JPH11154618A - 積層インダクタの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 クラックの発生及び強度の低下を低減すると
共に、絶縁体層と内部導体との間に空隙を設けることな
く応力歪みを生じない積層インダクタの製造方法を提供
する。 【解決手段】 スルーホールを形成した磁性体シート２
２-1〜２２-n及びスルーホールを形成していない磁性体
シートの表面にＡg 等の導体ペーストで導体パターン２
１-1〜２１-nを形成する。次に、導体パターンを印刷し
た磁性体シートを電気的に接続するように積層する。こ
の積層体を一定圧力で圧着した後、目的形状にカットし
た後、空気中において３５０〜５５０℃で脱バインダ処
理し、さらに空気中で８５０〜９５０℃で焼成して焼結
体を得る。この後、焼結体に対して温度差１２０℃以上
となる熱衝撃処理を１回以上施す。このとき、熱衝撃処
理における昇温速度及び降温速度を２０℃／分以下に設
定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層インダクタの
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、一般的な積層インダクタの製造方
法においては、絶縁体層となる磁性体シートの表面に内
部導体となる導体パターンを形成し、この導体パターン
が形成された磁性体シートを積層すると共に、所定の圧
力を加えて上下層の導体パターンをスルーホールを介し
て導電接続した後、これを所定雰囲気中で焼成し、さら
に内部導体に導通する外部電極を形成する方法が採られ
ている。

【０００３】この積層インダクタの製造方法では、焼成
後の冷却過程において絶縁体層と内部導体の線膨張係数
の違いから残留応力が発生して内部に歪みが生じ、この
結果、使用時において応力磁歪が生じ、磁気特性（Ｌ，
Ｑ等）を劣化させるという問題が発生している。

【０００４】この解決策として、絶縁体層と内部導体と
の間の全部若しくは一部に空隙を設けることにより、絶
縁体層と内部導体との間の応力歪みを緩和させる方法が
知られている。

【０００５】ところが、このように絶縁体層と内部導体
との間に空隙を設けると、この空隙に水分やメッキ液、
フラックス等の液体が侵入し、Ｌ値及びＱ値が低下する
危険が多分にあった。

【０００６】これに対して、メッキ液等の液体の侵入を
防止し、なお且つ応力歪みを緩和させる方法として、積
層インダクタの製造過程において熱衝撃処理や高温処理
を施す方法が知られている。

【０００７】熱衝撃処理を施す製造方法として、例え
ば、特開平８−１４８３６３号公報には、温度差１２０
℃以上の熱衝撃処理を１回以上行う方法が開示されてい
る。

【０００８】また、高温処理を施す製造方法として、例
えば、特開平４−３５０９１３号公報には、６００〜９
００℃で１時間の高温処理を行う方法が開示されてい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の熱衝撃処理及び高温処理では、急加熱、急冷却
を行うためにクラックが発生し、強度が低下するという
問題が生じていた。

【００１０】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、クラ
ックの発生及び強度の低下を低減すると共に、絶縁体層
と内部導体との間に空隙を設けることなく応力歪みを生
じない積層インダクタの製造方法を提供することにあ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項１では、表面に内部導体となる導体
パターンを形成した絶縁体層を積層してなる積層体を焼
成して焼結体を形成し、該焼結体を積層インダクタとな
す積層インダクタの製造方法において、前記焼結体に対
して熱処理を施す工程を設けると共に、前記熱処理にお
ける昇温時及び降温時のうちの少なくとも降温時の降温
速度を２０℃／分以下に設定した積層インダクタの製造
方法を提案する。

【００１２】該積層インダクタの製造方法によれば、絶
縁体層と内部導体との間に空隙を設けなくとも、焼結体
に対して熱処理を施すことによって、内部導体と絶縁体
層との間に大きな応力が加えられ、内部導体を構成する
金属が伸ばされて、金属原子或いは金属分子が再配列さ
れる。これにより、焼成後の冷却過程において内部導体
と絶縁体層との間に発生した応力歪みが緩和される。さ
らに、前記熱処理における昇温時及び降温時のうちの少
なくとも降温時の降温速度を２０℃／分以下に設定した
ため、前記焼結体は急冷却されないので、クラックの発
生が防止される。

