約９である。アルミナ基板
を、これより低い約４の誘電率を有する誘電基材塗膜で
被覆すると、誘導子の自己共振周波数を可能な限り高く
保つことができる。
【００２４】図２（Ｃ）は、本発明で処理した結果得ら
れた銀誘導子コイルである。図２（Ｃ）に示すコイルの
完成後、コイル全体にわたって誘電材をスクリーン印刷
して、図２（Ｄ）に示す架橋誘電層を設ける。この誘電
層の機能は、誘導子コイルとその上に印刷された銀架橋
との間の短絡を防止することである。
【００２５】図２（Ｅ）は、銀架橋プリントを例示して
いる。図２（Ｃ）に示す銀コイルは、第１成端（１０）
に接続された第１端部（１２）を有している。銀架橋の
機能は、銀コイルの第２端部（１３）を第２成端（１
１）に接続することである。
【００２６】次のプリントは、図２（Ｆ）の誘電オーバ
ーコートである。この材料は、その他の全ての誘電材と
同様に、できる限り低い誘電率（好適には、４〜至５以
下）を有していなければならない。この誘電オーバーコ
ートは、誘導子を周囲の因子から保護する。
【００２７】以上で、単巻螺旋コイルチップ誘導子の全
ての物理的特性を説明したことになるが、単巻螺旋誘導
子の製造については、２つの異なる技法（本願明細書中
で説明する）を使用できる。
【００２８】その１つの技法は、米国のデュポン社の
「ＦＯＤＥＬ」（登録商標）システムの修正等の、光
作像性厚膜導体組成を使用するものである。本発明で
は、銀およびパラジウムを利用した「ＦＯＤＥＬ」（登
録商標）インクを修正して、銀だけを用いている。
【００２９】他の方法として、エキシマレーザを使用す
る必要があるが、これを近紫外線内で作動させることに
よって、従来の厚膜導体材料層をアブレートする。この
種の導体材料は、ヘラウス−サーマロイ（Heraeus-Cerm
alloy）社、デュポン社（DuPont）社、 エレクトロサイエ
ンスラブ（Electroscience Labs）社、 シックフィルム
システムズ（Thick Film Systems）社等から入手でき
る。
【００３０】本発明の実行可能な第２実施例では、１本
の螺旋コイルではなく、２本の螺旋コイルを重ね合わせ
ている。螺旋コイルを２本にすると、インダクタンスが
大幅に高まる。この２本のコイルを用いる場合に、図２
に示すパターンを若干変更する必要があるが、これにつ
いて以下に説明する。
【００３１】図５（Ａ）は、架橋誘電体（１４）を示し
ているが、これは、図２（Ｄ）に示す架橋誘電体（５）
に代わるものであり、より広い面積を被覆している。図
５（Ｂ）は、図２（Ｅ）に示す架橋導体（６）の代わり
に用いられる第２コイル（１５）を例示している。コイ
ル（４）（図２（Ｃ））の端部（１３）とコイル（１
５）（図５（Ｂ））の端部（１７）とは、通孔（１６）
（図５（Ａ））を介して電気的に接続されている。
【００３２】図５（Ｃ）は、コイル（４）上方に位置す
る第２螺旋コイル（１５）を示している。代替架橋誘電
体（１４）については、コイル（４）が隠れてしまうた
め、図示されていない。また、図５（Ｃ）および図１に
おいて、導体間のキャパシタンスを最小にして、自己共
振周波数を最大にするために、導体のオーバーラップを
最大に保持してある点に留意されたい。この第２コイル
の形成後、単螺旋コイル誘導子の場合と同様の要領で、
頂面に誘電コーティングを施す。
【００３３】所望のパターンを全て形成し、頂面コーテ
ィングを施した後、基板を破砕して、図４に示すような
条片にして、エッジ成端用のチップ誘導子を用意する。
図３（Ａ）は、チップ誘導子条片の端面図である。各条
片エッジの、底部成端（２）と端部成端（１０）（１
１）との間で、アルミナ基板（１）が露出している点に
留意されたい。次に、図３（Ｂ）に示すように、非常に
薄い金属層（８）を条片エッジにスパッタリングして、
メッキ用エッジを用意する。続いて、はんだ付け可能成
端（９）を条片エッジにメッキする。次の工程では条片
を破砕して個別のチップ誘導子にするが、アルミナ基板
の刻印に沿って破砕させることは勿論である。
【００３４】（従来技術）従来技術では、単に周知の標
準的厚膜スクリーン印刷技法を用いて、螺旋コイル、架
橋誘電体、架橋導体および頂面、すなわちオーバ−コー
ト誘電材を印刷しているに過ぎず、次のような大きな欠
点がある。１）導線幅およびその導線間隔を、確実かつ
反復して約０．１５ｍｍ（０．００６インチ）より小さ
