JPH11145187A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法Info
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- JPH11145187A JPH11145187A JP9303826A JP30382697A JPH11145187A JP H11145187 A JPH11145187 A JP H11145187A JP 9303826 A JP9303826 A JP 9303826A JP 30382697 A JP30382697 A JP 30382697A JP H11145187 A JPH11145187 A JP H11145187A
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- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 工程数を削減し外形形状を縮小可能とした半
導体装置および半導体装置の製造方法を得る。 【解決手段】 ベースフィルム３の内側にデバイスホー
ル５を備え、このデバイスホールの周辺部上の片面に少
なくとも２つの電極パッド１２と金属配線１７を備え、
デバイスホール５内に半導体チップ８を固定し支持させ
る。半導体チップ８と電極パッド１２とを金属配線１７
により電気的に接続し、電極パッド１２上に導電性材料
からなるボール状のバンプ６を形成し、ベースフィルム
３上に導電性材料からなる枠型補強板２を備える。本構
造により、任意の電極パッド部のベースフィルム上にス
ルーホール１５を設け、導電性接着剤１３により、枠型
補強板２をベースフィルム３上に機械的に固定し、枠型
補強板２と電極パッド１２とをスルーホール１５を介し
て電気的に接続する。
導体装置および半導体装置の製造方法を得る。 【解決手段】 ベースフィルム３の内側にデバイスホー
ル５を備え、このデバイスホールの周辺部上の片面に少
なくとも２つの電極パッド１２と金属配線１７を備え、
デバイスホール５内に半導体チップ８を固定し支持させ
る。半導体チップ８と電極パッド１２とを金属配線１７
により電気的に接続し、電極パッド１２上に導電性材料
からなるボール状のバンプ６を形成し、ベースフィルム
３上に導電性材料からなる枠型補強板２を備える。本構
造により、任意の電極パッド部のベースフィルム上にス
ルーホール１５を設け、導電性接着剤１３により、枠型
補強板２をベースフィルム３上に機械的に固定し、枠型
補強板２と電極パッド１２とをスルーホール１５を介し
て電気的に接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルムキャリア
テープ上に半導体チップを搭載してなる半導体装置およ
び半導体装置の製造方法に関し、特に、フィルムキャリ
アテープに枠型補強板を装着した半導体装置および半導
体装置の製造方法に関する。
テープ上に半導体チップを搭載してなる半導体装置およ
び半導体装置の製造方法に関し、特に、フィルムキャリ
アテープに枠型補強板を装着した半導体装置および半導
体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置は一般に、３層１メタ
ル技術で製造される。本構成の半導体装置を、片面配線
のフィルムキャリアテープを用い、かつフィルムキャリ
アテープ上に機械的に固定した枠型補強板を所定の電位
とした、ＴＢＧＡ（ＴａｐｅＢａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒ
ｒａｙ）型半導体装置を例として説明する。
ル技術で製造される。本構成の半導体装置を、片面配線
のフィルムキャリアテープを用い、かつフィルムキャリ
アテープ上に機械的に固定した枠型補強板を所定の電位
とした、ＴＢＧＡ（ＴａｐｅＢａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒ
ｒａｙ）型半導体装置を例として説明する。
【０００３】従来例１として特願平６−２３６９８５号
公報の明細書に記載されたものがある。ここで、フィル
ムキャリアテープのベースフィルムは、その厚さが１０
０μｍ前後のために機械的強度が不足し、基板として反
りやうねりが生じ易く、ＢＧＡパッケージの特徴である
