JPH0359031A - ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン及びその前駆体の製造法 - Google Patents

ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン及びその前駆体の製造法

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JPH0359031A
JPH0359031A JP19490689A JP19490689A JPH0359031A JP H0359031 A JPH0359031 A JP H0359031A JP 19490689 A JP19490689 A JP 19490689A JP 19490689 A JP19490689 A JP 19490689A JP H0359031 A JPH0359031 A JP H0359031A
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  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン及
び、その前駆体の製造法に関する。
〔従来の技術〕
従来、ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン及びポ
リイミドは、耐熱性電気絶縁材として、半導体用層間絶
縁膜2表面保護膜、α線遮蔽膜など電子部品の構成材料
として用いられてきた。これらのポリマーは、一般にそ
の前駆体をシリコンウェハ、ガラス板、金属板等の基板
上に塗布し、熱処理により一部分をイミド化した膜を形
威し、この膜上にレジストを所望のパターンに形成後。
エツチング液に浸漬して不溶部分を溶解除去し。
次に、レジストを剥離し、再度熱処理を行い、完全に硬
化させ、種々の膜として作成されていた。
上記ポリイミドイソインドロキナゾリンジオンとしては
、3.3’ 、4.4’ −ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物等の酸二無水物、4,4′−ジアミノジフエ
ニルエーテル−3−カルボンアミド等のジアミノアミド
化合物、1,3−ビス(アミノプロピル)テトラメチル
ジシロキサン等のジアミノシロキサン及びジアミンを反
応させて得られるものなどが知られている(例えば特公
昭60−43370号公報)。
一方、ポリイミド系のポリマーは、特開昭60−124
625号公報に示されているように、ラジカル反応型架
橋剤、側流促進剤等を用いて架橋させることにより耐溶
剤性が向上することが知られており、その他、ポリイミ
ド系のポリマーを300℃以上に加熱する方法、アセチ
レン基等の末端基を有するポリイミド系のポリマーを2
50℃以上に加熱する方法等によって、ポリイミド系の
架橋ポリマーを得る方法がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
特公昭60−43370号公報に記載されるような従来
のポリイミドイソインドロキナゾリンジオンは、完全に
硬化させるためには、250℃を越える温度を必要とす
るため、250℃を越える耐熱性を有しないデバイスに
は適用できないという欠点がある。また、従来のポリイ
ミドイソインドロキナゾリンジオンは、弾性率が高く、
クラック発生及び基材からのはがれの心配がある。
一方、従来のポリイミドの多くは、やはり、完全に硬化
させるためには、250℃を越える温度が必要である。
250℃以下の温度で硬化させることができるポリイミ
ドもあるが、一般に、ポリイミドは引張り強度が低いと
いう欠点がある。さらに、250℃以下の温度で処理で
きるものとして、前記特開昭61−4700号公報に記
載されるようにすでにイミド化が完結しているポリイミ
ド樹脂があるが、イミド化が完結しているポリイミドは
先に述べたエツチング液に浸漬して、不要部分を溶解除
去する場合には、その速度が、一部分しかイミド化の進
んでいない樹脂に比較して非常に遅いことが知られてお
り(機能材料、1984年5月号及び6月号)先に述べ
た加工(エツチング加工)を1行なう必要のある用途に
は使用できない。
一方、特開昭60−124625号公報などによる方法
によると、架橋剤を入れることにより、硬化温度が高く
なったリポリマーの物性が大きく変化し、加工性や作業
性が低下するという問題が生じる。
本発明は、このような問題点を解決するものであって、
250℃以下で完全硬化でき、エツチング加工ができ、
シリコンウェハ、金属板等の基板との密着性に優れたポ
リイミドイソインドロキナゾリンジオン及びその前駆体
の製造法を提供するものである。さらに、本発明は、上
記方法とは異なった方法で架橋構造を導入することによ
り耐溶剤性が改良され、加工性がより優れたポリイミド
イソインドロキナゾリンジオンの製造法を提供するもの
である。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、a)酸三無水物1〜35モル%及び b)−数式(I) (ただし、式中、nは2〜16の整数を示す)で表わさ
れるアルキレンビストリメリテートニ無水物を含む酸二
無水物99〜65モル% を含む酸無水物、 並びに C)一般式(n) NH。
/ H2N−Ar               (II)
\ Y−NH。
(ただし、式中、Arは芳香族基、Yは基と2個の−N
H,基のうち少なくとも1個がArの隣接炭素原子に結
合している)で表わされるジアミノアミド化合物。
d)分子中に反応性不飽和基及び芳香族環を有するジア
ミン(ジアミンり 及び e)少なくとも一つのアミノ基に対してオルト位に少な
くとも一つの置換基を有する芳香族ジアミン〔上記d)
を除く、ジアミン■〕を反応させることを特徴とするポ
リイミドイソインドロキナゾリンジオン前駆体の製造法
に関する。
前記酸三無水物は、アミノ基を3侭もっ化合物(例えば
、3.3’ 、5−トリアミノベンゾフェノン等)、水
酸基を3個もつ化合物と無水トリメリット酸クロライド
をアミド結合又はエステル結合を形成するように反応さ
せて得ることができ、また、上記のアミノ基又は水酸基
を3個もつ化合物と3,4−ジメチル安息香酸クロライ
ド等の互いにオルト位関係のメチル基2個と一〇−CQ
基1個を置換基として有するベンゼン(ジメチル安息香
酸クロライド)をアミド結合又はエステル結合を形成す
るように反応させたのち、メチル基を激化してカルボキ
シル基としたのち、脱水して得ることができる。1,3
.5−)リクロロベンゼンとジメチル安息香酸クロライ
ドをカップリング反応させた後、メチル基を酸化し、さ
らに脱水することによって製造することができる。さら
に、水酸基を3個もつ化合物と1.2−ジメチル−4−
クロロベンゼン等のジメチルクロロベンゼンをエーテル
結合を形成するように反応させた後、メチル基を酸化し
てカルボキシル基とした後脱水して製造することができ
る。
このようにして得られる酸三無水物は、例えば、一般式
(I[I) (ただし、式中、Rは三価の有機基を示す)で表わすこ
とができる。
上記の酸三無水物は、その製造の容易なことから、分子
内に水酸基を3個もつ化合物と、無水トリメリット酸ク
ロライドを、3級アミンの存在下。
有機溶媒中で反応させて得るのが好ましい。分子内に水
酸基を3個もつ化合物としては、グリセリン、トリメチ
ロールエタン、トリメチロールプロパン、1,2,6−
ヘキサンドリオール、2,4−ジヒドロキシ−3−ヒド
ロキシメチルペンタン、2.6−ビス(ヒドロキシメチ
ル)ブタン−3−オール、3−メチルペンタン−1,3
,5−トリオール、1,3.5−トリヒドロキシベンゼ
ン、1.2.3−トリヒドロキシベンゼン、1,2゜4
−トリヒドロキシベンゼン、2,4.5−トリヒドロキ
シブチルフェノン、2,3.4−トリヒドロキシベンズ
アルデヒド、α、α′、α′(4−ヒドロキシフェニル
)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、2,6−
ビス〔(2−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)メチル
)−4−メチルフェノール、2.3.4−トリヒドロキ
シアセトフェノンなどがある6分子内に水酸基を3個も
つ化合物1モルに対して無水トリメリット酸クロライド
が3モルになるような割合で用いるのが好ましい有機溶
媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラヒ
ドロフラン、1,4−ジオキサン、ジエチルエーテル、
1,2−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロメ
タンなどがあり、2種類以上を混合して用いても良い、
上記有機溶媒はモレキュラーシーブスなどで乾燥したも
のを用いた方が良い。3級アミンとしては、ピリジン、
トリエチルアミン、トリブチルアミンなどがあり、2種
類以上を混合して用いても良い。
3級アミンの使用量としては無水トリメリット酸クロラ
イドに対して、1〜2倍当量用いることが好ましい。反
応温度2反応時間については、特に限定されないが、好
ましくは、50℃以下、3時間以内である。これ以内に
なると、オリゴマ状物質が生成し、収率が低下すること
がある。
このようにして得られる酸三無水物は、一般式() (ただし、R1は三価の有機基である)で表わされる。