く印刷できない。２）また、導体輪郭または横断面が、
基板界面で鋭角な方形のエッジにならず、図６（Ａ）に
示すような羽毛状（feathering)または傾斜し たエッジ
になってしまう。このように垂直エッジ面から偏倚する
と、実質的にＡＣまたは高周波数抵抗を引き起こし、チ
ップ誘導子の品質すなわちＱ値に悪影響するものと思わ
れる。図６（Ｂ）に示すように、エッジをより垂直に近
付けて側面を方形にすれば、チップ誘導子の電気的特性
は大幅に改善強化される。以下に説明する２つの代替方
法では、望ましくないＡＣ効果を最少にする鋭角な方形
エッジ、および垂直側面を有する螺旋コイルを製造でき
る。
【００３５】（光作象処理）第１処理では、光作像性感
光性の導電厚膜組成物を使用する。この処理に使用する
インク材は、前記のように、デュポン社の「ＦＯＤＥ
Ｌ」（登録商標）インクを変性させたものであり、以下
この処理を光作像処理とする。
【００３６】光作像処理は、一般に、安全光の下で、基
板に光作像性銀積層導電インクの半加工状態もしくは均
一層を印刷するものである。乾燥後、通常マイラーで形
成され、かつコイルパターンを有するフォトネガを、導
体層上に密接設置し、マスクアライナ（aligner)による
基準点（fiducials)または整合マークの助けによって注
意深く整合させる。各コイルを正確に位置決めするため
に、整合は非常に重要である。
【００３７】次に、光作像性導体材を、マスクアライナ
内の強い紫外線光束で露光させる。ＵＶ放射線が、ネガ
を遮蔽されずに通過できる場合には、光作像性材料は重
合されて、安定定着する。ＵＶ放射線から保護された領
域を、後続の現像工程で洗い落とす。ＵＶ放射線の波長
が短いため、それぞれ約０．０５ｍｍ（０．００２イ
ン）チの導線および導線間隔が得られる。エッジは鋭角
な方形で、側面は垂直かつ平滑である。この光作像処理
は、明らかに、従来技術に勝る有意義な改善技法であ
る。
【００３８】（レーザ切断処理）この種のチップ誘導子
を製造する第２方法では、レーザビーム、特に２４８ナ
ノメータ波長の紫外線出力を有するエキシマレーザを使
用している。
【００３９】高周波数オンセラミック誘導子チップを製
造するこの方法では、線幅および線間隔を約０．００２
５ｍｍ（０．０００１インチ）にすることによって、高
いインダクタンス値を達成できる。線幅をこのように細
かくすると、ループ数が増加し、インダクタンスが高ま
る。この方法では、エキシマレーザの紫外線出力を使用
して、基板上の平坦層形状の導体材にプレナ形コイルパ
ターンを切り込む。しかし、精細集光走査ビーム（代表
的な工業用金属切断作業で行われているような）で直線
状に切断するのではなく、コイルパターンを含む金属の
テンシルマスクを介して、約４ｘ３ｃｍ四方の広い横断
面にしてビームを照射する。これによって、ビームの均
一強度横断面は、コイルパターンを含む横断面に変成す
る。
【００４０】次に変成ビームを、アブレーション処理に
よって、コイルパターンが焼き付け、または永久転写定
着された半加工状態の金属標的に集光させる。ＵＶエキ
シマレーザは、パルス状の出力を有しているため、導体
材料にクリーンかつクリアなコイルパターンを形成する
には、単または多重パルスが必要である。所望パルスの
数は、導体の厚さに応じて増加する。厚膜プリント、薄
膜溶着またはセラミック面に金属箔を接着させることに
よって、適切なオンセラミック導体標的を形成できる。
【００４１】光作像処理およびレーザ処理共に、従来の
厚膜スクリーン印刷で得られるより、より矩形の導体横
断面を形成できる。図６（Ａ）は、厚膜スクリーン印刷
された導体の代表的な断面を示している。図６（Ｂ）
は、レーザ切断または光作像処理によって形成された改
良型断面を示している。図６（Ｂ）に示すより矩形の断
面は、導体の表皮効果を所望に低減して、Ｑ値を高め
る。光作像処理コストは、従来の厚膜処理に経済的に匹
敵するものであるため、本発明のコスト削減目標を満た
すことができる。
【００４２】前記のように、Ｑは誘導子の品質を測る尺
度であり、抵抗損総計に対する誘導リアクタンスの比率
である。誘導レアクタンスは望ましいものであるが、表
皮効果を含む抵抗損は望ましくないものである。
【００４３】前記のように、表皮効果は、電流を交番さ
せて、導体の全横断面域を利用する要領で流れるように
する代わりに、導体の表面付近を流れるようにさせよう
