JPH11166047A - 光通信用ポリアリーレンエーテル - Google Patents
光通信用ポリアリーレンエーテルInfo
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- JPH11166047A JPH11166047A JP10251340A JP25134098A JPH11166047A JP H11166047 A JPH11166047 A JP H11166047A JP 10251340 A JP10251340 A JP 10251340A JP 25134098 A JP25134098 A JP 25134098A JP H11166047 A JPH11166047 A JP H11166047A
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
- C08G65/34—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives
- C08G65/38—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives derived from phenols
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- C08G2650/28—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule characterised by the polymer type
- C08G2650/46—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule characterised by the polymer type containing halogen
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【解決手段】化学式１に示される光通信用ポリアリーレ
ンエーテル。 式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 及びＸ4 は水素、フッ素及び塩
素、Ｙ1 及びＹ2 は水素またはフッ素、Ｑ1 及びＱ2 は
水素または塩素であり、Ａは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｐ（Ｏ
Ｒ）−、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −、−（ＣＦ2 ）l −、−
（ＣＣｌ2 ）l −、−ＣＯ−及び−ＳＯ2 −よりなる群
から選択され（ここで、Ｒはトリフルオロメチル基、ト
リクロロメチル基、ｌは１乃至８の整数）、ｍ1 は１ま
たは２で、ｍ2 は０、１または２で、０≦ｎ≦１、０≦
ｋ≦１（ここで、ｎとｋはモル分率）である。 【効果】耐熱性とフィルム加工性が優秀で光通信波長領
域での光吸収損失が低く、Ｃ−Ｈ結合における水素がフ
ッ素に置換された単量体と塩素に置換された単量体の共
重合比によって、高分子の屈折率を光通信用光学材料と
して適切な程度に調節できる。
ンエーテル。 式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 及びＸ4 は水素、フッ素及び塩
素、Ｙ1 及びＹ2 は水素またはフッ素、Ｑ1 及びＱ2 は
水素または塩素であり、Ａは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｐ（Ｏ
Ｒ）−、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −、−（ＣＦ2 ）l −、−
（ＣＣｌ2 ）l −、−ＣＯ−及び−ＳＯ2 −よりなる群
から選択され（ここで、Ｒはトリフルオロメチル基、ト
リクロロメチル基、ｌは１乃至８の整数）、ｍ1 は１ま
たは２で、ｍ2 は０、１または２で、０≦ｎ≦１、０≦
ｋ≦１（ここで、ｎとｋはモル分率）である。 【効果】耐熱性とフィルム加工性が優秀で光通信波長領
域での光吸収損失が低く、Ｃ−Ｈ結合における水素がフ
ッ素に置換された単量体と塩素に置換された単量体の共
重合比によって、高分子の屈折率を光通信用光学材料と