前記酸三無水物は、酸無水物の総量に対して、1〜35
モル%使用され、特に2〜30モル%用いるのが好まし
い、1モル%より少ないと架橋の効果が少なく、35モ
ル%より多いと前記前駆体の合成時にゲル化がおこり、
均一なワニスができない、また上記範囲であれば、2種
類以上を混合して用いても良い。
本発明で使用することができる酸二無水物としては、前
記前駆体を比較的低温で閉環反応させることができるこ
とから、一般式(I) (I) (ただし、式中、nは2〜16の整数を示す)で表わさ
れるアルキレンビストリメリテートニ無水物が好ましい
、このような酸二無水物としては、エチレングリコール
ビス(トリメリット酸無水物)、プロパンジオールビス
(トリメリット酸無水物)、ブタンジオールビス(トリ
メリット酸無水物)、ベンタンジオールビス(トリメリ
ット酸無水物)。
ヘキサンジオールビス(トリメリット酸無水物)、オク
タンジオールビス(トリメリット酸無水物)。
デカンジオールビス(トリメリット酸無水物)、ヘキサ
デカンジオールビス(トリメリット酸無水物)などがあ
り、これらの酸無水物は2種以上を併用することもでき
、酸無水物の全量に対して55〜99モル%(特に50
〜98モル%)使用されるのが好ましい、これらの酸二
無水物が少ないと硬化温度が高くなり、該温度を250
℃以下にしにくくなる。
また上記酸二無水物以外に使用できるその他の酸二無水
物としては、 ピロメリット酸無水物。
2.2ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)へキサフ
ルオロブロバンニ無水物。
3.3’ 、4.4’ −ジフェニルテトラカルボン酸
二無水物、 1.2,5.6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
、 2.3,6.7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
、 2.2’ 、3.3’ −ジフェニルテトラカルボン酸
二無水物。
2.2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパ
ンニ無水物、 ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水
物。
3s 4* 9110  xリレンテトラカルボン酸二
無水物、 ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水
物、 ナフタレン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水
物、 ナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水
物、 2.6−ジクロルナフタレン−1,4,5,8−テトラ
カルボン酸二無水物。
2.7−ジクロルナフタレン−1,4,5,8−テトラ
カルボン酸二無水物。
2.3,6.7−チトラクロルナフタレンー1゜4.5
.8−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−1
,8,9,10−テトラカルボン酸二無水物、 2.2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパ
ンニ無水物、 1.1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン
ニ無水物、 1.1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン
ニ無水物、 ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタンニ無水物
、 ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタンニ無水物
、 ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水
物。
ベンゼン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物
、 3.4.3’ 、4’ −ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、 2.3.2’ 、3’ −ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、 2.3.3’ 、4’ −ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物。
ピラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物
、 チオフェン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水
物、 エチレンテトラカルボン酸二無水物、 デカヒドロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボ
ン酸二無水物、 4、・8−ジメチル−1,2,3,5,6,7−へキサ
ヒドロナフタレン−1,2,5,6−テトラカルボン酸
二無水物、 シクロペンタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二
無水物、 ピロリジン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水
物。
1.2,3.4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、 ビシクロ−(2,2,2)−オクト(7)−エン−2,
3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、2.3.3’
 、4’ −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、 3.4.3’ 、4’ −ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、 2.3.2’ 、3’ −ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、 ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジメチルシラン
ニ無水物、 ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メチルフェニル
シランニ無水物、 ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジフェニルシラ
ンニ無水物、 ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)ジメチルシラン
ニ無水物、 1.4−ビス(3,4−ジカルボキシフエニルジメチル
シリル)ベンゼンニ無水物、 1.3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,
1,3,3−テトラメチルジシクロヘキサンニ無水物、 p−フェニルビス(トリメリット酸モノエステル酸無水
物)、 2.2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)へキサ
フルオロプロパンニ無水物、 2.2−ビス(4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ
)フェニル〕へキサフルオロプロパンニ無水物、 4.4′−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジ
フェニルスルフイドニ無水物 などがあげられ、これら1種又は2種以上が用いられる
これらの他の酸二無水物は、酸無水物の総量が100モ
ル%になるように必要に応じ使用される。
−数式(II)で表わされるジアミノアミド化合物とし
ては1例えば次の式 で示される化合物が用いられる。
上記においてYはSO2又はCOを示す。またXはO,
CH2,SO2,S、Coなどを示し1傭のアミノ基と
Y−NH,とは互いにオルト位に位置する。具体的に例
をあげれば、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル−
3−スルホンアミド、3.4′−ジアミノジフェニルエ
ーテル−4−スルホンアミド、3.4′−ジアミノジフ
ェニルエーテル−3′−スルホンアミド、3,3′−ジ
アミノジフェニルエーテル−4−スルホンアミド。
4.4′−ジアミノジフェニルメタン−3−スルホンア
ミド、3,4′−ジアミノジフェニルメタン−4−スル
ホンアミド、3,4′−ジアミノジフェニルメタン−3
′−スルホンアミド、3,3′−ジアミノジフェニルメ
タン−4−スルホンアミド、4,4′−ジアミノジフェ
ニルスルホン−3−スルホンアミド、3,4′−ジアミ
ノジフェニルスルホン−4−スルホンアミド、3,4′
−ジアミノジフェニルスルホン−31−スルホンアミド
、3,3′−ジアミノジフェニルスルホン−4−スルホ
ンアミド、4,4′−ジアミノジフェニルサルファイド
−3−スルホンアミド、3,4′−ジアミノジフェニル
サルファイド−4−スルホンアミド、3,3′−ジアミ
ノジフェニルサルファイド−4−スルホンアミド、3.