とするものである。この現象によって、導体抵抗が高ま
り、Ｑ値が低下する。導体断面の各側面に鋭角域がある
と、表皮効果が高くなる。両断面の重要な違いは、図６
（Ｂ）の断面の側部には図６（Ａ）の断面に見られるよ
うな鋭角域がない点である。
【００４４】前記のように、米国特許第５，０９１，２
８６号明細書に開示されているレーザシステムは、本発
明に使用できるタイプのものである。この種のエキシマ
レーザは、米国、マサチュセッツ州 ０１７２０、アク
トン(Acton)、グレートロード(Great Road)２８９のラ
ムダフィジック（LambdaPhysick）社またはカナダ、オ
ンタリオ州 カナタ(Kanata)のルモニクス（LumonicsCo
rp）から市販されている。
【００４５】概要を説明すると、厚膜導体材料を１５〜
２５ミクロンの厚さに、セラミック基板上にスクリーン
印刷して乾燥させる。この時点で２つの選択肢がある。
すなわち、生（すなわち非焼成）状態で導体材料をレー
ザ切断するか、またはまず焼結（焼成）してからコイル
をレーザ切断するかのいずれかである。ＵＶレーザ放射
線は、いずれの状態であろうとも、導体材料に切り込む
ことができる。
【００４６】生状態で導体を切断する利点は、レーザエ
ネルギ−の表面反射量が少ない分、より多くのエネルギ
ーを切断に費やせることであり、その結果として、より
少数のレーザパルスで、コイルを完全切断できる。ただ
し、コイルが非常に脆弱で擦り剥け易いのが欠点であ
る。
【００４７】一方、焼成状態で切断する場合、導体は遙
かに耐久性があるが、導体材料の反射率が大きく、金属
と反応する入射ＵＶエネルギーが減少するため、より多
くのパルスを必要とする。
【００４８】導体材料については、市販の種々の厚膜イ
ンクのいずれでも良いが、導電性および利用性が高いこ
とから、銀が好適である。金または銅以外のその他の導
体材料の導電性は低過ぎ、概して質（Ｑ）の悪いチップ
誘導子ができる。従来の「ＦＯＤＥＬ」（登録商標）処
理に銀を添加して、前記のパラジウムを排除するのは、
本発明の一部である。
【００４９】導電半加工粗材を基板に貼付すれば、コイ
ルパターンを切り込める用意ができるが、これは、ビー
ム走路に位置決めされた金属テンシルマスクを使用する
ことによって達成される。
【００５０】マスクは、通常所望コイルパターンの切り
抜きを含むステンレス鋼または銅ベリリウム等の１４．
５平方ｃｍ（２．２５平方インチ）、０．７６〜０．２
５４ｍｍ（０．００３〜０．０１０インチ）厚の金属シ
ートで構成される。切り抜きについては、レーザ−切断
処理または湿式エッチング処理によって形成できる。
【００５１】レーザービームは、マスクに入射する前は
均一の横断面を有しているが、マスクを通過すると、マ
スクによって遮光されるため螺旋コイル状の横断面にな
る。マスクは最終製品に対してポジである。すなわち、
マスクの切り抜きが銀にも切り抜かれる。
【００５２】光学系は、レーザービームを照射集光し
て、金属標的半加工粗材上にコイルパターンを作像す
る、組状レンズおよびミラーで構成されている。レーザ
ービームを集光させると、レーザーの出力密度が増し
て、標的の金属化をアブレートし易くするレベルにな
る。通常集束像は、マスクパターンより小さい約８Ｘ分
の１の大きさである。
【００５３】マスクが薄く（例えば、約０．０７６ｍｍ
０．００３インチ厚）て、マスク内に少なからずのルー
プが存在すると、マスクが脆くなる恐れがある。この場
合は、マスク平面からループが逸脱して、像が部分的に
ぼけ易くなり、カットされたコイルの鋭角性が低下し
て、線の精細度も低下し、その結果誘導子のＱ値が低下
する。ループ支持体またはハンガは、ループをプレナ形
状に保つが、ＵＶ波長がマスク内に発見されるディテー
ルを全て再生するという優れた働きをするため、カット
されたコイル内に浮き出る。
【００５４】この潜在的問題を巡る一策は、コイルパタ
ーンを剛性に保つに十分程度の厚さを有するマスクを使
用することである。これは、０．２５４ｍｍ（０．０１
０インチ厚）のステンレス鋼によって達成されるが、こ
の種のマスクは化学的にエッチングできる。
【００５５】一般に、紫外線範囲で発光する希ハロゲン
化ガスエキシマレーザが、コイルパターンの切断に適し
ているが、２４８ナノメータで出力するフッ化クリプト
ン（ＫｒＦ）が最高品質のコイルを切断するものと思わ
