JPH11152282A - 新規なカルボン酸誘導体およびその製造方法 - Google Patents
新規なカルボン酸誘導体およびその製造方法Info
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- JPH11152282A JPH11152282A JP9319993A JP31999397A JPH11152282A JP H11152282 A JPH11152282 A JP H11152282A JP 9319993 A JP9319993 A JP 9319993A JP 31999397 A JP31999397 A JP 31999397A JP H11152282 A JPH11152282 A JP H11152282A
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- benzopyran
- general formula
- acetate
- benzyloxycarboxamide
- carboxylic acid
- Prior art date
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- Pending
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Pyrane Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】医薬品等の製造中間体として有用なカルボン酸
誘導体およびその製造方法の提供。 【解決手段】一般式（１）で表されるβ、γ−不飽和カ
ルボン酸誘導体が一般式（２）で表されるγ−ヒドロキ
シカルボン酸エステル誘導体から酸性イオン交換樹脂触
媒による脱水反応をモリキュラーシーブス存在下に実施
することで収率よく製造される。 【効果】医薬品等の製造中間体として有用な一般式
（１）および（２）で表される新規なカルボン酸誘導体
およびその製造方法が提供された。
誘導体およびその製造方法の提供。 【解決手段】一般式（１）で表されるβ、γ−不飽和カ
ルボン酸誘導体が一般式（２）で表されるγ−ヒドロキ
シカルボン酸エステル誘導体から酸性イオン交換樹脂触
媒による脱水反応をモリキュラーシーブス存在下に実施
することで収率よく製造される。 【効果】医薬品等の製造中間体として有用な一般式
（１）および（２）で表される新規なカルボン酸誘導体
およびその製造方法が提供された。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬品等の製造中
間体として、特に特開平8-231486号公報および特開平9-
124581号公報に示される抗血小板薬の製造中間体として
有用なカルボン酸誘導体およびその製造方法に関する。
間体として、特に特開平8-231486号公報および特開平9-
124581号公報に示される抗血小板薬の製造中間体として
有用なカルボン酸誘導体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開平9-227548号公報には［６−（４−
シアノベンズアミド）−４−ヒドロキシ−３，４−ジヒ
ドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチル
等のγ−ヒドロキシカルボン酸エステル誘導体が記載さ
れており、特開平9-227448号公報にはγ−ヒドロキシカ
ルボン酸エステル誘導体からβ、γ−不飽和カルボンエ
ステル酸エステル誘導体の製造例として、［６−（４−
シアノベンズアミド）−４−ヒドロキシ−３，４−ジヒ
ドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチル
から酸性イオン交換樹脂を触媒とする脱水反応による
［６−（４−シアノベンズアミド）−２Ｈ−１−ベンゾ
ピラン−３−イル］酢酸メチルの製造方法が記載されて
いる。 本発明の一般式（１）［化３］
シアノベンズアミド）−４−ヒドロキシ−３，４−ジヒ
ドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチル
等のγ−ヒドロキシカルボン酸エステル誘導体が記載さ
れており、特開平9-227448号公報にはγ−ヒドロキシカ
ルボン酸エステル誘導体からβ、γ−不飽和カルボンエ
ステル酸エステル誘導体の製造例として、［６−（４−
シアノベンズアミド）−４−ヒドロキシ−３，４−ジヒ
ドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチル
から酸性イオン交換樹脂を触媒とする脱水反応による
［６−（４−シアノベンズアミド）−２Ｈ−１−ベンゾ
ピラン−３−イル］酢酸メチルの製造方法が記載されて
いる。 本発明の一般式（１）［化３］
【０００３】
【化３】 （式中、Ｒは水素原子または低級アルキル基を表す）で
表される新規なβ、γ−不飽和カルボン酸誘導体も、特
開平9-227448号公報と同様に酸性イオン交換樹脂を触媒
として一般式（２）［化４］
表される新規なβ、γ−不飽和カルボン酸誘導体も、特
開平9-227448号公報と同様に酸性イオン交換樹脂を触媒
として一般式（２）［化４］
【０００４】
【化４】 （式中、Ｒは低級アルキル基を表す）で表される新規な
γ−ヒドロキシカルボン酸エステル誘導体の脱水反応に
より製造可能である。しかし、式（３）［化５］
γ−ヒドロキシカルボン酸エステル誘導体の脱水反応に
より製造可能である。しかし、式（３）［化５］
【０００５】
【化５】 で表されるラクトン体の副生が多く、一般式（１）で表
される目的のβ、γ−不飽和カルボン酸誘導体は収率よ
く得ることができなかった。
される目的のβ、γ−不飽和カルボン酸誘導体は収率よ
く得ることができなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、一般式
（１）で表される新規なβ、γ−不飽和カルボン酸誘導
体および一般式（２）で表される新規なγ−ヒドロキシ