4’ −ジアミノジフェニルサルファイド−3′−スル
ホンアミド、1.4−ジアミノベンゼン−2−スルホン
アミド、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル−3−
カルボンアミド、3.4’ −ジアミノジフェニルエー
テル−4−カルボンアミド、3,4′ジアミノジフェニ
ルエーテル−3′−カルボンアミド、3,3′−ジアミ
ノジフェニルエーテル−4−カルボンアミド、4.4′
−ジアミノジフェニルメタン−3−カルボンアミド、3
,4′−ジアミノジフェニルメタン−4−カルボンアミ
ド、3.4′−ジアミノジフェニルメタン−3′−カル
ボンアミド、3,3′−ジアミノジフェニルメタン−4
−カルボンアミド、4.4’ −ジアミノジフェニルス
ルホン−3−カルボンアミド、3゜4′−ジアミノジフ
ェニルスルホン−4−カルボンアミド、3.4’ −ジ
アミノジフェニルスルホン−3′−カルボンアミド、3
,3′−ジアミノジフェニルスルホン−4−カルボンア
ミド、4゜41−ジアミノジフェニルサルファイド−3
−カルボンアミド、3,4′−ジアミノジフェニルサル
ファイド−4−カルボンアミド、3,3′−ジアミノジ
フェニルサルファイド−4−カルボンアミド、3,4′
−ジアミノジフェニルサルファイド−3′−スルホンア
ミド、1,4−ジアミノベンゼン−2−カルボンアミド
などがある。
これらのジアミノアミド化合物は、2種以上を併用する
こともできる。
ジアミノアミド化合物の使用量は、ジアミノアミド化合
物、及びジアミンの総量に対して10〜50モル%とす
るのが好ましい。ジアミノアミド化合物が少なすぎると
耐熱性向上の効果が小さくなる傾向があり、多すぎると
本発明で得られる前駆体の硬化温度が高くなる傾向があ
る。
前記ジアミン■としては、2− (2−メタクリロイル
オキシ)エチルオキシカルボニル−4,4′−ジアミノ
ジフェニルエーテル、2,2′−ジー(2−メタクリロ
イルオキシ)エチルオキシカルボニル−4,4′−ジア
ミノジフェニルエーテル等があり、一般式(V) (ただし、式中、又は−C−O−又は−CH。
満 一〇−を示し、R8はエチレン性不飽和基を含む有機基
を示す)で表わされるジアミンが好ましい。
一般式(V)で表わされるジアミンにおいてR2で示さ
れるエチレン性不飽和基として、例えば罷 −CH,CH,−0−C−CH=CH,、■ −CH,CH,−0−C−CH=CH2゜CH。
習 −CH,−CH−CH,−0−C−CH=CH,。
H CH。
などがある。
一般式(V)で表わされるジアミンとしては、3.5−
ジアミノ安息香酸エチルアクリル酸エステル、3,5−
ジアミノ安息香酸エチルメタクリル酸エステル、3,5
−ジアミノ安息香酸グリシジルアクリレートエステル、
3,5−ジアミノ安息香酸グリシジルメタクリレートエ
ステル、3゜5−ジアミノ安息香酸ケイ皮酸エステル、
2,4−ジアミノ安息香酸エチルアクリル酸エステル、
2.4−ジアミノ安息香酸エチルメタクリル酸エステル
、2,4−ジアミノ安息香酸グリシジルアクリレートエ
ステル、2,4−ジアミノ安息香酸グリシジルメタクリ
レートエステル、2,4−ジアミノ安息香酸ケイ皮酸エ
ステル、3.5−ジアミノベンジルアクリレート、3,
5−ジアミノベンジルメタクリレートなどがある。
前記ジアミンIは、2種以上を併用することもできる。
またジアミン■の使用量はジアミノアミド化合物及びジ
アミンの総量に対して5〜80モル%とするのが好まし
い、少ないと架橋の効果が小さくなる傾向にあり、多す
ぎると本発明で得られる樹脂の耐熱性が低下する傾向が
ある。
前記ジアミン■としては一般式(VI)〔ただし、R,
、R,、R,及びR6はそれぞれ独立に水素、メチル基
、エチル基、イソプロピル基。
ブチル基等のアルキル基、フッ素置換アルキル基。
メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基
又はハロゲン(塩素、臭素、フッ素若しくはヨウ素)を
示し、R3,R,、R,及びR6のうち少なくとも一つ
は水素以外の基であり、Zは−S Ot−若しくは−S
−又は結合を示す〕で示されるジアミンが好ましい、一
般式(VI)中。
R3とR4のうち少なくとも一方及びR6とR6のうち
少なくとも一方が水素以外の基であるものが特に好まし
い。
上記一般式(VI)で示されるジアミンとしては、3.
3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジフェニルメタン
、 3.3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニルメ
タン、 3.3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
メタン、 3.3′−ジェトキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
メタン、 3.3′−ジフルオロ−4,4′−ジアミノジフェニル
メタン、 3.3′−ジクロロ−4,4′−ジアミノジフェニルメ
タン。
3.3I−ジブロモ−4,4′−ジアミノジフェニルメ
タン、 3.3′−ジ(トリフルオロメチル)−4,4’−ジア
ミノジフェニルメタン、 3.3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、 3.3′−ジイソプロピル−4,4′−ジアミノジフェ
ニルエーテル。
3.3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル。
3.3′−ジェトキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル、 3.3′−ジフルオロ−4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル、 3.3′−ジクロロ−4,4′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、 3.3′−ジブロモ−4,4′−ジアミノジフェニルエ
ーテル。
3.3′−ジ(トリフルオロメチル)−4,4’−ジア
ミノジフェニルエーテル、 3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジフェニルス
ルホン、 3.3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
スルホン。
3.3′−ジェトキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
スルホン。
3.3′−ジフルオロ−4,4′−ジアミノジフェニル
スルホン。
3.3′−ジクロロ−4,4′−ジアミノジフェニルス
ルホン、 3.3′−ジブロモ−4,4′−ジアミノジフェニルス
ルホン、 3.3′−ジ(トリフルオロメチル)−4,4’−ジア
ミノジフェニルスルホン、 3.3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジフェニルプ
ロパン。
3.3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
プロパン、 3.3′−ジェトキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
プロパン、 3.3′−ジフルオロ−4,4′−ジアミノジフェニル
プロパン、 3.3′−ジクロロ−4,4′−ジアミノジフェニルプ
