JPH1115705A - メモリ管理方法及び記録媒体、メモリ管理装置 - Google Patents

メモリ管理方法及び記録媒体、メモリ管理装置

Info

Publication number
JPH1115705A
JPH1115705A JP9169199A JP16919997A JPH1115705A JP H1115705 A JPH1115705 A JP H1115705A JP 9169199 A JP9169199 A JP 9169199A JP 16919997 A JP16919997 A JP 16919997A JP H1115705 A JPH1115705 A JP H1115705A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
block
data
flag
state
written
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9169199A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3718578B2 (ja
Inventor
Satoru Sasa
哲 佐々
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP16919997A priority Critical patent/JP3718578B2/ja
Priority to US09/095,620 priority patent/US6144607A/en
Priority to MYPI98002843A priority patent/MY119727A/en
Priority to CNB981150497A priority patent/CN1146795C/zh
Priority to EP98111553A priority patent/EP0887735A3/en
Priority to KR1019980023823A priority patent/KR100578427B1/ko
Publication of JPH1115705A publication Critical patent/JPH1115705A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3718578B2 publication Critical patent/JP3718578B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10Programming or data input circuits
    • G11C16/14Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
    • G11C16/16Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023Free address space management
    • G06F12/0238Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理を高速化する。 【解決手段】 記憶領域が複数のブロックに分割され、
ブロックが初期化されることにより、当該ブロックのデ
ータが一括して消去されるメモリを管理する際に、各ブ
ロックに、ブロックの使用状況を示すフラグを設け、ブ
ロックに書き込まれたデータを消去する際は、当該ブロ
ックの初期化を行わずに、当該ブロックの消去フラグ
を、当該ブロックのデータを消去する予定であることを
示す消去状態とし、消去フラグが消去状態となっている
ブロックに対して改めてデータを書き込むよりも前に、
当該ブロックに対して初期化処理を施すとともに、当該
ブロックのフラグを初期状態とする。上記各ブロック
に、所定単位のデータの終了部が記憶されている最終ブ
ロックか否かを示す終了フラグを設け、終了部が書き込
まれたブロックの上記終了フラグを最終ブロックを示す
状態とすることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、メモリ管理方法に
関する。詳しくは、各ブロックに使用状況を示すフラグ
を設けることにより、高速処理が可能とされるメモリ管
理方法に係わるものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、例えばコンピュータ等の電子
機器を主記憶装置とした場合に、この主記憶装置の容量
の不足を補う記憶装置が使用されている。この記憶装置
としては、磁気テープ、磁気ディスク、光磁気ディス
ク、紙テープ、メモリカード等が挙げられる。この中で
もメモリカードは転送レートが比較的高速であることか
ら広く使用されている。
【0003】また、このメモリカードは、静止画像撮像
装置(いわゆるスチルカメラ)やビデオテープレコーダ
ー一体型のカメラ等に内蔵され、撮像情報を記録する記
憶装置としても使用されている。
【0004】上記メモリカードは、半導体集積回路等の
記憶手段を例えば合成樹脂よりなる筺体内に埋設した構
造となされ、半導体集積回路としては、フラッシュメモ
リ(電気的消去可能型プログラマブルROM(Read-Onl
y Memory))等が使用されている。
【0005】なお、上述のメモリカードのような記憶装
置においては、これに記憶されているデータの管理を例
えばいわゆる分散管理方法により行うようにしている。
【0006】上記分散管理方法とは、記憶装置のデータ
が記憶される記憶手段(以下、メモリと称する。)中の
記憶領域のブロックといったデータ消去単位毎にこのブ
ロックを管理するブロックフラグ、論理アドレス、連結
情報といった管理情報を有し、これら管理情報を各ブロ
ックに分散させて作成しておく方法である。以下、この
ような管理情報を分散管理情報と称する。そして、この
分散管理方法は、上記記憶装置に対してデータの読み出
し及び/又は書き込みを行うべく、電子機器を起動させ
る際に、先ず、電子機器がメモリ中の記憶領域の各ブロ
ックに分散している分散管理情報を集めて電子機器側の
記憶手段内に読み出し、各ブロックのデータを一括して
管理することを可能とする集中管理テーブルを作成し
て、データを管理する方法である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
にメモリカードのメモリとしてフラッシュメモリが使用
されている場合においては、通常、所定のブロックのデ
ータが不要となった時点でブロック単位での初期化が行
われ、当該ブロックに書き込まれているデータが一括し
て消去され、このブロックは再度のデータの書き込みが
可能な状態とされる。
【0008】従って、例えば、所定のブロックのデータ
が不要となった後に、他のブロックへのデータの書き込
みが行われる場合やデータ書き込み以外の処理が行われ
る場合には、所定のブロックの初期化処理の後に、上記
のような処理が行われることとなる。
【0009】このようなブロック単位での初期化には、
1ブロック当たり5〜60(msec)の時間がかか
り、この初期化処理の後に各処理が行われる場合には、
全体の処理に要する時間が多大なものとなってしまい、
処理の高速化を妨げる要因となっている。
【0010】そこで、本発明は、上述の実情に鑑みて提
案されるものであって、処理の高速化が可能となされる
メモリ管理方法を提供しようとするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明は、記憶領域が複数のブロックに分割され、
ブロックが初期化されることにより、当該ブロックに書
き込まれたデータが一括して消去されるメモリの管理方
法であって、各ブロックに、ブロックの使用状況を示す