【００１３】また、請求項２では、請求項１記載の積層
インダクタの製造方法において、前記熱処理として、前
記焼結体に対して温度差１２０℃以上となる熱衝撃処理
を１回以上施すと共に、該熱衝撃処理における昇温速度
及び降温速度を２０℃／分以下に設定した積層インダク
タの製造方法を提案する。

【００１４】該積層インダクタの製造方法によれば、絶
縁体層と内部導体との間に空隙を設けなくとも、焼結体
に対して温度差１２０℃以上となる熱衝撃処理を１回以
上施すことによって、内部導体と絶縁体層との間に大き
な応力が加えられ、内部導体を構成する金属が伸ばされ
て、金属原子或いは金属分子が再配列される。これによ
り、焼成後の冷却過程において内部導体と絶縁体層との
間に発生した応力歪みが緩和される。さらに、前記熱衝
撃処理における昇温時の昇温速度及び降温時の降温速度
を２０℃／分以下に設定したため、前記焼結体は急加
熱、急冷却されないので、クラックの発生が防止され
る。

【００１５】また、請求項３では、請求項１記載の積層
インダクタの製造方法において、前記熱処理として、前
記焼結体に対して４００℃から９５０℃の間の所定温度
で１時間以上の高温処理を施すと共に、該高温処理終了
時における降温速度を２０℃／分以下に設定した積層イ
ンダクタの製造方法を提案する。

【００１６】該積層インダクタの製造方法によれば、絶
縁体層と内部導体との間に空隙を設けなくとも、焼結体
に対して４００℃から９５０℃の間の所定温度で１時間
以上の高温処理を施すことによって、内部導体と絶縁体
層との間に大きな応力が加えられ、内部導体を構成する
金属が伸ばされて、金属原子或いは金属分子が再配列さ
れる。これにより、焼成後の冷却過程において内部導体
と絶縁体層との間に発生した応力歪みが緩和される。さ
らに、前記高温処理における降温時の降温速度を２０℃
／分以下に設定したため、前記焼結体は急冷却されない
ので、クラックの発生が防止される。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の一
実施形態を説明する。図１は、本発明に係る積層インダ
クタの外観図、図２はその要部分解斜視図である。本実
施形態における積層インダクタは、図１に示すように、
その本体１は、例えば１．６×０．８×０．８mmの直方
体形状をなし、その長手方向の両端部には内部導体に導
電接続された外部電極２，３が形成されている。

【００１８】本体１は、図２に示すように、内部導体と
なる導体パタ−ン２１-1〜２１-n（ｎは自然数）が形成
された複数の磁性体シ−ト２２-1〜２２-n及び導体パタ
−ンが形成されていない磁性体シ−ト２３を積層して一
体に形成される。

【００１９】磁性体シ−ト２２-1〜２２-nの導体パタ−
ン２１-1〜２１-nは、例えば、銀（Ａg ）を主成分とす
る導体によって形成され、各導体パタ−ン２１-1〜２１
-nはスパイラル形状となるようにスル−ホ−ル２４を介
して互いに導電接続され、コイルが構成されている。さ
らに、このコイルの両端に対応する部分の導体パタ−
ン、即ち導体パタ−ン２１-1の一端及び導体パタ−ン２
１-nの他端は、本体１の長手方向の端面に露出するよう
に形成されている。

【００２０】本体１の一端に露出した導体パタ−ン２１
-1は外部電極２に、また他端に露出した導体パタ−ン２
１-nは外部電極３にそれぞれ導電接続されている。

【００２１】尚、本実施形態においては導体パターン２
１-1〜２１-nによって形成されるコイルのターン数を１
６に設定した。

【００２２】次に、本実施形態における積層インダクタ
の製造方法の第１の実施形態を説明する。Ｎi −Ｚn −
Ｃu フェライトのスラリーをグリーンシート法により、
厚さ３０μｍ程度の磁性体シートに形成する。