ロパン。
3.3′−ジブロモ−4,4′−ジアミノジフェニルプ
ロパン、 3.3′−ジ(トリフルオロメチル)−4,4’−ジア
ミノジフェニルプロパン、 3.3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジフェニルス
ルフィド、 3.3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
スルフィド、 3.3′−ジェトキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
スルフィド、 3.3′−ジフルオロ−4,4′−ジアミノジフェニル
スルフィド、 3.3′−ジクロロ−4,4′−ジアミノジフェニルス
ルフィド。
3.3′−ジブロモ−4,4′−ジアミノジフェニルス
ルフィド。
3.3′−ジ(トリフルオロメチル)−4,4’−ジア
ミノジフェニルスルフィド、 3.3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジフェニルへ
キサフルオロプロパン。
3.3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
へキサフルオロプロパン、 3.3′−ジェトキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
へキサフルオロプロパン、 3.3′−ジフルオロ−4,4′−ジアミノジフェニル
へキサフルオロプロパン。
3.3′−ジクロロ−4,4′−ジアミノジフェニルへ
キサフルオロプロパン。
3.3′−ジブロモ−4,4′−ジアミノジフェニルへ
キサフルオロプロパン、 3.3′−ジ(トリフルオロメチル) −4,4’−ジ
アミノジフェニルへキサフルオロプロパン、3.3′−
ジメチル−4,4′−ジアミノベンゾフェノン、 3.3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノベンゾフェ
ノン。
3.3′−ジェトキシ−4,4′−ジアミノベンゾフェ
ノン、 3.3′−ジフルオロ−4,4′−ジアミノベンゾフェ
ノン。
3.3′−ジクロロ−4,4′−ジアミノベンゾフェノ
ン。
3.3′−ジブロモ−4,4′−ジアミノベンゾフェノ
ン。
3.3′−ジ(トリフルオロメチル)−4,4’−ジア
ミノベンゾフエノン、 3.3′−ジメチルベンジジン、 3.3’ 、5,5’−テトラメチル−4,4′ジアミ
ノジフエニルメタン、 3.3’ 、5.5’ −テトライソプロピル−4゜4
′−ジアミノジフェニルメタン、 3.3’ 、5.5’−テトラメトキシ−4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン、 3.3’ 、5.5’ −テトラエトキシ−4,4′−
ジアミノジフェニルメタン。
3.3’ 、5.5’−テトラフルオロ−4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン、 3.3’ 、5.5’−テトラクロロ−4,4′ジアミ
ノジフエニルメタン、 3.3’ 、5.5’−テトラブロモ−4,4′ジアミ
ノジフエニルメタン、 3.3’ 、5.5’−テトラ(トリフルオロメチル)
−4,4’ −ジアミノジフェニルメタン、3.3’ 
、5.5’−テトラメチル−4,4′ジアミノジフエニ
ルエーテル、 3.3’ 、5,5’−テトラエチル−4,4′ジアミ
ノジフエニルエーテル、 3.3’ 、5.5’−テトラメトキシ−4,4′−ジ
アミノジフェニルエーテル、 3.3’ 、5.5’−テトラエトキシ−4,4′−ジ
アミノジフェニルエーテル、 3.3’ 、5.5’−テトラフルオロ−4,4′−ジ
アミノジフェニルエーテル、 3.3’ 、5.5’−テトラクロロ−4,4’ −ジ
アミノジフェニルエーテル、 3.3’ 、5.5’−テトラブロモ−4,4′ジアミ
ノジフエニルエーテル、 3.3’ 、5.5’ −テトラ(トリフルオロメチル
) −4,4’ −ジアミノジフェニルエーテル、3.
3’ 、5.5’−テトラメチル−4,4′ジアミノジ
フエニルスルホン、 3.3’ 、5.5’−テトラメトキシ−4,4′−ジ
アミノジフェニルスルホン、 3.3’ 、5.5’−テトラエトキシ−4,4′−ジ
アミノジフェニルスルホン、 3.3’ 、5.5’−テトうフルオロ−4,4′−ジ
アミノジフェニルスルホン。
3.3’ 、5.5’−テトラクロロ−4,4′ジアミ
ノジフエニルスルホン、 3.3’ 、5.5’−テトラブロモ−4,4′ジアミ
ノジフエニルスルホン、 3.3’ 、5.5’−テトラ(トリフルオロメチル)
−4,4’ −ジアミノジフェニルスルホン、3.3’
 、5,5’−テトラメチル−4,4′ジアミノジフエ
ニルプロパン、 3.3’ 、5.5’−テトラメトキシ−4,4′−ジ
アミノジフェニルプロパン、 3.3’ 、5.5’−テトラエトキシ−4,4′−ジ
アミノジフエニルブロバン、 3.3’ 、5.5’−テトラフルオロ−4,4′−ジ
アミノジフェニルプロパン、 3.3’ 、5.5’−テトラクロロ−4,4’ −ジ
アミノジフェニルプロパン、 3.3’ 、5.5’−テトラブロモ−4,4′ジアミ
ノジフエニルプロパン、 3.3’ 、5.5’−テトラ(トリフルオロメチル)
−4,4’ −ジアミノジフェニルプロパン。
3.3’ 、5,5’−テトラメチル−4,4′ジアミ
ノジフエニルスルフイド、 3.3’ 、5.5’−テトラメトキシ−4,4′−ジ
アミノジフェニルスルフィド。
3.3’ 、5.5’−テトラエトキシ−4,4′−ジ
アミノジフェニルスルフィド、 3.3’ 、5.5’−テトラフルオロ−4,4′−ジ
アミノジフェニルスルフィド、 3.3’ 、5.5’−テトラクロロ−4,4′ジアミ
ノジフエニルスルフイド、 3.3’ 、5.5’−テトラブロモ−4,4′ジアミ
ノジフエニルスルフイド、 3.3’ 、5,5’ −テトラ(トリフルオロメチル
)−4,4’ −ジアミノジフェニルスルフィド、3.
3’ 、5,5’−テトラメチル−4,4′ジアミノジ
フエニルへキサフルオロプロパン、3.3’ 、5,5
’−テトラメトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルへ
キサフルオロプロパン、3.3’ 、5.5’−テトラ
エトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルへキサフルオ
ロプロパン、3.3’ 、5,5’−テトラフルオロ−
4,4′−ジアミノジフエニルへキサフルオロプロパン
、3.3’ 、5,5’−テトラクロロ−4,4′ジア
ミノジフエニルへキサフルオロプロパン、3.3’ 、
5.5’−テトラブロモ−4,4′ジアミノジフエニル
へキサフルオロプロパン、3.3’ 、5.5’ −テ
トラ(トリフルオロメチル)−4,4’ −ジアミノジ
フェニルへキサフルオロプロパン、 3.3’ 、5.5’−テトラメチル−4,4′ジアミ
ノベンゾフエノン、 3.3’ 、5.5’−テトラメトキシ−4,4′−ジ
アミノベンゾフェノン、 3.3’ 、5.5’−テトラエトキシ−4,4′−ジ
アミノベンゾフェノン、 3.3’ 、5.5’−テトラフルオロ−4,4′−ジ
アミノベンゾフェノン、 3.3’ 、5.5’−テトラクロロ−4,4′ジアミ
ノベンゾフエノン、 3.3’ 、5.5’−テトラブロモ−4,4′ジアミ
ノベンゾフエノン。
3.3’ 、5.5’ −テトラ(トリフルオロメチル
)−4,4’ −ジアミノベンゾフェノン。
