JPH11148008A - ポリイミド前駆体樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
ポリイミド前駆体樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JPH11148008A JPH11148008A JP31201297A JP31201297A JPH11148008A JP H11148008 A JPH11148008 A JP H11148008A JP 31201297 A JP31201297 A JP 31201297A JP 31201297 A JP31201297 A JP 31201297A JP H11148008 A JPH11148008 A JP H11148008A
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- polyimide
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 空気中での熱処理又は長時間の熱処理によっ
ても透明性が低下しないポリイミド前駆体樹脂組成物及
び空気中での熱処理又は長時間の熱処理によっても透明
性が低下せず紫外線によるメモリ消去時間が長くならな
い保護膜を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】 イミド化反応により、一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1は４価の有機基を示し、Ｒ2は２価の有機基
を示し、Ｒ1及びＲ2のいずれか一方は脂肪族基である）
に示される構成単位を有するポリイミドを形成すること
ができるポリイミド前駆体樹脂と、一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ3及びＲ4は、２価の炭化水素基を示し、Ｒ5
は炭化水素基を示す）で示される化合物を必須成分とし
て含有してなるポリイミド前駆体樹脂組成物並びにこの
ポリイミド前駆体樹脂組成物を用いて得られるポリイミ
ド樹脂膜を保護膜として有してなる半導体装置。
ても透明性が低下しないポリイミド前駆体樹脂組成物及
び空気中での熱処理又は長時間の熱処理によっても透明
性が低下せず紫外線によるメモリ消去時間が長くならな
い保護膜を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】 イミド化反応により、一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1は４価の有機基を示し、Ｒ2は２価の有機基
を示し、Ｒ1及びＲ2のいずれか一方は脂肪族基である）
に示される構成単位を有するポリイミドを形成すること
ができるポリイミド前駆体樹脂と、一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ3及びＲ4は、２価の炭化水素基を示し、Ｒ5
は炭化水素基を示す）で示される化合物を必須成分とし
て含有してなるポリイミド前駆体樹脂組成物並びにこの
ポリイミド前駆体樹脂組成物を用いて得られるポリイミ
ド樹脂膜を保護膜として有してなる半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の保護
膜、層間絶縁膜等として有用なポリイミド前駆体樹脂組
成物及びこれを用いた半導体装置に関する。
膜、層間絶縁膜等として有用なポリイミド前駆体樹脂組
成物及びこれを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ポリイミドは、一般にジアミンと
テトラカルボン酸二無水物を溶媒中で反応させてポリア
ミド酸を生成し、これを脱水閉環するかまたはジイソシ
アネートとテトラカルボン酸二無水物を反応させて直接
ポリイミドを生成させる等の方法で得られている。こう
して得られたポリアミド酸及びポリイミドの特性は、用
いるジアミン、ジイソシアネート、テトラカルボン酸二
無水物等の選択とこれらの組み合わせで決まり、耐熱性
に優れるもの、可とう性に優れるもの、溶解性に優れる
もの等、種々知られている。
テトラカルボン酸二無水物を溶媒中で反応させてポリア
ミド酸を生成し、これを脱水閉環するかまたはジイソシ
アネートとテトラカルボン酸二無水物を反応させて直接
ポリイミドを生成させる等の方法で得られている。こう
して得られたポリアミド酸及びポリイミドの特性は、用
いるジアミン、ジイソシアネート、テトラカルボン酸二
無水物等の選択とこれらの組み合わせで決まり、耐熱性
に優れるもの、可とう性に優れるもの、溶解性に優れる
もの等、種々知られている。
【０００３】その中で、テトラカルボン酸二無水物とし
て芳香族テトラカルボン酸二無水物を用いたポリイミド
は、優れた耐熱性及び機械特性を有しているが、ポリイ
ミドを作製するための温度は３００℃以上を必要とし、
得られたポリイミドは、外観は褐色に着色している。一
方、ポリイミドは種々の分野へ応用されるになってきて
おり、例えば、液晶表示素子の配向膜などの光デバイス
分野にも用いられるようになっている。しかしながら、
上記の芳香族テトラカルボン酸二無水物を用いたポリイ
ミドでは透明性が低いこと、及び液晶表示素子自身が耐
熱性が乏しいため、ポリイミド化の工程で素子そのもの
が分解することから使用する事が難しい。このため、低
温でポリイミド化し、かつ得られたポリイミドの透明性
が良好であるテトラカルボン酸二無水物として、１，
２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物等の脂肪
族テトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−シクロ
ヘキシルテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−
シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物等の脂環式テ
トラカルボン酸二無水物などが知られている。
て芳香族テトラカルボン酸二無水物を用いたポリイミド
は、優れた耐熱性及び機械特性を有しているが、ポリイ
ミドを作製するための温度は３００℃以上を必要とし、
得られたポリイミドは、外観は褐色に着色している。一
方、ポリイミドは種々の分野へ応用されるになってきて
おり、例えば、液晶表示素子の配向膜などの光デバイス
分野にも用いられるようになっている。しかしながら、
上記の芳香族テトラカルボン酸二無水物を用いたポリイ
ミドでは透明性が低いこと、及び液晶表示素子自身が耐
熱性が乏しいため、ポリイミド化の工程で素子そのもの