【００２３】この磁性体シートにスルーホールを形成
し、スルーホールを形成した磁性体シート及びスルーホ
ールを形成していない磁性体シートの表面に、例えばＡ
g 等の導体ペーストをスクリーン印刷して導体パターン
を形成する。

【００２４】導体パターンを印刷した磁性体シートを電
気的に接続するように積層する。このとき、目的の寸法
に合わせて、上下層部に導体パターンが形成されていな
いダミーシートを配置する。

【００２５】この積層体を一定圧力で圧着した後、目的
形状にカットする。ここで、積層体に圧力をかけて圧着
しているので、上下の磁性体シートの間、及び磁性体シ
ートと導体パターンとの間は密着した状態となり、これ
らの間に空隙が生じることがない。

【００２６】次いで、カットした積層体を空気中におい
て３５０〜５５０℃で脱バインダ処理し、さらに空気中
で８５０〜９５０℃で焼成して焼結体を得る。

【００２７】得られた焼結体の対向する両端面に、例え
ばＡg 等の導体ペーストをディップ等で塗布し、焼き付
けることにより外部電極を形成し、外部電極にＮi 及び
Ｓnのメッキを行い積層インダクタを構成する。

【００２８】尚、磁性体シートはＮi −Ｚn −Ｃu フェ
ライトに限定されるものではなく、Ｎi −Ｚn フェライ
ト、Ｎi −Ｃu フェライト、Ｍn −Ｃu フェライト等の
スピネル型フェライトであっても良い。

【００２９】磁性体シートの形成方法はグリーンシート
法に限定されるものではなく、印刷法などでも良い。

【００３０】内部導体及び外部電極材料はＡg に限定さ
れるものではなく、Ａg −Ｐd 、Ｎi 、Ｃu 或いはこれ
らの合金等でも良い。

【００３１】また、内部導体パターンの形成方法はスク
リーン印刷に限定されるものではなく、転写、蒸着、ス
パッタ等でも良い。

【００３２】外部電極の形成方法はディップ等の塗布に
限定されるものではなく、転写、印刷、蒸着、スパッタ
等でも良い。

【００３３】外部電極形成時期は焼成後に限定されるも
のではなく、焼成前でも良い。

【００３４】メッキは湿式に限定するものではなく、蒸
着、スパッタ等の乾式でも良い。

【００３５】次いで、焼成後の積層インダクタに対し
て、温度差１２０℃以上、昇温及び降温速度２０℃／分
以下の条件で熱衝撃処理を施す。

【００３６】この熱衝撃処理を施すことによって、導体
パタ−ン２１-1〜２１-nと磁性体シ−ト２２-1〜２２-n
との間に大きな応力をかけ、これにより導体パタ−ン２
１-1〜２１-nを構成するＡg 等の金属を伸ばして、Ａg
等の金属原子或いは金属分子を再配列し、焼成後の冷却
過程において導体パタ−ン２１-1〜２１-nと磁性体シ−
ト２２-1〜２２-nとの間に発生した応力歪みを緩和す
る。

【００３７】図３は、ヒートサイクル装置を用い、熱衝
撃処理の温度差、処理回数を変えて、積層インダクタの
Ｌ値、Ｑ値、耐湿負荷試験特性、抗折強度の変化を調べ
た実験結果を示す図である。

【００３８】第１の実施形態における熱衝撃処理の実施
例として実施例１乃至実施例６を、また比較例として比
較例１乃至比較例５を行った。

【００３９】この実験において、Ｌ値、Ｑ値の測定に
は、測定器としてＹＨＰ４１９５Ａを、測定治具として
ＹＨＰ１６０９２Ａを用い、測定電流を１ｍＡに設定し
た。また、信頼性（耐湿負荷試験：1000時間でのＬ値及
びＱ値の変化率測定）の条件を４０℃、９５ＲＨ、１５
ｍＡとし、抗折強度（３点曲げ試験）の測定には測定器
として引張圧縮試験機（ＳＶ５０ ２０Ｖ：今田製作
所）を用い、Ｌ間隔を０．６ｍｍ、先端をＲ０．５ｍｍ
に設定した。