3.3’ 、5.5’ −テトライソプロピル−4゜4
′−ジアミノジフェニルメタン、 3.3′−ジイソプロピル−5,5′−ジメチル−4,
4’ −ジアミノジフェニルメタン、3.3′−ジイソ
プロピル−5,5′−ジエチル−4,4’ −ジアミノ
ジフェニルメタン、3.3′−ジイソプロピル−5,5
′−ジメチル−4,4’ −ジアミノジフェニルエーテ
ル、3.3′−ジイソプロピル−5,5′−ジエチル−
4,4’ −ジアミノジフェニルエーテル。
3.3′−ジイソプロピル−5,5′−ジメチル−4,
4’ −ジアミノジフェニルプロパン。
3t3′−ジイソプロピル−5,5′−ジエチル−4,
4’ −ジアミノジフェニルプロパン。
3.3′−ジイソプロピル−5,5′−ジメチル−4,
4’ −ジアミノジフェニルスルホン、3.3′−ジイ
ソプロピル−5,5′−ジエチル−4,4’ −ジアミ
ノジフェニルスルホン。
などがあり、2種類以上併用しても良い。
−数式(VI)で表わされるジアミン以外のジアミン■
としてm−キシリレンジアミン、2,4−ジアミノトル
エン、2,6−ジアミノトルエン等がある。
前記ジアミン■の使用量としてはジアミン及びジアミノ
アミド化合物の総量に対して0.5〜85モル%使用さ
れるのが好ましい、0.5モル%未満であるとポリイミ
ド合成時にゲル化がおこり、均一なワニスができないこ
とがある。
前記のジアミンI及びジアミン■と併用して用いてもよ
いジアミンとしては。
4−アミノフェニル−3−アミノ安息香酸、2.2−ビ
ス(4−アミノフェニル〉プロパン。
2.6−ジアミツビリジン、 ビス−(4−7ミノフエニル)ジエチルシラン、ビス−
(4−アミノフェニル)ジフェニルシラン、ビス−(4
−アミノフェニル)エチルホスフィンオキサイド、 ビス−(4−アミノフェニル)−N−ブチルアミン。
ビス−(4−アミノフェニル)−N−メチルアミン、 N−(3−アミノフェニル)−4−アミノベンズアミド
4−アミノフェニル−3−アミノ安息香酸、3.3′−
ジアミノジフェニルメタン、3.3′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、3.3′−ジアミノジフェニルスルホン
、3.3′−ジアミノジフェニルプロパン、3.3′−
ジアミノジフェニルスルフィド、p−フェニレンジアミ
ン、 m−フェニレンジアミン、 4.4′−ジアミノジフェニルプロパン、4.4′−ジ
アミノジフェニルメタニノ、3.3′−ジアミノベンゾ
フェノン、 4.4′−ジアミノジフェニルスルフィド、4.4′−
ジアミノジフェニルスルホン、4.4′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、3.4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、1.5−ジアミノナフタレン、 2.4−ビス(β−アミノ−t−ブチル)トルエン。
ビス(p−β−アミノ−t−ブチル−フェニル)エーテ
ル、 ビス(p−β−メチル−γ−アミノーペンチル)ベンゼ
ン、 ビス−p   (lyl−ジメチル−5−アミノペンチ
ル)ベンゼン、 ヘキサメチレンジアミン、 ヘプタメチレンジアミン、 オクタメチレンジアミン、 ノナメチレンジアミン、 デカメチレンジアミン、 テトラメチレンジアミン、 プロピレンジアミン、 3−メチルへブタメチレンジアミン、 4.4′−ジメチルへブタメチレンジアミン。
2.11−ジアミノドデカン、 1.2−ビス(3−アミノプロポキシ)エタン、2.2
−ジメチルプロピレンジアミン、3−メトキシ−ヘキサ
メチレンジアミン、2.5−ジメチルへキサメチレンジ
アミン、2.5−ジメチルへブタメチレンジアミン、5
−メチルノナメチレンジアミン、 2.17−ジアミノオクタデカン、 1.4−ジアミノシクロヘキサン。
1.10−ジアミノ−1,10−ジメチルデカン、1.
12−ジアミノオクタデカン などがあり、2種類以上を併用しても良い、これらのジ
アミンのうち芳香族系ジアミンは耐熱性の点で好ましい
ポリイミドイソインドロキナゾリンジオンのシリコンウ
ェハー、ガラス等への接着性を高めるために適宜ジアミ
ノシロキサンをジアミンの一部として用いてもよい。
ジアミノシロキサンは、例えば、−数式(■)(■) (ただし9式中、R′は2価の炭化水素基、R′は1価
の炭化水素基及びmは1以上の整数であり、2個のR′
及び複数個のR′は、それぞれにおいて、同じでも異な
っていてもよい)で表わされるもの好ましい。
ジアミノシロキサンとしては、具体的には、CH□ CH。
CH。
CH。
C,H。
C,Hs CH3 CH3 C,H5 C,H。
などの化合物があげられる。
ジアミノシロキサンは、 例えば米国特許第 3.185,719号明細書に示される方法によって脅
威される。
ジアミノシロキサンは2種以上を併用することもできる
ジアミノシロキサンは共重合する割合は、接着性とエツ
チング加工性の点から、上記のジアミノアミド化合物及
びジアミンの総量に対して0.2〜10モル%とするこ
とが好ましく、特に好ましくは、0.2〜5モル%とさ
れる。
ジアミン及びジアミノアミド化合物は、これらの総量が
100モル%になるように調整される。
本発明においてポリイミドイソインドロキナゾリンジオ
ン前駆体は、前記酸無水物とジアミノアミド化合物及び
ジアミンの総量とが等モル又はほぼ当量になるように使
用し、これらを反応させて得られる。
この反応は有機溶媒中で行なわれるのが好ましく、該有
機溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、N、N
−ジメチルアセトアミド、N、N−ジメチルホルムアミ
ド、N、N−ジエチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、ヘキサメチルホスホルアミド等の有機極性溶媒が
、前記前駆体を溶解しやすいことから好ましく、トルエ
ン、クレゾール、フェノール等の芳香族系溶媒は、前記
前駆体の溶解を妨げない程度に、上記有機極性溶媒と併
用してもよく、この場合、溶媒の総量に対して30重量
%以下が好ましい。
前記反応は、先ず、ジアミノアミド化合物及びジアミン
を有機溶媒に溶解し、次いで、酸二無水物及び酸三無水
物を添加して、80℃以下、好ましくは0〜50℃で行
うのが望ましい、これにより反応は速やかに進行し、反
応液の粘度が徐々に上昇する。
また、前記ジアミン■がジアミノアミド化合物及びジア
ミン全量に対して0.5〜50モル%の場合には、特に
、0.5〜40モル%の場合には、ポリイミドイソイン
ドロキナゾリンジオン前駆体の製造は、酸二無水物とジ
アミン■以外のジアミン及びジアミノアミド化合物を反
応させ、その後、ジアミン■を添加して反応させ、さら
にこの後酸三無水物を反応させるのが好ましい、ジアミ
ン■以外のジアミン及びジアミノアミド化合物をジアミ
ン及びジアミノアミド化合物の全量に対して99.5〜
50モル%使用するときは、反応中のゲル化防止に細心
の注意を払わなければならないが、上記方法によればゲ
ル化の心配なく容易に反応させることができる。
前記前駆体は、有機溶剤に溶解された状態(ワニス)で
使用するのが好ましい。
ポリイミドイソインドロキナゾリンジオンは、前駆体を
脱水閉環させて(硬化させて)得ることができる。該脱
水閉環は150〜250℃、好ましくは170〜220
℃の温度で熱処理することにより行なうことができる。
この熱処理の際に、エチレン性不飽和基による重合が生
じ、ポリイミドイソインドロキナゾリンジオンはさらに