が分解することから使用する事が難しい。このため、低
温でポリイミド化し、かつ得られたポリイミドの透明性
が良好であるテトラカルボン酸二無水物として、１，
２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物等の脂肪
族テトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−シクロ
ヘキシルテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−
シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物等の脂環式テ
トラカルボン酸二無水物などが知られている。
【０００４】しかし、良好な透明性を発揮させるには、
比較的低温で実質的に不活性雰囲気でイミド化した場合
に限られ、また、空気中及び／又は長時間の熱処理を行
うと透明性の低下が避けられない。よって、高度の透明
性が要求される用途では、イミド化及び硬化膜の使用条
件が限定されていた。
比較的低温で実質的に不活性雰囲気でイミド化した場合
に限られ、また、空気中及び／又は長時間の熱処理を行
うと透明性の低下が避けられない。よって、高度の透明
性が要求される用途では、イミド化及び硬化膜の使用条
件が限定されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】請求項１記載の発明
は、空気中での熱処理又は長時間の熱処理によっても透
明性が低下しないポリイミド前駆体樹脂組成物を提供す
るものである。請求項２記載の発明は、請求項１記載の
発明の課題に加え、さらに透明性低下抑制の効果が高い
ポリイミド前駆体樹脂組成物を提供するものである。請
求項３及び４記載の発明は、請求項１記載の発明の課題
に加え、さらに良好な透明性を有するポリイミド前駆体
樹脂組成物を提供するものである。請求項５記載の発明
は、空気中での熱処理又は長時間の熱処理によっても透
明性が低下せず紫外線によるメモリ消去時間が長くなら
ない保護膜を有する半導体装置を提供するものである。
は、空気中での熱処理又は長時間の熱処理によっても透
明性が低下しないポリイミド前駆体樹脂組成物を提供す
るものである。請求項２記載の発明は、請求項１記載の
発明の課題に加え、さらに透明性低下抑制の効果が高い
ポリイミド前駆体樹脂組成物を提供するものである。請
求項３及び４記載の発明は、請求項１記載の発明の課題
に加え、さらに良好な透明性を有するポリイミド前駆体
樹脂組成物を提供するものである。請求項５記載の発明
は、空気中での熱処理又は長時間の熱処理によっても透
明性が低下せず紫外線によるメモリ消去時間が長くなら
ない保護膜を有する半導体装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、イミド化反応
により、一般式（Ｉ）
により、一般式（Ｉ）
【化６】 （式中、Ｒ1は４価の有機基を示し、Ｒ2は２価の有機基
を示し、Ｒ1及びＲ2のいずれか一方は脂肪族基である）
に示される構成単位を有するポリイミドを形成すること
ができるポリイミド前駆体樹脂と、一般式（II）
を示し、Ｒ1及びＲ2のいずれか一方は脂肪族基である）
に示される構成単位を有するポリイミドを形成すること
ができるポリイミド前駆体樹脂と、一般式（II）
【化７】 （式中、Ｒ3及びＲ4は、２価の炭化水素基を示し、Ｒ5
は１価の炭化水素基を示す）で示される化合物を必須成
分として含有してなるポリイミド前駆体樹脂組成物に関
する。
は１価の炭化水素基を示す）で示される化合物を必須成
分として含有してなるポリイミド前駆体樹脂組成物に関
する。
【０００７】また本発明は、さらに一般式（III）
【化８】 （式中、Ｒ6はそれぞれ独立に１価の炭化水素基を示
し、ｎは０〜４の整数を示す）で示される２−ベンズイ
ミダゾールエチロール系化合物を含有する前記ポリイミ
ド前駆体樹脂組成物に関する。
し、ｎは０〜４の整数を示す）で示される２−ベンズイ
ミダゾールエチロール系化合物を含有する前記ポリイミ
ド前駆体樹脂組成物に関する。
【０００８】また本発明は、一般式（Ｉ）で示される構
成単位が、一般式（IV）
成単位が、一般式（IV）
【化９】 （式中、Ｒ2は２価の有機基を示す）で示される構成単
位である前記ポリイミド前駆体樹脂組成物に関する。ま
た本発明は、一般式（Ｉ）で示される構成単位が、一般
式（Ｖ）
位である前記ポリイミド前駆体樹脂組成物に関する。ま
た本発明は、一般式（Ｉ）で示される構成単位が、一般
式（Ｖ）
【化１０】 （式中、Ｒ1は４価の有機基を示す）で示される構成単
位である前記ポリイミド前駆体樹脂組成物に関する。さ
らに本発明は、前記ポリイミド前駆体樹脂組成物を用い
て得られるポリイミド樹脂膜を保護膜として有してなる
半導体装置に関する。
位である前記ポリイミド前駆体樹脂組成物に関する。さ
らに本発明は、前記ポリイミド前駆体樹脂組成物を用い
て得られるポリイミド樹脂膜を保護膜として有してなる
半導体装置に関する。
【０００９】
【発明の実施の形態】前記一般式（Ｉ）に示される構成
単位において、Ｒ1は４価の有機基を示し、Ｒ2は２価の
有機基を示し、Ｒ1及びＲ2のいずれか一方は脂肪族基で
ある。Ｒ1で示される４価の有機基とは、ジアミンと反
応してポリイミド前駆体を形成し、その後、脱水及び／
又は脱アルコール反応によりイミド化するテトラカルボ
ン酸の残基であることが好ましい。４価の有機基として
は、ベンゼン環、ナフタレン環等の芳香環を含む芳香族
基、脂肪族環を含む環状脂肪族基、鎖状脂肪族基、シロ
キサン結合を含む基等が挙げられる。炭素原子数の面か
らは４〜４０のものが好ましく、４〜２０のものがより
好ましい。なお、４価の有機基における４個の結合部位
は、環を含む有機基である場合、いずれも環上に存在す
ることが好ましい。これらの結合部位は、２個ずつの２
組に分けられ、各組の２個の結合部位が隣り合う炭素に
存在することが好ましい。芳香族基又は環状脂肪族基の
場合は、前記の２組は、同一の環に存在していてもよい
し、各種の結合基を介して結合している別々の環に存在
してもよい。
単位において、Ｒ1は４価の有機基を示し、Ｒ2は２価の
有機基を示し、Ｒ1及びＲ2のいずれか一方は脂肪族基で
ある。Ｒ1で示される４価の有機基とは、ジアミンと反
応してポリイミド前駆体を形成し、その後、脱水及び／
又は脱アルコール反応によりイミド化するテトラカルボ
ン酸の残基であることが好ましい。４価の有機基として
は、ベンゼン環、ナフタレン環等の芳香環を含む芳香族
基、脂肪族環を含む環状脂肪族基、鎖状脂肪族基、シロ
キサン結合を含む基等が挙げられる。炭素原子数の面か
らは４〜４０のものが好ましく、４〜２０のものがより