フラグを設け、ブロックに書き込まれたデータを消去す
る際は、当該ブロックの初期化を行わずに、当該ブロッ
クに設けられた消去フラグを、当該ブロックのデータを
消去する予定であることを示す消去状態とし、消去フラ
グが消去状態となっているブロックに対して改めてデー
タを書き込むよりも前に、当該ブロックに対して初期化
処理を施すとともに、当該ブロックのフラグを初期状態
とすることを特徴とするものである。
【0012】なお、上記本発明のメモリ管理方法におい
ては、上記各ブロックへのデータの書き込み時に、各ブ
ロックの初期状態の消去フラグを所定単位のデータの先
頭が記憶されていることを示す先頭使用中状態或いは所
定単位のデータの途中が記憶されていることを示す使用
中状態とすることが好ましい。
【0013】また、上記本発明のメモリ管理方法におい
ては、上記各ブロックに、所定単位のデータの終了部が
記憶されている最終ブロックか否かを示す終了フラグを
設け、データの書き込み時、所定単位のデータの終了部
が書き込まれたブロックの上記終了フラグを最終ブロッ
クを示す状態とすることが好ましい。
【0014】本発明のメモリ管理方法においては、メモ
リの記憶領域中の各ブロックに、ブロックの使用状況を
示すフラグを設けていることから、例えば所定のブロッ
クのデータが不要となった後に、当該ブロックの初期化
処理以外の処理が行われる場合において、上記ブロック
の初期化を行わずに、先ず、このブロックに設けられた
消去フラグを、当該ブロックのデータを消去する予定で
あることを示す消去状態とし、この状態で上記ブロック
の初期化処理以外の処理を行い、消去フラグが消去状態
となっているブロックに対して改めてデータを書き込む
よりも前に、当該ブロックに対して初期化処理を施すと
ともに、当該ブロックのフラグを初期状態とするように
すれば良く、時間を要する初期化処理を待つことなく種
々の処理が実施される。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。なお、ここでは、本発明をメ
モリカードのメモリ管理方法に適用した例について述べ
る。
【0016】ここでは、本例のメモリカードが、図1に
示すようなホストコンピュータ1からのデータを記憶す
るものとして説明する。また、ここではホストコンピュ
ータから送信される画像データをメモリカードに書き込
む場合について説明するが、オーディオデータや他のデ
ータについても同様であることは言うまでもない。
【0017】上記ホストコンピュータ1は、図1に示す
ように、静止画の画像データやオーディオデータを記憶
するハードディスク11と、ハードディスク11からの
画像データ等を一旦記憶して読み出すRAM(Random A
ccess Memory)12と、ディスプレイ・インターフェー
ス(以下、ディスプレイI/Fという。)13を介して
供給される画像データに基づいて画像を表示するディス
プレイ14と、3本のデータ線を介してメモリカード2
とのデータの送受信を行うシリアルインターフェース
(以下、シリアルI/Fという。)15と、バス16
と、全体を制御するCPU(Central Processing Uni
t)17とを備える。
【0018】RAM12は、例えば、バス16を介して
ハードディスク11に記憶されているオーディオデータ
や画像データを一旦記憶し、必要に応じて画像データを
バス16を介してシリアルI/F15に供給する。
【0019】ディスプレイ14には、ハードディスク1
1から読み出された画像データがバス16,ディスプレ
イI/F13を介して供給されたり、メモリカード2か
らの画像データが供給されて、これらの画像データに基
づく静止画が表示される。
【0020】シリアルI/F15は、3本のデータ線を
介して、メモリカード2に画像データを送信したり、メ
モリカードに記憶されている画像データを受信する。具
体的には、シリアルI/F15は、第1のデータ線を介
して、メモリカード2に書き込むための画像データや制
御データを送信したり、メモリカード2から読み出され
た画像データを受信する。シリアルI/F15は、第2
のデータ線を介して、第1のデータ線での画像データ又
は制御データの切り換えに応じて、その切り換え状態を
示すステータス信号を出力する。さらに、シリアルI/
F15は、第3のデータ線を介して、上記制御データや
画像データの送信の際のシリアルクロックSCLKを送
信する。
【0021】CPU17は、RAM12やハードディス
ク11の画像データを読み出したり、RAM12等に画
像データを書き込むことを制御したり、メモリカード2
との画像データ等の送受信の制御も行う。例えば、CP
U17は、カードメモリ2に対してアドレスを指定して
所定のデータの書込み命令を発行する。
【0022】そして、本例のメモリカード2は、図2に
示すように、上記ホストコンピュータ1からの画像デー
タや制御データを受信するコントロールIC21と、受
信した画像データを記憶する記憶手段(以下、メモリと
称する。)であるフラッシュメモリ(電気的消去可能型
プログラマブルROM(Read-Only Memory))22とを
備えてなる。
【0023】コントロールIC21は、具体的には、シ
リアル/パラレル・パラレル/シリアル・インターフェ
ース・シーケンサ(以下、S/P&P/Sシーケンサと
いう。)31と、S/P&P/Sシーケンサ31からの
画像データを一時記憶するページバッファ32と、ペー
ジバッファ32からの画像データをフラッシュメモリ2
2に供給するフラッシュ・インターフェース・シーケン
サ(以下、フラッシュI/Fシーケンサという。)33
と、誤り訂正の処理を行うECCエンコーダ/デコーダ
34と、所定の制御コマンドを発生するコマンド・ジェ
ネレータ35と、バージョン情報等が記憶されているコ
ンフィグレーションROM(Read-OnlyMemory)36
と、各回路にクロックを供給する発振器37とを備え
る。
【0024】S/P&P/Sシーケンサ31は、上述の
第1〜第3のデータ線を介してホストコンピュータ1の
シリアルI/F15に接続している。従って、S/P&
P/Sシーケンサ31には、ホストコンピュータ1から
ステータス信号やシリアルクロックSCLKや画像デー
タ及び制御データからなるシリアルデータDIOが供給
される。
【0025】そして、S/P&P/Sシーケンサ31
は、ホストコンピュータ1から供給されるシリアルデー
タDIOを上記シリアルクロックSCLKに同期してパ
ラレルデータに変換する。S/P&P/Sシーケンサ3
1は、このパラレルデータの内、例えば制御データをコ
マンド・ジェネレータ35に供給し、画像データをペー
ジバッファ32に供給する。
【0026】ページバッファ32は、S/P&P/Sシ
ーケンサ31から供給される画像データを1ページ(=
512バイト)毎に記憶するバッファメモリである。ペ
ージバッファ32に記憶された画像データは、ECCエ
ンコーダ/デコーダ34によって誤り訂正符号が付けら
れる。ページバッファ32は、誤り訂正符号の付けられ
た1ページの画像データを、フラッシュI/Fシーケン
サ33を介して、フラッシュメモリ22a〜22dに供
給する。こうして、フラッシュメモリ22a〜22dに
は、ホストコンピュータ1からの画像データが書き込ま
れるようになっている。
【0027】また、フラッシュメモリ22a〜22dか
ら読み出された画像データは、フラッシュI/Fシーケ
ンサ33を介してページバッファ32に供給される。ペ
ージバッファ32は、フラッシュI/Fシーケンサ33
からの画像データを記憶する。このとき、ECCエンコ
ーダ/デコーダ34は、ページバッファ32に記憶され
ているデータに付加されている誤り訂正符号に基づいて
誤り訂正処理を施す。そして、ページバッファ32は、
誤り訂正処理済みのデータを1ページ毎に読み出して、