架橋される。また、この脱水閉環に際し、無水酢酸、リ
ン酸等の脱水剤を使用してもよい。
ポリイミドイソインドロキナゾリンジオンの生成は、前
記ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン前駆体を含
む反応液をそのまま又は濃縮若しくは希釈した後(すな
わち前駆体ワニスを形成した後)、シリコンウェハー、
ガラス、金属板等に塗布し、成膜した後に行なってもよ
い。
このようにして得られるポリイミドイソインドロキナゾ
リンジオン膜のエツチングは、ヒドラジン、エチレンジ
アミン混合物、水酸化テトラメチルアンモニウム等のよ
く知られたエツチング液を用い、常法により行なうこと
ができる。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例により説明するが1本発明の範囲
はこれらの実施例によって限定されるものではない。
酸三無水物Aの合成 温度計、かくはん装置、乾燥管を備えた4つロフラスコ
に、無水トリメリット酸クロライド84.2g (Q、
4Boff)、キシレン600mgを入れかくはんする
。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、グリセ
リン12.28g (0,13moQ)、ピリジン31
.64g(0,4mon)を、キシレン100m1に溶
解したものを室温で滴下する。?]下終了後、約1時間
かくはんを続ける0反応終了後、得られた結晶を0別し
、メタノール、ヘキサンで洗浄後、無水酢酸で再結晶を
行い、トリメリット酸トリグリセライド(以下、酸無水
物Aという)を得た。
酸三無水物Bの合成 温度計、かくはん装置、乾燥管を備えた4つロフラスコ
に、無水トリメリット酸クロライド84.2g(0,4
moQ)、 トルエン6oomQを入れかくはんする。
無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリメチ
ロールプロパン17.89 g(0,13moffi)
、hリエチルアミン60.7g(0,6moff)を、
テトラヒドロフラン100mQに溶解したものを水浴中
で冷却しながら滴下した。
滴下終了後、酸三無水物Aの場合と同様な操作を行い1
,1.1−トリス(トリメリット酸メチル)プロパン(
以下酸三無水物Bという)を得た。
酸三無水物Bの合成 温度計、かくはん装置、乾燥管を備えた4つ口フラスコ
に、無水トリメリット酸クロライド84.2g(0,4
moQ)、ベンゼン600mMを入れかくはんする。無
水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリメチロ
ールエタン16.02 g(0,13moQ)、ピリジ
ン63.2 g(0,8aoI2)1.4−ジオキサン
200mJ1に溶解したものを50℃で滴下した。滴下
終了後、酸三無水物Aの場合と同様な操作を行い1,1
,1−トリス(トリメリット酸メチル)エタン(以下酸
三無水物Cという)を得た。
上記酸無水物A、B及びCは、それぞれ高速液体クロマ
トグラフィーにより単一成分であることを確認した。測
定条件は次のとおりである。
測定条件:装 置 東洋曹達@  HLC−801型溶
 媒 テトラヒドロフラン カラム 東洋曹達製 G2000HX 1本+G3QO
OHX 3本 流量1 m Q /akin 実施例1 温度計、かくはん装置、乾燥管を備えた4つロフラスコ
に、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル−3−カル
ボンアミド47.1g(0,20mou)、3.5−ジ
アミノ安息香酸エチルメタクリル酸エステル71.3 
g(0,27aoI2)、3,3’ 、5゜5′−テト
ラメチル−4,4′−ジアミノジフェニルメタン127
.0g(0,50@oQ)、1,3−ビス(3−アミノ
プロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサ
ン7−5 g(0,03moff)、及びN、N’ −
ジメチルアセトアミド2500gを入れ、均一溶液にな
るまでかくはんした。内容物を氷冷し、約5℃の温度と
エチレングリコールビス(トリメリット酸無水物) 3
69.3 g(0,90鳳off)と酸無水物A54.
2g (0,10moQ)の混合物を徐々に添加した。
5℃で5時間反応させ、ポリイミドイソインドロキナゾ
リンジオン前駆体を得た。
実施例2 温度計、かくはん装置、乾燥管を備えた4つロフラスコ
に、4.4’ −ジアミノジフェニルエーテル−3−カ
ルボンアミド47.1g(0,20moQ)、3.5−
ジアミノ安息香酸エチルメタクリル酸エステル79.2
g(0,30mol、3,3’ 、5゜5′−テトラメ
チル−4,4′−ジアミノジフェニルメタン127.0
 g(0,50moQ)、及びN、N−ジメチルアセト
アミド2500gを入れ、均一溶液になるまでかくはん
した。内容物を氷冷し、約5℃の温度でエチレングリコ
ールビス(トリメリット酸無水物)369.3g(0,
90moQ)と酸無水物A54,2g (0,10mo
J2)の混合物を徐々に添加した。5℃で5時間反応さ
せ、ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン前駆体を
得た。
比較例1 温度計、かくはん装置、乾燥管を備えた4つロフラスコ
に、3,5−ジアミノ安息香酸エチルメタクリル酸エス
テル71.3 g(0,27aoI2)、3゜3’ 、
5.5’−テトラメチル−4,4′−ジアミノジフェニ
ルメタン177.8 g(0,70moQ)、1.3−
ビス(3−アミノプロピル)−1,1゜3.3−テトラ
メチルジシロキサン7 、5 g (0,03鵬ofi
)、及びN、N’−ジメチルアセトアミド2500gを
入れ、均一溶液になるまでかくはんした。内容物を氷冷
し、約5℃の温度でエチレングリコールビス(トリメリ
ット酸無水物) 369.3g(0,90moQ)と酸
無水物A54,2g(0,10moJ2)の混合物を徐
々に添加した。5℃で5時間反応させ、ポリイミド樹脂
前晩体を得た。
実施例3 温度計、かくはん装置、乾燥管を備えた4つロフラスコ
に、4.4′−ジアミノジフェニルエーテル−3−カル
ボンアミド35.3g(0,15moQ)、2.4−ジ
アミノ安息香酸エチルメタクリル酸エステル39.6g
(0,15i*on)、3.3’ 、5゜5′−テトラ
イソプロピル−4,4′−ジアミノジフェニルメタン1
55.Og(0,50mon)、 4 。
4′−ジアミノジフェニルエーテル54.0g(0,2
7moff)、1.3−ビス(3−アミノプロピル)−
1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン7.5g 
(0,03mon)及びN、N−ジメチルホルムアミド
3000gを入れ、均一溶液になるまでかくはんした、
内容物を氷冷し、約5℃の温度でベンタンジオールビス
(トリメリット酸無水物)226.0g(0,50so
Q)、3.3’ 、4゜4′−ビスフェニルテトラカル
ボン酸二無水物58.9 g(0,20soQ及び酸無
水物B 196.8g(0,30soQ)の混合物を徐
々に添加した。5℃で5時間反応させ、ポリイミドイソ
インドロキナゾリンジオン前駆体を得た。
比較例2 温度計、かくはん装置、乾燥管を備えた4つロフラスコ
に、4.4’ −ジアミノジフェニルエーテル−3−カ
ルボンアミド35.3g(0,15mofl)、2.4
−ジアミノ安息香酸エチルメタクリル酸エステル39.