れる。紫外線放射は、レーザパルス毎に薄い（１〜数ミ
クロン）金属層を除去するアブレーション処理によって
導体材を除去する。１または２ミル厚の金属膜を完全に
切り通すには、通常多重パルスが必要である。
【００５６】
【発明の効果】前記の説明から分かるように本発明によ
ると、コイルの導体トレード(trade)の横断面を矩形に
することによって、抵抗損と表皮効果とをおおむね低減
した、高品質（Ｑ）の厚膜低値高い周波数誘導子を形成
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】誘電オーバーコートを除くチップ誘導子の平面
図である。
【図２】（Ａ）は、基板背側の端部成端プリント図であ
り、（Ｂ）は、基板頂部の誘電基材塗膜を示す図であ
り、（Ｃ）は、コイルプリントを示す図であり、（Ｄ）
は、架橋誘電体を示す図であり、（Ｅ）は、架橋導体を
示す図であり、（Ｆ）は、誘電オーバーコートを示す図
である。
【図３】（Ａ）は、破砕直後のチップ誘導子条片（各構
成素子）の端面図であり、（Ｂ）は、エッジ成端貼付後
のチップ誘導子条片の端面図である。
【図４】エッジ成端直前のチップ誘導子条片の平面図で
ある。
【図５】（Ａ）は、通孔を備える代替架橋誘電体を示す
図であり、（Ｂ）は、代替架橋導体を示す図であり、
（Ｃ）は、コイルと代替架橋導体との相対的位置を示す
図である。
【図６】（Ａ）は、従来のスクリーン印刷導体の横断面
図であり、（Ｂ）は、図５（Ｂ）の６Ｂ−６Ｂ線に沿っ
た本発明によって形成された銀導体の断面図である。
【符号の説明】
（１）アルミナ基板 （２）底部成端 （３）基材 （４）コイル （５）架橋誘電体 （６）架橋導体 （７）誘電オーバーコート （８）金属層 （９）はんだ付け自在成端 （１０）（１１）端部成端 （１２）銀コイル第１端部 （１３）銀コイル第２端部 （１４）架橋誘電体 （１５）第２コイル （１６）通孔 （１７）第２コイル端部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス エル ヴェイク アメリカ合衆国 ネブラスカ州 68602− 0609コロンバス ピーオーボックス609 トゥエンティーサードストリート 1122 (72)発明者 ジェフリー ティー アデルマン アメリカ合衆国 ネブラスカ州 68602− 0609コロンバス ピーオーボックス609 トゥエンティーサードストリート 1122

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 形成しようとする線状切断部の全長にわ
    たって、パルス形レーザカッタを同時に当てて導体層を
    複数の線状切断部に分断することにより、おおむね矩形
    形状の横断切断部を形成することによって製造された、
    厚膜低値高周波数誘導子。
  2. 【請求項２】 導体層を確保する工程、および形成しよ
    うとする線状切断部の全長にわたってパルス形レーザカ
    ッタを同時に当てて、導体層を複数の線状切断部に分断
    することにより、おおむね矩形形状の横断切断部を形成
    する工程を有する、厚膜低値高周波数誘導子の製造方
    法。
  3. 【請求項３】 感光性銀インクの乾燥層で構成される導
    体層を確保する工程、前記インクをその所望形状のネガ
    でマスキングする工程、前記インクをＵＶ放射線に晒す
    工程、前記インクを現像する工程、および前記導体層を
    燃焼させて、前記インクの銀を前記導体層に付着させる
    工程を備える、厚膜低値高周波数誘導子の製造方法。
  4. 【請求項４】 乾燥状態の感光性銀インクで構成される
    導体層を確保し、前記インクを導線および各線の間隔が
    ４ミル以下であるインクの所望形状のネガでマスキング
    し、前記インクを現像してから、前記導体層を燃焼させ
    て、前記導線の銀を前記導体層に付着させることによっ
    て製造された、厚膜低値高周波数誘導子。
  5. 【請求項５】 約９の値を有する高い誘電率を有する基
    板素子、および約４の誘電率を有して、誘導子の自己共
    振周波数を高レベルに保つようにする前記基板上の誘電
    基材塗膜を備える厚膜低値高周波数誘導子。
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