カルボン酸エステル誘導体の提供を目的とするものであ
る。本発明の他の目的は一般式（２）で表されるγ−ヒ
ドロキシカルボン酸エステル誘導体からの一般式（１）
で表されるβ、γ−不飽和カルボン酸誘導体の収率よい
製造方法を提供することである。
（１）で表される新規なβ、γ−不飽和カルボン酸誘導
体および一般式（２）で表される新規なγ−ヒドロキシ
カルボン酸エステル誘導体の提供を目的とするものであ
る。本発明の他の目的は一般式（２）で表されるγ−ヒ
ドロキシカルボン酸エステル誘導体からの一般式（１）
で表されるβ、γ−不飽和カルボン酸誘導体の収率よい
製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、一般式
（２）で表される新規なγ−ヒドロキシカルボン酸エス
テル誘導体の脱水反応に関し、各種の酸触媒と反応条件
を鋭意検討した結果、酸性イオン交換樹脂を酸触媒とす
る脱水反応をモリキュラーシーブス存在下に実施するこ
とにより、式（３）のラクトン体の副生を大幅に抑制
し、一般式（１）のＲが低級アルキル基である新規な
β、γ−不飽和カルボン酸エステル誘導体を収率よく得
る方法を見いだし、さらにこのエステル誘導体を通常の
塩基または酸加水分解により一般式（１）のＲが水素原
子である新規なβ、γ−不飽和カルボン酸誘導体も容易
に得られることを見出し本発明を完成した。
（２）で表される新規なγ−ヒドロキシカルボン酸エス
テル誘導体の脱水反応に関し、各種の酸触媒と反応条件
を鋭意検討した結果、酸性イオン交換樹脂を酸触媒とす
る脱水反応をモリキュラーシーブス存在下に実施するこ
とにより、式（３）のラクトン体の副生を大幅に抑制
し、一般式（１）のＲが低級アルキル基である新規な
β、γ−不飽和カルボン酸エステル誘導体を収率よく得
る方法を見いだし、さらにこのエステル誘導体を通常の
塩基または酸加水分解により一般式（１）のＲが水素原
子である新規なβ、γ−不飽和カルボン酸誘導体も容易
に得られることを見出し本発明を完成した。
【０００８】すなわち、本発明は、［１］一般式（１）
で表されるβ、γ−不飽和カルボン酸誘導体であり、
［２］一般式（２）で表されるγ−ヒドロキシカルボン
酸エステル誘導体であり、［３］一般式（２）で表され
るγ−ヒドロキシカルボン酸エステル誘導体に、酸性イ
オン交換樹脂を触媒としてモリキュラーシーブス存在下
に脱水反応を行うことを特徴とする一般式（１）におい
てＲが低級アルキル基であるβ、γ−不飽和カルボン酸
誘導体の製造方法である。
で表されるβ、γ−不飽和カルボン酸誘導体であり、
［２］一般式（２）で表されるγ−ヒドロキシカルボン
酸エステル誘導体であり、［３］一般式（２）で表され
るγ−ヒドロキシカルボン酸エステル誘導体に、酸性イ
オン交換樹脂を触媒としてモリキュラーシーブス存在下
に脱水反応を行うことを特徴とする一般式（１）におい
てＲが低級アルキル基であるβ、γ−不飽和カルボン酸
誘導体の製造方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
一般式（１）および（２）のＲで表される低級アルキル
基とは炭素数１〜４の直鎖もしくは分岐アルキル基であ
り、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基
である。一般式（１）で表されるβ、γ−不飽和カルボ
ン酸誘導体を具体例として示せば、以下の化合物であ
る。
一般式（１）および（２）のＲで表される低級アルキル
基とは炭素数１〜４の直鎖もしくは分岐アルキル基であ
り、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基
である。一般式（１）で表されるβ、γ−不飽和カルボ
ン酸誘導体を具体例として示せば、以下の化合物であ
る。
【００１０】（１）［６−（ベンジルオキシカルボキサ
ミド）−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸 （２）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−２Ｈ
−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチル （３）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−２Ｈ
−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸エチル （４）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−２Ｈ
−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸ｎ−プロピル
ミド）−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸 （２）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−２Ｈ
−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチル （３）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−２Ｈ
−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸エチル （４）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−２Ｈ
−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸ｎ−プロピル
【００１１】（５）［６−（ベンジルオキシカルボキサ
ミド）−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸イソ
プロピル （６）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−２Ｈ