好ましい。なお、４価の有機基における４個の結合部位
は、環を含む有機基である場合、いずれも環上に存在す
ることが好ましい。これらの結合部位は、２個ずつの２
組に分けられ、各組の２個の結合部位が隣り合う炭素に
存在することが好ましい。芳香族基又は環状脂肪族基の
場合は、前記の２組は、同一の環に存在していてもよい
し、各種の結合基を介して結合している別々の環に存在
してもよい。
【００１０】またＲ2は、２価の有機基であり、テトラ
カルボン酸またはその誘導体（酸無水物、ジエステル、
ジクロリド、ジアミド等）と反応してポリイミド前駆体
を形成し、その後、脱水及び／又は脱アルコール反応に
よりイミド化し得るジアミン化合物の残基であることが
好ましい。前記２価の有機基としては、芳香族基、鎖状
脂肪族基、環状脂肪族基、シロキサン結合を含む基など
が挙げられ、芳香族基、脂肪族基及び脂肪族を含む基の
場合は炭素原子数が６〜４０のものが好ましい。
カルボン酸またはその誘導体（酸無水物、ジエステル、
ジクロリド、ジアミド等）と反応してポリイミド前駆体
を形成し、その後、脱水及び／又は脱アルコール反応に
よりイミド化し得るジアミン化合物の残基であることが
好ましい。前記２価の有機基としては、芳香族基、鎖状
脂肪族基、環状脂肪族基、シロキサン結合を含む基など
が挙げられ、芳香族基、脂肪族基及び脂肪族を含む基の
場合は炭素原子数が６〜４０のものが好ましい。
【００１１】本発明において、Ｒ1及びＲ2のいずれか一
方は脂肪族基である。Ｒ1として脂肪族基を与えるテト
ラカルボン酸又はその誘導体としては、１，２，４，５
−シクロヘキシルテトラカルボン酸、１，２，３，４−
シクロペンタンテトラカルボン酸、ジシクロヘキシル−
３，４，３′，４′−テトラカルボン酸、１，２，３，
４−シクロブタンテトラカルボン酸等の脂環式テトラカ
ルボン酸、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸等
の鎖状炭化水素のテトラカルボン酸、これらのテトラカ
ルボン酸の二無水物などが好ましいものとして挙げられ
る。中では、良好な透明性の脂環式テトラカルボン酸又
はその誘導体が好ましく、低温でポリイミド化し、良好
な透明性、耐熱性及び機械特性を併せ持つ、ジシクロヘ
キシル−３，４，３′，４′−テトラカルボン酸及びそ
の二無水物が特に好ましい。即ち、前記一般式（IV）で
示される構成単位を有するポリイミドとなり得るものが
特に好ましい。
方は脂肪族基である。Ｒ1として脂肪族基を与えるテト
ラカルボン酸又はその誘導体としては、１，２，４，５
−シクロヘキシルテトラカルボン酸、１，２，３，４−
シクロペンタンテトラカルボン酸、ジシクロヘキシル−
３，４，３′，４′−テトラカルボン酸、１，２，３，
４−シクロブタンテトラカルボン酸等の脂環式テトラカ
ルボン酸、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸等
の鎖状炭化水素のテトラカルボン酸、これらのテトラカ
ルボン酸の二無水物などが好ましいものとして挙げられ
る。中では、良好な透明性の脂環式テトラカルボン酸又
はその誘導体が好ましく、低温でポリイミド化し、良好
な透明性、耐熱性及び機械特性を併せ持つ、ジシクロヘ
キシル−３，４，３′，４′−テトラカルボン酸及びそ
の二無水物が特に好ましい。即ち、前記一般式（IV）で
示される構成単位を有するポリイミドとなり得るものが
特に好ましい。
【００１２】脂肪族基以外の基を与えるテトラカルボン
酸としては、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン
酸、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸、４，４′−オキシジフタル酸、３，３′，４，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３′，４，
４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸等の芳香族
テトラカルボン酸、これらの二無水物などの誘導体等が
挙げられる。
酸としては、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン
酸、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸、４，４′−オキシジフタル酸、３，３′，４，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３′，４，
４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸等の芳香族
テトラカルボン酸、これらの二無水物などの誘導体等が
挙げられる。
【００１３】Ｒ2として脂肪族基を与えるジアミンとし
ては、例えば、２，５−ビス（アミノメチル）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン、２，６−ビス（アミノメチ
ル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、シクロペンチル
ジアミン、シクロヘキシルジアミンなどの環状の脂肪族
基を有するジアミン、エチレンジアミン、プロピレンジ
アミン、ブチレンジアミン等の鎖状の脂肪族基を有する
ジアミンが挙げられるが、中では、良好な透明性の環状
の脂肪族基を有するジアミンが好ましく、低温でポリイ
ミド化し、良好な透明性、耐熱性及び機械特性を併せ持
つ、２，５−ビス（アミノメチル）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン及び２，６−ビス（アミノメチル）ビシク
ロ［２．２．１］ヘプタンが特に好ましい。即ち、前記
一般式（Ｖ）で示される構成単位を有するポリイミドと
なり得るものが特に好ましい。
ては、例えば、２，５−ビス（アミノメチル）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン、２，６−ビス（アミノメチ
ル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、シクロペンチル
ジアミン、シクロヘキシルジアミンなどの環状の脂肪族
基を有するジアミン、エチレンジアミン、プロピレンジ
アミン、ブチレンジアミン等の鎖状の脂肪族基を有する
ジアミンが挙げられるが、中では、良好な透明性の環状
の脂肪族基を有するジアミンが好ましく、低温でポリイ
ミド化し、良好な透明性、耐熱性及び機械特性を併せ持
つ、２，５−ビス（アミノメチル）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン及び２，６−ビス（アミノメチル）ビシク