このデータをS/P&P/Sシーケンサ31に供給す
る。そして、S/P&P/Sシーケンサ31は、ページ
バッファ32から供給されるパラレルの画像データをシ
リアルデータDIOに変換して上述のホストコンピュー
タ1に送信する。
【0028】コマンド・ジェネレータ35は、S/P&
P/Sシーケンサ31からの制御データに基づいて制御
コマンドを発生する。また、コマンド・ジェネレータ3
5は、フラッシュメモリ22に画像データを書き込んで
いたり又はフラッシュメモリ22から画像データを読み
出している状態を示すビジー(busy)・コマンド(以
下、ビジー信号という。)を発生し、これをS/P&P
/Sシーケンサ31を介してホストコンピュータ1に送
信する。そして、コマンド・ジェネレータ35は、画像
データの書込み又はデータの読出しが終了すると、その
終了を示すレディ(ready)・コマンド(以下、レディ
信号という。)を発生して、これをS/P&P/Sシー
ケンサ31を介してホストコンピュータ1に送信する。
ホストコンピュータは、これらのビジー信号やレディ信
号を受信することによってメモリカード2の動作状態を
認識している。
【0029】コンフィグレーションROM36には、メ
モリカード2のバージョン情報や初期設定値の情報が記
憶されている。従って、ホストコンピュータ1とメモリ
カード2が接続されると、コマンド・ジェネレータ35
は、最初にS/P&P/Sシーケンサ31を介してコン
フィグレーションROM36から上記バージョン情報等
を読み出して、この情報に基づいて所定のコマンドを発
生することによってメモリカード2の所定の初期設定を
行うようになっている。
【0030】そして、本例のメモリカード2において
は、メモリであるフラッシュメモリ22としてNAND
型のフラッシュメモリを使用している。このNAND型
のフラッシュメモリは、ページ毎にデータエリアとは別
の冗長エリアを有している。
【0031】そこで、本例のメモリカード2において
は、各フラッシュメモリ22を以下に示すような構成と
している。すなわち、フラッシュメモリ22の記憶領域
は複数のブロックに分割されており、データが各ブロッ
クに分割して格納され、各ブロックのデータエリアに各
種データが格納されるとともに、各ブロックの冗長エリ
アに分散管理情報が格納される分散管理情報格納領域が
形成されている。なお、このフラッシュメモリ22にお
いては、初期状態では全て「1」のデータが書き込まれ
ており、「0」への変更のみが可能とされている。すな
わち、データ書き込み時にはデータの一部に「0」を書
き込むこととなる。そして、一度書き込んだデータを消
去するには、ブロック単位での初期化処理を行い、当該
ブロックに書き込まれたデータを一括して消去するよう
になされており、このブロックは再度のデータ書き込み
が可能な状態となる。
【0032】そして、この分散管理情報格納領域中に分
散管理情報としてブロック指定に使用される論理アドレ
ス等が格納されるとともに、当該分散管理情報格納領域
内に上書き可能なオーバーライトエリアが設けられ、こ
の中に、分散管理情報としてブロックの使用状況を示す
フラグとして消去フラグと所定単位のデータの終了部が
記憶されている最終ブロックか否かを示す終了フラグが
設けられている。なお、上記ブロックはページよりも大
きな情報単位を示す。
【0033】具体的には、本例のメモリカード2の各ブ
ロックのオーバーライトエリア内の消去フラグは1バイ
トとされており、当該オーバーライトエリアにおいても
「1」から「0」への変更のみが可能とされている。
【0034】そして、例えばブロック内にデータが書き
込まれていない初期状態が「1111 1111」とし
て表され、ブロック内にデータが書き込まれ、1ファイ
ルといった所定単位のデータの先頭が記憶されている先
頭ブロックとして使用されていることを示す先頭使用中
状態は8桁のうちの後半4桁が零に変更された「111
1 0000」として表され、1ファイルといった所定
単位のデータの途中が記憶されていることを示す使用中
状態は8桁のうちの前半4桁が零に変更された「000
0 1111」として表されるものとなされている。
【0035】当然のことながら、各ブロックとも最初は
データが書き込まれておらず、初期状態を示す「111
1 1111」の消去フラグを有しているが、上記ホス
トコンピュータ1により所定のブロックに例えば画像デ
ータが書き込まれると、当該ブロックの消去フラグの前
半或いは後半が上書きされて、上記消去フラグは先頭ブ
ロックとしての使用中の先頭使用中状態を示す「111
1 0000」或いは先頭以外のブロックとしての使用
中の使用中状態を示す「0000 1111」に書き換
えられる。
【0036】さらに、本例のメモリカード2の各ブロッ
クのオーバーライトエリア内の1ファイルといった所定
単位のデータの終了部が記憶されている最終ブロックか
否かを示す終了フラグも1バイトとされており、やはり
「1」から「0」への変更のみが可能とされている。
【0037】そして、1ファイルといった所定単位のデ
ータの終了部が記憶されておらず、次に接続するブロッ
クがあり、最終ブロックではない場合が「1111 x
xxx」(xxxxは次に接続するブロックのアドレス
を示す。)として表され、所定単位のデータの終了部が
記憶されており、接続するブロックが無く、最終ブロッ
クである場合が「0000 xxxx」(xxxxは次
に接続するブロックのアドレスを示す。)として表され
るものとなされている。
【0038】そして、本例のメモリカードを使用する際
には、本発明のメモリ管理方法に基づいてホストコンピ
ュータ1により以下に示すような処理が行われる。例え
ば、ホストコンピュータ1により画像データの書き込み
が設定された状態で、所定のブロックのデータが不要と
なったとする。
【0039】前述のように、本例のメモリカードにおい
ては、ブロック単位での初期化処理により当該ブロック
に書き込まれたデータを一括して消去することにより、
このブロックを再度のデータの書き込みが可能な状態と
する。そこで、上記ホストコンピュータ1は図3に示す
ように、消去、すなわちデータが不要となったブロック
の初期化処理を行おうとする。
【0040】ここでは、前述のように画像データの書き
込みを行うこととしていることから、上記ブロックの初
期化処理を先に行うと処理全体に要する時間が長くなっ
てしまう。そこで、ホストコンピュータ1は、図3に示
すように、消去を行う際に、ステップST1において、
処理を急ぐかどうかを確認する。ここでは、前述のよう
に急ぐ(YES)ので、ステップST2において、デー
タが不要となったブロックの使用中を示す「1111
0000」或いは「0000 1111」とされる消去
フラグの「1111」の部分をオーバーライトにより零
に書き換え、「0000 0000」とし、データを消
去する予定である消去状態を書き込み、消去を一旦終了
する。
【0041】次に、図4に示すように、画像データの書
き込みを行うが、ホストコンピュータ1は、ステップS
T11において、先ずメモリカード2のフラッシュメモ
リ22中の各ブロックの消去フラグを順に調べる。そし
て、ステップST12において、選択したブロックの消
去フラグが初期状態或いは消去状態であるかどうかを判
定し、初期状態の場合には、ホストコンピュータ1はス
テップST13において、当該ブロックに画像データを
書き込み、消去フラグには先頭使用中状態或いは使用中
状態を書き込む。具体的には、ホストコンピュータ1に
より初期状態を示す「1111 1111」の消去フラ
グをオーバーライトにより先頭使用中状態或いは使用中
状態を示す「1111 0000」或いは「0000
1111」に書き換える。このようにして画像データの
書き込み処理を終了する。
【0042】一方、ステップST12において、消去状