実装の容易性を損なう。このために、機械的強度補強を
目的として補強板を貼り付けることが必要となる。
公報の明細書に記載されたものがある。ここで、フィル
ムキャリアテープのベースフィルムは、その厚さが１０
０μｍ前後のために機械的強度が不足し、基板として反
りやうねりが生じ易く、ＢＧＡパッケージの特徴である
実装の容易性を損なう。このために、機械的強度補強を
目的として補強板を貼り付けることが必要となる。
【０００４】上記従来例１の明細書に記載された半導体
装置を図を参照して説明する。図７（ａ）に図示された
ベースフィルム３は、ポリイミド樹脂等の非導電性材料
によって形成され、半導体チップ７を搭載するデバイス
ホール５とスルーホール１５を備えている。このベース
フィルム３の一表面（図では上側に向けられた面）に
は、ベースフィルム３の周辺部からデバイスホール５内
まで延在するインナーリード１７が形成されており、イ
ンナーリード１７のベースフィルム側の終端部にはスル
ーホール１５上に電極パッド１２が設けられている。こ
の電極パッド１２の上面以外のベースフィルム３上の領
域は、ソルダーレジスト４によって被覆されている。さ
らにインナーリード１７のデバイスホール５側終端部
は、半導体チップ８上のチップ電極２２にボンディング
によって電気的に接続されている。
装置を図を参照して説明する。図７（ａ）に図示された
ベースフィルム３は、ポリイミド樹脂等の非導電性材料
によって形成され、半導体チップ７を搭載するデバイス
ホール５とスルーホール１５を備えている。このベース
フィルム３の一表面（図では上側に向けられた面）に
は、ベースフィルム３の周辺部からデバイスホール５内
まで延在するインナーリード１７が形成されており、イ
ンナーリード１７のベースフィルム側の終端部にはスル
ーホール１５上に電極パッド１２が設けられている。こ
の電極パッド１２の上面以外のベースフィルム３上の領
域は、ソルダーレジスト４によって被覆されている。さ
らにインナーリード１７のデバイスホール５側終端部
は、半導体チップ８上のチップ電極２２にボンディング
によって電気的に接続されている。
【０００５】次に、図７（ｂ）、（ｃ）に示すように、
デバイスホール５内の半導体チップ８は封止樹脂７によ
って封止される。ソルダーレジスト４に覆われていない
電極パッド１２には、半田等の導電性材料によりボール
状の第１のバンプ６が形成され、これら第１のバンプ６
は外部接続電極部材として用いられる。
デバイスホール５内の半導体チップ８は封止樹脂７によ
って封止される。ソルダーレジスト４に覆われていない
電極パッド１２には、半田等の導電性材料によりボール
状の第１のバンプ６が形成され、これら第１のバンプ６
は外部接続電極部材として用いられる。
【０００６】さらにこの従来例では、図７（ｄ）に示す
ように、ベースフィルム３のデバイスホール以外の部分
をカバーできるサイズの、銅等の導電性材料を用いた枠
型補強板２５を用い、この枠型補強板２５の一表面（図
では上側に向けられた面）上に、ベースフィルム３のス
ルーホール１５に対応した任意の位置を除いてソルダー
レジスト２４を被覆する。ソルダーレジスト２４が被覆
されない部分には、ベースフィルム３の場合と同様に第
二のバンプ２３が形成される。
ように、ベースフィルム３のデバイスホール以外の部分
をカバーできるサイズの、銅等の導電性材料を用いた枠
型補強板２５を用い、この枠型補強板２５の一表面（図
では上側に向けられた面）上に、ベースフィルム３のス
ルーホール１５に対応した任意の位置を除いてソルダー
レジスト２４を被覆する。ソルダーレジスト２４が被覆
されない部分には、ベースフィルム３の場合と同様に第
二のバンプ２３が形成される。
【０００７】次に７図（ｅ）に示すように、上記した第
２のバンプ２３付の枠型補強板２５と、図７（ｃ）に示
すスルーホール１５を有するベースフィルム３は、第２
のバンプ２３とスルーホール１５が互いに向かい合うよ
うに反転される。この状態で第２のバンプ２３を軟化さ
せることでスルーホール１５内に流し込み、任意の電極
パッド１２と枠型補強板２５を電気的に接続し所定の電
位を与え、ベースフィルム３を機械的に固定する。
２のバンプ２３付の枠型補強板２５と、図７（ｃ）に示
すスルーホール１５を有するベースフィルム３は、第２
のバンプ２３とスルーホール１５が互いに向かい合うよ
うに反転される。この状態で第２のバンプ２３を軟化さ