6g(0,15鳳on)、3.3’ 、5゜5′−テト
ライソプロピル−4,4′−ジアミノジフェニルメタン
155.0g(0,50soQ)、4゜4′−ジアミノ
ジフェニルエーテル54.0g(0,27moff) 
、1.3−ビス(3−7ミノプロビル)−1,1,3,
3−テトラメチルジシロキサン7−5g (0,03s
oQ)及びN、N−ジメチルホルムアミド3000gを
入れ、均一溶液になるまでかくはんした。内容物を水冷
し、約5℃の温度で3.3’ 、4.4’ −ビスフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物205.0g(0,70
soQ)、と酸無水物B 196.8 g (0,30
+ioりの混合物を徐々に添加した。その後、5℃で5
時間反応させ、ポリイミドイソインドロキナゾリンジオ
ン前駆体を得た。
実施例4 温度計、かくはん装置、乾燥管を備えた4つロフラスコ
に、4.4’−ジアミノジフェニルエーテル−3−カル
ボンアミド47.1g(0,20soQ)、3.5−ジ
アミノ安息香酸エチルアクリル酸エステル125.Og
(0,5soQ)、4,4′−ジアミノジフェニルメタ
ン33.7 g(0,17n+o12)、1゜3−ビス
(3−アミノプロピル)−1,l、3,3−テトラメチ
ルジシロキサン7−5g(0,03soQ)及びN−メ
チル−2−ピロリドン2500gを入れ、均一溶液にな
るまでかくはんした。内容物を氷冷し、約5℃の温度で
ブタンジオールビス(トリメリット酸無水物)424.
9g(0,97soQ)を徐々に添加した。5℃で約2
時間反応した後。
室温で3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジフェ
ニルメタン22−6g (0,10soQ)を加え30
分間かくはんし、さらにその後、酸無水物C12,8g
 (0,02soQ )を加えた。室温で3時間反応し
、ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン前駆体を得
た。
比較例3 温度計、かくはん装置、乾燥管を備えた4つロフラスコ
に、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル−3−カル
ボンアミド47.1g(0,20soQ)、4.4′−
ジアミノジフェニルメタン132.7 g(0,6’7
+on)、1.3−ビス(3−アミノプロピル)−1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサン7.5g (0
,03mo12)及びN−メチル−2−ピロリドン25
00gを入れ、均一溶液になるまでかくはんした。内容
物を氷冷し、約5℃の温度でブタンジオールビス(トリ
メリット酸無水物)424.9g (0,97soQ)
を徐々に添加した。
5℃で約2時間反応した後、室温で3,3′−ジメチル
−4,4′−ジアミノジフェニルメタン22.6g (
0,10soQ)を加え30分間かくはんし、さらにそ
の後、酸無水物C12,8g(0,02mojl)を加
えた。室温で3時間反応し。
ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン前駆体を得た
実施例5 温度計、かくはん装置、乾燥管を備えた4つロフラスコ
に、4.4’ −ジアミノジフェニルエーテル−3−カ
ルボンアミド23.5g(0,10a+oQ)、3.5
−ジアミノ安息香酸エチルアクリル酸エステル200.
0 g(0,80mall)、1,3−ビス(3−アミ
ノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキ
サン7.5g (0,03soQ)及びN、N−ジメチ
ルホルムアミド3000gを入れ、均一溶液になるまで
かくはんした0次に室温でエチレングリコールビス(ト
リメリット酸無水物)246.0g (0,6On+o
Q)と3.3’ 、4゜4′−ビスフェニルテトラカル
ボン酸二無水物88.4g (0,30+wou)の混
合物を徐々に添加した。室温で3時間かくはんした後、
3,3′5.5′−テトラエチル−4,4′−ジアミノ
ジフェニルメタン21.7g (0,07sou)を加
え、30分間かくはんし、さらにその後酸無水物864
.6g (0,10sou)を添加した。さらに室温で
2時間反応させ、ポリイミドイソインドロキナゾリンジ
オン前駆体を得た。
実施例6 温度計、かくはん装置、乾燥管を備えた4つロフラスコ
に、4.4’ −ジアミノジフェニルエーテル−3−カ
ルボンアミド23.5g(0,10mo12)、3.5
−ジアミノ安息香酸エチルアクリル酸エステル75.0
 g(0,30geoff)、3,4′−ジアミノジフ
ェニルチーチル94.0g (0,47sou)、1.
3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1゜3.3−テ
トラメチルジシロキサン7.5g(0,03mo12)
及びN−メチル−2−ピロリドン2500gを入れ、均
一溶液になるまでかくはんした。内容物を氷冷し、約5
℃の温度でデカンジオールビス(トリメリット酸無水物
)469.8g(0,90a+on)を添加し3時間反
応させた。その後、室温で3,3′−ジメチル−4,4
′−ジアミノジフェニルメタン22.6 g(0,10
moQ )を添加し、約30分間かくはんさせ、さらに
その後、酸無水物C64,2g (0,10sou)を
添加した。
室温で2時間反応させ、ポリイミドイソインドロキナゾ
リンジオン前駆体を得た。
比較例4 温度計、かくはん装置、乾燥管を備えた4つロフラスコ
に、4.4’ −ジアミノジフェニルエーテル−3−カ
ルボンアミド23.5g(0,10moQ)、3.5−
ジアミノ安息香酸エチルアクリル酸エステル75.0 
g<0.30moQ)、 3 、3’−ジメチル−4,
4′−ジアミノジフェニルメタン22.6g(0,10
moJl)、3.4 ’−ジアミノジフェニルエーテル
94.0g (0,47sou)、1.3−ビス(3−
アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシ
ロキサン7−5g (0,03sou)及びN−メチル
−2−ピロリドン2500gを入れ、均一溶液になるま
でかくはんした。内容物を氷冷し、約5℃の温度でデカ
ンジオールビス(トリメリット酸無水物)522.0g
(I,0Omolを添加した。約5℃で5時間反応させ
てポリイミドイソインドロキナゾリンジオン前駆体を得
た。
実施例7 温度計、かくはん装置、乾燥管を備えた4つロフラスコ
に、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル−3−カル
ボンアミド70.6g(0,30mojl)、3.5−
ジアミノ安息香酸エチルメタクリル酸エステル150.