態の場合には、ステップST14に進み、ホストコンピ
ュータ1はデータの書き込み処理を急ぐかどうかを確認
する。データの書き込み処理を急ぐ(YES)場合には
ホストコンピュータ1は、再度、消去フラグを順に調べ
るステップST11に戻り、初期状態の消去フラグのブ
ロックが見つかるまでこの処理を繰り返し、初期状態の
消去フラグのブロックが見つかった場合には上述したよ
うな画像データの書き込み処理を行う。
【0043】そして、上記のような画像データの書き込
み処理が終了した後に、ホストコンピュータ1は消去処
理時に消去状態とした消去フラグのブロックの初期化処
理を行い、当該ブロックのデータを一括して消去し、こ
のブロックを再度のデータ書き込みが可能な状態とす
る。このとき、上記ブロックの消去フラグが初期状態に
戻ることは言うまでもない。
【0044】すなわち、上述のようにして本発明のメモ
リ管理に基づいて処理を行えば、所定のブロックのデー
タが不要となった後に、当該ブロックの初期化処理以外
の処理が行われる場合において、上記ブロックの初期化
を行わずに、先ず、このブロックに設けられた消去フラ
グを、当該ブロックのデータを消去する予定であること
を示す消去状態とし、この状態でデータが不要となった
ブロックの初期化処理以外の処理を行い、消去フラグが
消去状態となっているブロックに対して改めてデータを
書き込むよりも前に、当該ブロックに対して初期化処理
を施すとともに、当該ブロックのフラグを初期状態とす
るようにすれば良く、時間を要する初期化処理を待つこ
となく種々の処理が実施され、高速処理が可能となる。
【0045】また、本発明のメモリ管理に基づいて処理
を行えば、ホストコンピュータ1は消去状態の消去フラ
グのブロックの初期化処理を特に急いで行う必要がなく
なり、ホストコンピュータ1が行うべき処理が比較的少
ない時等に行えば良く、時間を要する初期化処理を空い
た時間に行うことが可能となることから、効率良い処理
が可能となる。
【0046】また、本例においては、消去処理の時点に
おいて先頭使用中状態或いは使用中状態であったブロッ
クの消去フラグを消去状態に書き換えて、新たにデータ
が書き込まれるブロックと区別しており、図4中に示す
ように、ステップ12において消去状態(YES)であ
り、ステップST14において急いでいない(NO)の
場合に、ステップST15に進んで、ホストコンピュー
タ1が消去状態を示す消去フラグを有するブロックに対
してのみ初期化処理を行うようにしても良い。
【0047】さらに、ホストコンピュータ1がデータが
不要となったブロックの初期化処理以外の処理を行う必
要がない場合には、従来と同様に、ステップST1にお
いて消去処理を急ぐかどうかを確認されても、ステップ
ST3に進み、当該ブロックに対して初期化処理を施
し、ブロックを初期化し、消去フラグを初期状態とすれ
ば良い。
【0048】また、本例においては、上記のようにして
ホストコンピュータ1により画像データを書き込む際
に、1ファイルといった所定単位のデータの終了部が記
憶される最終ブロックとなるブロックを確認して、ホス
トコンピュータ1により当該最終ブロックとなるブロッ
クにデータを書き込む際に、最終ブロックか否かを示す
終了フラグを最終ブロックであることを示す「0000
xxxx」と書き換えれば良い。
【0049】しかしながら、例えば音楽のように最終ブ
ロックがどのブロックにあたるかをデータ書き込み時に
判断できない場合においては、データ書き込み時に終了
フラグを書き込むことが不可能である。
【0050】そこで、上記のような場合においては、本
発明のメモリ管理方法に基づいて、データの書き込み時
においては、終了フラグを、所定単位のデータの終了部
が記憶されておらず、次に接続するブロックがあり、最
終ブロックではない場合を示す「1111 xxxx」
としておき、そのブロックに所定単位のデータの終了部
が書き込まれて最終ブロックとなった時点で、消去フラ
グをオーバーライトにより、所定単位のデータの終了部
が記憶されており、接続するブロックが無く、最終ブロ
ックである最終ブロックを示す「0000 xxxx」
に書き換えるようにすれば良い。
【0051】このとき、本例のメモリカードのように、
所定単位のデータの終了部が記憶されている最終ブロッ
クか否かを示すフラグをオーバーライトエリアに設ける
ようにすれば、従来のように、最終ブロックであること
が確認された時点で、バッファー等にデータを転送し、
当該ブロックにデータを最終ブロックを示すフラグとと
もに再度書き込み直すといった作業が不要であり、高速
処理が可能となる。
【0052】なお、本例のメモリカード2の外形形状と
しては、例えば合成樹脂よりなり、図5に示されるよう
な平面形状が長方形とされる薄肉のカード状が挙げられ
る。
【0053】そして、上記メモリカード2においては、
例えばその長辺方向の一端2a側に図示しない外部端子
が形成されており、図示しない電子機器に対してこの一
端2a側から図中矢印Mで示す方向に装着されるように
すれば良い。
【0054】また、上記メモリカード2においては、例
えば装着方向と平行な一方の側縁2b側に、メモリカー
ド2が電子機器に装着された際に、図示しない電子機器
のロック用凸部に係合されてメモリカード2の脱落を防
止するロック用切欠部42等が形成されていても良い。
【0055】なお、上述の例においては、シリアルイン
ターフェースに対応したメモリカードを例示したが、本
発明がパラレルインターフェースに対応したメモリの管
理方法にも対応可能であることは言うまでもない。
【0056】
【発明の効果】上述のように、本発明に係るメモリ管理
方法においては、メモリの記憶領域中の各ブロックに、
ブロックの使用状況を示すフラグを設けていることか
ら、例えば所定のブロックのデータが不要となった後
に、当該ブロックの初期化処理以外の処理が行われる場
合において、上記ブロックの初期化を行わずに、先ず、
このブロックに設けられた消去フラグを、当該ブロック
のデータを消去する予定であることを示す消去状態と
し、この状態で上記ブロックの初期化処理以外の処理を
行い、消去フラグが消去状態となっているブロックに対
して改めてデータを書き込むよりも前に、当該ブロック
に対して初期化処理を施すとともに、当該ブロックのフ
ラグを初期状態とするようにすれば良く、時間を要する
初期化処理を待つことなく種々の処理が実施され、高速
処理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】メモリカードにデータを送信するホストコンピ
ュータの構成を示すブロック図である。
【図2】メモリカードの構成を示すブロック図である。
【図3】消去時の処理を示すフローチャートである。
【図4】データ書き込み時の処理を示すフローチャート
である。
【図5】メモリカードを示す斜視図である。
【符号の説明】 2 メモリカード、21 コントロールIC、22 フ
ラッシュメモリ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成9年9月12日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0037
【補正方法】変更
【補正内容】
【0037】そして、1ファイルといった所定単位のデ
ータの終了部が記憶されておらず、次に接続するブロッ
クがあり、最終ブロックではない場合が「1111 x
xxx」(xxxxは他の目的のフラグとして使用。)
として表され、所定単位のデータの終了部が記憶されて
おり、接続するブロックが無く、最終ブロックである場
合が「0000 xxxx」(xxxxは他の目的のフ
ラグとして使用。)として表されるものとなされてい
る。
【手続補正書】
【提出日】平成9年11月14日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 メモリ管理方法及び記録媒体、メモリ