【００４０】また、比較例３，４，５及び実施例１，
２，３，４，５は、ヒートサイクル装置での低温側冷媒
として、冷却された炭酸ガス等を用いて行い、比較例２
及び実施例６は、ヒートサイクル装置での低温側冷媒と
して、液体窒素や冷却された窒素ガス等を用いて行っ
た。

【００４１】液体窒素を使用するときは、サンプル瓶の
内壁に樹脂やプラスチック或いは発砲スチロール等の断
熱材を巻き、このサンプル瓶の中に焼成後の積層インダ
クタを入れ、このサンプル瓶を低温側媒体或いは高温側
媒体に投入する。また、雰囲気としては、真空やＨe 等
の−１８０℃で液化しないものを充填する。この状態
で、低温側媒体の液体窒素と高温側媒体（例えば、水
等）への浸漬を処理回数に応じて繰り返す。

【００４２】各例における熱衝撃処理の条件は次のとお
りである。即ち、実施例１における条件は、低温側温度
が−５５℃、高温側温度が６５℃、温度差が１２０℃、
昇温・降温速度が２０℃／分、サイクル数（処理回数）
が１回である。

【００４３】また、実施例２における条件を、低温側温
度が−５５℃、高温側温度が６５℃、温度差が１２０
℃、昇温・降温速度が２０℃／分、サイクル数（処理回
数）が１０回とし、実施例３における条件を、低温側温
度が−５５℃、高温側温度が６５℃、温度差が１２０
℃、昇温・降温速度が２０℃／分、サイクル数（処理回
数）が１００回とし、実施例４における条件を、低温側
温度が−５５℃、高温側温度が６５℃、温度差が１２０
℃、昇温・降温速度が１０℃／分、サイクル数（処理回
数）が１回とした。

【００４４】さらに、実施例５における条件を、低温側
温度が−５５℃、高温側温度が１２５℃、温度差が１８
０℃、昇温・降温速度が２０℃／分、サイクル数（処理
回数）が１回とし、実施例６における条件を、低温側温
度が−１８０℃、高温側温度が２０℃、温度差が２００
℃、昇温・降温速度が２０℃／分、サイクル数（処理回
数）が１回とした。

【００４５】一方、比較例１は熱衝撃処理を行わない従
来同様の未処理品とし、比較例２における条件を、低温
側温度が−１８０℃、高温側温度が２０℃、温度差が２
００℃、昇温・降温速度が４０℃／分、サイクル数（処
理回数）が１回とし、比較例３における条件を、低温側
温度が−５５℃、高温側温度が１２５℃、温度差が１８
０℃、昇温・降温速度が４０℃／分、サイクル数（処理
回数）が１回とし、比較例４における条件を、低温側温
度が−５５℃、高温側温度が４５℃、温度差が１００
℃、昇温・降温速度が２０℃／分、サイクル数（処理回
数）が１回とし、比較例５における条件を、低温側温度
が−５５℃、高温側温度が４５℃、温度差が１００℃、
昇温・降温速度が２０℃／分、サイクル数（処理回数）
が１００回とした。

【００４６】尚、比較例１乃至比較例５は、本発明の範
囲外のものであり、単なる比較例に過ぎない。

【００４７】この実験の結果、実施例１では、Ｌ値が
４．６μＨ（バラツキ４％）、Ｑ値が３８（バラツキ１
０％）、耐湿負荷試験におけるＬ値の変化率が＋７％、
Ｑ値の変化率が＋７％、抗折強度が２０kgf／mm²であっ
た。ここで、Ｌ値及びＱ値のバラツキは、「３σ／ＡＶ
Ｅ×１００」による値である。

【００４８】また、実施例２では、Ｌ値が４．５μＨ
（バラツキ４％）、Ｑ値が４０（バラツキ１０％）、耐
湿負荷試験におけるＬ値の変化率が＋５％、Ｑ値の変化
率が＋７％、抗折強度が２１kgf／mm²であった。

【００４９】実施例３では、Ｌ値が４．６μＨ（バラツ
キ４％）、Ｑ値が４２（バラツキ１０％）、耐湿負荷試
験におけるＬ値の変化率が＋３％、Ｑ値の変化率が＋５
％、抗折強度が２１kgf／mm²であった。