して適切な程度に調節できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信用ポリアリー
レンエーテル（polyarylene ether）に係り、より詳細
には光通信素子製造に用いられるポリアリーレンエーテ
ルに関する。
レンエーテル（polyarylene ether）に係り、より詳細
には光通信素子製造に用いられるポリアリーレンエーテ
ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信で使用される光の波長範囲は初期
は８００ｎｍ波長であったが、近赤外線波長領域の１５
５０ｎｍ波長に移動した。従って、光通信素子を製造す
る時に用いられる光学材料は、基本的に近赤外線波長領
域の光をほとんど吸収しない材料より作ることが理想的
である。
は８００ｎｍ波長であったが、近赤外線波長領域の１５
５０ｎｍ波長に移動した。従って、光通信素子を製造す
る時に用いられる光学材料は、基本的に近赤外線波長領
域の光をほとんど吸収しない材料より作ることが理想的
である。
【０００３】光学レンズまたはコンパクトディスクのよ
うな光学基板製造用の高分子が一般的に用いられてい
る。最近は、このような高分子を、近赤外線領域の光運
送のための光導波路材料として利用しようとする研究が
試みられている。
うな光学基板製造用の高分子が一般的に用いられてい
る。最近は、このような高分子を、近赤外線領域の光運
送のための光導波路材料として利用しようとする研究が
試みられている。
【０００４】ところが、一般の高分子は通常１０００乃
至１７００ｎｍの近赤外線領域の光を吸収する。高分子
が近赤外線領域の光を吸収することは、アルキル基、フ
ェニル基、その他類似の機能基の炭素−水素（Ｃ−Ｈ）
結合の伸縮振動とディフォメーション（deformation）
振動による高調（調和）波の倍音に起因するものであ
る。従って、高分子を近赤外線波長領域の光を利用する
光導波用材料として利用することは、光伝達損失が非常
に大きいので望ましくない。このような光伝達損失を減
らすためには、高分子の光吸収波長領域を近赤外線波長
領域からこれより長波長または短波長領域に移動すべき
である。このために、Ｃ−Ｈ結合の水素をフッ素（Ｆ）
や重水素（Ｄ）に置換する方法が提案された。
至１７００ｎｍの近赤外線領域の光を吸収する。高分子
が近赤外線領域の光を吸収することは、アルキル基、フ
ェニル基、その他類似の機能基の炭素−水素（Ｃ−Ｈ）
結合の伸縮振動とディフォメーション（deformation）
振動による高調（調和）波の倍音に起因するものであ
る。従って、高分子を近赤外線波長領域の光を利用する
光導波用材料として利用することは、光伝達損失が非常
に大きいので望ましくない。このような光伝達損失を減
らすためには、高分子の光吸収波長領域を近赤外線波長
領域からこれより長波長または短波長領域に移動すべき
である。このために、Ｃ−Ｈ結合の水素をフッ素（Ｆ）
や重水素（Ｄ）に置換する方法が提案された。
【０００５】前記方法のなかで、水素を重水素に置換す
る方法を利用する場合、Ｃ−Ｄ結合を有している物質が
１５００ｎｍ波長の光を非常にたくさん吸収するため、
１５００ｎｍ波長を利用する光通信素子用材料として使
用することは適してない。反面、水素をフッ素に置換す
る方法は、１０００〜１７００ｎｍ波長の光吸収損失を
最小化できる方法に確認された。
る方法を利用する場合、Ｃ−Ｄ結合を有している物質が
１５００ｎｍ波長の光を非常にたくさん吸収するため、
１５００ｎｍ波長を利用する光通信素子用材料として使
用することは適してない。反面、水素をフッ素に置換す
る方法は、１０００〜１７００ｎｍ波長の光吸収損失を
最小化できる方法に確認された。
【０００６】一方、光電集積回路（Opto Electronic In
tegrated Circuits ：ＯＥＩＣ）、光−電子混合配線板
（Opto-Electrical Mixed Wiring Board：ＯＥＭＷ
Ｂ）、ハイブリッド集積化素子（Hybride Integration
device）、プラスチック光ファイバー（Plastic Optica
l Fiber）、光多重基板素子（Multi Chip Module：ＭＣ
Ｍ）の光学素子を製造するための光学材料は、製作工程