管理装置
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0001
【補正方法】変更
【補正内容】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、メモリ管理方法及
び記録媒体、メモリ管理装置に関する。詳しくは、メモ
リの各ブロックに使用状況を示すフラグを設けることに
より、高速処理が可能とされるメモリ管理方法及び記録
媒体、メモリ管理装置に係わるものである。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0002
【補正方法】変更
【補正内容】
【0002】
【従来の技術】従来より、例えばコンピュータ等の電子
機器を主記憶装置とした場合に、この主記憶装置の容量
の不足を補う記録媒体が使用されている。この記録媒体
としては、磁気テープ、磁気ディスク、光磁気ディス
ク、紙テープ、メモリカード等が挙げられる。この中で
もメモリカードは転送レートが比較的高速であることか
ら広く使用されている。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0003
【補正方法】変更
【補正内容】
【0003】また、このメモリカードは、静止画像撮像
装置(いわゆるスチルカメラ)やビデオテープレコーダ
ー一体型のカメラ等に内蔵され、撮像情報を記録する記
録媒体としても使用されている。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0005
【補正方法】変更
【補正内容】
【0005】なお、上述のメモリカードのような記録媒
体においては、これに記憶されているデータの管理を例
えばいわゆる分散管理方法により行うようにしている。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0006
【補正方法】変更
【補正内容】
【0006】上記分散管理方法とは、記録媒体のデータ
が記憶される記憶手段(以下、メモリと称する。)中の
記憶領域のブロックといったデータ消去単位毎にこのブ
ロックを管理するブロックフラグ、論理アドレス、連結
情報といった管理情報を有し、これら管理情報を各ブロ
ックに分散させて作成しておく方法である。以下、この
ような管理情報を分散管理情報と称する。そして、この
分散管理方法は、上記記録媒体に対してデータの読み出
し及び/又は書き込みを行うべく、電子機器を起動させ
る際に、先ず、電子機器がメモリ中の記憶領域の各ブロ
ックに分散している分散管理情報を集めて電子機器側の
記憶手段内に読み出し、各ブロックのデータを一括して
管理することを可能とする集中管理テーブルを作成し
て、データを管理する方法である。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明は、記憶領域が複数のブロックに分割され、
ブロックが初期化されることにより、当該ブロックに書
き込まれたデータが一括して消去されるメモリの管理方
法であって、各ブロックに、ブロックの使用状況を示す
フラグを設け、ブロックに書き込まれたデータを消去す
る際は、当該ブロックの初期化を行わずに、当該ブロッ
クに設けられた消去フラグを、当該ブロックのデータを
消去する予定であることを示す消去状態とし、消去フラ
グが消去状態となっているブロックに対して改めてデー
タを書き込むよりも前に、当該ブロックに対して初期化
処理を施すとともに、当該ブロックのフラグを初期状態
とすることを特徴とするものである。また、上述の課題
を解決するため、本発明は、記憶領域が複数のブロック
に分割され、ブロックが初期化されることにより、当該
ブロックに書き込まれたデータが一括して消去されるメ
モリを有する記録媒体であって、上記メモリの各ブロッ
クに、ブロックの使用状況を示すフラグが設けられてい
ることを特徴とするものである。なお、上記本発明の記
録媒体においては、各ブロックに設けられるフラグは、
ブロックに書き込まれたデータを消去する際に、当該ブ
ロックのデータを消去する予定であることを示す消去状
態とされる消去フラグを有するものであることが好まし
い。さらに、上述の課題を解決するため、本発明は、記
憶領域が複数のブロックに分割され、ブロックが初期化
されることにより、当該ブロックに書き込まれたデータ
が一括して消去されるメモリの管理装置であって、ブロ
ックに書き込まれたデータを消去する際は、当該ブロッ
クの初期化を行わずに、当該ブロックに設けられた使用
状況を示すフラグの内の消去フラグを、当該ブロックの
データを消去する予定であることを示す消去状態とし、
消去フラグが消去状態となっているブロックに対して改
めてデータを書き込むよりも前に、当該ブロックに対し
て初期化処理を施すとともに、当該ブロックのフラグを
初期状態とすることを特徴とするものである。
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】なお、上記本発明のメモリ管理方法及びメ
モリ管理装置においては、上記各ブロックへのデータの
書き込み時に、各ブロックの初期状態の消去フラグを所
定単位のデータの先頭が記憶されていることを示す先頭
使用中状態或いは所定単位のデータの途中が記憶されて
いることを示す使用中状態とすることが好ましい。
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】また、上記本発明のメモリ管理方法及びメ
モリ管理装置においては、上記各ブロックに、所定単位
のデータの終了部が記憶されている最終ブロックか否か
を示す終了フラグを設けておき、データの書き込み時、
所定単位のデータの終了部が書き込まれたブロックの上
記終了フラグを最終ブロックを示す状態とすることが好
ましい。
【手続補正11】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】本発明においては、メモリの記憶領域中の
各ブロックに、ブロックの使用状況を示すフラグを設け
ていることから、例えば所定のブロックのデータが不要
となった後に、当該ブロックの初期化処理以外の処理が
行われる場合において、上記ブロックの初期化を行わず
に、先ず、このブロックに設けられた消去フラグを、当
該ブロックのデータを消去する予定であることを示す消
去状態とし、この状態で上記ブロックの初期化処理以外
の処理を行い、消去フラグが消去状態となっているブロ
ックに対して改めてデータを書き込むよりも前に、当該
ブロックに対して初期化処理を施すとともに、当該ブロ
ックのフラグを初期状態とするようにすれば良く、時間
を要する初期化処理を待つことなく種々の処理が実施さ
れる。
【手続補正12】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。なお、ここでは、本発明をメ
モリカード、メモリ管理方法及びメモリ管理装置に適用
した例について述べる。
【手続補正13】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0031
【補正方法】変更
【補正内容】
【0031】そこで、本例のメモリカード2において
は、本発明が適用されており、各フラッシュメモリ22
を以下に示すような構成としている。すなわち、フラッ
シュメモリ22の記憶領域は複数のブロックに分割され
ており、データが各ブロックに分割して格納され、各ブ
ロックのデータエリアに各種データが格納されるととも
に、各ブロックの冗長エリアに分散管理情報が格納され
る分散管理情報格納領域が形成されている。なお、この
フラッシュメモリ22においては、初期状態では全て
「1」のデータが書き込まれており、「0」への変更の
