JPH11145208A

JPH11145208A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH11145208A
Application number: JP31211797A
Authority: JP
Inventors: Toyoo Kobayashi; 豊雄小林
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1997-11-13
Filing date: 1997-11-13
Publication date: 1999-05-28

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体チップをパッケージングした半導体装置
において外部との入出力端子部を接続リードの曲げ加工
部を使用する、もしくは別部材を付加して構成すること
は煩雑、コスト高、端子位置精度が低い等の課題が有
り、高密度半導体装置において外部端子部のより良き構
成が必要となる。【解決手段】半導体チップとのテープ接合金属リードに
半導体チップの平面サイズより内側部、能動面上面部に
能動面方向と反対向きに延びる突起部を構成し、表面処
理皮膜を適正に選択した上で、この金属リードの突起部
を半導体装置の外部入・出力端子として適用する。【効果】半導体装置の小型化、低コスト化、外部入出力
端子位置精度の向上が達成され、高品質のチップサイズ
半導体装置に貢献するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チップサイズ半導
体装置に係わり、半導体パッケージの外部回路と接続す
る入・出力端子部分をリードと別部材にて構成すること
もなく、もしくは接続リードに煩雑な加工を付加するこ
となく、半導体チップとの接合リードに形成された突起
部分にて半導体装置の外部接続入出力端子を構成させた
半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のチップサイズ半導体パッケージ
は、半導体チップの入・出力電極パッドとテープの金属
接続リードとを電気的結合接続後、この金属接続リード
の一部を構成するリードの曲げ加工部、もしくはこの金
属接続リードにハンダボール又は別部材を付加してチッ
プサイズ半導体パッケージとしての外部入・出力端子部
を構成していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】前述の従来技術を図１
に示す。図１に示す半導体装置は、１は半導体チップ、
２は半導体チップの入・出力接続パッド、３はテープの
金属接続リード、４はチップサイズ半導体パッケージの
入・出力端子部であり、テープの金属接続リードと別部
材のハンダボール等の供給・溶融にて構成したものであ
る。

【０００４】図１の５は、半導体パッケージの従来の別
の入・出力端子部であり、テープの金属接続リードの一
部に部分的曲げ加工等を施すことにより半導体パッケー
ジの外部入・出力端子部として構成したものである。

【０００５】近年の半導体装置の小型・薄型化、チップ
サイズ化に伴い、パッケージとしての半導体装置の外部
入・出力端子部として接続テープにおける金属リードの
曲げ等の煩雑かつ特殊加工の付加、あるいは別部材のリ
ードへの付加にては量産性に劣ると共に、コスト高とな
り、加えてパッケージとしての外部入・出力端子部の位
置精度も劣るものであった。

【０００６】そこで本発明は、この様な問題点を解決す
るもので、その目的とするところは半導体パッケージと
しての外部入出力端子部を別部材で構成する、もしくは
接続リードに煩雑な特殊加工をすることなく、又端子位
置精度も良好に確保することにより、高密度・チップサ
イズのパッケージとして品質精度の高い、コストの低い
製品を提供するところにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
請求項１に記載のごとく、パッドを有する半導体チップ
と、一方に前記半導体チップの前記パッドと接続される
部位を有すると共に他方に外部との接続に用いられる部
位を有するリードと、を有する半導体装置であって、前
記リードは、前記半導体チップの領域内に位置するとと
もに、前記他方の部位が前記一方の部位よりも前記半導
体チップの中央領域側に位置し、前記リードの前記他方
の部位における前記半導体チップの配設方向とは相対向
する方向には突起部が一体形成されてなることを特徴と
する。

【０００８】半導体パッケージとしての外部入出力端子
部分を従来の様に接続リードと別部材で構成もしくは接
続リードに曲げ等の煩雑な追加工をすることなく、半導
体チップとの接続リードに半導体チップの平面サイズよ
り内側部分に、かつ半導体チップの能動面と反対向きに
延びる突起部分をエッチング・適正表面処理等で構成
し、この接続リードの突起部分を半導体パッケージの外
部入出力端子部として構成することにより、コンパクト
で低コストな半導体装置が提供できるとともに、突起
部、すなわち外部入出力用に利用される端子の位置精度
が極めて高い半導体装置を得ることを可能にした。

