JPH11154631A - 多素子コンデンサ - Google Patents
多素子コンデンサInfo
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- JPH11154631A JPH11154631A JP10249326A JP24932698A JPH11154631A JP H11154631 A JPH11154631 A JP H11154631A JP 10249326 A JP10249326 A JP 10249326A JP 24932698 A JP24932698 A JP 24932698A JP H11154631 A JPH11154631 A JP H11154631A
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- Japan
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- capacitor structure
- structure according
- ceramic
- capacitors
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/28—Structural combinations of electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices with other electric components not covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
- H01G4/385—Single unit multiple capacitors, e.g. dual capacitor in one coil
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波において低インピーダンスおよび低Ｅ
ＳＲを有し、低周波における電荷蓄積が良好な多素子コ
ンデンサを提供する。 【解決手段】 多素子コンデンサは、共通ケース内に、
共通端子を有する少なくとも１つの金属性コンデンサと
少なくとも１つのセラミック・コンデンサとを有する。
好適な金属性容量素子は、１００ｋＨｚまでの周波数に
おいて、少なくとも１マイクロファラッドの有効直列容
量を有する。個々の金属性容量素子は、１００ｋＨｚに
おいて１００ミリオーム未満のＥＳＲ、および１２０Ｈ
ｚにおいて約６％未満の損失係数（ＤＦ）を呈する。本
発明において有用なセラミック容量素子は、約１００Ｍ
Ｈｚまでの周波数において少なくとも約０．１マイクロ
ファラッドの等価直列容量を有する。個々のセラミック
容量素子は、１ＭＨｚにおいて２０ミリオーム未満のＥ
ＳＲ、および１ｋＨｚにおいて１０％未満の損失係数を
有する。
ＳＲを有し、低周波における電荷蓄積が良好な多素子コ
ンデンサを提供する。 【解決手段】 多素子コンデンサは、共通ケース内に、
共通端子を有する少なくとも１つの金属性コンデンサと
少なくとも１つのセラミック・コンデンサとを有する。
好適な金属性容量素子は、１００ｋＨｚまでの周波数に
おいて、少なくとも１マイクロファラッドの有効直列容
量を有する。個々の金属性容量素子は、１００ｋＨｚに
おいて１００ミリオーム未満のＥＳＲ、および１２０Ｈ
ｚにおいて約６％未満の損失係数（ＤＦ）を呈する。本
発明において有用なセラミック容量素子は、約１００Ｍ
Ｈｚまでの周波数において少なくとも約０．１マイクロ
ファラッドの等価直列容量を有する。個々のセラミック
容量素子は、１ＭＨｚにおいて２０ミリオーム未満のＥ
ＳＲ、および１ｋＨｚにおいて１０％未満の損失係数を
有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、共通端子を有する
少なくとも１つのセラミック容量素子と少なくとも１つ
のタンタル容量素子とを共通ケース内に収容し、高周波
性能を高めるためのコンデンサ構造体に関するものであ
る。複合的な容量素子は、いずれの種類の単体容量素子
よりも、広い周波数範囲にわたって低い高周波インピー