ロ［２．２．１］ヘプタンが特に好ましい。即ち、前記
一般式（Ｖ）で示される構成単位を有するポリイミドと
なり得るものが特に好ましい。
【００１４】その他のジアミンとしては、例えば、４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミ
ノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルス
ルホン、４，４′−ジアミノジフェニルサルファイド、
ベンチジン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレン
ジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパ
ン、ジアミノベンゾフェノン、１，５−ジアミノナフタ
レン、２，６−ジアミノナフタレン、１，３−ビス（４
−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、４，４′−ジ（３−アミノ
フェノキシ）ジフェニルスルホン、２，２−ビス（４−
アミノフェンキシ）フェニル）プロパンなどの芳香族ジ
アミン化合物、一般式（VI）
４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミ
ノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルス
ルホン、４，４′−ジアミノジフェニルサルファイド、
ベンチジン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレン
ジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパ
ン、ジアミノベンゾフェノン、１，５−ジアミノナフタ
レン、２，６−ジアミノナフタレン、１，３−ビス（４
−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、４，４′−ジ（３−アミノ
フェノキシ）ジフェニルスルホン、２，２−ビス（４−
アミノフェンキシ）フェニル）プロパンなどの芳香族ジ
アミン化合物、一般式（VI）
【化１１】 （式中、Ｒ7は２価の炭化水素基、Ｒ8は１価の炭化水素
基であり、ｍは１以上の整数である）で表されるジアミ
ノシロキサン、例えば、
基であり、ｍは１以上の整数である）で表されるジアミ
ノシロキサン、例えば、
【化１２】 等の化合物も用いることができる。
【００１５】本発明においては、得られるポリイミド膜
の短波長での光透過率の点で、テトラカルボン酸残基１
つとジアミン残基１つから構成される構成単位を１単位
として全単位中８０％以上が、一般式（Ｉ）で示される
構成単位であることが好ましい。即ち、脂肪族テトラカ
ルボン酸又はその二無水物を全テトラカルボン酸成分の
８０モル％以上用いるか、脂肪族ジアミンを全ジアミン
成分の８０モル％以上用いることが好ましい。
の短波長での光透過率の点で、テトラカルボン酸残基１
つとジアミン残基１つから構成される構成単位を１単位
として全単位中８０％以上が、一般式（Ｉ）で示される
構成単位であることが好ましい。即ち、脂肪族テトラカ
ルボン酸又はその二無水物を全テトラカルボン酸成分の
８０モル％以上用いるか、脂肪族ジアミンを全ジアミン
成分の８０モル％以上用いることが好ましい。
【００１６】本発明の組成物に用いられるポリイミド前
駆体を製造するに当たっては、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチル
ホスホルアミド、テトラメチレンスルホン、ｐ−クロル
フェノール、ｐ−ブロモフェノール、２−クロル−４−
ヒドロキシトルエン等の溶剤が用いられる。ポリイミド
前駆体としては、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステ
ル、ポリアミド酸アミド等、これらの部分イミド化物な
どが挙げられるが、下記一般式（VII）
駆体を製造するに当たっては、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチル
ホスホルアミド、テトラメチレンスルホン、ｐ−クロル
フェノール、ｐ−ブロモフェノール、２−クロル−４−
ヒドロキシトルエン等の溶剤が用いられる。ポリイミド
前駆体としては、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステ
ル、ポリアミド酸アミド等、これらの部分イミド化物な
どが挙げられるが、下記一般式（VII）
【化１３】 （式中、Ｒ1及びＲ2は一般式（Ｉ）と同様であり、Ｘは
水素原子又は炭化水素基を示す）で示される構成単位を
有するポリアミド酸、ポリアミド酸エステル又は、これ
らの部分イミド化物がイミド化反応の反応性の点で好ま
しい。
水素原子又は炭化水素基を示す）で示される構成単位を
有するポリアミド酸、ポリアミド酸エステル又は、これ
らの部分イミド化物がイミド化反応の反応性の点で好ま
しい。
【００１７】ポリアミド酸は、前記テトラカルボン酸二
無水物とジアミンを前記溶剤中で混合して反応させるこ
とにより製造できる。また、ポリアミド酸エステルは、
例えば、テトラカルボン酸二無水物をピリジン等の触媒
下でアルコールと反応させ、ついで塩化チオニル等によ
り酸クロライド化し、さらにジアミンを反応させること
により合成することができる。ポリアミド酸エステルを
合成する際に使用する前記アルコールとしては、メタノ
ール、エタノール、プロパノール、ブタノール等の炭素
数１〜１０のアルキルアルコールなどが挙げられる。
無水物とジアミンを前記溶剤中で混合して反応させるこ
とにより製造できる。また、ポリアミド酸エステルは、
例えば、テトラカルボン酸二無水物をピリジン等の触媒
下でアルコールと反応させ、ついで塩化チオニル等によ
り酸クロライド化し、さらにジアミンを反応させること
により合成することができる。ポリアミド酸エステルを
合成する際に使用する前記アルコールとしては、メタノ
ール、エタノール、プロパノール、ブタノール等の炭素
数１〜１０のアルキルアルコールなどが挙げられる。
【００１８】本発明においては、前記ポリイミド前駆体
と共に、一般式(II)で示される化合物（以下ヒンダート
フェノールと総称する）が用いられる。
と共に、一般式(II)で示される化合物（以下ヒンダート
フェノールと総称する）が用いられる。
【化１４】 （式中、Ｒ3及びＲ4は、２価の炭化水素基を示し、Ｒ5
は１価の炭化水素基を示す） ここでＲ3及びＲ4で示される２価の炭化水素基としては
ヘキサメチレン基、エチレン基、ブチレン基等の炭素原