−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸ｎ−ブチル （７）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−２Ｈ
−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸sec−ブチル （８）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−２Ｈ
−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸tert−ブチル 一般式（１）のＲが水素原子である化合物（１）につい
ては、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、
マグネシウムなどの無機金属塩、アンモニア、ジメチル
アミン、トリエチルアミンなどの有機塩基との塩も含ま
れる。一般式（２）で表されるγ−ヒドロキシカルボン
酸エステル誘導体を具体例として示せば、以下の化合物
である。
ミド）−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸イソ
プロピル （６）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−２Ｈ
−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸ｎ−ブチル （７）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−２Ｈ
−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸sec−ブチル （８）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−２Ｈ
−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸tert−ブチル 一般式（１）のＲが水素原子である化合物（１）につい
ては、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、
マグネシウムなどの無機金属塩、アンモニア、ジメチル
アミン、トリエチルアミンなどの有機塩基との塩も含ま
れる。一般式（２）で表されるγ−ヒドロキシカルボン
酸エステル誘導体を具体例として示せば、以下の化合物
である。
【００１２】（９）［６−（ベンジルオキシカルボキサ
ミド）−４−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１
−ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチル （１０）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−４
−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピ
ラン−３−イル］酢酸エチル （１１）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−４
−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピ
ラン−３−イル］酢酸ｎ−プロピル （１２）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−４
−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−−２Ｈ−１−ベンゾ
ピラン−３−イル］酢酸イソプロピル
ミド）−４−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１
−ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチル （１０）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−４
−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピ
ラン−３−イル］酢酸エチル （１１）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−４
−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピ
ラン−３−イル］酢酸ｎ−プロピル （１２）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−４
−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−−２Ｈ−１−ベンゾ
ピラン−３−イル］酢酸イソプロピル
【００１３】（１３）［６−（ベンジルオキシカルボキ
サミド）−４−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−
１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸ｎ−ブチル （１４）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−４
−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピ
ラン−３−イル］酢酸sec−ブチル （１５）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−４
−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピ
ラン−３−イル］酢酸tert−ブチル 次に本発明の化合物の製造方法を述べる。一般式（２）
