KR100348146B1 - 저광손실 고분자 화합물 및 이를 이용한 광통신용 열광학 소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 저광손실 고분자 화합물 및 이를 이용한 광통신용 열광학 소자를 제공한다. 본 발명은 종래의 열광학소자에서 발생되는 분자구조 내의 진동에 의한 광손실의 문제를 해결하기 위하여 광손실을 유발하는 관능기를 배제한 굴절률이 서로 다른 한 쌍의 고분자물질로 이루어진 새로운 저광손실 고분자화합물을 합성하여 미세한 굴절률 조정을 가능하게 하고 이로부터 저광손실 광통신용 열광학 소자를 제조할 수 있게 한다.

Description

저광손실 고분자 화합물 및 이를 이용한 광통신용 열광학 소자{POLYMER WITH LOW OPTICAL LOSS AND THERMO-OPTIC DEVICE FOR OPTICAL COMMUNICATION USING THE POLYMER}

본 발명은, 광통신용 열광학 소자를 구성하는 코아층과 클래딩층의 굴절률을 미세하게 조절할 수 있는 새로운 저광손실 고분자 화합물과, 이 고분자 화합물을 사용하여 제조된 광통신용 열광학 소자에 관한 것이다.

현재의 광통신 시스템은 시간다중분할방식(TDM)과 파장분할방식(WDM) 등의 광대역화를 꾀하고 있으며, 이에 필요한 광신호의 발생은 반도체 레이저를 직접 구동시키는 직접변조방식을 사용하고 있으나, 보다 높은 해상력과 고속정보처리가 필요한 화상회의, 양질의 HDTV, 영상화면의 전송 등과 같은 고도의 종합통신망에서는 비선형광학 물질을 사용하는 수십 Gbps 이상의 처리능력을 갖는 마하젠더 간섭계(Mach-Zender interferometer) 형태의 간접구동 방식이 사용될 전망이다. 이들은 전기적 신호를 광신호로 변환시키거나 신호 진행방향을 조정하는 스위칭 등으로 대별되는 전기광학 소자들이다.

반면에, 고속 통신용 WDM 광네트워크 속에 있는 단말기를 약 10ms 이하의 짧은 시간에 연결하여 주면서도 전기광학 소자의 단점인 편광 의존성, 장기 신뢰성의 감소, 광손실 등의 일반적인 문제를 해결할 수 있는 새로운 광소자의 개발이 필요하다. 이와 같은 특성을 갖는 가장 유력한 소자가 바로 열광학 소자이다.

이 소자의 작동원리는 전기광학 소자의 원리와 같이 광도파로 내의 굴절률 변화를 응용한 것으로써 전기광학 소자의 전기적인 광신호를 열로 바꾸어 놓은 것이다. 즉, 열에 의해 코아층의 광굴절률이 변화하고, 이에 따라 도파로 내의 광신호 진행방향이 바뀌게 되어 스위칭 역할을 하게 되는 것이다. 이 소자는 전기광학 소자에 사용되는 전기광학 특성 부여를 위한 비선형 광학물질, 즉 극성(polar)의 화합물인 크로모포어(chromophore)의 사용이 요구되지 않고, 또한 폴링(polling)이라는 공정이 필요하지 않기 때문에, 광도파로 및 스위칭의 제작이 매우 단순하다는 장점과 함께, 시간에 따른 퍼포먼스(performance)의 감소, 극성물질 존재와 관련된 광손실의 감소 등과 같은 문제가 거의 없다는 장점이 있다.

열광학 소자는 도 1에 도시된 바와 같이, 기본적으로 광섬유의 원리와 같이, 상,하부전극이 연결되는 상,하부 금속층(1,2)으로 둘러싸인 두 개의 상,하부 클래딩층(3,4) 사이에 코아층(5)이 있는 3층으로 구성되어 있다. 미설명 부호 6은 광도파 영역이다.

열광학 소자의 제조공정은 전기광학소자에서 필수적인 폴링공정이 필요하지 않으므로 공정상 장점이 있다. 그러나, 광통신용 광소자에 사용되는 고분자 물질은 광손실이 적어야 한다.

광소자의 광손실은 물질 고유의 광흡수, 고유 광산란, 외부요인에 기인한다. 먼저 외부요인에 의한 광손실은 공정 최적화를 통해 최소화할 수 있으며, 광산란에 의한 광손실은 미미하여 전체 광손실에 거의 영향을 주지 않는다. 따라서, 전체 광손실을 줄이기 위해서는, 물질 고유의 광흡수를 줄이는 것이 필수적이며, 이는 분자설계 단계에서부터 고려되어야 한다. 고분자 물질 고유의 광손실은 전자전이 흡수와 적외선 진동 흡수에 위한 것인데, 고분자에서 전자전이 흡수 손실은 주로 C=C 이중결합의 π-π^*전이와 C=O 결합의 n-π^*전이에 따른 흡수로 UV-가시(visible) 영역에서 일어나기 때문에, 광통신 파장영역에서는 무시되고, 분자구조 내의 진동에 의한 흡수가 가장 중요한 요인이 된다. 특히, C-H(N-H, O-H) 결합에 의한 근적외선 영역의 진동흡수 손실이 광손실의 주된 원인이다.