【００５０】実施例４では、Ｌ値が４．６μＨ（バラツ
キ４％）、Ｑ値が３９（バラツキ１０％）、耐湿負荷試
験におけるＬ値の変化率が＋５％、Ｑ値の変化率が＋５
％、抗折強度が１９kgf／mm²であった。

【００５１】実施例５では、Ｌ値が４．７μＨ（バラツ
キ４％）、Ｑ値が４１（バラツキ１０％）、耐湿負荷試
験におけるＬ値の変化率が＋３％、Ｑ値の変化率が＋４
％、抗折強度が２１kgf／mm²であった。

【００５２】実施例６では、Ｌ値が４．７μＨ（バラツ
キ４％）、Ｑ値が４２（バラツキ１０％）、耐湿負荷試
験におけるＬ値の変化率が＋３％、Ｑ値の変化率が＋３
％、抗折強度が２０kgf／mm²であった。

【００５３】一方、比較例１では、Ｌ値が３．５μＨ
（バラツキ４％）、Ｑ値が２５（バラツキ１０％）、耐
湿負荷試験におけるＬ値の変化率が＋３０％、Ｑ値の変
化率が＋４０％、抗折強度が２１kgf／mm²であった。

【００５４】また、比較例２では、Ｌ値が４．５μＨ
（バラツキ１０％）、Ｑ値が３７（バラツキ２０％）、
耐湿負荷試験におけるＬ値の変化率が＋１５％、Ｑ値の
変化率が＋３５％、抗折強度が１２kgf／mm²であった。

【００５５】比較例３では、Ｌ値が４．２μＨ（バラツ
キ８％）、Ｑ値が３５（バラツキ１７％）、耐湿負荷試
験におけるＬ値の変化率が＋２０％、Ｑ値の変化率が＋
４０％、抗折強度が１４kgf／mm²であった。

【００５６】比較例４では、Ｌ値が３．８μＨ（バラツ
キ８％）、Ｑ値が３０（バラツキ１６％）、耐湿負荷試
験におけるＬ値の変化率が＋２５％、Ｑ値の変化率が＋
４２％、抗折強度が２１kgf／mm²であった。

【００５７】比較例５では、Ｌ値が４．０μＨ（バラツ
キ７％）、Ｑ値が３２（バラツキ１６％）、耐湿負荷試
験におけるＬ値の変化率が＋２２％、Ｑ値の変化率が＋
４２％、抗折強度が２０kgf／mm²であった。

【００５８】以上の実験結果から明らかなように、本発
明で特定された範囲内の条件で熱衝撃処理を施すことに
より、熱応力歪みを緩和し、この結果、抗折強度を維持
しつつ、Ｌ値が２８％以上、Ｑ値が５０％以上向上し、
Ｌ値及びＱ値のバラツキがそれぞれ４％以下、１０％以
下、耐湿負荷試験におけるＬ値及びＱ値の変化率がそれ
ぞれ±１０％以下、±３０％以下という良好な特性を持
つ積層インダクタンスを得ることができた。

【００５９】これに対して、比較例で示したように、本
発明で特定された範囲外の条件で熱衝撃処理を施しても
所望の良好な特性を持つ積層インダクタを得ることがで
きなかった。

【００６０】即ち、熱衝撃処理の温度差については、比
較例４及び比較例５に示すように、１２０℃未満ではＬ
値、Ｑ値、これらのバラツキ、及び信頼性（耐湿負荷試
験）で所望の特性を得ることができなかった。また、昇
温・降温速度については、比較例２及び比較例３に示す
ように、２０℃／分よりも大きいと、Ｌ値、Ｑ値、これ
らのバラツキ、及び信頼性（耐湿負荷試験）で所望の得
ることができず、さらに抗折強度も低下した。

【００６１】尚、熱衝撃処理の手法は上記手法に限定さ
れるものではなく、温度差が１２０℃以下で、昇温速度
及び降温速度が２０℃／分以下ならば他の手法であって
も良い。