で表されるγ−ヒドロキシカルボン酸エステル誘導体は
特開平9-227548号公報に記載される（６−アミノ−４−
ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラ
ン−３−イル）酢酸エステルをトリエチルアミン等の有
機塩基あるいは水酸化ナトリウム、炭酸カリウム等の無
機塩基の存在下にベンジルオキシカルボニルクロリドを
反応させる一般的方法により得ることができる。
サミド）−４−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−
１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸ｎ−ブチル （１４）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−４
−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピ
ラン−３−イル］酢酸sec−ブチル （１５）［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−４
−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピ
ラン−３−イル］酢酸tert−ブチル 次に本発明の化合物の製造方法を述べる。一般式（２）
で表されるγ−ヒドロキシカルボン酸エステル誘導体は
特開平9-227548号公報に記載される（６−アミノ−４−
ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラ
ン−３−イル）酢酸エステルをトリエチルアミン等の有
機塩基あるいは水酸化ナトリウム、炭酸カリウム等の無
機塩基の存在下にベンジルオキシカルボニルクロリドを
反応させる一般的方法により得ることができる。
【００１４】このようにして得られたγ−ヒドロキシカ
ルボン酸エステル誘導体を、酸性イオン交換樹脂を酸触
媒とし、モリキュラーシーブス存在下に脱水反応するこ
とにより、一般式（１）のＲが低級アルキル基である
β、γ−不飽和カルボン酸誘導体を得ることができる。
ルボン酸エステル誘導体を、酸性イオン交換樹脂を酸触
媒とし、モリキュラーシーブス存在下に脱水反応するこ
とにより、一般式（１）のＲが低級アルキル基である
β、γ−不飽和カルボン酸誘導体を得ることができる。
【００１５】酸性イオン交換樹脂としては、スルホン酸
型の強酸性イオン交換樹脂が好ましく、商品名としてダ
イヤイオン、アンバーライト、アンバーリスト、ダウエ
ックス、リバチット、デュオライト等の酸性イオン交換
樹脂が使用でき、特にアンバーリスト１５、ダウエック
ス５０が好適に使用される。反応に使用する酸性イオン
交換樹脂の量は、一般式（２）で表されるγ−ヒドロキ
シカルボン酸エステル誘導体に対して1〜200重量％の範
囲であり、好ましくは5〜100重量％である。
型の強酸性イオン交換樹脂が好ましく、商品名としてダ
イヤイオン、アンバーライト、アンバーリスト、ダウエ
ックス、リバチット、デュオライト等の酸性イオン交換
樹脂が使用でき、特にアンバーリスト１５、ダウエック
ス５０が好適に使用される。反応に使用する酸性イオン
交換樹脂の量は、一般式（２）で表されるγ−ヒドロキ
シカルボン酸エステル誘導体に対して1〜200重量％の範
囲であり、好ましくは5〜100重量％である。
【００１６】モレキュラーシーブスとしては３Ａ、４
Ａ、５Ａ、１３Ｘ等のペレットあるいは粉末状のものが
使用され、なかでも粉末状のモレキュラーシーブス３Ａ
が好ましい。反応に使用するモリキュラーシーブスの量
は一般式（２）で表されるγ−ヒドロキシカルボン酸エ
ステル誘導体に対して10〜200重量％の範囲であり、好
ましくは20〜100重量％である。
Ａ、５Ａ、１３Ｘ等のペレットあるいは粉末状のものが
使用され、なかでも粉末状のモレキュラーシーブス３Ａ
が好ましい。反応に使用するモリキュラーシーブスの量
は一般式（２）で表されるγ−ヒドロキシカルボン酸エ
ステル誘導体に対して10〜200重量％の範囲であり、好
ましくは20〜100重量％である。
【００１７】反応溶媒は、ジオキサン、テトラヒドロフ
ランなどのエーテル系溶媒、クロロホルム、１，２−ジ
クロロエタンなどのハロゲン系溶媒、酢酸エチル、酢酸
ブチルなどのエステル系溶媒、トルエン、キシレンなど
の芳香属系溶媒などを単独あるいは混合して用いること
ができる。反応温度は20〜200℃の沸点の範囲、好まし
くは50〜150℃の範囲で行うことができる。
ランなどのエーテル系溶媒、クロロホルム、１，２−ジ
クロロエタンなどのハロゲン系溶媒、酢酸エチル、酢酸
ブチルなどのエステル系溶媒、トルエン、キシレンなど
の芳香属系溶媒などを単独あるいは混合して用いること
ができる。反応温度は20〜200℃の沸点の範囲、好まし
くは50〜150℃の範囲で行うことができる。
【００１８】一般式（１）のＲが水素原子である化合物
は、上記の方法により製造されたエステル誘導体を一般
的方法で加水分解することにより得ることができる。例
えばメタノール、エタノールまたはテトラヒドロフラ
ン、ジオキサンの単独または混合溶媒中、水性またはア
ルコール性の水酸化ナトリウム、水酸化カリウムまたは
水酸化リチウムを使用し塩基加水分解することにより得
ることができる。またトルエン、キシレンなどの非水溶
性溶媒中でも、水性の水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、または水酸化リチウムなどの塩基と、テトラブチル
アンモニウムブロマイド、ベンジルトリエチルアンモニ
ウムクロライドまたはクラウンエーテルなどの相関移動
触媒との組み合わせによって加水分解を行うこともでき
る。また、塩酸や硫酸等の無機酸類、酢酸やトリフルオ
ロ酢酸等の有機酸を使用した酸加水分解を行うこともで
きる。
は、上記の方法により製造されたエステル誘導体を一般
的方法で加水分解することにより得ることができる。例
えばメタノール、エタノールまたはテトラヒドロフラ