또한, 코아층과 클래딩층의 굴절률을 미세하게 조절할 수 있어야 광손실이 적은 광소자의 제조가 가능하다.

따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 종래 광소자에서 발생되는 광손실의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 합성되는 고분자 물질의 굴절률의 미세조정을 가능하게 하고 이를 바탕으로 광손실이 적은 열광학 소자를 제조하는 것을 그 목적으로 한다.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면에 따른 고분자 화합물은, 하기 구조식 A로 표시되며, 고분자 주사슬이 트리아진(triazine) 유도체와 헥사플루오로비스페놀(hexafluorobisphenol) A로 이루어진다:(A)(이때, n은 10∼100이다).또한, 본 발명의 또 다른 일면에 따른 고분자 화합물은, 하기 구조식 B로 표시된다:(B)(이때, n은 10∼100이다).더구나, 본 발명에 따른 광통신용 열광학 소자는,상기 구조식 A로 표시되는 고분자 화합물에 하기 구조식 C로 표시되는 트리아진 유도체의 열경화제를 첨가하고 유기용제에 용해시킨 다음, 반도체 웨이퍼 상에 도포하고 열경화반응시켜 얻어진 코아층과,상기 구조식 A로 표시되는 고분자 화합물과 상기 구조식 B로 표시되는 고분자 화합물에 하기 구조식 C로 표시되는 열경화제를 첨가하고 유기용제에 용해시킨 다음, 반도체 웨이퍼 상에 도포하고 열경화반응시켜 얻어진 클래딩층을 구비한다:(C).

본 발명에서는, 서로 다른 관능기를 갖는 2가지 종류의 고분자 물질의 첨가 여부와 그것의 함량을 변화시켜 열광학 소자의 굴절률를 미세하게 조절 가능하게 한다. 이때, 고분자 물질의 종류와 함량에 따라 열광학 소자를 구성하는 코아층과 클래딩층의 굴절률이 1.50-1.55의 범위를 갖는다.

본 발명에 따르면, 고분자 내부에 광손실을 유발하는 관능기를 최대한 배제함으로써, 저광손실을 갖는 고분자 화합물을 제공할 수 있으며, 광통신용 열광학 소자를 구성하는 코아층과 클래딩층의 광손실을 줄일 수 있음은 물론, 그것의 굴절률을 미세하게 조절할 수 있다.

도 1 은 일반적인 광통신용 열광학 소자의 단면 구성도,

도 2 는 고분자 A와 B의 함량에 따른 굴절률의 변화를 나타낸 그래프.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

1 : 상부 금속층 2 : 하부 금속층

3 : 상부 클래딩층 4 : 하부 클래딩층

5 : 코아층 6 : 광도파 영역

이하, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.본 발명에 따른 고분자 물질은 광손실을 유발하는 C-H(N-H, O-H) 결합이 최대한 배제된 구조를 가지며, 상기 구조식 A로 표시되는 고분자 화합물(이하, 고분자 A라 칭한다)은 하기 반응식 1을 통해 합성되고, 상기 구조식 B로 표시되는 고분자 화합물(이하, 고분자 B라 칭한다)은 하기 반응식 2를 통해 합성된다. (이때, n은 10∼100이다). (이때, n은 10∼100이다).

광소자 제조시, 상기한 고분자 화합물을 웨이퍼 위에 박막도포하여 클래딩층을 제조하고, 그것의 상층에 코아층을 제조한 후 식각공정에 의해 패턴을 제조하게 되는데, 이때 박막의 표면상태를 유지하기 위해 열경화제를 함께 사용한다. 이와 같은 열경화제도 마찬가지로 광손실을 최소화하기 위해 트리아진을 주된 구조로 갖고 경화 관능기로서 C-C 삼중결합이 도입된 상기 구조식 C로 표시되는 열경화제를 사용하는데, 이 열경화제의 함량은 고분자 물질 전체량의 15wt% 이하인 것이 바람직하다. 이러한 열경화제는 하기 반응식 3을 통해 합성된다 (이때, PPTS는 pyridinium p-toluene sulfonate를 나타낸다).

한편, 상기한 고분자 화합물을 열광학 소자 제조에 사용할 때, 열광학 소자의 굴절률의 미세조절은 고분자 A와 고분자 B의 첨가 여부 및 그것의 함량을 조절함으로써 가능하다.

참고로, 고분자 A와 B의 함량에 따른 굴절률의 변화를 도 2에 그래프로 나타내었다.