ダンスおよび低い等価直列抵抗（ＥＳＲ：equivalent s
eries resistance)を呈し、更に単一の実装処理に伴う
節約も同時に得られる。
少なくとも１つのセラミック容量素子と少なくとも１つ
のタンタル容量素子とを共通ケース内に収容し、高周波
性能を高めるためのコンデンサ構造体に関するものであ
る。複合的な容量素子は、いずれの種類の単体容量素子
よりも、広い周波数範囲にわたって低い高周波インピー
ダンスおよび低い等価直列抵抗（ＥＳＲ：equivalent s
eries resistance)を呈し、更に単一の実装処理に伴う
節約も同時に得られる。
【０００２】
【従来の技術】より高速なマイクロプロセッサ・チップ
の開発およびこれらのチップに給電するために用いる電
力変換回路（通常、スイッチ・モード電源）の最小化の
ために、小さな設置面積の低ＥＳＲコンデンサに対する
需要が増大している。これらのコンデンサは、スイッチ
ング周波数における出力電圧の変動および電源の高調波
を最少に抑える必要がある。また、これらは、マイクロ
プロセッサ・チップに局部的な電源を供給し、プロセッ
サの電流需要がシフトする際に、容認可能な限度に電源
電圧を維持するためにも用いられる。
の開発およびこれらのチップに給電するために用いる電
力変換回路（通常、スイッチ・モード電源）の最小化の
ために、小さな設置面積の低ＥＳＲコンデンサに対する
需要が増大している。これらのコンデンサは、スイッチ
ング周波数における出力電圧の変動および電源の高調波
を最少に抑える必要がある。また、これらは、マイクロ
プロセッサ・チップに局部的な電源を供給し、プロセッ
サの電流需要がシフトする際に、容認可能な限度に電源
電圧を維持するためにも用いられる。
【０００３】１００ｋＨｚ以上のスイッチング周波数で
動作する電源は、このような種類のデバイスの１つであ
る。コンデンサがこれらの周波数において低いインピー
ダンスおよび等価直列抵抗（ＥＳＲ）、および低い等価
直列インダクタンス（ＥＳＬ：equivalent series indu
ctance）を呈することが重要である。このような電源に
用いられるコンデンサは、大きな低周波電荷蓄積量を有
し、電源が入力電力において一時的な変動を生じても、
出力を混乱させないことを可能にしなければならない。
動作する電源は、このような種類のデバイスの１つであ
る。コンデンサがこれらの周波数において低いインピー
ダンスおよび等価直列抵抗（ＥＳＲ）、および低い等価
直列インダクタンス（ＥＳＬ：equivalent series indu
ctance）を呈することが重要である。このような電源に
用いられるコンデンサは、大きな低周波電荷蓄積量を有
し、電源が入力電力において一時的な変動を生じても、
出力を混乱させないことを可能にしなければならない。
【０００４】以前は、電子部品の製造者は、金属酸化物
およびセラミック・コンデンサの組み合わせを用い、こ
れらを並列に実装して種々の接続回路を介して接続する
ことにより、電荷を蓄積し、容認可能な高周波インピー
ダンス／ＥＳＲ性能を得ていた。しかしながら、このよ
うなチップのシステムを実装するために使用可能な空間
は、製造者が更に一層小型化し効率を高めたシステムを
設計するに連れて、増々減少する。また、製造者は、こ
のような回路を組み立てるための実装接続部毎のコスト
も負わなければならず、相互接続回路のばらつきは、得
られたＥＳＬがボード製造者間で相違することの原因と
なる。
およびセラミック・コンデンサの組み合わせを用い、こ
れらを並列に実装して種々の接続回路を介して接続する
ことにより、電荷を蓄積し、容認可能な高周波インピー
ダンス／ＥＳＲ性能を得ていた。しかしながら、このよ
うなチップのシステムを実装するために使用可能な空間
は、製造者が更に一層小型化し効率を高めたシステムを
設計するに連れて、増々減少する。また、製造者は、こ
のような回路を組み立てるための実装接続部毎のコスト
も負わなければならず、相互接続回路のばらつきは、得
られたＥＳＬがボード製造者間で相違することの原因と
なる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、回路ボー