【００６２】次に、本発明の積層インダクタの製造方法
における第２の実施形態を説明する。

【００６３】第２の実施形態において、積層インダクタ
の形状及び内部導体の構成、及び磁性体シートの形成か
ら積層体、焼結体、外部電極の形成までは前述した第１
の実施形態と同様であるためその説明を省略する。

【００６４】また、第１の実施形態と第２の実施形態と
の相違点は、第１の実施形態における熱衝撃処理に代え
て、第２の実施形態では焼成後に高温処理を施すように
したことにある。

【００６５】即ち、焼成後の積層インダクタに対して、
４００℃から９５０℃の間の所定温度で１時間以上、降
温速度２０℃／分以下の条件で高温処理を施す。

【００６６】この高温処理を施すことによって、導体パ
タ−ン２１-1〜２１-nと磁性体シ−ト２２-1〜２２-nと
の間に大きな応力をかけ、これにより導体パタ−ン２１
-1〜２１-nを構成するＡg 等の金属を伸ばして、Ａg 等
の金属原子或いは金属分子を再配列し、焼成後の冷却過
程における導体パタ−ン２１-1〜２１-nと磁性体シ−ト
２２-1〜２２-nとの間に発生する応力歪みを緩和する。

【００６７】図４は、固定炉を用い、高温処理の温度、
処理終了時の降温速度を変えて、積層インダクタのＬ
値、Ｑ値、耐湿負荷試験特性、抗折強度の変化を調べた
実験結果を示す図である。

【００６８】第２の実施形態における高温処理の実施例
として実施例１乃至実施例６を、また比較例として比較
例１乃至比較例４を行った。

【００６９】この実験において、Ｌ値、Ｑ値の測定に
は、測定器としてＹＨＰ４１９５Ａを、測定治具として
ＹＨＰ１６０９２Ａを用い、測定電流を１ｍＡに設定し
た。また、信頼性（耐湿負荷試験：1000時間でのＬ値及
びＱ値の変化率測定）の条件を４０℃、９５ＲＨ、１５
ｍＡとし、抗折強度（３点曲げ試験）の測定には測定器
として引張圧縮試験機（ＳＶ５０ ２０Ｖ：今田製作
所）を用い、Ｌ間隔を０．６ｍｍ、先端をＲ０．５ｍｍ
に設定した。

【００７０】各例における高温処理の条件は次のとおり
である。即ち、実施例１における条件は、処理温度が４
００℃、降温速度が２０℃／分である。

【００７１】また、実施例２における条件を、処理温度
が６００℃、降温速度が２０℃／分とし、実施例３にお
ける条件を、処理温度が８００℃、降温速度が２０℃／
分とし、実施例４における条件を、処理温度が９５０
℃、降温速度が２０℃／分とし、実施例５における条件
を、処理温度が６００℃、降温速度が１０℃／分とし、
実施例６における条件を、処理温度が６００℃、降温速
度が５℃／分とした。

【００７２】一方、比較例１は高温処理を行わない従来
同様の未処理品とし、比較例２における条件を、処理温
度が３００℃、降温速度が２０℃／分とし、比較例３に
おける条件を、処理温度が１０００℃、降温速度が２０
℃／分とし、比較例４における条件を、処理温度が６０
０℃、降温速度が４０℃／分とした。

【００７３】尚、比較例１乃至比較例４は、本発明の範
囲外のものであり、実施例に対する単なる比較例に過ぎ
ない。

【００７４】この実験の結果、実施例１では、Ｌ値が
４．５μＨ（バラツキ４％）、Ｑ値が４０（バラツキ１
０％）、耐湿負荷試験におけるＬ値の変化率が＋７％、
Ｑ値の変化率が＋１０％、抗折強度が１９kgf／mm²であ
った。ここで、Ｌ値及びＱ値のバラツキは、「３σ／Ａ
ＶＥ×１００」による値である。

【００７５】また、実施例２では、Ｌ値が４．５μＨ
（バラツキ４％）、Ｑ値が３８（バラツキ１０％）、耐
湿負荷試験におけるＬ値の変化率が＋７％、Ｑ値の変化
率が＋１２％、抗折強度が２１kgf／mm²であった。