5g (0,57膳0息)、l、3−ビス(3−アミノ
プロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサ
ン7−5g (0,03sou)及びN、N−ジメチル
アセトアミド2500gを入れ、均一になるまでかくは
んした。内容物を氷冷し、約5℃の温度でオクタンジオ
ールビス(トリメリット酸無水物)395.2g(0,
80sou)を添加し3時間反応させた。その後室温で
3,3′5.5′−テトラメチル−4,4′−ジアミノ
ジフェニルメタン25−4g (0,10間Q)を添加
し、約30分間かくはんさせ、さらにその後、酸無水物
A 108.4 g (0,20mon)を添加した。
室温で2時間反応させ、ポリイミドイソインドロキナゾ
リンジオン前駆体を得た。
比較例5 温度計、かくはん装置、乾燥管を備えた4つロフラスコ
に、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル−3−カル
ボンアミド70.6g(0,30sou)、3.5−ジ
アミノ安息香酸エチルメタクリル酸エステル176.9
g (0,67sou) 、1.3−ビス(3−7ミノ
プロビル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサ
ン7.5g (0,03sou)及びN、N−ジメチル
アセトアミド2500gを入れ、均一になるまでかくは
んした。内容物を氷冷し、約5℃の温度でオクタンジオ
ール(ビストリメリット酸無水物) 395.2 g(
0,80moff)と酸無水物A 108.4 g (
0,20s+oQ)の混合物を徐々に添加した。添加終
了後、約10分間でゲル化した。
上記実施例1〜7及び比較例1〜4で得られたポリイミ
ドイソインドロキナゾリンジオン前駆体及びポリイミド
樹脂前駆体をシリコンウェハにスピンコードにより塗布
し、100℃、150℃、。
230℃(比較例2については100℃、200”C,
300℃)で各々30分間ずつ順次加熱することにより
ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン及びポリイミ
ド樹脂皮膜つきシリコンウェハを作製し、密着性試験に
供した。
また前記前駆体ワニスをガラス板上に流延塗布し、前記
の条件で加熱することにより約3μmのポリイミドイソ
インドロキナゾリンジオン及びポリイミド樹脂皮膜を得
た。得られた皮膜を用いて耐溶剤性、熱分解温度2機械
的特性試験に供した。
さらに前記前駆体ワニスは硬化温度の測定に供された。
測定条件は以下に示す通りである。
1)硬化温度 ガラス板上にポリイミドイソインドロキナゾリンジオン
前駆体ワニスを塗布し、蒸留水に浸漬してポリイミドイ
ソインドロキナゾリンジオン前駆体膜を析出させた後、
80℃、0.5omHg 以下で3時間真空乾燥したも
のを試料とし、高速示差熱天秤を用い、種々の温度で脱
水量を測定し、脱水量の一定になる温度を求める。
2)熱分解温度 熱天秤を用い、昇温速度10℃/sin、試料量約8m
gで測定し、5%重重量減湿温を熱分解温度とした。
3)引張り強度及び引張り弾性率 巾IQm、長さ50mに試験片を切り取り、テンシロン
を用いて支点間距離30閣、引張り速度5m/■in及
び測定温度は室温の条件で行った。
4)密着性 試験片を121℃、2気圧(飽和水蒸気中)の条件下で
100時間処理し、JIS  K−5400に準じた基
ばん目試験により評価した。
5)耐溶剤性 試験片を各種溶剤中に室温で10分間浸漬し、外観を目
視で評価した。
表1から明らかなように実施例1は実施例2(ジアミノ
シロキサン不使用)に比し密着性に優れ、実施例1及び
2は比較例1に比し引張り強度が著しく優れている。ま
た実施例1〜7は比較例2に比し、硬化温度及び弾性率
が著しく低い、さらに実施例1〜7は比較例3(エチレ
ン性不飽和基を持つジアミン不使用)及び比較例4(酸
三無水物不使用)に比べ耐溶剤性に優れる。
〔発明の効果〕
請求項1〜8により得られるポリイミドイソインドロキ
ナゾリンジオン前駆体を請求項9〜lOの方法によって
閉環反応させるときに、硬化温度を低くすることができ
、しかも得られるポリイミドイソインドロキナゾリンは
、優れた耐溶剤性を示し、特に請求項8の方法により得
られる前駆体は、優れた密着性を有するものとなる。ま
た、請求項4で得られる前駆体は、さらに硬化温度を低
くすることができる。
請求項9〜1oの方法により得られるポリイミドイソイ
ンドロキナゾリンジオンは、これらの特性がバランスよ
く優れている。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、a)酸三無水物1〜35モル% 及び b)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、式中、nは2〜16の整数を示 す)で表わされるアルキレンビストリメリ テート二無水物を含む酸二無水物99〜 65モル% を含む酸無水物、 並びに c)一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、式中、Arは芳香族基、Yは ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
    、表等があります▼を示し、−Y−NH_2 基と2個の−NH_2基のうち少なくとも1個がArの
    隣接炭素原子に結合している) で表わされるジアミノアミド化合物、 d)分子中に反応性不飽和基及び芳香族環を有するジア
    ミン 及び e)少なくとも一つのアミノ基に対してオルト位に少な
    くとも一つの置換基を有する芳 香族ジアミン(上記d)を除く) を反応させることを特徴とするポリイミドイソインドロ
    キナゾリンジオン前駆体の製造法。 2、酸三無水物が一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、式中、Rは三価の有機基を示す)で表わされ
    る酸三無水物である請求項1記載のポリイミドイソイン
    ドロキナゾリンジオン前駆体の製造法。 3、酸三無水物が一般式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、式中、R_1は三価の有機基を示す)で表わ
    される酸三無水物である請求項1記載のポリイミドイソ
    インドロキナゾリンジオン前駆体の製造法。 4、一般式( I )で表わされるアルキレンビストリメ
    リテート二無水物を酸無水物全量に対して50〜99モ
    ル%使用する請求項1乃至3記載のポリイミドイソイン
    ドロキナゾリンジオン前駆体の製造法。 5、分子中に反応性不飽和基及び芳香族環を有するジア
    ミンが一般式(V) ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、式中、Xは−C−O−又は−CH_2−O−
    を示し、R_2はエチレン性不飽和基を含む有機基を示
    す)で表わされるジアミンである請求項1乃至3のいず
    れかに記載のポリイミドイソインドロキナゾリンジオン
    前駆体の製造法。 6、請求項1記載の少なくとも一つのアミノ基に対して
    オルト位に少なくとも一つの置換基を有する芳香族ジア
    ミンが一般式(VI) ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、式中R_3、R_4、R_5及びR_6はそ
    れぞれ独立に水素、アルキル基、フッ素置換アルキル基
    、アルコキシ基又はハロゲンを示し、R_3、R_4、
    R_5及びR_6のうち少なくとも一つは水素▲数式、
    化学式、表等があります▼ 以外の基であり、X′は−CH_2−、−C−、▲数式
    、化学式、表等があります▼−SO_2−若しくは −S−又は結合を示す) で示されるジアミンである請求項1乃至5のいずれかに
    記載のポリイミドイソインドロキナゾリンジオン前駆体
    の製造法。 7、ジアミン及びジアミノアミド化合物の総量に対して
    少なくとも一つのアミノ基に対してオルト位に少なくと
    も一つの置換基を有する芳香族ジアミンを0.5〜50
    モル%並びに他のジアミン及びジアミノアミド化合物を
    併せて99.5〜50モル%使用し、酸二無水物と他の
    ジアミン及びジアミノアミド化合物を反応させた後、上
    記芳香族ジアミンを添加して反応させ、さらにこの後、
    酸三無水物を添加して反応させる請求項1乃至4のいず
    れかに記載のポリイミドイソインドロキナゾリンジオン
    前駆体の製造法。 8、ジアミンとしてジアミノシロキサンをジアミノアミ
    ド化合物及びジアミンの総量に対して0.2〜10モル
    %使用する請求項1乃至7のいずれかに記載のポリイミ
    ドイソインドロキナゾリンジオン前駆動体の製造法。 9、請求項1乃至8のいずれかに記載の方法によつて、
    ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン前駆体を製造
    した後、該前駆体を脱水閉環させることを特徴とするポ
    リイミドイソインドロキナゾリンジオンの製造法。 10、ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン前駆体
    を成膜した後脱水閉環させる請求項9に記載のポリイミ
    ドイソインドロキナゾリンジオンの製造法。
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