【０００９】また、請求項２に記載の如く、請求項１記
載の半導体装置において、前記突起部が複数形成された
リードと、前記突起部が単数形成されたリードと、が混
在させることや、請求項３に記載の如く、前記突起部を
有さないリードを更に有することも可能である。

【００１０】また、請求項４に記載の如く、請求項１記
載の半導体装置において、前記突起部の先端表面部は３
０μｍ□サイズ以上の平面積を有することが好ましい。

【００１１】また、請求項５に記載の如く、請求項１乃
至４記載の半導体装置において、前記突起部の先端表面
部は四角形状にすることや、請求項６に記載の如く、多
角形状や、請求項７に記載の如く、円形状にすることが
可能である。

【００１２】また、請求項８に記載の如く、請求項１乃
至７記載の半導体装置において、前記突起部の高さは突
起形成リードの面より５μｍ以上有ることを特徴とす
る。

【００１３】また、請求項９に記載の如く、請求項１乃
至７記載の半導体装置において、前記突起部の先端表面
部には０．３μｍ以上のメッキが形成されていることを
特徴とする。

【００１４】また、請求項１０に記載の如く、請求項９
記載の半導体装置において、前記突起部の先端表面部に
は複数のメッキ層が形成されていることを特徴とする。

【００１５】また、請求項１１に記載の如く、請求項９
において、前記メッキ層の更に上には、溶融可能な部材
を５μｍ以上の高さで付加されてなることを特徴とす
る。

【００１６】また、請求項１２に記載の如く、請求項１
１記載の半導体装置において、前記溶融可能な部材は、
はんだであることを特徴とする。

【００１７】また、請求項１３に記載の如く、請求項１
の半導体装置において、前記リードの一方の部位の延長
上にはテープフィルムが位置し、前記リードが前記テー
プ上に配置されているとともに、前記他方の部位の先端
部は自由端に形成されていることを特徴とする。

【００１８】また、請求項１４に記載の如く、請求項１
記載の半導体装置において、前記リードの一方の部位及
び前記他方の部位の延長上にはテープフィルムが位置
し、前記リードの両側がが前記テープ上に配置されてい
ることを特徴とする。

【００１９】また、請求項１５に記載の如く、請求項１
記載の半導体装置において、前記リードの一方の部位の
延長上にはテープフィルムが位置するとともに、前記テ
ープフィルムにはフィルムホールが形成され、前記フィ
ルムホール内にすべての前記リードが位置されてなるこ
とを特徴とする。

【００２０】また、請求項１６に記載の如く、請求項１
５記載の半導体装置において、前記フィルムホールは複
数に分割されて形成されてなることを特徴とする。

【００２１】また、請求項１７に記載の如く、請求項１
記載の半導体装置において、ベースとなるテープフィル
ムが設けられるとともに、前記ベースフィルム上に位置
する前記リードに前記突起部が形成されてなることを特
徴とする。

【００２２】また、請求項１８に記載の如く、請求項１
記載の半導体装置において、前記リードにおける前記突
起部を除く領域に樹脂皮膜が覆われていることを特徴と
する。

【００２３】また、請求項１９に記載の如く、請求項１
記載の半導体装置において、前記リードの突起部は前記
半導体チップの中心から平面サイズの１／２内の上面エ
リア部に配置構成されていることを特徴とする。

【００２４】また、請求項２０に記載の如く、請求項１
記載の半導体装置において、前記テープフィルムは、フ
ープ状からなることを特徴とする。

【００２５】

【発明の実施の形態】図２は本発明の実施例である。６
は半導体チップ、７は接続リード、８は接続リードの突
起部すなわちパッケージの外部入出力端子部、９は封止
材、１０は半導体チップの入出力電極パッド、１１は樹
脂皮膜である。

【００２６】図に示す様に、半導体チツプの電極パッド
との接合リードにチップの平面サイズより内側部に、チ
ップの能動面と反対向きに延びる突起部を構成し、この
突起部は平面積３０μｍ□サイズ以上、突起部の高さ５
μｍ以上、突起部分以外のリード部は樹脂皮膜で覆われ
ている。この接続リードの突起部分が封止処理等の後、
半導体パッケージの外部入出力端子として構成されてい
る。接続リード・突起部分の表面処理として適正なメッ
キ皮膜等が形成されている。