みが可能とされている。すなわち、データ書き込み時に
はデータの一部に「0」を書き込むこととなる。そし
て、一度書き込んだデータを消去するには、ブロック単
位での初期化処理を行い、当該ブロックに書き込まれた
データを一括して消去するようになされており、このブ
ロックは再度のデータ書き込みが可能な状態となる。
【手続補正14】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0038
【補正方法】変更
【補正内容】
【0038】そして、本例のメモリカードを使用する際
には、本発明のメモリ管理方法に基づいて本発明を適用
したメモリ管理装置として機能するホストコンピュータ
1により以下に示すような処理が行われる。例えば、ホ
ストコンピュータ1により画像データの書き込みが設定
された状態で、所定のブロックのデータが不要となった
とする。
【手続補正15】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0044
【補正方法】変更
【補正内容】
【0044】すなわち、上述のようにして本発明によれ
ば、所定のブロックのデータが不要となった後に、当該
ブロックの初期化処理以外の処理が行われる場合におい
て、上記ブロックの初期化を行わずに、先ず、このブロ
ックに設けられた消去フラグを、当該ブロックのデータ
を消去する予定であることを示す消去状態とし、この状
態でデータが不要となったブロックの初期化処理以外の
処理を行い、消去フラグが消去状態となっているブロッ
クに対して改めてデータを書き込むよりも前に、当該ブ
ロックに対して初期化処理を施すとともに、当該ブロッ
クのフラグを初期状態とするようにすれば良く、時間を
要する初期化処理を待つことなく種々の処理が実施さ
れ、高速処理が可能となる。
【手続補正16】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0045
【補正方法】変更
【補正内容】
【0045】また、本発明によれば、ホストコンピュー
タ1は消去状態の消去フラグのブロックの初期化処理を
特に急いで行う必要がなくなり、ホストコンピュータ1
が行うべき処理が比較的少ない時等に行えば良く、時間
を要する初期化処理を空いた時間に行うことが可能とな
ることから、効率良い処理が可能となる。
【手続補正17】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0050
【補正方法】変更
【補正内容】
【0050】そこで、上記のような場合においては、本
発明に基づいて、データの書き込み時においては、終了
フラグを、所定単位のデータの終了部が記憶されておら
ず、次に接続するブロックがあり、最終ブロックではな
い場合を示す「1111 xxxx」としておき、その
ブロックに所定単位のデータの終了部が書き込まれて最
終ブロックとなった時点で、消去フラグをオーバーライ
トにより、所定単位のデータの終了部が記憶されてお
り、接続するブロックが無く、最終ブロックである最終
ブロックを示す「0000 xxxx」に書き換えるよ
うにすれば良い。
【手続補正18】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0056
【補正方法】変更
【補正内容】
【0056】
【発明の効果】上述のように、本発明においては、メモ
リの記憶領域中の各ブロックに、ブロックの使用状況を
示すフラグを設けていることから、例えば所定のブロッ
クのデータが不要となった後に、当該ブロックの初期化
処理以外の処理が行われる場合において、上記ブロック
の初期化を行わずに、先ず、このブロックに設けられた
消去フラグを、当該ブロックのデータを消去する予定で
あることを示す消去状態とし、この状態で上記ブロック
の初期化処理以外の処理を行い、消去フラグが消去状態
となっているブロックに対して改めてデータを書き込む
よりも前に、当該ブロックに対して初期化処理を施すと
ともに、当該ブロックのフラグを初期状態とするように
すれば良く、時間を要する初期化処理を待つことなく種
々の処理が実施され、高速処理が可能となる。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 記憶領域が複数のブロックに分割され、
    ブロックが初期化されることにより、当該ブロックに書
    き込まれたデータが一括して消去されるメモリの管理方
    法であって、 各ブロックに、ブロックの使用状況を示すフラグを設
    け、 ブロックに書き込まれたデータを消去する際は、当該ブ
    ロックの初期化を行わずに、当該ブロックに設けられた
    消去フラグを、当該ブロックのデータを消去する予定で
    あることを示す消去状態とし、 消去フラグが消去状態となっているブロックに対して改
    めてデータを書き込むよりも前に、当該ブロックに対し
    て初期化処理を施すとともに、当該ブロックのフラグを
    初期状態とすることを特徴とするメモリ管理方法。
  2. 【請求項2】 上記各ブロックへのデータの書き込み時
    に、各ブロックの初期状態の消去フラグを所定単位のデ
    ータの先頭が記憶されていることを示す先頭使用中状態
    或いは所定単位のデータの途中が記憶されていることを
    示す使用中状態とすることを特徴とする請求項1記載の
    メモリ管理方法。
  3. 【請求項3】 上記各ブロックに、所定単位のデータの
    終了部が記憶されている最終ブロックか否かを示す終了
    フラグを設け、 データの書き込み時、所定単位のデータの終了部が書き
    込まれたブロックの上記終了フラグを最終ブロックを示
    す状態とすることを特徴とする請求項1記載のメモリ管
    理方法。
JP16919997A 1997-06-25 1997-06-25 メモリ管理方法及びメモリ管理装置 Expired - Lifetime JP3718578B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16919997A JP3718578B2 (ja) 1997-06-25 1997-06-25 メモリ管理方法及びメモリ管理装置
US09/095,620 US6144607A (en) 1997-06-25 1998-06-10 Memory management apparatus and memory management method
MYPI98002843A MY119727A (en) 1997-06-25 1998-06-23 Memory management apparatus and memory management method
CNB981150497A CN1146795C (zh) 1997-06-25 1998-06-23 存储器管理方法
EP98111553A EP0887735A3 (en) 1997-06-25 1998-06-23 Memory management method for a flash memory
KR1019980023823A KR100578427B1 (ko) 1997-06-25 1998-06-24 메모리관리방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16919997A JP3718578B2 (ja) 1997-06-25 1997-06-25 メモリ管理方法及びメモリ管理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1115705A true JPH1115705A (ja) 1999-01-22
JP3718578B2 JP3718578B2 (ja) 2005-11-24