【００７６】実施例３では、Ｌ値が４．７μＨ（バラツ
キ４％）、Ｑ値が３７（バラツキ１０％）、耐湿負荷試
験におけるＬ値の変化率が＋３％、Ｑ値の変化率が＋１
０％、抗折強度が２１kgf／mm²であった。

【００７７】実施例４では、Ｌ値が４．９μＨ（バラツ
キ４％）、Ｑ値が３５（バラツキ１０％）、耐湿負荷試
験におけるＬ値の変化率が＋３％、Ｑ値の変化率が＋５
％、抗折強度が１９kgf／mm²であった。

【００７８】実施例５では、Ｌ値が４．８μＨ（バラツ
キ４％）、Ｑ値が３９（バラツキ１０％）、耐湿負荷試
験におけるＬ値の変化率が＋５％、Ｑ値の変化率が＋７
％、抗折強度が２０kgf／mm²であった。

【００７９】実施例６では、Ｌ値が４．７μＨ（バラツ
キ４％）、Ｑ値が３８（バラツキ１０％）、耐湿負荷試
験におけるＬ値の変化率が＋５％、Ｑ値の変化率が＋３
％、抗折強度が２１kgf／mm²であった。

【００８０】一方、比較例１では、Ｌ値が３．５μＨ
（バラツキ４％）、Ｑ値が２５（バラツキ１０％）、耐
湿負荷試験におけるＬ値の変化率が＋３０％、Ｑ値の変
化率が＋４０％、抗折強度が２１kgf／mm²であった。

【００８１】また、比較例２では、Ｌ値が３．７μＨ
（バラツキ７％）、Ｑ値が２５（バラツキ１２％）、耐
湿負荷試験におけるＬ値の変化率が＋２８％、Ｑ値の変
化率が＋３５％、抗折強度が２１kgf／mm²であった。

【００８２】比較例３では、Ｌ値が５．０μＨ（バラツ
キ４％）、Ｑ値が２７（バラツキ１２％）、耐湿負荷試
験におけるＬ値の変化率が＋１５％、Ｑ値の変化率が＋
３５％、抗折強度が２３kgf／mm²であった。

【００８３】比較例４では、Ｌ値が４．２μＨ（バラツ
キ１０％）、Ｑ値が２９（バラツキ２０％）、耐湿負荷
試験におけるＬ値の変化率が＋７％、Ｑ値の変化率が−
３３％、抗折強度が１３kgf／mm²であった。

【００８４】以上の実験結果から明らかなように、本発
明で特定された範囲内の条件で高温処理を施すことによ
り、熱応力歪みを緩和し、この結果、抗折強度を維持し
つつ、Ｌ値が２８％以上、Ｑ値が４０％以上向上し、Ｌ
値及びＱ値のバラツキがそれぞれ４％以下、１０％以
下、耐湿負荷試験におけるＬ値及びＱ値の変化率がそれ
ぞれ±１０％以下、±３０％以下という良好な特性を持
つ積層インダクタンスを得ることができた。

【００８５】これに対して、比較例で示したように、本
発明で特定された範囲外の条件で高温処理を施しても所
望の良好な特性を持つ積層インダクタを得ることができ
なかった。

【００８６】即ち、高温処理の処理温度については、比
較例２に示すように、４００℃未満ではＬ値、Ｑ値、こ
れらのバラツキ、及び信頼性（耐湿負荷試験）で所望の
特性を得ることができなかった。さらに、９５０℃を超
えるとＱ値、Ｑ値のバラツキ及び信頼性で所望の特性を
得ることができなかった。

【００８７】また、降温速度については、比較例４に示
すように、２０℃／分よりも大きいと、Ｌ値、Ｑ値、こ
れらのバラツキ、及び信頼性（耐湿負荷試験）で所望の
得ることができず、さらに抗折強度も低下した。