【００２７】図３は本発明の別の実施例である。１７は
半導体チップ、１２は接続リード、１３は接続リードの
突起部、１４は接続リードの別の突起部、１５は封止
材、１６は半導体チップの入出力電極パッド、１７は樹
脂皮膜である。

【００２８】図に示す通り、半導体チップパッドとの接
合リードにチツプ平面サイズより内側に、かつ半導体チ
ップの能動面と反対向きに延びる突起部が１リード当た
り２個以上構成されているリードがあり、この突起部分
が封止等処理後の半導体パッケージの外部入出力端子部
として使用される。２個の突起部の内、１個は接続目的
とは別に接合時の平面的位置出し用としての目的にも使
用可能である。

【００２９】本例のように同電位の突起部分を複数形成
することにより外部アセンブルの多様性、及び突起先端
部分の平面精度確保が容易に可能になる。

【００３０】図４は本発明の別の実施例である。２３は
半導体チップ、２４は接続リード、１９は接続リードの
突起部すなわち半導体パッケージの外部入出力端子部、
２０は接続リードの表面皮膜等を加熱後突起の高さを大
にした部分、２１は封止材部、２２は半導体チップの入
出力電極パッド、２５は樹脂皮膜である。

【００３１】図に示す通り、前例と同様に半導体チップ
パッドとの接合リードにチップ平面サイズより内側部に
かつチップの能動面と反対向きに延びる突起部を構成
し、この突起部分が封止後の半導体パッケージの外部入
出力端子として構成されている。

【００３２】接続リードの表面はＡｕ、Ｓｎ、ハンダ等
の表面処理が形成されるが、本実施例において低温溶融
が可能なＳｎ、ハンダ等の皮膜が形成され、予備加熱が
施されてリードの突起部の高さが表面皮膜を形成した時
のものより高く、より外部接合が容易になるように構成
されている。

【００３３】上記の突起部分の表面処理については、デ
ィツピング等によりリードの突起部に更に高さの突起部
を形成することも可能である。

【００３４】以上により、半導体チップのチップサイズ
パッケージにて外部入出力端子部を別部材で構成するこ
となく、又金属接続リードの煩雑な付加加工をせずに接
続リードの突起部を半導体パッケージの外部接続をする
外部入・出力端子とすることにより、量産性の高い、低
コストな又、外部端子位置精度の優れた高密度の半導体
装置の達成が可能である。

【００３５】

【発明の効果】以上述べた様に、本発明によれば半導体
チップの入出力電極パッドと接合するテープの金属接合
リードに前述の様な突起部を形成し、これを半導体パッ
ケージの外部入・出力端子として構成・使用することに
より、又前述の多種に活用することにより、従来の様な
別部材のの必要性はなく、又、煩雑な金属リード等の付
加加工等もなく、コンパクトであり、低コストな、又、
外部接続端子位置精度の高い半導体装置を得ることが可
能になるという効果を有する。テープの接続金属リード
の表面処理も前述例の如く多様に選択適用することによ
り半導体装置の外部アセンブルに幅広く対応することが
可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のチップサイズ半導体装置の接続リードと
外部入・出力端子部の構造を示す図。

【図２】本発明の実施例を示す図であり、半導体チップ
とのテープ接続金属リード部分に半導体チップの能動面
の上面に、この能動面方向と反対向きに突起部を有し、
この金属リード突起部分を半導体装置の外部入・出力端
子としたことを示す図。金属リード部は部分的に樹脂皮
膜がコーティングされている。

【図３】本発明の別の実施例を示す図であり、半導体チ
ップとのテープ接続金属リード部分に半導体チップの能
動面と反対方向に１リードあたり突起部を２個以上有
し、突起部以外の金属リード部は部分的に樹脂皮膜コー
トされ、外部入・出力端子として構成されたことを示す
図。