ド上の最少空間量で実装可能であり、高周波において低
インピーダンスおよび低ＥＳＲを有するコンデンサ素子
を有することができれば有利であろう。
ド上の最少空間量で実装可能であり、高周波において低
インピーダンスおよび低ＥＳＲを有するコンデンサ素子
を有することができれば有利であろう。
【０００６】また、並列実装した金属酸化物コンデンサ
およびセラミック・コンデンサに対してＥＳＬのばらつ
きを減少させる手段を有することができれば効果的であ
ろう。
およびセラミック・コンデンサに対してＥＳＬのばらつ
きを減少させる手段を有することができれば効果的であ
ろう。
【０００７】本発明の目的は、高周波において低インピ
ーダンスおよび低ＥＳＲを有し、低周波における電荷蓄
積が良好なコンデンサ素子を小型の構造体で提供するこ
とである。
ーダンスおよび低ＥＳＲを有し、低周波における電荷蓄
積が良好なコンデンサ素子を小型の構造体で提供するこ
とである。
【０００８】本発明の別の目的は、並列実装した金属酸
化物コンデンサおよびセラミック・コンデンサに対し
て、ＥＳＬのばらつきを減少させる手段を提供すること
である。
化物コンデンサおよびセラミック・コンデンサに対し
て、ＥＳＬのばらつきを減少させる手段を提供すること
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この記載から明白となる
本発明のこれらおよびその他の目的にしたがって、本発
明によるコンデンサは、共通端子を有する少なくとも１
つの金属酸化物容量素子と少なくとも１つのセラミック
容量素子とを共通ケース内に含む、多素子コンデンサ構
造体から成る。
本発明のこれらおよびその他の目的にしたがって、本発
明によるコンデンサは、共通端子を有する少なくとも１
つの金属酸化物容量素子と少なくとも１つのセラミック
容量素子とを共通ケース内に含む、多素子コンデンサ構
造体から成る。
【００１０】本発明によるコンデンサは、１ＭＨｚ以上
の周波数において、金属酸化物コンデンサ素子単体に比
較して改善された性能を与え、ボード接続部の数が少な
くて済む小型形状を与え、更に一定のＥＳＬ特性を有す
るコンデンサを形成するために、コンデンサ間接続距離
を最少にする。本発明の多素子コンデンサは、電源出力
電圧の変動を最少に抑えることにより、マイクロプロセ
ッサのような従属回路の論理エラー率を改善し、こうし
てシステム全体の安定性向上を図る。コンデンサ間隔の
減少および均一な相互コンデンサ接続構造により、シス
テムの過渡応答時間も改善され、電源ノイズが減少し、
使用する容量素子数を少なくしても、指定の温度および
電圧変動範囲において、所与の安定性を与えることがで
きる。均一に制御された工場という条件下における金属
酸化物容量素子およびセラミック容量素子の組み立てに
より、ボード組立の間のセラミック・コンデンサ素子に
対する損傷（例えば、熱衝撃亀裂および／または屈曲亀
裂）を減少させ、信頼性を向上させる。
の周波数において、金属酸化物コンデンサ素子単体に比
較して改善された性能を与え、ボード接続部の数が少な
くて済む小型形状を与え、更に一定のＥＳＬ特性を有す
るコンデンサを形成するために、コンデンサ間接続距離
を最少にする。本発明の多素子コンデンサは、電源出力
電圧の変動を最少に抑えることにより、マイクロプロセ
ッサのような従属回路の論理エラー率を改善し、こうし
てシステム全体の安定性向上を図る。コンデンサ間隔の
減少および均一な相互コンデンサ接続構造により、シス
テムの過渡応答時間も改善され、電源ノイズが減少し、
使用する容量素子数を少なくしても、指定の温度および
電圧変動範囲において、所与の安定性を与えることがで
きる。均一に制御された工場という条件下における金属
酸化物容量素子およびセラミック容量素子の組み立てに
より、ボード組立の間のセラミック・コンデンサ素子に
対する損傷（例えば、熱衝撃亀裂および／または屈曲亀
裂）を減少させ、信頼性を向上させる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明による多素子コンデンサ
は、共通ケース内に、共通リードを有する少なくとも１
つの金属性容量素子と少なくとも１つのセラミック容量