の間、熱に対する安定性、特に２５０℃で３０分間持続
的な熱的安定性が要求される。このように、光学材料の
耐熱性が非常に大切なので、光学材料のガラス転移温
度、熱分解温度、熱膨張係数、複屈折率も非常に慎重に
考慮されるべきである。
tegrated Circuits ：ＯＥＩＣ）、光−電子混合配線板
（Opto-Electrical Mixed Wiring Board：ＯＥＭＷ
Ｂ）、ハイブリッド集積化素子（Hybride Integration
device）、プラスチック光ファイバー（Plastic Optica
l Fiber）、光多重基板素子（Multi Chip Module：ＭＣ
Ｍ）の光学素子を製造するための光学材料は、製作工程
の間、熱に対する安定性、特に２５０℃で３０分間持続
的な熱的安定性が要求される。このように、光学材料の
耐熱性が非常に大切なので、光学材料のガラス転移温
度、熱分解温度、熱膨張係数、複屈折率も非常に慎重に
考慮されるべきである。
【０００７】耐熱性に優れた高分子としてポリイミドが
広く知られている。ポリイミドは４００℃程度の高温で
も安定した耐熱性を有しているため、これを光通信用材
料として応用しようとする大きな努力が成されている。
広く知られている。ポリイミドは４００℃程度の高温で
も安定した耐熱性を有しているため、これを光通信用材
料として応用しようとする大きな努力が成されている。
【０００８】しかし、一般的なポリイミドは分子内に多
数のＣ−Ｈ結合を有しているため、近赤外線領域での光
吸収損失が大きい。このような問題点を解決するため
に、最近はＣ−Ｈ結合での水素をフッ素に、部分的にま
たは完全に置換させたポリイミドが報告されたことがあ
る。フッ素に部分的に置換されたポリイミドは１３１０
ｎｍ波長では約０．１ｄＢ／ｃｍの光吸収損失を示し、
フッ素に完全に置換されたポリイミドは１３１０ｎｍ及
び１５５０ｎｍ波長で光吸収損失がほとんどないことに
知られている。
数のＣ−Ｈ結合を有しているため、近赤外線領域での光
吸収損失が大きい。このような問題点を解決するため
に、最近はＣ−Ｈ結合での水素をフッ素に、部分的にま
たは完全に置換させたポリイミドが報告されたことがあ
る。フッ素に部分的に置換されたポリイミドは１３１０
ｎｍ波長では約０．１ｄＢ／ｃｍの光吸収損失を示し、
フッ素に完全に置換されたポリイミドは１３１０ｎｍ及
び１５５０ｎｍ波長で光吸収損失がほとんどないことに
知られている。
【０００９】ところが、前述したようにポリイミド内の
Ｃ−Ｈ結合における水素をフッ素基に置換するとポリイ
ミドの屈折率が小さくなる。ここで、ポリイミド内のフ
ッ素含有量は屈折率減少量と比例関係にある。従って、
Ｃ−Ｈ結合における水素をフッ素に置換させたポリイミ
ド、即ち、フルオル化されたポリイミドは屈折率が低く
て、これを光ファイバーのコアとして使用する場合、ク
ラッディングとして使用できる材料に対する選択の幅が
狭くなる。
Ｃ−Ｈ結合における水素をフッ素基に置換するとポリイ
ミドの屈折率が小さくなる。ここで、ポリイミド内のフ
ッ素含有量は屈折率減少量と比例関係にある。従って、
Ｃ−Ｈ結合における水素をフッ素に置換させたポリイミ
ド、即ち、フルオル化されたポリイミドは屈折率が低く
て、これを光ファイバーのコアとして使用する場合、ク
ラッディングとして使用できる材料に対する選択の幅が
狭くなる。
【００１０】また、ポリイミド内のフッ素含量が増加す
るほど前記高分子の表面張力は益々小さくなる。従っ
て、このような高分子は基材にコーティングし難いし、
このような高分子を含んでできた膜は接着性が良くな
い。その結果、膜特性が低下するだけでなく膜が割れや
すくなることによって、このようなポリイミドを光導波
用材料として利用することは実質的に非常に難しい問題
点がある。
るほど前記高分子の表面張力は益々小さくなる。従っ
て、このような高分子は基材にコーティングし難いし、
このような高分子を含んでできた膜は接着性が良くな
い。その結果、膜特性が低下するだけでなく膜が割れや
すくなることによって、このようなポリイミドを光導波
用材料として利用することは実質的に非常に難しい問題
点がある。
【００１１】最近、４００℃程度の高温度でも安定した
耐熱特性を有する高分子としてポリアリーレンエーテル
が合成された。この高分子はフィルム加工性に優れ、誘
電率と複屈折率が低い特性を有しているが、このような