【００８８】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
よれば、絶縁体層と内部導体との間に空隙を設けなくと
も、焼結体に対して熱処理を施すことによって、内部導
体と絶縁体層との間に大きな応力が加えられ、内部導体
を構成する金属が伸ばされて、金属原子或いは金属分子
が再配列され、焼成後の冷却過程において内部導体と絶
縁体層との間に発生した応力歪みが緩和されるので、使
用時において応力磁歪を生ずることがなく、磁気特性
（Ｌ値，Ｑ値等）の良好な積層インダクタを製造するこ
とができる。さらに、前記熱処理における昇温時及び降
温時のうちの少なくとも降温時の降温速度を２０℃／分
以下に設定したため、前記焼結体は急冷却されないので
クラックの発生が防止され、信頼性（耐湿性、抗折強度
等）の高い積層インダクタを得ることができる。

【００８９】また、請求項２によれば、絶縁体層と内部
導体との間に空隙を設けなくとも、焼結体に対して温度
差１２０℃以上となる熱衝撃処理を１回以上施すことに
よって、内部導体と絶縁体層との間に大きな応力が加え
られ、内部導体を構成する金属が伸ばされて、金属原子
或いは金属分子が再配列され、焼成後の冷却過程におい
て内部導体と絶縁体層との間に発生した応力歪みが緩和
されるので、使用時において応力磁歪を生ずることがな
く、磁気特性（Ｌ値，Ｑ値等）の良好な積層インダクタ
を製造することができる。さらに、前記熱衝撃処理にお
ける昇温時の昇温速度及び降温時の降温速度を２０℃／
分以下に設定したため、前記焼結体は急加熱、急冷却さ
れないので、クラックの発生が防止され、信頼性（耐湿
性、抗折強度等）の高い積層インダクタを得ることがで
きる。

【００９０】また、請求項３によれば、絶縁体層と内部
導体との間に空隙を設けなくとも、焼結体に対して４０
０℃から９５０℃の間の所定温度で１時間以上の高温処
理を施すことによって、内部導体と絶縁体層との間に大
きな応力が加えられ、内部導体を構成する金属が伸ばさ
れて、金属原子或いは金属分子が再配列され、焼成後の
冷却過程において内部導体と絶縁体層との間に発生した
応力歪みが緩和されるので、使用時において応力磁歪を
生ずることがなく、磁気特性（Ｌ値，Ｑ値等）の良好な
積層インダクタを製造することができる。さらに、前記
高温処理における降温時の降温速度を２０℃／分以下に
設定したため、前記焼結体は急冷却されないので、クラ
ックの発生が防止され、信頼性（耐湿性、抗折強度等）
の高い積層インダクタを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る積層インダクタの外観図

【図２】本発明に係る積層インダクタの要部分解斜視図

【図３】本発明の第１の実施形態における熱衝撃処理に
関する実験条件及び実験結果を示す図

【図４】本発明の第２の実施形態における高温処理に関
する実験条件及び実験結果を示す図

【符号の説明】

１…本体、２，３…外部電極、２１-1〜２１-n…導体パ
ターン（内部導体）、２２-1〜２２-n…導体パターンが
形成された磁性体シート（絶縁体層）、２３…導体パタ
ーンが形成されていない磁性体シート（絶縁体層）、２
４…スルーホール。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に内部導体となる導体パターンを形
   成した絶縁体層を積層してなる積層体を焼成して焼結体
   を形成し、該焼結体を積層インダクタとなす積層インダ
   クタの製造方法において、 前記焼結体に対して熱処理を施す工程を設けると共に、 前記熱処理における昇温時及び降温時のうちの少なくと
   も降温時の降温速度を２０℃／分以下に設定したことを
   特徴とする積層インダクタの製造方法。
2. 【請求項２】 前記熱処理として、前記焼結体に対して
   温度差１２０℃以上となる熱衝撃処理を１回以上施すと
   共に、該熱衝撃処理における昇温速度及び降温速度を２
   ０℃／分以下に設定したことを特徴とする請求項１記載
   の積層インダクタの製造方法。
3. 【請求項３】 前記熱処理として、前記焼結体に対して
   ４００℃から９５０℃の間の所定温度で１時間以上の高
   温処理を施すと共に、該高温処理終了時における降温速
   度を２０℃／分以下に設定したことを特徴とする請求項
   １記載の積層インダクタの製造方法。