せることでスルーホール１５内に流し込み、任意の電極
パッド１２と枠型補強板２５を電気的に接続し所定の電
位を与え、ベースフィルム３を機械的に固定する。
【０００８】さらに、従来例１の変化例または応用例と
して、図８を参照して放熱機能を備えた構造の形態を説
明する。図８（ａ）に示すように、放熱板２６は中央部
に開口を有していない点で図７（ｄ）の枠型補強板２５
と異なっている。この関係で放熱板２６の中央部に高熱
伝導性接着剤９が塗布されており、中央部の周辺は図７
（ｄ）の枠型補強板２同様の構造となっている。放熱板
２６は図８（ｂ）に示すように、第２のバンプ２３を下
向きにし、半導体チップ８及びスルーホール１５を有す
るベースフィルム３上に搭載される。従って第２のバン
プ２３は、ベースフィルム３のスルーホール１５と対向
するように位置づけられ、他方、中央の高熱伝導性接着
剤９は半導体チップ８の裏面に接触する。この状態で、
第２のバンプ２３及び高熱伝導性接着剤９が軟化、溶融
されると、第２のバンプ２３はスルーホール１５を介し
て電極パッド１２と電気的に接続される。他方、放熱板
２６は高熱伝導性接着剤９を介して半導体チップ８の裏
面に機械的に固定される。
して、図８を参照して放熱機能を備えた構造の形態を説
明する。図８（ａ）に示すように、放熱板２６は中央部
に開口を有していない点で図７（ｄ）の枠型補強板２５
と異なっている。この関係で放熱板２６の中央部に高熱
伝導性接着剤９が塗布されており、中央部の周辺は図７
（ｄ）の枠型補強板２同様の構造となっている。放熱板
２６は図８（ｂ）に示すように、第２のバンプ２３を下
向きにし、半導体チップ８及びスルーホール１５を有す
るベースフィルム３上に搭載される。従って第２のバン
プ２３は、ベースフィルム３のスルーホール１５と対向
するように位置づけられ、他方、中央の高熱伝導性接着
剤９は半導体チップ８の裏面に接触する。この状態で、
第２のバンプ２３及び高熱伝導性接着剤９が軟化、溶融
されると、第２のバンプ２３はスルーホール１５を介し
て電極パッド１２と電気的に接続される。他方、放熱板
２６は高熱伝導性接着剤９を介して半導体チップ８の裏
面に機械的に固定される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記半
導体装置を製造する過程において、枠型補強板２５をベ
ースフィルム３に搭載する際、枠型補強板２５（または
放熱板２６）に設けられた第２の半田バンプ２３とベー
スフィルム３に設けられたスルーホール１５の位置を互
いに合わせなければならない。このため、枠型補強板２
５の搭載時に位置あわせ機能を持った装置を用いなけれ
ばならない。また、枠型補強板２５（または放熱板２
６）にもソルダーレジスト２４を塗布し、予め第２の半
田ボール２３を搭載しなければならない。このため、枠
型補強板２５の加工にコストと時間がかかる。さらに、
枠型補強板２５（または放熱板２６）とベースフィルム
３を第２の半田バンプ２３を介して接続している。この
ため、パッケージ全体の厚みが増す問題を伴う。
導体装置を製造する過程において、枠型補強板２５をベ
ースフィルム３に搭載する際、枠型補強板２５（または
放熱板２６）に設けられた第２の半田バンプ２３とベー
スフィルム３に設けられたスルーホール１５の位置を互
いに合わせなければならない。このため、枠型補強板２
５の搭載時に位置あわせ機能を持った装置を用いなけれ
ばならない。また、枠型補強板２５（または放熱板２
６）にもソルダーレジスト２４を塗布し、予め第２の半
田ボール２３を搭載しなければならない。このため、枠
型補強板２５の加工にコストと時間がかかる。さらに、
枠型補強板２５（または放熱板２６）とベースフィルム
３を第２の半田バンプ２３を介して接続している。この
ため、パッケージ全体の厚みが増す問題を伴う。
【００１０】本発明は、工程数を削減し外形形状を縮小
可能とした半導体装置および半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
可能とした半導体装置および半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、本発明の半導体装置は、内側にデバイスホール
（５）を備えこのデバイスホールの周辺部上の片面に少
なくとも２つの電極パッド（１２）と金属配線（１７）