特性によって、ポリアリーレンエーテルは半導体製造工
程に必要な誘電薄膜形成物質として非常に適した物質と
して期待されている。
耐熱特性を有する高分子としてポリアリーレンエーテル
が合成された。この高分子はフィルム加工性に優れ、誘
電率と複屈折率が低い特性を有しているが、このような
特性によって、ポリアリーレンエーテルは半導体製造工
程に必要な誘電薄膜形成物質として非常に適した物質と
して期待されている。
【００１２】
【発明が解決するための手段】本発明の目的は、光通信
波長領域６００〜１７００ｎｍにおける光吸収損失が最
小化し、耐熱性、屈折率及びフィルム加工性に優れた光
通信用ポリアリーレンエーテルを提供することにある。
波長領域６００〜１７００ｎｍにおける光吸収損失が最
小化し、耐熱性、屈折率及びフィルム加工性に優れた光
通信用ポリアリーレンエーテルを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明では、化学式１に示される光通信用ポリアリ
ーレンエーテルを提供する。
めに本発明では、化学式１に示される光通信用ポリアリ
ーレンエーテルを提供する。
【００１４】
【化２】
【００１５】前記式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 及びＸ4 はお
互い独立に水素、フッ素及び塩素よりなる群から選択さ
れ、Ｙ1 及びＹ2 はお互い独立に水素またはフッ素であ
り、Ｑ1 及びＱ2 はお互い独立に水素または塩素であ
り、Ａは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｐ（ＯＲ）−、−Ｃ（ＣＦ
3 ）2 −、−（ＣＦ2 ）l−、−（ＣＣｌ2 ）l −、−
ＣＯ−及び−ＳＯ2 −よりなる群から選択され（ここ
で、Ｒはトリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、
ペンタフルオロフェニル基またはペンタクロロフェニル
基であり、ｌは１乃至８の整数である）、ｍ1 は１また
は２で、ｍ2 は０、１または２で、０≦ｎ≦１、０≦ｋ
≦１（ここで、ｎとｋはモル分率であって、ｎ＋ｋ＝１
である）である。
互い独立に水素、フッ素及び塩素よりなる群から選択さ
れ、Ｙ1 及びＹ2 はお互い独立に水素またはフッ素であ
り、Ｑ1 及びＱ2 はお互い独立に水素または塩素であ
り、Ａは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｐ（ＯＲ）−、−Ｃ（ＣＦ
3 ）2 −、−（ＣＦ2 ）l−、−（ＣＣｌ2 ）l −、−
ＣＯ−及び−ＳＯ2 −よりなる群から選択され（ここ
で、Ｒはトリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、
ペンタフルオロフェニル基またはペンタクロロフェニル
基であり、ｌは１乃至８の整数である）、ｍ1 は１また
は２で、ｍ2 は０、１または２で、０≦ｎ≦１、０≦ｋ
≦１（ここで、ｎとｋはモル分率であって、ｎ＋ｋ＝１
である）である。
【００１６】前記化学式１で、ｎとｋは核磁気共鳴分析
法（nuclear magnetic resonance analysis：ＮＭＲ）
と元素分析法によって決定される。
法（nuclear magnetic resonance analysis：ＮＭＲ）
と元素分析法によって決定される。
【００１７】前記ポリアリーレンエーテルの数平均分子
量が１×１０4 乃至１．２×１０5であることが好まし
い。また、ポリアリーレンエーテルの熱分解温度が４５
０乃至５５０℃であり、ガラス転移温度は１８０〜２０
０℃であることが好ましい。
量が１×１０4 乃至１．２×１０5であることが好まし
い。また、ポリアリーレンエーテルの熱分解温度が４５
０乃至５５０℃であり、ガラス転移温度は１８０〜２０
０℃であることが好ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】Ｃ−Ｈ結合における水素がフッ素
に部分的にまたは完全に置換されたポリアリーレンエー
テルは屈折率が低いほうであり、Ｃ−Ｈ結合における水
素が塩素に部分的にまたは完全に置換されたポリアリー
レンエーテルは、前記フッ素に置換されたポリアリーレ
ンエーテルに比べて屈折率が高い。これに、本発明はＣ