素子とを備えることによって形成する。好適な構造体
は、１ないし５個の金属酸化物容量素子と、１ないし５
個のセラミック容量素子とを含む。特に好適な組み合わ
せでは、セラミック容量素子の両対向側に、複数のタン
タル・アノード容量素子を含む。
は、共通ケース内に、共通リードを有する少なくとも１
つの金属性容量素子と少なくとも１つのセラミック容量
素子とを備えることによって形成する。好適な構造体
は、１ないし５個の金属酸化物容量素子と、１ないし５
個のセラミック容量素子とを含む。特に好適な組み合わ
せでは、セラミック容量素子の両対向側に、複数のタン
タル・アノード容量素子を含む。
【００１２】本発明において用いられる好適な金属性容
量素子は、有効直列容量が１００ｋＨｚまでの周波数に
おいて少なくとも１マイクロファラッドであり、個々の
素子が１００ｋＨｚにおいて１００ミリオーム未満のＥ
ＳＲ、および１２０Ｈｚにおいて約６％未満の損失係数
（ＤＦ：dissipation factor）を呈する種々の金属性容
量素子から選択する。これらの素子の等価直列容量は、
誘電体材料と電極間の内部接続の抵抗が高いために、約
１ＭＨｚ以上の周波数において、有用なレベル未満の点
まで低下する。好適な金属酸化物容量素子は、商業的に
入手可能なタンタルおよびアルミニウム金属で作られた
容量素子を含む。パイパ(Piper)の米国特許第３，６８
６，５３５号を参照されたい。この開示内容は、この言
及により本願にも含まれるものとする。
量素子は、有効直列容量が１００ｋＨｚまでの周波数に
おいて少なくとも１マイクロファラッドであり、個々の
素子が１００ｋＨｚにおいて１００ミリオーム未満のＥ
ＳＲ、および１２０Ｈｚにおいて約６％未満の損失係数
（ＤＦ：dissipation factor）を呈する種々の金属性容
量素子から選択する。これらの素子の等価直列容量は、
誘電体材料と電極間の内部接続の抵抗が高いために、約
１ＭＨｚ以上の周波数において、有用なレベル未満の点
まで低下する。好適な金属酸化物容量素子は、商業的に
入手可能なタンタルおよびアルミニウム金属で作られた
容量素子を含む。パイパ(Piper)の米国特許第３，６８
６，５３５号を参照されたい。この開示内容は、この言
及により本願にも含まれるものとする。
【００１３】本発明において有用なセラミック容量素子
は、約１００ＭＨｚまでの周波数において、少なくとも
約０．１マイクロファラッドの等価直列容量を有する。
個々の素子は、１ＭＨｚにおいて２０ミリオーム未満の
ＥＳＲおよび１ｋＨｚにおいて１０％未満の損失係数を
有する。これらの素子は、通常、約１００ＭＨｚまでの
周波数においてその容量を保持する。このようなコンデ
ンサ素子は、典型的に、少なくとも１つの正および負電
極を有するセラミック誘電体材料の１つ以上の層によっ
て作られる。本発明において有用なセラミック容量素子
は、様々な異なる構成を有する種々の配合物で作ること
ができる。サナダ(Sanada）の米国特許第５，５６１，
５８７号、サノ(Sano)の米国特許第５，６００，５３３
号、およびウイルソンら(Wilson et al.)の米国特許第
５，５９９，７５７号を全体的に参照されたい。これら
の開示内容は、この言及により本願にも含まれるものと
する。本発明に用いて好適なセラミック容量素子は、Ｘ
７Ｒ温度特性（ＥＩＡ規格）を有する誘電体で作られた
多層セラミック容量素子である。
は、約１００ＭＨｚまでの周波数において、少なくとも
約０．１マイクロファラッドの等価直列容量を有する。
個々の素子は、１ＭＨｚにおいて２０ミリオーム未満の
ＥＳＲおよび１ｋＨｚにおいて１０％未満の損失係数を
有する。これらの素子は、通常、約１００ＭＨｚまでの
周波数においてその容量を保持する。このようなコンデ
ンサ素子は、典型的に、少なくとも１つの正および負電
極を有するセラミック誘電体材料の１つ以上の層によっ
て作られる。本発明において有用なセラミック容量素子
は、様々な異なる構成を有する種々の配合物で作ること
ができる。サナダ(Sanada）の米国特許第５，５６１，
５８７号、サノ(Sano)の米国特許第５，６００，５３３
号、およびウイルソンら(Wilson et al.)の米国特許第