상기한 고분자를 사용하여 열광학 소자를 제조하기 위해서는, 상기 고분자 A에 상기 구조식 C로 표시되는 트리아진 유도체의 열경화제를 첨가하고 유기용제에 용해시켜 용액을 제조한다. 이 용액을 반도체 웨이퍼 상에 도포하고 열경화반응시켜 코아층을 제조한다. 또한, 상기 고분자 A와 고분자 B의 함량을 조절하고 여기에 상기 구조식 C로 표시되는 열경화제를 첨가하여 유기용제에 용해시킨 다음, 반도체 웨이퍼 상에 도포하고 열경화반응시켜 클래딩층을 제조한다.이와 같이 하여 하부 클래딩층, 코아층, 상부 클래딩층의 순서로 스핀-코팅(spin-coating)법에 의해 박막 도포한 후, 열을 가하여 유기용제의 건조 및 열경화 반응을 유도하여 박막의 열적, 물리적 안정성을 부여한다. 이때, 코아층 형성후에는 식각방법에 의해 패턴을 형성한다.

상기한 각 층의 두께는 박막도포시 사용한 유기용제의 종류, 고분자 물질의 농도, 스핀-코팅시의 회전수 등을 변화시킴으로써, 1 - 10㎛까지 변화시킬 수 있다.

상술한 바와 같은 공정에 의해 열광학 소자를 제조하는 구체적인 제 1 실시예의 공정을 살펴보면, 우선 코아층과 클래딩층으로 사용할 용액을 제조하였다.이하, 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

(제 1 실시예)먼저, 코아층과 클래딩층으로 사용할 용액을 제조하였다. 코아층으로는 고분자 A만을 사용하였으며, 이때 굴절률은 1.54이었다. 클래딩층으로는 고분자 A와 고분자 B의 비율이 2:8인 조성을 사용하였고, 이때 굴절률은 1.52이었다. 코아층과 클래딩층을 박막도포시에 씨크로헥사논(cyclohexanone)을 용제로 사용하여 20% 농도의 용액을 제조하여 사용하였다. 용액을 제조시에 열경화제는 고분자 물질의 10wt%를 첨가하였다.

그후, 실리콘 웨이퍼 위에 클래딩층을 박막도포하였다. 박막도포는 스핀 코팅법을 사용하였으며, 도포후에 150℃에서 2시간 동안 열경화반응을 진행시켰다. 제조된 층 두께는 5㎛이었다.

이 위에 코아층을 마찬가지 방법으로 박막 도포하고 150℃에서 2시간 동안 열경화반응을 진행시킨 다음, 건식식각방법을 사용하여 패턴을 형성하였다.

마지막으로, 코아층 위에 클래딩층을 동일한 방법으로 다시 박막도포 및 열경화시킴으로써, 열광학 소자를 제조하였다.

(제 2 실시예)먼저, 코아층과 클래딩층으로 사용할 용액을 제조하였다.

코아층으로는 고분자 A만을 사용하였고, 이때 굴절률은 1.54이었다. 클래딩층으로는 고분자 A와 고분자 B의 비율이 2:8인 조성을 사용하였고, 이때 굴절률은 1.52이었다. 코아와 클래딩층을 박막도포시에 씨크로헥사논을 용제로 사용하여 20% 농도의 용액을 제조하여 사용하였다. 용액을 제조시에 열경화제는 고분자 물질의 4wt%를 첨가하였다.

그후, 실리콘 웨이퍼 위에 클래딩층을 박막도포하였다. 박막도포는 스핀 코팅법을 사용하였으며, 도포후에 200℃에서 2시간 동안 열경화반응을 진행시켰다. 제조된 층 두께는 5㎛이었다.이 위에 코아층을 동일한 방법으로 박막 도포하고 200℃에서 2시간 동안 열경화반응을 진행시킨 다음, 건식식각방법을 사용하여 패턴을 형성하였다.

마지막으로, 코아층 위에 클래딩층을 동일한 방법으로 다시 박막도포 및 열경화시켜 열광학 소자를 제조하였다.

본 발명에 따르면, 고분자 내부에 광손실을 유발하는 관능기를 최대한 배제함으로써 저광손싱을 갖는 고분자 화합물을 제공할 수 있으며, 광통신용 열광학 소자를 구성하는 코아층과 클래딩층의 광손실을 줄일 수 있음은 물론, 그것의 굴절률을 미세하게 조절할 수 있다.

Claims (10)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 하기 구조식으로 표시되는 저광손실 고분자 화합물:

   (이때, n은 10∼100이다).
8. 하기 구조식으로 표시되는 저광손실 고분자 화합물:

   (이때, n은 10∼100이다).
9. 하기 구조식 A로 표시되는 고분자 화합물에 하기 구조식 C로 표시되는 열경화제를 첨가하고 유기용제에 용해시킨 다음, 반도체 웨이퍼 상에 도포하고 열경화반응시켜 얻어진 코아층과,

   하기 구조식 A로 표시되는 고분자 화합물과 하기 구조식 B로 표시되는 고분자 화합물에 하기 구조식 C로 표시되는 열경화제를 첨가하고 유기용제에 용해시킨 다음, 반도체 웨이퍼 상에 도포하고 열경화반응시켜 얻어진 클래딩층을 구비한 광통신용 열광학 소자:

   (A)

   (B)

   (C)

   (이때, n은 10∼100이다).
10. 제 9항에 있어서,

    상기 코아층과 클래딩층은 1.50∼1.55의 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 광통신용 열광학 소자.