を有するベースフィルム（３）と、デバイスホール
（５）内に固定し支持された半導体チップ（８）と、こ
の半導体チップ（８）と電極パッド（１２）とを電気的
に接続する金属配線（１７）と、電極パッド（１２）上
に形成された導電性材料からなるボール状のバンプ
（６）と、ベースフィルム（３）上に機械的に固定され
た導電性材料からなる枠型補強板（２）とを備え、任意
の電極パッド部のベースフィルム上にスルーホール（１
５）を設け、枠型補強板（２）をベースフィルム（３）
上に機械的に固定し、枠型補強板（２）と電極パッド
（１２）とをスルーホール（１５）を介して電気的に接
続したことを特徴としている。
め、本発明の半導体装置は、内側にデバイスホール
（５）を備えこのデバイスホールの周辺部上の片面に少
なくとも２つの電極パッド（１２）と金属配線（１７）
を有するベースフィルム（３）と、デバイスホール
（５）内に固定し支持された半導体チップ（８）と、こ
の半導体チップ（８）と電極パッド（１２）とを電気的
に接続する金属配線（１７）と、電極パッド（１２）上
に形成された導電性材料からなるボール状のバンプ
（６）と、ベースフィルム（３）上に機械的に固定され
た導電性材料からなる枠型補強板（２）とを備え、任意
の電極パッド部のベースフィルム上にスルーホール（１
５）を設け、枠型補強板（２）をベースフィルム（３）
上に機械的に固定し、枠型補強板（２）と電極パッド
（１２）とをスルーホール（１５）を介して電気的に接
続したことを特徴としている。
【００１２】また、上記のベースフィルム（３）上への
枠型補強板（２）の機械的な固定、およびスルーホール
（１５）を介しての枠型補強板（２）と電極パッド（１
２）との電気的な接続は、所定の導電性接着剤（１３）
によるとよい。
枠型補強板（２）の機械的な固定、およびスルーホール
（１５）を介しての枠型補強板（２）と電極パッド（１
２）との電気的な接続は、所定の導電性接着剤（１３）
によるとよい。
【００１３】さらに、上記の半導体装置は、ベースフィ
ルム（３）上の任意の金属配線（１７）をデバイスホー
ル内又はベースフィルム外周部又はベースフィルム上の
任意の位置のスルーホール内に突出させた突出部（１７
１）を形成し、この突出部（１７１）と枠型補強（２）
とを電気的に接続するとよい。
ルム（３）上の任意の金属配線（１７）をデバイスホー
ル内又はベースフィルム外周部又はベースフィルム上の
任意の位置のスルーホール内に突出させた突出部（１７
１）を形成し、この突出部（１７１）と枠型補強（２）
とを電気的に接続するとよい。
【００１４】なお、上記のベースフィルム（３）上への
枠型補強板（２）の機械的な固定には所定の絶縁性接着
剤を用い、スルーホール（１５）を介しての枠型補強板
（２）と電極パッド（１２）との電気的な接続は、所定
の金属片を用いて絶縁性接着剤層を貫通させて行い、ベ
ースフィルム上の任意の金属配線と枠型補強板とをデバ
イスホール内又はベースフィルム外周部又はベースフィ
ルム上の任意の位置のスルーホール内に、他の導電性材
料を用いて電気的に接続するとよい。
枠型補強板（２）の機械的な固定には所定の絶縁性接着
剤を用い、スルーホール（１５）を介しての枠型補強板
（２）と電極パッド（１２）との電気的な接続は、所定
の金属片を用いて絶縁性接着剤層を貫通させて行い、ベ
ースフィルム上の任意の金属配線と枠型補強板とをデバ
イスホール内又はベースフィルム外周部又はベースフィ
ルム上の任意の位置のスルーホール内に、他の導電性材
料を用いて電気的に接続するとよい。
【００１５】さらに、上記の半導体装置は、放熱のため
の熱伝導性基板による放熱板を備え、この放熱板は枠型
補強板と電気的に接続され、この枠型補強板と放熱板と
を同一の電位とするとよい。
の熱伝導性基板による放熱板を備え、この放熱板は枠型
補強板と電気的に接続され、この枠型補強板と放熱板と
を同一の電位とするとよい。
【００１６】本発明の半導体装置の製造方法は、所定の
ベースフィルム（３）の内側にデバイスホール（５）を
備える工程と、このデバイスホールの周辺部上の片面に
少なくとも２つの電極パッド（１２）と金属配線（１
７）を備える工程と、デバイスホール（５）内に半導体
チップ（８）を固定し支持させる工程と、この半導体チ
ップ（８）と電極パッド（１２）とを金属配線（１７）
により電気的に接続する工程と、電極パッド（１２）上
に導電性材料からなるボール状のバンプ（６）を形成す