５，５９９，７５７号を全体的に参照されたい。これら
の開示内容は、この言及により本願にも含まれるものと
する。本発明に用いて好適なセラミック容量素子は、Ｘ
７Ｒ温度特性（ＥＩＡ規格）を有する誘電体で作られた
多層セラミック容量素子である。
【００１４】容量素子は、負端子に取り付ける前に、接
続してもしなくてもよい。例えば、素子は、導電体と電
気的に接続し、次いで端子に取り付け、相互接続部なし
に端子に直接接続してもよく、あるいは相互接続部自体
が端子を形成するように相互接続してもよい。これらの
接続部は、はんだあるいは銀、銅、またはニッケルを充
填したエポキシのような金属充填接着剤のような、導電
性材料で作ることが好ましい。
続してもしなくてもよい。例えば、素子は、導電体と電
気的に接続し、次いで端子に取り付け、相互接続部なし
に端子に直接接続してもよく、あるいは相互接続部自体
が端子を形成するように相互接続してもよい。これらの
接続部は、はんだあるいは銀、銅、またはニッケルを充
填したエポキシのような金属充填接着剤のような、導電
性材料で作ることが好ましい。
【００１５】正電極の接続は、適切なリードフレームの
正端部への容量性放電溶接(capacitive discharge weld
ing)によって行うことができる。次に、その結果得られ
たデバイスを、典型的に、金属、成型エポキシ、または
その他の適合可能なプラスチック材料で作られた、適切
なケース内に密閉する。
正端部への容量性放電溶接(capacitive discharge weld
ing)によって行うことができる。次に、その結果得られ
たデバイスを、典型的に、金属、成型エポキシ、または
その他の適合可能なプラスチック材料で作られた、適切
なケース内に密閉する。
【００１６】本発明の多素子コンデンサは、共通ケース
および共通端子を用い、容量素子は、種々の可能な構成
に配置される。端子は、多数の方法で形成可能であり、
その中には、無電解メッキ、スパッタ・コーティング(s
putter coating)、および／または気化金属の凝結(cond
ensation)が含まれる。図１に可能な構成の１つを示
す。図１では、金属酸化物容量素子１，２を、セラミッ
ク容量素子３の両対向側に配置してある。導電性接着剤
４が、負端子リードフレーム５に導電性共通接続を与え
る。正リードワイヤ６は、正リードフレーム７に溶接す
るか、あるいはその他の方法で永久的に取り付けること
が好ましい。セラミック容量素子３は、導電性材料８、
またはネイルヘッド・リード(nailhead lead)（図示せ
ず）を介してというような、種々の方法によって、直接
的または間接的にリードフレーム７に取り付けることが
できる。次いで、金属、樹脂、または適合するプラスチ
ックで作られた適切な共通ハウジング（図示せず）内
に、構造体全体を封止することができる。
および共通端子を用い、容量素子は、種々の可能な構成
に配置される。端子は、多数の方法で形成可能であり、
その中には、無電解メッキ、スパッタ・コーティング(s
putter coating)、および／または気化金属の凝結(cond
ensation)が含まれる。図１に可能な構成の１つを示
す。図１では、金属酸化物容量素子１，２を、セラミッ
ク容量素子３の両対向側に配置してある。導電性接着剤
４が、負端子リードフレーム５に導電性共通接続を与え
る。正リードワイヤ６は、正リードフレーム７に溶接す
るか、あるいはその他の方法で永久的に取り付けること
が好ましい。セラミック容量素子３は、導電性材料８、
またはネイルヘッド・リード(nailhead lead)（図示せ
ず）を介してというような、種々の方法によって、直接
的または間接的にリードフレーム７に取り付けることが
できる。次いで、金属、樹脂、または適合するプラスチ
ックで作られた適切な共通ハウジング（図示せず）内
に、構造体全体を封止することができる。
【００１７】本発明の多素子コンデンサによって得られ
る利点は多数ある。顕著な利点をあげると、多素子コン
デンサ構造体は、 ・容量素子間の電圧変動を最少に抑えることにより、従
属するマイクロプロセッサまたはその他の従属回路の、
過渡現象に起因する論理エラー率を最低に抑える。