−Ｈ結合における水素がフッ素に置換された単量体と塩
素に置換された単量体の共重合比を適切に変化させて、
光導波用に適合した屈折率特性を有すると同時に、光通
信波長領域における光吸収損失が最小化したポリアリー
レンエーテルを得ようとすることにその特徴がある。
に部分的にまたは完全に置換されたポリアリーレンエー
テルは屈折率が低いほうであり、Ｃ−Ｈ結合における水
素が塩素に部分的にまたは完全に置換されたポリアリー
レンエーテルは、前記フッ素に置換されたポリアリーレ
ンエーテルに比べて屈折率が高い。これに、本発明はＣ
−Ｈ結合における水素がフッ素に置換された単量体と塩
素に置換された単量体の共重合比を適切に変化させて、
光導波用に適合した屈折率特性を有すると同時に、光通
信波長領域における光吸収損失が最小化したポリアリー
レンエーテルを得ようとすることにその特徴がある。
【００１９】本発明のポリアリーレンエーテルはその構
造式からわかるように、Ｂ、Ｚ１及びＺ２部分を含んで
いる。ここで、Ｂ部分は非置換芳香族環、塩素やフッ素
で置換された芳香族環またはこのような芳香族環が反復
された構造である。そして、Ｚ１部分は非置換芳香族
環、フッ素で置換された芳香族環またはこのような芳香
族環が反復された構造であり、Ｚ２部分は非置換芳香族
環、塩素で置換された芳香族環またはこのような芳香族
環が反復された構造を有する。
造式からわかるように、Ｂ、Ｚ１及びＺ２部分を含んで
いる。ここで、Ｂ部分は非置換芳香族環、塩素やフッ素
で置換された芳香族環またはこのような芳香族環が反復
された構造である。そして、Ｚ１部分は非置換芳香族
環、フッ素で置換された芳香族環またはこのような芳香
族環が反復された構造であり、Ｚ２部分は非置換芳香族
環、塩素で置換された芳香族環またはこのような芳香族
環が反復された構造を有する。
【００２０】
【化３】
【００２１】以下、本発明による化学式１のポリアリー
レンエーテルの製造方法を調べると次の通りである。
レンエーテルの製造方法を調べると次の通りである。
【００２２】まず、化学式１のＢ部分を構成するための
芳香族化合物とＺ１及びＺ２部分を構成するための芳香
族ジオール（diol）化合物をジエチルアセトアミドのよ
うな溶媒に溶解した後、塩基を付加して混合する。この
反応混合物を−２０〜１２０℃で５〜３００時間反応さ
せる。
芳香族化合物とＺ１及びＺ２部分を構成するための芳香
族ジオール（diol）化合物をジエチルアセトアミドのよ
うな溶媒に溶解した後、塩基を付加して混合する。この
反応混合物を−２０〜１２０℃で５〜３００時間反応さ
せる。
【００２３】反応が完結すると反応混合物から未反応塩
基を除去する。次いで、反応混合物を蒸溜水またはエチ
ルアルコールなどの有機溶媒に注いで沈殿物を形成させ
る。得られた沈殿物を乾燥して化学式１に示されるポリ
アリーレンエーテルが得られる。
基を除去する。次いで、反応混合物を蒸溜水またはエチ
ルアルコールなどの有機溶媒に注いで沈殿物を形成させ
る。得られた沈殿物を乾燥して化学式１に示されるポリ
アリーレンエーテルが得られる。
【００２４】前記Ｂ部分を構成する化合物の具体的な例
には、ヘキサフルオロベンゼン、ヘキサクロロベンゼ
ン、デカフルオロビフェニルまたはデカクロロビフェニ
ルがあり、Ｚ１部分を構成する化合物の具体的な例とし
ては４、４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジ
フェノールがある。そしてＺ２部分を構成する化合物の
具体的な例としては４、６−ジクロロレゾルシノールが
ある。
には、ヘキサフルオロベンゼン、ヘキサクロロベンゼ
ン、デカフルオロビフェニルまたはデカクロロビフェニ
ルがあり、Ｚ１部分を構成する化合物の具体的な例とし
ては４、４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジ
フェノールがある。そしてＺ２部分を構成する化合物の
具体的な例としては４、６−ジクロロレゾルシノールが
ある。
【００２５】前述した方法によって得られたポリアリー
レンエーテルの分子量は１×１０4乃至１．２×１０5
である。そしてポリアリーレンエーテルの熱分解温度は
４５０〜５５０℃で、ガラス転移温度は１８０〜２００
℃である。このようなポリアリーレンエーテルは６００