Family

ID=15882055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16919997A Expired - Lifetime JP3718578B2 (ja) 1997-06-25 1997-06-25 メモリ管理方法及びメモリ管理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6144607A (ja)
EP (1) EP0887735A3 (ja)
JP (1) JP3718578B2 (ja)
KR (1) KR100578427B1 (ja)
CN (1) CN1146795C (ja)
MY (1) MY119727A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020089131A (ko) * 2001-05-22 2002-11-29 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 기억장치 및 데이터 처리장치와 기억부 제어방법
WO2006129641A1 (ja) 2005-06-01 2006-12-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. コンピュータシステム及びプログラム生成装置
JPWO2013140492A1 (ja) * 2012-03-19 2015-08-03 富士通株式会社 データアクセス方法、プログラムおよびデータアクセス装置

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10326493A (ja) * 1997-05-23 1998-12-08 Ricoh Co Ltd 複合化フラッシュメモリ装置
WO1999045460A2 (en) 1998-03-02 1999-09-10 Lexar Media, Inc. Flash memory card with enhanced operating mode detection and user-friendly interfacing system
JP4315488B2 (ja) * 1998-06-30 2009-08-19 ソニー株式会社 データ記憶装置、データ処理装置、データ処理システム並びにデータ処理方法
KR100309879B1 (ko) * 1999-03-30 2001-11-01 윤종용 플래시 메모리 관리 시스템 및 그 구현 방법
JP2001075848A (ja) * 1999-09-09 2001-03-23 Nec Corp ファイルシステムのファイル管理方法
JP2001297038A (ja) * 2000-04-11 2001-10-26 Toshiba Corp データ記憶装置および記録媒体並びに記録媒体制御方法
DE10030990B4 (de) * 2000-06-30 2010-11-25 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Beschreiben und Löschen eines nichtflüchtigen Speicherbereichs
US6721843B1 (en) 2000-07-07 2004-04-13 Lexar Media, Inc. Flash memory architecture implementing simultaneously programmable multiple flash memory banks that are host compatible
US7155559B1 (en) 2000-08-25 2006-12-26 Lexar Media, Inc. Flash memory architecture with separate storage of overhead and user data
US6772274B1 (en) 2000-09-13 2004-08-03 Lexar Media, Inc. Flash memory system and method implementing LBA to PBA correlation within flash memory array
JP2002342256A (ja) * 2001-05-14 2002-11-29 Hitachi Ltd データプロセッサ及びデータテーブルの更新方法
KR100743221B1 (ko) * 2001-05-29 2007-07-26 주식회사 포스코 용강 레벨 측정장치
US6948026B2 (en) 2001-08-24 2005-09-20 Micron Technology, Inc. Erase block management
JP2005518589A (ja) * 2002-02-22 2005-06-23 レクサー メディア,インク. インジケータライトが一体化されたリムーバブル記憶媒体
JP4238514B2 (ja) * 2002-04-15 2009-03-18 ソニー株式会社 データ記憶装置
WO2004017173A2 (en) 2002-08-14 2004-02-26 Broadcom Corporation One shot rdma having a 2-bit state
KR100717690B1 (ko) * 2003-04-15 2007-05-11 현대중공업 주식회사 가변맵을 사용한 데이터 전송 제어방법
GB2400927A (en) * 2003-04-22 2004-10-27 Hewlett Packard Development Co Method of managing memory by checking that none of the sectors in a block is needed before erasing the block.
DE10341618A1 (de) * 2003-09-10 2005-05-04 Hyperstone Ag Verwaltung gelöschter Blöcke in Flash-Speichern
JP3912355B2 (ja) * 2003-10-14 2007-05-09 ソニー株式会社 データ管理装置、データ管理方法、不揮発性メモリ、不揮発性メモリを有する記憶装置及びデータ処理システム
WO2005043394A1 (ja) * 2003-10-31 2005-05-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 情報記録媒体、情報記録媒体に対するアクセス装置及びアクセス方法
US7299314B2 (en) * 2003-12-31 2007-11-20 Sandisk Corporation Flash storage system with write/erase abort detection mechanism
JP4689247B2 (ja) * 2004-11-19 2011-05-25 キヤノン株式会社 カメラ及びその制御方法
CN100345123C (zh) * 2004-11-27 2007-10-24 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 延长非易失性存储器使用寿命的装置及方法
JP2007011872A (ja) * 2005-07-01 2007-01-18 Toshiba Corp メモリカードとその制御方法
KR100746198B1 (ko) * 2005-07-08 2007-08-06 삼성전자주식회사 데이터 저장장치, 데이터 저장방법, 및 그 기록매체
CN100464375C (zh) * 2005-10-08 2009-02-25 晶豪科技股份有限公司 降低擦除时间及防止过擦除之擦除方法
US7515500B2 (en) * 2006-12-20 2009-04-07 Nokia Corporation Memory device performance enhancement through pre-erase mechanism
KR100877609B1 (ko) * 2007-01-29 2009-01-09 삼성전자주식회사 버퍼 메모리의 플래그 셀 어레이를 이용하여 데이터 오류 정정을 수행하는 반도체 메모리 시스템 및 그 구동 방법
KR20080097766A (ko) * 2007-05-03 2008-11-06 삼성전자주식회사 기록매체의 저장영역을 분리하는 방법과 이를 이용한기록매체 및 기록매체에 접근하는 방법 및 이를 이용한기록장치
US8351290B1 (en) * 2008-09-12 2013-01-08 Marvell International Ltd. Erased page detection
US20100131726A1 (en) * 2008-11-26 2010-05-27 Nokia Corporation Methods, apparatuses, and computer program products for enhancing memory erase functionality
US8407401B2 (en) 2008-11-26 2013-03-26 Core Wireless Licensing S.A.R.L. Methods, apparatuses, and computer program products for enhancing memory erase functionality
CN104598167B (zh) * 2011-06-27 2018-01-05 群联电子股份有限公司 存储器抹除方法、存储器控制器与存储器储存装置
TWI515737B (zh) * 2013-12-09 2016-01-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置以及其資料抹除方法
US9286160B2 (en) 2014-02-07 2016-03-15 Stmicroelectronics S.R.L. System and method for phase change memory with erase flag cells
US10884945B2 (en) * 2015-06-30 2021-01-05 International Business Machines Corporation Memory state indicator check operations
US10635307B2 (en) * 2015-06-30 2020-04-28 International Business Machines Corporation Memory state indicator