る工程と、ベースフィルム（３）上に導電性材料からな
る枠型補強板（２）を備え機械的に固定する工程とを有
し、任意の電極パッド部のベースフィルム上にスルーホ
ール（１５）を設け、枠型補強板（２）をベースフィル
ム（３）上に機械的に固定し、枠型補強板（２）と電極
パッド（１２）とをスルーホール（１５）を介して電気
的に接続したことを特徴としている。
ベースフィルム（３）の内側にデバイスホール（５）を
備える工程と、このデバイスホールの周辺部上の片面に
少なくとも２つの電極パッド（１２）と金属配線（１
７）を備える工程と、デバイスホール（５）内に半導体
チップ（８）を固定し支持させる工程と、この半導体チ
ップ（８）と電極パッド（１２）とを金属配線（１７）
により電気的に接続する工程と、電極パッド（１２）上
に導電性材料からなるボール状のバンプ（６）を形成す
る工程と、ベースフィルム（３）上に導電性材料からな
る枠型補強板（２）を備え機械的に固定する工程とを有
し、任意の電極パッド部のベースフィルム上にスルーホ
ール（１５）を設け、枠型補強板（２）をベースフィル
ム（３）上に機械的に固定し、枠型補強板（２）と電極
パッド（１２）とをスルーホール（１５）を介して電気
的に接続したことを特徴としている。
【００１７】また、上記のベースフィルム（３）上への
枠型補強板（２）の機械的な固定、およびスルーホール
（１５）を介しての枠型補強板（２）と電極パッド（１
２）との電気的な接続は、所定の導電性接着剤（１３）
によるとよい。
枠型補強板（２）の機械的な固定、およびスルーホール
（１５）を介しての枠型補強板（２）と電極パッド（１
２）との電気的な接続は、所定の導電性接着剤（１３）
によるとよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よる半導体装置および半導体装置の製造方法の実施の形
態を詳細に説明する。図１〜図６を参照すると本発明の
半導体装置および半導体装置の製造方法の一実施形態が
示されている。
よる半導体装置および半導体装置の製造方法の実施の形
態を詳細に説明する。図１〜図６を参照すると本発明の
半導体装置および半導体装置の製造方法の一実施形態が
示されている。
【００１９】＜第１の実施形態＞図１（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）、及び（ｅ）を参照して、本発明の第１
の実施形態に係る半導体装置および半導体装置の製造方
法及びその製造方法を説明する。図１に示した半導体装
置は、枠型補強板２、ベースフィルム３、ソルダーレジ
スト４、デバイスホール５、バンプ６、封止樹脂７、半
導体チップ８、電極パッド１２、導電性接着剤１３、ス
ルーホール１５、インナーリード（または金属配線）１
７等を有して構成される。
（ｃ）、（ｄ）、及び（ｅ）を参照して、本発明の第１
の実施形態に係る半導体装置および半導体装置の製造方
法及びその製造方法を説明する。図１に示した半導体装
置は、枠型補強板２、ベースフィルム３、ソルダーレジ
スト４、デバイスホール５、バンプ６、封止樹脂７、半
導体チップ８、電極パッド１２、導電性接着剤１３、ス
ルーホール１５、インナーリード（または金属配線）１
７等を有して構成される。
【００２０】第１の実施形態に係る半導体装置の構成お
よび製造方法において、まず、図１（ａ）に示すよう
に、半導体チップ８及びベースフィルム３が用意され
る。図示されたベースフィルム３は、ポリイミド樹脂等
の非導電性材料によって形成され、図７と同様にデバイ
スホール５、及びこのデバイスホール５を囲み、カット
ホール（図示せず）によって区画された周辺部とを備え
る。この周辺部には、複数個のスルーホール１５が設け
られている。また、ベースフィルム３の一表面（図で
は、上側に向けられた面）には、ベースフィルム３の周
辺部から、デバイスホール５内まで延在するインナーリ
ード１７が形成されている。このインナーリード１７の
周辺部側の終端部には、スルーホール１５上に設けられ
た電極パッド１２が設けられている。またこの電極パッ
ド１２は、スルーホール１５上以外の予め決められた半
田バンプ搭載位置にも設けられている。電極パッド１２
の上部以外の周辺部領域は、カバーレジスト、即ち、ソ
ルダーレジスト４によって被覆されている。さらに、イ
ンナーリード１７のデバイスホール５側端部は、半導体