子数１〜６のアルキレン基が好ましいものとして挙げら
れ、Ｒ5で示される１価の炭化水素基としては、炭素原
子数１〜６のアルキル基が好ましいものとして挙げら
れ、特にtert−ブチル基が効果が高く好ましい。
は１価の炭化水素基を示す） ここでＲ3及びＲ4で示される２価の炭化水素基としては
ヘキサメチレン基、エチレン基、ブチレン基等の炭素原
子数１〜６のアルキレン基が好ましいものとして挙げら
れ、Ｒ5で示される１価の炭化水素基としては、炭素原
子数１〜６のアルキル基が好ましいものとして挙げら
れ、特にtert−ブチル基が効果が高く好ましい。
【００１９】好ましい具体的化合物としては、Ｎ，Ｎ′
−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−tert−ブチル−４
−ヒドロキシヒドロシンナミド）、Ｎ，Ｎ′−エチレン
ビス（３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシヒド
ロシンナミド）、Ｎ，Ｎ′−１，４−ブタンジイルビス
（３，５−ビス（１，１−ジメチルエチル）−４−ヒド
ロキシ−ベンゼンプロパンアミド）などがあげられる。
−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−tert−ブチル−４
−ヒドロキシヒドロシンナミド）、Ｎ，Ｎ′−エチレン
ビス（３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシヒド
ロシンナミド）、Ｎ，Ｎ′−１，４−ブタンジイルビス
（３，５−ビス（１，１−ジメチルエチル）−４−ヒド
ロキシ−ベンゼンプロパンアミド）などがあげられる。
【００２０】これらのヒンダートフェノールの添加量
は、ポリイミド前駆体に対して０．０５〜５重量％であ
ることが好ましく、０．１〜２重量％であることがより
好ましい。０．０５重量％未満であると得られるポリイ
ミド膜の透明度の耐熱劣化性が劣る傾向にあり、５重量
％を超えると化合物が樹脂へ十分溶解せず、ポリイミド
膜自体の透明度が低下する傾向にあるほかポリイミド膜
の機械特性が低下する傾向にある。
は、ポリイミド前駆体に対して０．０５〜５重量％であ
ることが好ましく、０．１〜２重量％であることがより
好ましい。０．０５重量％未満であると得られるポリイ
ミド膜の透明度の耐熱劣化性が劣る傾向にあり、５重量
％を超えると化合物が樹脂へ十分溶解せず、ポリイミド
膜自体の透明度が低下する傾向にあるほかポリイミド膜
の機械特性が低下する傾向にある。
【００２１】また、本発明のポリイミド前駆体樹脂組成
物においては、さらに前記一般式（III）で示される２
−ベンズイミダゾールエチロール系化合物を併用するこ
とが好ましい。この化合物を併用することによりポリイ
ミド膜の透明度の耐熱劣化性向上効果をより促進させる
ことができる。一般式（III）におけるＲ6はそれぞれ独
立に１価の炭化水素基を示し、ｎは０〜４の整数を示す
が、１価の炭化水素基としては、炭素原子数が１〜８の
アルキル基、フェニル基、ベンジル基等が挙げられる。
中でもｎが０で示される２−ベンズイミダゾールエチロ
ールが効果が高く好ましい。添加量は、ポリイミド前駆
体に対して０．０５〜５重量％が好ましく、０．１〜２
重量％がより好ましい。０．０５重量％未満であると得
られるポリイミド膜の透明度の耐熱劣化性が劣る傾向に
あり、５重量％を超えると樹脂へ十分溶解せず、ポリイ
ミド膜自体の透明度が低下する傾向にあるほかポリイミ
ド膜の機械特性も低下する傾向にある。ヒンダートフェ
ノール及び２−ベンズイミダゾールエチロール系化合物
の添加方法には特に制限はないが、例えば、ポリイミド
前駆体の溶液に、直接又は有機溶剤に溶解させた溶液と
して添加し、撹拌混合により溶解することができる。
物においては、さらに前記一般式（III）で示される２
−ベンズイミダゾールエチロール系化合物を併用するこ
とが好ましい。この化合物を併用することによりポリイ
ミド膜の透明度の耐熱劣化性向上効果をより促進させる
ことができる。一般式（III）におけるＲ6はそれぞれ独
立に１価の炭化水素基を示し、ｎは０〜４の整数を示す
が、１価の炭化水素基としては、炭素原子数が１〜８の
アルキル基、フェニル基、ベンジル基等が挙げられる。
中でもｎが０で示される２−ベンズイミダゾールエチロ
ールが効果が高く好ましい。添加量は、ポリイミド前駆
体に対して０．０５〜５重量％が好ましく、０．１〜２
重量％がより好ましい。０．０５重量％未満であると得
られるポリイミド膜の透明度の耐熱劣化性が劣る傾向に
あり、５重量％を超えると樹脂へ十分溶解せず、ポリイ
ミド膜自体の透明度が低下する傾向にあるほかポリイミ
ド膜の機械特性も低下する傾向にある。ヒンダートフェ
ノール及び２−ベンズイミダゾールエチロール系化合物
の添加方法には特に制限はないが、例えば、ポリイミド
前駆体の溶液に、直接又は有機溶剤に溶解させた溶液と
して添加し、撹拌混合により溶解することができる。
【００２２】本発明のポリイミド前駆体樹脂組成物に
は、その他の成分として消泡剤、可塑剤、塗布性改良
剤、接着性改良剤等の添加剤を添加することもできる。
これらを添加する場合、その添加量は、特に制限されな
いが、最終硬化塗膜の機械的特性及び熱特性の点から
は、ポリイミド前駆体に対して、１０重量％以下とする
ことが好ましい。
は、その他の成分として消泡剤、可塑剤、塗布性改良
剤、接着性改良剤等の添加剤を添加することもできる。
これらを添加する場合、その添加量は、特に制限されな
いが、最終硬化塗膜の機械的特性及び熱特性の点から
は、ポリイミド前駆体に対して、１０重量％以下とする
ことが好ましい。
【００２３】得られるポリイミド前駆体樹脂組成物は、
半導体装置の層間絶縁膜、表面保護膜等、多層配線板の
層間絶縁膜等として使用できることができる。本発明の
ポリイミド前駆体樹脂組成物は、透明性の高い、樹脂膜
が得られるので、ＥＰ−ＲＯＭやフラッシュメモリ上に
形成される保護膜として特に有用である。
半導体装置の層間絶縁膜、表面保護膜等、多層配線板の
層間絶縁膜等として使用できることができる。本発明の
ポリイミド前駆体樹脂組成物は、透明性の高い、樹脂膜
が得られるので、ＥＰ−ＲＯＭやフラッシュメモリ上に
形成される保護膜として特に有用である。
【００２４】半導体装置における樹脂膜の形成は、ポリ
イミド前駆体樹脂組成物を、例えば、スピンコート等に
より半導体素子上に塗布し、ホットプレートやオーブン
などで熱硬化して形成することができる。形成されたポ
リイミド樹脂膜上に、レジストを塗布し、ホトリソグラ
フィー工程によってレジストパターンを形成した後、水
酸化テトラメチルアンモニウム溶液や、ヒドラジン系エ
ッチャント等を用いたウエットエッチング、Ｏ2プラズ