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3485938B2 (ja) * 1992-03-31 2004-01-13 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリ装置
JP2856621B2 (ja) * 1993-02-24 1999-02-10 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 一括消去型不揮発性メモリおよびそれを用いる半導体ディスク装置
JPH06266596A (ja) * 1993-03-11 1994-09-22 Hitachi Ltd フラッシュメモリファイル記憶装置および情報処理装置
US5485595A (en) * 1993-03-26 1996-01-16 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture incorporating wear leveling technique without using cam cells
US5479638A (en) * 1993-03-26 1995-12-26 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture incorporation wear leveling technique
JPH07153284A (ja) * 1993-11-29 1995-06-16 Nec Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法
US5603001A (en) * 1994-05-09 1997-02-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor disk system having a plurality of flash memories
JP3507132B2 (ja) * 1994-06-29 2004-03-15 株式会社日立製作所 フラッシュメモリを用いた記憶装置およびその記憶制御方法
US5809558A (en) * 1994-09-29 1998-09-15 Intel Corporation Method and data storage system for storing data in blocks without file reallocation before erasure
KR960029981A (ko) * 1995-01-27 1996-08-17 비. 제이. 올슨 소량 데이타 저장을 사용한 플래시 메모리 대용량 기억 구조
JPH08212019A (ja) * 1995-01-31 1996-08-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体ディスク装置
EP0745939A2 (en) * 1995-05-31 1996-12-04 Lucent Technologies Inc. Re-entrant garbage collection process for a flash memory resident file system
US5845313A (en) * 1995-07-31 1998-12-01 Lexar Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture
US5835935A (en) * 1995-09-13 1998-11-10 Lexar Media, Inc. Method of and architecture for controlling system data with automatic wear leveling in a semiconductor non-volatile mass storage memory
JP3604466B2 (ja) * 1995-09-13 2004-12-22 株式会社ルネサステクノロジ フラッシュディスクカード
US5701492A (en) * 1996-03-29 1997-12-23 Canon Kabushiki Kaisha Fail-safe flashing of EPROM
US5805882A (en) * 1996-07-19 1998-09-08 Compaq Computer Corporation Computer system and method for replacing obsolete or corrupt boot code contained within reprogrammable memory with new boot code supplied from an external source through a data port
GB2317722B (en) * 1996-09-30 2001-07-18 Nokia Mobile Phones Ltd Memory device
US5956473A (en) * 1996-11-25 1999-09-21 Macronix International Co., Ltd. Method and system for managing a flash memory mass storage system
US6778443B2 (en) * 2001-12-25 2004-08-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device having memory blocks pre-programmed before erased

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020089131A (ko) * 2001-05-22 2002-11-29 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 기억장치 및 데이터 처리장치와 기억부 제어방법
WO2006129641A1 (ja) 2005-06-01 2006-12-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. コンピュータシステム及びプログラム生成装置
US7962746B2 (en) 2005-06-01 2011-06-14 Panasonic Corporation Computer system and program creating device
JPWO2013140492A1 (ja) * 2012-03-19 2015-08-03 富士通株式会社 データアクセス方法、プログラムおよびデータアクセス装置
US9582214B2 (en) 2012-03-19 2017-02-28 Fujitsu Limited Data access method and data access apparatus for managing initialization of storage areas

Also Published As

Publication number Publication date
EP0887735A3 (en) 2001-12-05
KR100578427B1 (ko) 2006-09-20
US6144607A (en) 2000-11-07
EP0887735A2 (en) 1998-12-30
KR19990007270A (ko) 1999-01-25
CN1146795C (zh) 2004-04-21
CN1206149A (zh) 1999-01-27
MY119727A (en) 2005-07-29
JP3718578B2 (ja) 2005-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3718578B2 (ja) メモリ管理方法及びメモリ管理装置
JP3072722B2 (ja) フラッシュメモリを用いるデータ管理装置及びデータ管理方法並びにフラッシュメモリを用いる記憶媒体
KR100618298B1 (ko) 기록 시스템, 데이터 기록 장치, 메모리 장치 및 데이터기록 방법
US6154808A (en) Method and apparatus for controlling data erase operations of a non-volatile memory device
TW445452B (en) Semiconductor storage device and data management method therefor
US5930818A (en) Information communication system which transmits main data and data for restoring the main data
US6345333B1 (en) Method and apparatus for reverse rewriting
KR100742849B1 (ko) 데이타 기억 장치, 데이타 처리 시스템, 데이타 처리 방법 및 데이타 처리 장치
JP3519954B2 (ja) チップイネーブル信号生成回路及びメモリ装置
KR100527610B1 (ko) 저장장치,데이터처리시스템및데이터기록및판독방법
US20070033364A1 (en) Information recording medium, information recording medium accessing apparatus and accessing method
KR20010079945A (ko) 기록 시스템, 데이터 기록 장치, 메모리 장치 및 데이터기록 방법
US5724544A (en) IC memory card utilizing dual eeproms for image and management data
US5829014A (en) Method of supervising storage of data in a memory card having EEPROM and a memory card system using the same
TW200300257A (en) Recording device
US6802453B1 (en) External storage apparatus and control apparatus thereof, and data transmission reception apparatus
JP2584120B2 (ja) メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム
US20020059305A1 (en) Information recording apparatus and method, and information reproducing apparatus and method
JPH06309527A (ja) Icカード
JPH0546461A (ja) メモリカード装置
KR100513814B1 (ko) 데이터관리장치,데이터관리방법및기억매체
JP2002116942A (ja) メモリ装置
JPH0547189A (ja) メモリカード装置
JP3190421B2 (ja) Icメモリカードシステム
JPH06139131A (ja) メモリカード装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020212

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050627

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050905

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080909

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090909

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090909

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100909

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110909

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110909

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120909

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130909

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term