【図４】本発明の別の実施例を示す図であり、半導体チ
ップとのテープ接続金属リード部分に半導体チップの能
動面と反対方向に突起を有し、このリードの表面処理膜
等を加熱等の処理にて金属突起部分の高さを大にして半
導体装置の外部入・出力端子として活用したことを示す
図。

【符合の説明】

１、６、１７、２３半導体チップ２、１０、１６、２２半導体チップの入出力電極パッ
ド３、７、１２、２４テープ接続金属リード４従来の半導体装置の入出力端子部５従来の曲げ等で加工した半導体装置の入出力端子部８、１３、１４、１９テープの接続金属リードの突起
部２０表面皮膜の高さを大にした金属リードの突起部９、１５、２１封止材部１１、１８、２５樹脂皮膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パッドを有する半導体チップと、一方に前
記半導体チップの前記パッドと接続される部位を有する
と共に他方に外部との接続に用いられる部位を有するリ
ードと、を有する半導体装置であって、前記リードは、
前記半導体チップの領域内に位置するとともに、前記他
方の部位が前記一方の部位よりも前記半導体チップの中
央領域側に位置し、前記リードの前記他方の部位におけ
る前記半導体チップの配設方向とは相対向する方向には
突起部が一体形成されてなることを特徴とする半導体装
置。
【請求項２】請求項１記載の半導体装置において、前記
突起部が複数形成されたリードと、前記突起部が単数形
成されたリードと、が混在してなることを特徴とする半
導体装置。
【請求項３】請求項１記載の半導体装置において、前記
突起部を有さないリードを更に有してなることを特徴と
する半導体装置。
【請求項４】請求項１記載の半導体装置において、前記
突起部の先端表面部は３０μｍ□サイズ以上の平面積を
有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】請求項１乃至請求項４記載の半導体装置に
おいて、前記突起部の先端表面部は四角形状からなるこ
とを特徴とする半導体装置。
【請求項６】請求項１乃至請求項４記載の半導体装置に
おいて、前記突起部の先端表面部は多角形状からなるこ
とを特徴とする半導体装置。
【請求項７】請求項１乃至請求項４記載の半導体装置に
おいて、前記突起部の先端表面部は円形状からなること
を特徴とする半導体装置。
【請求項８】請求項１乃至請求項７記載の半導体装置に
おいて、前記突起部の高さは突起形成リードの面より５
μｍ以上有ることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】請求項１乃至請求項７記載の半導体装置に
おいて、前記突起部の先端表面部には０．３μｍ以上の
メッキが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】請求項９記載の半導体装置において、前
記突起部の先端表面部には複数のメッキ層が形成されて
いることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】請求項９記載の半導体装置において、前
記メッキ層の更に上には、溶融可能な部材を５μｍ以上
の高さで付加されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】請求項１１記載の半導体装置において、
前記溶融可能な部材は、はんだであることを特徴とする
半導体装置。
【請求項１３】請求項１記載の半導体装置において、前
記リードの一方の部位の延長上にはテープフィルムが位
置し、前記リードが前記テープ上に配置されているとと
もに、前記他方の部位の先端部は自由端に形成されてい
ることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】請求項１記載の半導体装置において、前
記リードの一方の部位及び前記他方の部位の延長上には
テープフィルムが位置し、前記リードの両側がが前記テ
ープ上に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】請求項１記載の半導体装置において、前
記リードの一方の部位の延長上にはテープフィルムが位
置するとともに、前記テープフィルムにはフィルムホー
ルが形成され、前記フィルムホール内にすべての前記リ
ードが位置されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】請求項１５記載の半導体装置において、
前記フィルムホールは複数に分割されて形成されてなる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】請求項１記載の半導体装置において、ベ
ースとなるテープフィルムが設けられるとともに、前記
ベースフィルム上に位置する前記リードに前記突起部が
形成されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】請求項１記載の半導体装置において、前
記リードにおける前記突起部を除く領域に樹脂皮膜が覆
われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】請求項１記載の半導体装置において、前
記リードの突起部は前記半導体チップの中心から平面サ
イズの１／２内の上面エリア部に配置構成されているこ
とを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】請求項１記載の半導体装置において、前
記テープフィルムは、フープ状からなることを特徴とす
る半導体装置。