マによるドライエッチング等により所定の部位にスルー
ホールを開口することができる。さらに、得られたポリ
イミド膜のイミド化が充分でない場合は、さらに熱処理
してイミド化を進めることもできる。こうして得られた
樹脂膜を形成した半導体基板は、半導体素子ごとに切り
分け、リードフレーム等の支持部材にダイボンデイング
材を用いて接合し、その後、通常のワイヤボンデイング
工程、封止材による封止工程を経て、半導体装置とする
ことができる。
イミド前駆体樹脂組成物を、例えば、スピンコート等に
より半導体素子上に塗布し、ホットプレートやオーブン
などで熱硬化して形成することができる。形成されたポ
リイミド樹脂膜上に、レジストを塗布し、ホトリソグラ
フィー工程によってレジストパターンを形成した後、水
酸化テトラメチルアンモニウム溶液や、ヒドラジン系エ
ッチャント等を用いたウエットエッチング、Ｏ2プラズ
マによるドライエッチング等により所定の部位にスルー
ホールを開口することができる。さらに、得られたポリ
イミド膜のイミド化が充分でない場合は、さらに熱処理
してイミド化を進めることもできる。こうして得られた
樹脂膜を形成した半導体基板は、半導体素子ごとに切り
分け、リードフレーム等の支持部材にダイボンデイング
材を用いて接合し、その後、通常のワイヤボンデイング
工程、封止材による封止工程を経て、半導体装置とする
ことができる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。 合成例１ ジシクロヘキシル−３，４，３′，４′，−テトラカル
ボン酸二無水物と４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ルからのポリアミド酸溶液の製造 温度計、撹拌機及び塩化カルシウム管を備えた２００ml
の三口フラスコに４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル１２．０１４ｇ（６０ミリモル）および反応溶媒とし
てＮ−メチル−２−ピロリドン７０．９２ｇを入れ室温
で撹拌溶解させた。これにジシクロヘキシル−３，４，
３'，４'，−テトラカルボン酸二無水物１８．３７９ｇ
（６０ミリモル）を加え、室温で８時間撹拌を加えた。
この間、反応時間の経過と共にポリアミド酸反応液の粘
度は２５℃で８６ポアズに達した。ついで、この反応液
を８０℃で約５時間加熱（クッキング）し粘度を１５ポ
アズに調整した樹脂分濃度約３０重量％のポリアミド酸
溶液を得た。
ボン酸二無水物と４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ルからのポリアミド酸溶液の製造 温度計、撹拌機及び塩化カルシウム管を備えた２００ml
の三口フラスコに４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル１２．０１４ｇ（６０ミリモル）および反応溶媒とし
てＮ−メチル−２−ピロリドン７０．９２ｇを入れ室温
で撹拌溶解させた。これにジシクロヘキシル−３，４，
３'，４'，−テトラカルボン酸二無水物１８．３７９ｇ
（６０ミリモル）を加え、室温で８時間撹拌を加えた。
この間、反応時間の経過と共にポリアミド酸反応液の粘
度は２５℃で８６ポアズに達した。ついで、この反応液
を８０℃で約５時間加熱（クッキング）し粘度を１５ポ
アズに調整した樹脂分濃度約３０重量％のポリアミド酸
溶液を得た。
【００２６】実施例１ 撹拌機及び塩化カルシウム管を備えた２００mlの二口フ
ラスコに合成例で得られたジシクロヘキシル−３，４，
３′，４′，−テトラカルボン酸二無水物と４，４′−
ジアミノジフェニルエーテールからのポリアミド酸溶液
１００ｇを入れ、次にＮ，Ｎ′−ヘキサメチレンビス
（３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシ
ンナミド）のＮ−メチル−２−ピロリドン５重量％溶液
を６ｇを添加し混合撹拌することによりポリイミド前駆
体樹脂組成物を得た。
ラスコに合成例で得られたジシクロヘキシル−３，４，
３′，４′，−テトラカルボン酸二無水物と４，４′−
ジアミノジフェニルエーテールからのポリアミド酸溶液
１００ｇを入れ、次にＮ，Ｎ′−ヘキサメチレンビス
（３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシ
ンナミド）のＮ−メチル−２−ピロリドン５重量％溶液
を６ｇを添加し混合撹拌することによりポリイミド前駆
体樹脂組成物を得た。
【００２７】実施例２ 実施例１でのＮ，Ｎ′−ヘキサメチレンビス（３，５−
ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナミド）
のＮ−メチル−２−ピロリドン５重量％溶液６ｇの代わ
りにＮ，Ｎ′−エチレンビス（３，５−ジ−tert−ブチ
ル−４−ヒドロキシヒドロシンナミド）のＮ−メチル−
２−ピロリドン５重量％溶液６ｇを添加し、混合撹拌す
ることによりポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。
ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナミド）
のＮ−メチル−２−ピロリドン５重量％溶液６ｇの代わ
りにＮ，Ｎ′−エチレンビス（３，５−ジ−tert−ブチ
ル−４−ヒドロキシヒドロシンナミド）のＮ−メチル−
２−ピロリドン５重量％溶液６ｇを添加し、混合撹拌す
ることによりポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。
【００２８】実施例３ 実施例１でのＮ，Ｎ′−ヘキサメチレンビス（３，５−
ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナミド）
のＮ−メチル−２−ピロリドン５重量％溶液６ｇの添加
に加え、２−ベンズイミダゾールエチロールＮ−メチル
−２−ピロリドン５重量％溶液６ｇを添加し混合撹拌す
ることによりポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。
ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナミド）
のＮ−メチル−２−ピロリドン５重量％溶液６ｇの添加
に加え、２−ベンズイミダゾールエチロールＮ−メチル
−２−ピロリドン５重量％溶液６ｇを添加し混合撹拌す
ることによりポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。
【００２９】比較例１ 合成例で製造されたポリアミド酸溶液そのままを比較用