ン、ジオキサンの単独または混合溶媒中、水性またはア
ルコール性の水酸化ナトリウム、水酸化カリウムまたは
水酸化リチウムを使用し塩基加水分解することにより得
ることができる。またトルエン、キシレンなどの非水溶
性溶媒中でも、水性の水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、または水酸化リチウムなどの塩基と、テトラブチル
アンモニウムブロマイド、ベンジルトリエチルアンモニ
ウムクロライドまたはクラウンエーテルなどの相関移動
触媒との組み合わせによって加水分解を行うこともでき
る。また、塩酸や硫酸等の無機酸類、酢酸やトリフルオ
ロ酢酸等の有機酸を使用した酸加水分解を行うこともで
きる。
【００１９】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらによって限定されるものではな
い。 実施例１［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−４−ヒドロ
キシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３
−イル］酢酸メチルの製造 （１−１）（６−アミノ−４−ヒドロキシ−３，４−ジ
ヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３−イル）酢酸メチ
ル(47.4g)をクロロホルム(400ml)に溶解し、−10〜0℃
に冷却した。トリエチルアミン(24g)を加えた後、ベン
ジルオキシカルボニルクロリド(36g)を滴下し、−10〜0
℃で１時間攪拌を続けた。反応液を水で洗浄し、減圧濃
縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶
媒：クロロホルム／メタノール=30／1で精製することに
より、［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−４−
ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラ
ン−３−イル］酢酸メチル(63.4g)を白色結晶として得
た。 融点:108〜110℃1 H-NMR(270MHz，DMSO-d6),δ:9.53(s,1H),7.45-7.19(m,
7H),6.68(d,J=8.8Hz,1H),5.55(d,J=6.6Hz,1H),5.12(s,2
H),4.27-4.15(m,2H),3.94-3.85(m,1H),3.61(s,3H),2.51
-2.18(m,3H).
るが、本発明はこれらによって限定されるものではな
い。 実施例１［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−４−ヒドロ
キシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３
−イル］酢酸メチルの製造 （１−１）（６−アミノ−４−ヒドロキシ−３，４−ジ
ヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３−イル）酢酸メチ
ル(47.4g)をクロロホルム(400ml)に溶解し、−10〜0℃
に冷却した。トリエチルアミン(24g)を加えた後、ベン
ジルオキシカルボニルクロリド(36g)を滴下し、−10〜0
℃で１時間攪拌を続けた。反応液を水で洗浄し、減圧濃
縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶
媒：クロロホルム／メタノール=30／1で精製することに
より、［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−４−
ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラ
ン−３−イル］酢酸メチル(63.4g)を白色結晶として得
た。 融点:108〜110℃1 H-NMR(270MHz，DMSO-d6),δ:9.53(s,1H),7.45-7.19(m,
7H),6.68(d,J=8.8Hz,1H),5.55(d,J=6.6Hz,1H),5.12(s,2
H),4.27-4.15(m,2H),3.94-3.85(m,1H),3.61(s,3H),2.51
-2.18(m,3H).
【００２０】実施例２［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−２Ｈ−１−
ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチルの製造 ジオキサン(200ml)に粉末モレキュラーシーブス３Ａ(10
g)、アンバーリスト１５(6g)を懸濁し、80℃で攪拌しな
がら、実施例１で得た［６−（ベンジルオキシカルボキ
サミド）−４−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−
１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチル(18.6g)を加
え、同温度で２時間攪拌した。液体クロマトグラフィー
による反応収率は目的脱水生成物88%であり、ラクトン
体の副生は5%と少なかった。反応液を熱時濾過し、濾液
を減圧濃縮し、濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（展開溶媒：酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝1／
3）で精製して題記化合物(13.7g)を白色結晶として得
た。 融点:91〜92℃1 H-NMR(270MHz，DMSO-d6),δ:9.57(s,1H),7.43-7.33(m,
5H),7.15-7.11(m,2H),6.70(d,1H,J=8.1Hz),6.36(s,1H),
5.12(s,2H),4.67(s,2H),3.63(s,3H),3.29(s,2H).
ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチルの製造 ジオキサン(200ml)に粉末モレキュラーシーブス３Ａ(10
g)、アンバーリスト１５(6g)を懸濁し、80℃で攪拌しな
がら、実施例１で得た［６−（ベンジルオキシカルボキ
サミド）−４−ヒドロキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−
１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチル(18.6g)を加
え、同温度で２時間攪拌した。液体クロマトグラフィー
による反応収率は目的脱水生成物88%であり、ラクトン
体の副生は5%と少なかった。反応液を熱時濾過し、濾液
を減圧濃縮し、濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（展開溶媒：酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝1／
3）で精製して題記化合物(13.7g)を白色結晶として得
た。 融点:91〜92℃1 H-NMR(270MHz，DMSO-d6),δ:9.57(s,1H),7.43-7.33(m,
5H),7.15-7.11(m,2H),6.70(d,1H,J=8.1Hz),6.36(s,1H),
5.12(s,2H),4.67(s,2H),3.63(s,3H),3.29(s,2H).
【００２１】比較例１［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−２Ｈ−１−
ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチルの製造（モリキュ
ラーシーブス不使用例） ジオキサン(200ml)に、アンバーリスト１５(6g)を懸濁
し、80℃で攪拌しながら実施例１で得た［６−（ベンジ
ルオキシカルボキサミド）−４−ヒドロキシ−３，４−
ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸メ
チル(18.6g)を加え、同温度で２時間攪拌した。液体ク
ロマトグラフィーによる反応収率は目的脱水生成物66%
であり、ラクトン体の副生は32%と多かった。反応液を
熱時濾過し、濾液を減圧濃縮し、濃縮残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（展開溶媒：メタノール／ク
ロロホルム＝1／50）で分離して題記化合物(8.5g)およ
びラクトン体(4.0g)を白色結晶として得た。 ラクトン体： 融点:153〜155℃1 H-NMR(270MHz，DMSO-d6),δ:7.43-7.28(m,7H),6.86(d,
J=8.8Hz,1H),6.64(bs,1H),5.43(d,J=6.6Hz,1H),5.19(s,
2H),4.17(dd,J=4.4Hz,11.7Hz,1H),3.80(dd,J=8.8Hz,11.
0Hz),3.02-2.95(m,1H),2.84(dd,J=8.8Hz,17.6Hz,1H),2.
44(dd,J=4.4Hz,17.6Hz,1H).
ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチルの製造（モリキュ
ラーシーブス不使用例） ジオキサン(200ml)に、アンバーリスト１５(6g)を懸濁
し、80℃で攪拌しながら実施例１で得た［６−（ベンジ
ルオキシカルボキサミド）−４−ヒドロキシ−３，４−
ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸メ
チル(18.6g)を加え、同温度で２時間攪拌した。液体ク
ロマトグラフィーによる反応収率は目的脱水生成物66%
であり、ラクトン体の副生は32%と多かった。反応液を
熱時濾過し、濾液を減圧濃縮し、濃縮残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（展開溶媒：メタノール／ク
ロロホルム＝1／50）で分離して題記化合物(8.5g)およ
びラクトン体(4.0g)を白色結晶として得た。 ラクトン体： 融点:153〜155℃1 H-NMR(270MHz，DMSO-d6),δ:7.43-7.28(m,7H),6.86(d,
J=8.8Hz,1H),6.64(bs,1H),5.43(d,J=6.6Hz,1H),5.19(s,
2H),4.17(dd,J=4.4Hz,11.7Hz,1H),3.80(dd,J=8.8Hz,11.
0Hz),3.02-2.95(m,1H),2.84(dd,J=8.8Hz,17.6Hz,1H),2.
44(dd,J=4.4Hz,17.6Hz,1H).
【００２２】実施例３［６−（ベンジルオキシカルボキサミド）−２Ｈ−１−
ベンゾピラン−３−イル］酢酸の製造 実施例２で得た［６−（ベンジルオキシカルボキサミ
ド）−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチル
(8.6g)をジオキサン(45ml)に溶解し、水酸化リチウム・
１水和物(3.1g)を溶かした水溶液(30ml)を滴下し、室温
で１時間攪拌した。反応終了後、濃塩酸でｐＨ１〜２に
調整し、ジオキサンを減圧下に留去した。濃縮残渣に酢
酸エチルを加え、飽和食塩水で水洗した後、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムを濾別した後、濾
液を減圧濃縮し析出結晶を濾過、乾燥することにより、
題記化合物(6.6g)を白色結晶として得た。 融点:144〜146℃1 H-NMR(270MHz，DMSO-d6),δ:9.55(s,1H),7.43-7.33(m,
5H),7.14-7.11(m,2H),6.69(d,1H,J=8.1Hz),6.33(s,1H),
5.12(s,2H),4.67(s,2H),3.18(s,2H).