る利点は多数ある。顕著な利点をあげると、多素子コン
デンサ構造体は、 ・容量素子間の電圧変動を最少に抑えることにより、従
属するマイクロプロセッサまたはその他の従属回路の、
過渡現象に起因する論理エラー率を最低に抑える。
【００１８】・セラミック容量素子の実装に伴う、セラ
ミック容量素子のコストの約４ないし５倍と推定され
る、追加のコストをなくすことにより、製品としての構
造体の全体的なコストを削減する。
ミック容量素子のコストの約４ないし５倍と推定され
る、追加のコストをなくすことにより、製品としての構
造体の全体的なコストを削減する。
【００１９】・同一の物理ケース内に金属性コンデンサ
およびセラミック・コンデンサを物理的に集積し、ボー
ドの接続部間に必要な余分なケースの厚さのための空間
を不要とすることにより、体積効率を高める。
およびセラミック・コンデンサを物理的に集積し、ボー
ドの接続部間に必要な余分なケースの厚さのための空間
を不要とすることにより、体積効率を高める。
【００２０】・回路ボード上のコンデンサ相互接続部の
インダクタンスの不規則性および差をなくすことによ
り、最終システムの性能向上が得られる。および ・現場でのはんだ付けにおいて日常見受けられる熱応力
による、セラミック・コンデンサ損傷の危険性を低下さ
せる。
インダクタンスの不規則性および差をなくすことによ
り、最終システムの性能向上が得られる。および ・現場でのはんだ付けにおいて日常見受けられる熱応力
による、セラミック・コンデンサ損傷の危険性を低下さ
せる。
【００２１】本発明の多素子コンデンサは、コンピュー
タの電源、汎用スイッチ・モード電源、主電源から離れ
たボード・レベルにおける局部的な電荷蓄積および高周
波バイパスの用途を含む、種々の製品およびシステムに
おいて使用可能である。このような用途は、運動制御お
よび通信システムから、論理およびコンピュータ・シス
テムまでに及ぶ用途の範囲をカバーする。このような用
途に対する位置および接続は、この技術分野における既
存の技術レベルを有する電気技術者であれば、容易に決
定できる。例 図１に示すように、２つのタンタル容量素子とセラミッ
ク容量素子とを有し、中央に配置されたセラミック素子
の両側にタンタル素子を位置付けた、多素子コンデンサ
構造体を構成する。銀充填エポキシを用いて各エレメン
トを負端子に固着する。セラミック容量素子を含まな
い、２つのタンタル・コンデンサ素子の特性に対して、
種々の周波数において、構造体のＥＳＲおよびインピー
ダンスを検査する。その結果のグラフは、図２に示す通
りである。
タの電源、汎用スイッチ・モード電源、主電源から離れ
たボード・レベルにおける局部的な電荷蓄積および高周
波バイパスの用途を含む、種々の製品およびシステムに
おいて使用可能である。このような用途は、運動制御お
よび通信システムから、論理およびコンピュータ・シス
テムまでに及ぶ用途の範囲をカバーする。このような用
途に対する位置および接続は、この技術分野における既
存の技術レベルを有する電気技術者であれば、容易に決
定できる。例 図１に示すように、２つのタンタル容量素子とセラミッ
ク容量素子とを有し、中央に配置されたセラミック素子
の両側にタンタル素子を位置付けた、多素子コンデンサ
構造体を構成する。銀充填エポキシを用いて各エレメン
トを負端子に固着する。セラミック容量素子を含まな
い、２つのタンタル・コンデンサ素子の特性に対して、
種々の周波数において、構造体のＥＳＲおよびインピー
ダンスを検査する。その結果のグラフは、図２に示す通
りである。
【００２２】このグラフを検査することにより、１ＭＨ
ｚを丁度超える周波数において、性能の大幅な向上が示
されており、最適な改善は、２ないし１０ＭＨｚの間で
得られることがわかる。回路の分析により、この改善は
少なくとも１００ＭＨｚまで存続することが示された。
具体的には、２つのタンタル・コンデンサ素子を有する
ケーシングにセラミック素子を追加することにより、セ
ラミック・コンデンサ素子のない２つのタンタル・コン
デンサ素子のインピーダンスに比較して、この組み合わ
せのインピーダンスが１０ＭＨｚにおいてほぼ１桁改善
され、同じ周波数においてＥＳＲが３ないし４倍改善し
た。