樹脂溶液とした。 比較例２ 実施例１でのＮ，Ｎ′−ヘキサメチレンビス（３，５−
ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナミド）
のＮ−メチル−２−ピロリドン５重量％溶液６ｇの代わ
りに２−ベンズイミダゾールエチロールＮ−メチル−２
−ピロリドン５％溶液６ｇのみを添加し混合撹拌するこ
とによりポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。
樹脂溶液とした。 比較例２ 実施例１でのＮ，Ｎ′−ヘキサメチレンビス（３，５−
ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナミド）
のＮ−メチル−２−ピロリドン５重量％溶液６ｇの代わ
りに２−ベンズイミダゾールエチロールＮ−メチル−２
−ピロリドン５％溶液６ｇのみを添加し混合撹拌するこ
とによりポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。
【００３０】合成例２ １，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物とノ
ルボルナンジアミンからのポリアミド酸溶液の製造 温度計、撹拌機及び塩化カルシウム管を備えた２００ml
の三口フラスコに２，５−ビス（アミノメチル）ビシク
ロ［２．２．１］ヘプタン及び２，６−ビス（アミノメ
チル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタンの混合物（商品
名ＮＢＤＡ、三井化学(株)製）１３．８７ｇ（９０ミリ
モル）および反応溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリド
ン７４．０ｇを入れ室温で撹拌溶解させた。これに１，
２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物１７．８
４ｇ（９０ミリモル）を加え、室温で８時間撹拌を加え
た。この間、反応時間の経過と共にポリアミド酸反応液
の粘度は２５℃で７０ポアズに達した。ついで、この反
応液を８０℃で約４時間加熱（クッキング）し粘度を１
７ポアズに調整した樹脂分濃度約３０重量％のポリアミ
ド酸溶液を得た。
ルボルナンジアミンからのポリアミド酸溶液の製造 温度計、撹拌機及び塩化カルシウム管を備えた２００ml
の三口フラスコに２，５−ビス（アミノメチル）ビシク
ロ［２．２．１］ヘプタン及び２，６−ビス（アミノメ
チル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタンの混合物（商品
名ＮＢＤＡ、三井化学(株)製）１３．８７ｇ（９０ミリ
モル）および反応溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリド
ン７４．０ｇを入れ室温で撹拌溶解させた。これに１，
２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物１７．８
４ｇ（９０ミリモル）を加え、室温で８時間撹拌を加え
た。この間、反応時間の経過と共にポリアミド酸反応液
の粘度は２５℃で７０ポアズに達した。ついで、この反
応液を８０℃で約４時間加熱（クッキング）し粘度を１
７ポアズに調整した樹脂分濃度約３０重量％のポリアミ
ド酸溶液を得た。
【００３１】実施例４ 撹拌機及び塩化カルシウム管を備えた２００mlの二口フ
ラスコに合成例２で得られた１，２，３，４−ブタンテ
トラカルボン酸二無水物とノルボルナンジアミンからの
ポリアミド酸溶液１００ｇを入れ、次にＮ，Ｎ′−ヘキ
サメチレンビス（３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒド
ロキシヒドロシンナミド）のＮ−メチル−２−ピロリド
ン５％溶液を６ｇを添加し混合撹拌することによりポリ
イミド前駆体組成物を得た。
ラスコに合成例２で得られた１，２，３，４−ブタンテ
トラカルボン酸二無水物とノルボルナンジアミンからの
ポリアミド酸溶液１００ｇを入れ、次にＮ，Ｎ′−ヘキ
サメチレンビス（３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒド
ロキシヒドロシンナミド）のＮ−メチル−２−ピロリド
ン５％溶液を６ｇを添加し混合撹拌することによりポリ
イミド前駆体組成物を得た。
【００３２】評価用ポリイミドフィルムの調製 実施例１，２，３及び４の組成物、比較例１及び２の樹
脂溶液及び組成物を用い５インチシリコンウェハー上に
硬化塗膜厚が約５μｍになるような回転数でスピンコー
トし、１２０℃のホットプレート上で１分、次に１７０
℃のホットプレート上で１分、最後に窒素雰囲気の縦型
拡散炉で３００℃で３０分硬化し、シリコンウェハー上
にポリイミド塗膜を得た。次に当該シリコンウェハーを
５重量％弗酸水溶液に浸し、ポリイミド塗膜を剥離し、
水洗後風乾させ評価用ポリイミドフィルムを得た。
脂溶液及び組成物を用い５インチシリコンウェハー上に
硬化塗膜厚が約５μｍになるような回転数でスピンコー
トし、１２０℃のホットプレート上で１分、次に１７０
℃のホットプレート上で１分、最後に窒素雰囲気の縦型
拡散炉で３００℃で３０分硬化し、シリコンウェハー上
にポリイミド塗膜を得た。次に当該シリコンウェハーを
５重量％弗酸水溶液に浸し、ポリイミド塗膜を剥離し、
水洗後風乾させ評価用ポリイミドフィルムを得た。
【００３３】評価方法 （１）光透過率 上記評価用フィルムのそのままを用いて初期の光透過率
を、また、一部を空気中２００℃で３０分加熱したフィ
ルムを用いて熱劣化後の光透過率を、分光光度計（日立
製作所(株)製 日立２００−２０型ダブルビーム分光光
度計）を用いて、波長６００nm、５００nm、４００nmに
おいて測定した。 （２）熱分解温度 上記評価用フィルム１０mgを用い、熱天秤（セイコー電
子工業(株) ＴＧ−ＤＴＡ）空気気流中昇温速度１０℃
／分で測定し、１％重量減少した温度を熱分解温度とし
た。
を、また、一部を空気中２００℃で３０分加熱したフィ
ルムを用いて熱劣化後の光透過率を、分光光度計（日立
製作所(株)製 日立２００−２０型ダブルビーム分光光
度計）を用いて、波長６００nm、５００nm、４００nmに
おいて測定した。 （２）熱分解温度 上記評価用フィルム１０mgを用い、熱天秤（セイコー電
子工業(株) ＴＧ−ＤＴＡ）空気気流中昇温速度１０℃
／分で測定し、１％重量減少した温度を熱分解温度とし
た。
【００３４】
【表１】
【００３５】（３）メモリ消去性 実施例１、２及び３の樹脂組成物、比較例１及び２の樹
脂溶液及び樹脂組成物を用い、フラッシュメモリが作り
込まれた５インチシリコンウエハ上に硬化塗膜厚が約５