乃至１７００ｎｍ波長領域の光通信素子用材料として利
用可能である。
レンエーテルの分子量は１×１０4乃至１．２×１０5
である。そしてポリアリーレンエーテルの熱分解温度は
４５０〜５５０℃で、ガラス転移温度は１８０〜２００
℃である。このようなポリアリーレンエーテルは６００
乃至１７００ｎｍ波長領域の光通信素子用材料として利
用可能である。
【００２６】
【実施例】以下、本発明を実施例を挙げて詳細に説明す
るが、本発明が下記実施例にだけ限られることではな
い。
るが、本発明が下記実施例にだけ限られることではな
い。
【００２７】実施例１． 化学式２で表されるポリアリ
ーレンエーテル デカフルオロビフェニル０．０２３モルと４、４’−
（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフェノール０．
０２２モルをＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド１２０ｍｌ
に溶解した。ここに、炭酸カリウム０．０２６２５モル
を添加して８０℃で２４時間反応させた。
ーレンエーテル デカフルオロビフェニル０．０２３モルと４、４’−
（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフェノール０．
０２２モルをＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド１２０ｍｌ
に溶解した。ここに、炭酸カリウム０．０２６２５モル
を添加して８０℃で２４時間反応させた。
【００２８】反応が完結すると、前記反応混合物から過
剰の炭酸カリウムを除去した。次いで、反応混合物を蒸
溜水に注いで沈殿物を形成させた。得られた沈殿物を乾
燥して数平均分子量が４×１０4 の化学式２のポリアリ
ーレンエーテルを得た。
剰の炭酸カリウムを除去した。次いで、反応混合物を蒸
溜水に注いで沈殿物を形成させた。得られた沈殿物を乾
燥して数平均分子量が４×１０4 の化学式２のポリアリ
ーレンエーテルを得た。
【００２９】
【化４】
【００３０】実施例２． 化学式３で表されるポリアリ
ーレンエーテル デカフルオロビフェニル０．０３モル、４、４’−（ヘ
キサフルオロイソプロピリデン）ジフェノール０．０２
６モル及び４、６−ジクロロレソシノール０．００２９
モルをＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド２３２ｍｌに溶解
した。ここに炭酸カリウム０．０４８モルを添加して８
０℃で２４時間反応させた。
ーレンエーテル デカフルオロビフェニル０．０３モル、４、４’−（ヘ
キサフルオロイソプロピリデン）ジフェノール０．０２
６モル及び４、６−ジクロロレソシノール０．００２９
モルをＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド２３２ｍｌに溶解
した。ここに炭酸カリウム０．０４８モルを添加して８
０℃で２４時間反応させた。
【００３１】反応が完結すると、前記反応混合物から過
剰の炭酸カリウムを除去した。次いで、反応混合物を蒸
溜水に注いで沈殿物を形成させた。得られた沈殿物を乾
燥して数平均分子量が４×１０4 の化学式３のポリアリ
ーレンエーテルを得た。
剰の炭酸カリウムを除去した。次いで、反応混合物を蒸
溜水に注いで沈殿物を形成させた。得られた沈殿物を乾
燥して数平均分子量が４×１０4 の化学式３のポリアリ
ーレンエーテルを得た。
【００３２】
【化５】
【００３３】前記式中、ｎは０．９でｋは０．１であ
る。
る。
【００３４】前記の実施例１及び２によって製造された
化学式２及び３のポリアリーレンエーテルの熱分解温度
を測定した。化学式２による化学式２のポリアリーレン
エーテルの熱分解度は５２１℃であり、化学式３のポリ
アリーレンエーテルの熱分解温度は５２４℃で一般的な
光通信材料に比べて耐熱性に優れていた。
化学式２及び３のポリアリーレンエーテルの熱分解温度
を測定した。化学式２による化学式２のポリアリーレン
エーテルの熱分解度は５２１℃であり、化学式３のポリ
アリーレンエーテルの熱分解温度は５２４℃で一般的な
光通信材料に比べて耐熱性に優れていた。
【００３５】前記の実施例１及び２による化学式２及び
３のポリアリーレンエーテルの屈折率を測定して、その
結果を下記表１に示した。