ｚを丁度超える周波数において、性能の大幅な向上が示
されており、最適な改善は、２ないし１０ＭＨｚの間で
得られることがわかる。回路の分析により、この改善は
少なくとも１００ＭＨｚまで存続することが示された。
具体的には、２つのタンタル・コンデンサ素子を有する
ケーシングにセラミック素子を追加することにより、セ
ラミック・コンデンサ素子のない２つのタンタル・コン
デンサ素子のインピーダンスに比較して、この組み合わ
せのインピーダンスが１０ＭＨｚにおいてほぼ１桁改善
され、同じ周波数においてＥＳＲが３ないし４倍改善し
た。
【００２３】尚、ここに提示した例および図は、本発明
の理解を促すことを意図したものであり、特許請求の範
囲に対する限定として供することを意図する訳ではない
ことは理解されよう。
の理解を促すことを意図したものであり、特許請求の範
囲に対する限定として供することを意図する訳ではない
ことは理解されよう。
【図１】本発明による多素子コンデンサの構造を示す
図。
図。
【図２】典型的な従来技術のタンタル・コンデンサ素子
の性能と比較した、本発明の多素子コンデンサのインピ
ーダンスおよびＥＳＲ性能の向上を示すグラフ。
の性能と比較した、本発明の多素子コンデンサのインピ
ーダンスおよびＥＳＲ性能の向上を示すグラフ。
１，２ 金属酸化物容量素子 ３ セラミック容量素子 ４ 導電性接着剤 ５ 負端子リードフレーム ６ 正リードワイヤ ７ 正リードフレーム ８ 導電性材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596013785 Ｐ．Ｏ． Ｂｏｘ 5928，Ｈｉｇｈｗａｙ 385，Ｓ．Ｅ．，Ｇｒｅｅｎｖｉｌｌｅ, Ｓｏｕｔｈ Ｃａｒｏｌｉｎａ 29606, Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ ｏｆ Ａｍ ｅｒｉｃａ (72)発明者 エリック・ケイ・リード アメリカ合衆国サウス・カロライナ州 29622，モールディン，ベセル・ドライブ 506
Claims (11)
- 【請求項１】 共通ケース内に収容された、共通端子を
有する少なくとも１つの金属性容量素子と少なくとも１
つのセラミック容量素子とから成ることを特徴とする多
素子コンデンサ構造体。 - 【請求項２】 請求項１記載のコンデンサ構造体であっ
て、少なくとも１つのタンタル容量素子を備えることを
特徴とするコンデンサ構造体。 - 【請求項３】 請求項１記載のコンデンサ構造体であっ
て、前記セラミック容量素子の両対向側に配置された複
数のタンタル容量素子を備えることを特徴とするコンデ
ンサ構造体。 - 【請求項４】 請求項１記載のコンデンサ構造体におい
て、前記複数の容量素子の負極が、導体に電気的に接続
されていることを特徴とするコンデンサ構造体。 - 【請求項５】 請求項４記載のコンデンサ構造体におい
て、前記導体が、銀充填エポキシから成ることを特徴と
するコンデンサ構造体。 - 【請求項６】 請求項４記載のコンデンサ構造体におい
て、前記導体がはんだから成ることを特徴とするコンデ
ンサ構造体。 - 【請求項７】 請求項１記載のコンデンサ構造体であっ
て、３ＭＨＺにおいて、前記少なくとも１つの金属性容
量素子単体の等価直列抵抗よりも小さい等価直列抵抗を
呈することを特徴とするコンデンサ構造体。 - 【請求項８】 請求項１記載のコンデンサ構造体であっ
て、３ＭＨＺにおいて、前記少なくとも１つの金属性容
量素子単体のインピーダンスよりも小さいインピーダン
スを呈することを特徴とするコンデンサ構造体。 - 【請求項９】 請求項１記載のコンデンサ構造体におい
て、前記容量素子が互いに、および共通端子に接続され
ていることを特徴とするコンデンサ構造体。 - 【請求項１０】 請求項１記載のコンデンサ構造体にお
いて、前記容量素子が共通端子に接続されるが、それ以
外には電気的に相互接続されないことを特徴とするコン
デンサ構造体。 - 【請求項１１】 請求項１記載のコンデンサ構造体にお
いて、共通端子が、前記容量素子を電気的に相互接続す
ることを特徴とするコンデンサ構造体。
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