μｍになるような回転数でスピンコートし、１２０℃の
ホットプレート上で１分間硬化後に窒素雰囲気の縦型拡
散炉で３００℃で３０分硬化し、シリコンウェハー上に
ポリイミド塗膜を得た。このウエハをそのまま、また、
一部を空気中２５０℃で９０分加熱した後に、波長２０
０〜４５０nmの光を照射できる紫外線ランプで光を照射
してメモリを完全に消去するまでにかかる時間を測定し
た。結果を表２に示す。
脂溶液及び樹脂組成物を用い、フラッシュメモリが作り
込まれた５インチシリコンウエハ上に硬化塗膜厚が約５
μｍになるような回転数でスピンコートし、１２０℃の
ホットプレート上で１分間硬化後に窒素雰囲気の縦型拡
散炉で３００℃で３０分硬化し、シリコンウェハー上に
ポリイミド塗膜を得た。このウエハをそのまま、また、
一部を空気中２５０℃で９０分加熱した後に、波長２０
０〜４５０nmの光を照射できる紫外線ランプで光を照射
してメモリを完全に消去するまでにかかる時間を測定し
た。結果を表２に示す。
【００３６】
【表２】
【００３７】
【発明の効果】請求項１記載のポリイミド前駆体樹脂組
成物は、空気中での熱処理又は長時間の熱処理によって
も透明性が低下しない。請求項２記載のポリイミド前駆
体樹脂組成物は、請求項１記載の発明の効果を奏し、さ
らに透明性低下抑制の効果が高い。請求項３及び４記載
のポリイミド前駆体樹脂組成物は、請求項１記載の発明
の効果を奏し、さらに良好な透明性を有する。請求項５
記載の半導体装置は、空気中での熱処理又は長時間の熱
処理によっても透明性が低下せず紫外線によるメモリ消
去時間が長くならない保護膜を有するするものである。
成物は、空気中での熱処理又は長時間の熱処理によって
も透明性が低下しない。請求項２記載のポリイミド前駆
体樹脂組成物は、請求項１記載の発明の効果を奏し、さ
らに透明性低下抑制の効果が高い。請求項３及び４記載
のポリイミド前駆体樹脂組成物は、請求項１記載の発明
の効果を奏し、さらに良好な透明性を有する。請求項５
記載の半導体装置は、空気中での熱処理又は長時間の熱
処理によっても透明性が低下せず紫外線によるメモリ消
去時間が長くならない保護膜を有するするものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/768 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｓ 23/29 23/30 Ｒ 23/31
Claims (5)
- 【請求項１】 イミド化反応により、一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1は４価の有機基を示し、Ｒ2は２価の有機基
を示し、Ｒ1及びＲ2のいずれか一方は脂肪族基である）
に示される構成単位を有するポリイミドを形成すること
ができるポリイミド前駆体樹脂と、一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ3及びＲ4は、２価の炭化水素基を示し、Ｒ5
は炭化水素基を示す）で示される化合物を必須成分とし
て含有してなるポリイミド前駆体樹脂組成物。 - 【請求項２】 さらに一般式（III） 【化３】 （式中、Ｒ6はそれぞれ独立に１価の炭化水素基を示
し、ｎは０〜４の整数を示す）で示される２−ベンズイ
ミダゾールエチロール系化合物を含有する請求項１記載
のポリイミド前駆体樹脂組成物。 - 【請求項３】 一般式（Ｉ）で示される構成単位が、一
般式（IV） 【化４】 （式中、Ｒ2は２価の有機基を示す）で示される構成単
位である請求項１又は２記載のポリイミド前駆体樹脂組
成物。 - 【請求項４】 一般式（Ｉ）で示される構成単位が、一
般式（Ｖ） 【化５】 （式中、Ｒ1は４価の有機基を示す）で示される構成単
位である請求項１、２又は３記載のポリイミド前駆体樹
脂組成物。 - 【請求項５】 請求項１、２、３又は４記載のポリイミ
ド前駆体樹脂組成物を用いて得られるポリイミド樹脂膜
を保護膜として有してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31201297A JPH11148008A (ja) | 1997-09-11 | 1997-11-13 | ポリイミド前駆体樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-246811 | 1997-09-11 | ||
| JP24681197 | 1997-09-11 | ||
| JP31201297A JPH11148008A (ja) | 1997-09-11 | 1997-11-13 | ポリイミド前駆体樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11148008A true JPH11148008A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=26537920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31201297A Pending JPH11148008A (ja) | 1997-09-11 | 1997-11-13 | ポリイミド前駆体樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11148008A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007007730A1 (ja) * | 2005-07-14 | 2007-01-18 | Mitsui Chemicals, Inc. | ポジ型感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 |
| WO2022255174A1 (ja) * | 2021-05-31 | 2022-12-08 | 株式会社カネカ | ポリアミド酸組成物、ポリイミド、その積層体、フレキシブルデバイス、および積層体の製造方法。 |
-
1997
- 1997-11-13 JP JP31201297A patent/JPH11148008A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007007730A1 (ja) * | 2005-07-14 | 2007-01-18 | Mitsui Chemicals, Inc. | ポジ型感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 |
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