３のポリアリーレンエーテルの屈折率を測定して、その
結果を下記表１に示した。
【００３６】
【表１】
【００３７】前記の表１からわかるように、実施例１の
ポリアリーレンエーテルは実施例２のポリアリーレンエ
ーテルに比べて屈折率が若干小さい。これは実施例２の
ポリアリーレンエーテルは実施例１のポリアリーレンエ
ーテルに比べて塩素の含有量が大きくてフッ素の含有量
が相対的に小さいからである。
ポリアリーレンエーテルは実施例２のポリアリーレンエ
ーテルに比べて屈折率が若干小さい。これは実施例２の
ポリアリーレンエーテルは実施例１のポリアリーレンエ
ーテルに比べて塩素の含有量が大きくてフッ素の含有量
が相対的に小さいからである。
【００３８】実施例３．先ず、シリコンウエーハ上に上
記の実施例で得られた化学式２で表されるポリアリーレ
ンエーテルをコーティングして下部緩衝層を形成し、こ
の下部緩衝層の上部に上記の実施例で得られた化学式３
のポリアリーレンエーテルをコーティングしてコア層を
形成した。
記の実施例で得られた化学式２で表されるポリアリーレ
ンエーテルをコーティングして下部緩衝層を形成し、こ
の下部緩衝層の上部に上記の実施例で得られた化学式３
のポリアリーレンエーテルをコーティングしてコア層を
形成した。
【００３９】その後、フォトリソグラフィー工程を用い
て前記コア層の上部にマスキングパターンを形成した。
て前記コア層の上部にマスキングパターンを形成した。
【００４０】前記マスキングパターンを用いてコア層の
所定領域を食刻して導波路を製作した後、マスキングパ
ターンを取り除いた。それから、前記結果物の上部に化
学式２のポリアリーレンエーテルをコーティングして上
部緩衝層を形成することにより光導波路素子を完成し
た。
所定領域を食刻して導波路を製作した後、マスキングパ
ターンを取り除いた。それから、前記結果物の上部に化
学式２のポリアリーレンエーテルをコーティングして上
部緩衝層を形成することにより光導波路素子を完成し
た。
【００４１】
【発明の効果】本発明のポリアリーレンエーテルは耐熱
性とフィルム加工性が優秀で光通信波長領域での光吸収
損失が低い。そしてＣ−Ｈ結合における水素がフッ素に
置換された単量体と塩素に置換された単量体の共重合比
によって、高分子の屈折率を光通信用光学材料として適
切な程度に調節できる。
性とフィルム加工性が優秀で光通信波長領域での光吸収
損失が低い。そしてＣ−Ｈ結合における水素がフッ素に
置換された単量体と塩素に置換された単量体の共重合比
によって、高分子の屈折率を光通信用光学材料として適
切な程度に調節できる。
【００４２】本発明のポリアリーレンエーテルは光電集
積回路、光電子混合配線管、光多重基板素子、プラスチ
ック光ファイバーのような光通信用素子製造用の必須な
光学材料として使用できる。
積回路、光電子混合配線管、光多重基板素子、プラスチ
ック光ファイバーのような光通信用素子製造用の必須な
光学材料として使用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 泰 衡 大韓民国京畿道城南市盆唐區新基洞121番 地 常緑マウル宇成アパート315棟1202號
Claims (6)
- 【請求項１】 化学式１に示される光通信用ポリアリー
レンエーテル： 【化１】 ただし、式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 及びＸ4 はお互い独立
に水素、フッ素及び塩素よりなる群から選択され、 Ｙ1 及びＹ2 はお互い独立に水素またはフッ素であり、 Ｑ1 及びＱ2 はお互い独立に水素または塩素であり、 Ａは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｐ（ＯＲ）−、−Ｃ（ＣＦ3 ）
2 −、−（ＣＦ2 ）l−、−（ＣＣｌ2 ）l −、−ＣＯ
−及び−ＳＯ2 −よりなる群から選択され（ここで、Ｒ
はトリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、ペンタ
フルオロフェニル基またはペンタクロロフェニル基であ
り、ｌは１乃至８の整数である）、 ｍ1 は１または２で、 ｍ2 は０、１または２で、 ０≦ｎ≦１、０≦ｋ≦１（ここで、ｎとｋはモル分率で
あって、ｎ＋ｋ＝１である）である。 - 【請求項２】 数平均分子量が１×１０4 乃至１．２×