ベンゾピラン−３−イル］酢酸の製造 実施例２で得た［６−（ベンジルオキシカルボキサミ
ド）−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３−イル］酢酸メチル
(8.6g)をジオキサン(45ml)に溶解し、水酸化リチウム・
１水和物(3.1g)を溶かした水溶液(30ml)を滴下し、室温
で１時間攪拌した。反応終了後、濃塩酸でｐＨ１〜２に
調整し、ジオキサンを減圧下に留去した。濃縮残渣に酢
酸エチルを加え、飽和食塩水で水洗した後、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムを濾別した後、濾
液を減圧濃縮し析出結晶を濾過、乾燥することにより、
題記化合物(6.6g)を白色結晶として得た。 融点:144〜146℃1 H-NMR(270MHz，DMSO-d6),δ:9.55(s,1H),7.43-7.33(m,
5H),7.14-7.11(m,2H),6.69(d,1H,J=8.1Hz),6.33(s,1H),
5.12(s,2H),4.67(s,2H),3.18(s,2H).
【００２３】
【発明の効果】医薬品等の製造中間体として有用な一般
式（１）で表される新規なβ、γ−不飽和カルボン酸誘
導体および一般式（２）で表される新規なγ−ヒドロキ
シカルボン酸エステル誘導体が提供された。
式（１）で表される新規なβ、γ−不飽和カルボン酸誘
導体および一般式（２）で表される新規なγ−ヒドロキ
シカルボン酸エステル誘導体が提供された。
【００２４】また、一般式（２）で表されるγ−ヒドロ
キシカルボン酸エステル誘導体から式（３）で表される
ラクトン体の副生を抑制して一般式（１）で表される
β、γ−不飽和カルボン酸誘導体を収率よく製造する方
法が提供された。
キシカルボン酸エステル誘導体から式（３）で表される
ラクトン体の副生を抑制して一般式（１）で表される
β、γ−不飽和カルボン酸誘導体を収率よく製造する方
法が提供された。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥村 邦雄 千葉県茂原市東郷1144番地 三井化学株式 会社内 (72)発明者 山下 博之 千葉県茂原市東郷1144番地 三井化学株式 会社内
Claims (3)
- 【請求項１】一般式（１）［化１］ 【化１】 （式中、Ｒは水素原子または低級アルキル基を表す）で
表されるβ、γ−不飽和カルボン酸誘導体。 - 【請求項２】一般式（２）［化２］ 【化２】 （式中、Ｒは低級アルキル基を表す）で表されるγ−ヒ
ドロキシカルボン酸エステル誘導体。 - 【請求項３】請求項２の一般式（２）で表されるγ−ヒ
ドロキシカルボン酸エステル誘導体に、酸性イオン交換
樹脂を触媒としてモリキュラーシーブス存在下に脱水反
応を行うことを特徴とする、請求項１記載の一般式
（１）においてＲが低級アルキル基であるβ、γ−不飽
和カルボン酸誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9319993A JPH11152282A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 新規なカルボン酸誘導体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9319993A JPH11152282A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 新規なカルボン酸誘導体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11152282A true JPH11152282A (ja) | 1999-06-08 |
Family
ID=18116559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9319993A Pending JPH11152282A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 新規なカルボン酸誘導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11152282A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100473353B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2005-03-08 | 한국화학연구원 | 고체 지지체에 연결된 탄소-탄소 이중결합 화합물의고효율 하이드로 카르복실레이트 부가방법 |
| KR100470958B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2005-03-08 | 한국화학연구원 | 고체 지지체에 연결된 탄소-탄소 이중결합 화합물의고효율 하이드로 알콕시 부가 반응방법 |
-
1997
- 1997-11-20 JP JP9319993A patent/JPH11152282A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100473353B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2005-03-08 | 한국화학연구원 | 고체 지지체에 연결된 탄소-탄소 이중결합 화합물의고효율 하이드로 카르복실레이트 부가방법 |
| KR100470958B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2005-03-08 | 한국화학연구원 | 고체 지지체에 연결된 탄소-탄소 이중결합 화합물의고효율 하이드로 알콕시 부가 반응방법 |
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