１０5 であることを特徴とする請求項１に記載の光通信
用ポリアリーレンエーテル。 - 【請求項３】 熱分解温度が４５０乃至５５０℃である
ことを特徴とする請求項１に記載の光通信用ポリアリー
レンエーテル。 - 【請求項４】 ガラス転移温度が１８０乃至２００℃で
あることを特徴とする請求項１に記載の光通信用ポリア
リーレンエーテル。 - 【請求項５】 屈折率がＣ−Ｈ結合における水素がフッ
素に置換された単量体と、塩素に置換された単量体の共
重合比を変化させて調節されることを特徴とする請求項
１に記載の光通信用ポリアリーレンエーテル。 - 【請求項６】 適用波長範囲が６００乃至１７００ｎｍ
であることを特徴とする請求項１に記載の光通信用ポリ
アリーレンエーテル。
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| KR100536439B1 (ko) * | 2002-07-12 | 2005-12-16 | 김미화 | 퍼플루오로페닐아세틸렌 화합물, 이를 이용한 코팅액 및광도파로형 광소자 |
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| US5173542A (en) * | 1989-12-08 | 1992-12-22 | Raychem Corporation | Bistriazene compounds and polymeric compositions crosslinked therewith |
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| ATE150043T1 (de) * | 1990-04-17 | 1997-03-15 | Allied Signal Inc | Fluorierte poly(arylenäther) |
| DE69128280T2 (de) * | 1990-04-17 | 1998-03-19 | Allied Signal Inc | Vernetzbare zusammensetzung fluorierter aromatischer äther |
| US5204416A (en) * | 1990-04-17 | 1993-04-20 | Raychem Corporation | Crosslinked fluorinated poly(arylene ether) |
| JPH0491127A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 含フツ素芳香族エーテル重合体の製造法 |
| US5986045A (en) * | 1995-06-26 | 1999-11-16 | Alliedsignal Inc. | Poly(arylene ether) compositions and the method for their manufacture |
| US5658994A (en) * | 1995-07-13 | 1997-08-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | Nonfunctionalized poly(arylene ether) dielectrics |
-
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-
1998
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- 1998-09-03 GB GB9819111A patent/GB2328948B/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-04 US US09/148,695 patent/US6136929A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-04 JP JP10251340A patent/JP3034236B2/ja not_active Expired - Fee Related
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