チップ８上のチップ電極２２にボンディングによって電
気的に接続されている。
よび製造方法において、まず、図１（ａ）に示すよう
に、半導体チップ８及びベースフィルム３が用意され
る。図示されたベースフィルム３は、ポリイミド樹脂等
の非導電性材料によって形成され、図７と同様にデバイ
スホール５、及びこのデバイスホール５を囲み、カット
ホール（図示せず）によって区画された周辺部とを備え
る。この周辺部には、複数個のスルーホール１５が設け
られている。また、ベースフィルム３の一表面（図で
は、上側に向けられた面）には、ベースフィルム３の周
辺部から、デバイスホール５内まで延在するインナーリ
ード１７が形成されている。このインナーリード１７の
周辺部側の終端部には、スルーホール１５上に設けられ
た電極パッド１２が設けられている。またこの電極パッ
ド１２は、スルーホール１５上以外の予め決められた半
田バンプ搭載位置にも設けられている。電極パッド１２
の上部以外の周辺部領域は、カバーレジスト、即ち、ソ
ルダーレジスト４によって被覆されている。さらに、イ
ンナーリード１７のデバイスホール５側端部は、半導体
チップ８上のチップ電極２２にボンディングによって電
気的に接続されている。
【００２１】次に図１（ｂ）に示されているように、デ
バイスホール５内の半導体チップ８は封止樹脂７によっ
て封止される。この状態では、電極パッド１２の部分が
ソルダーレジスト４によって覆われることは無く、外部
に露出している。さらにこの実施形態では、図１（ｃ）
に示されているように、パッケージを上下反転させ、ベ
ースフィルム３（図では、上側に向けられた面）に、例
えば銀ペースト、半田ペーストまたはＡＩペースト等の
導電性接着剤１３をスルーホール１５を埋め込みながら
塗布する。次に図１（ｄ）に示すように、ベースフィル
ム３の周辺部をカバーできるサイズの銅等の導電性金属
を用いた枠型補強板２が用意され、導電性接着剤１３を
介してベースフィルム３の周辺部を覆い、接着される。
最後に、図１（ｅ）に示すように、ソルダーレジスト４
によって覆われていない電極パッド１２上には半田等に
よりボール状のバンプ６が形成され、これらのバンプ６
は外部接続電極部材として使用される。
バイスホール５内の半導体チップ８は封止樹脂７によっ
て封止される。この状態では、電極パッド１２の部分が
ソルダーレジスト４によって覆われることは無く、外部
に露出している。さらにこの実施形態では、図１（ｃ）
に示されているように、パッケージを上下反転させ、ベ
ースフィルム３（図では、上側に向けられた面）に、例
えば銀ペースト、半田ペーストまたはＡＩペースト等の
導電性接着剤１３をスルーホール１５を埋め込みながら
塗布する。次に図１（ｄ）に示すように、ベースフィル
ム３の周辺部をカバーできるサイズの銅等の導電性金属
を用いた枠型補強板２が用意され、導電性接着剤１３を
介してベースフィルム３の周辺部を覆い、接着される。
最後に、図１（ｅ）に示すように、ソルダーレジスト４
によって覆われていない電極パッド１２上には半田等に
よりボール状のバンプ６が形成され、これらのバンプ６
は外部接続電極部材として使用される。
【００２２】＜第１の実施形態の変化例＞次に図２
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、及び（ｆ）
を参照して、本発明の第１の実施形態の半導体装置およ
び半導体装置の製造方法に係わる変化例（または応用
例）を説明する。本変化例は、第１の実施形態の半導体
装置に、さらに、放熱板を有する場合である。
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、及び（ｆ）
を参照して、本発明の第１の実施形態の半導体装置およ
び半導体装置の製造方法に係わる変化例（または応用
例）を説明する。本変化例は、第１の実施形態の半導体
装置に、さらに、放熱板を有する場合である。
【００２３】図２に示した半導体装置は、放熱板１、枠
型補強板２、ベースフィルム３、ソルダーレジスト４、
デバイスホール５、バンプ６、封止樹脂７、半導体チッ
プ８、高熱伝導性接着剤９、絶縁性接着剤１０、絶縁性
接着剤１１、電極パッド１２、導電性接着剤１３、導電
性接着剤１４、スルーホール１５、ベースフィルム開口
部１６、インナーリード（または金属配線）１７等を有
して構成される。
型補強板２、ベースフィルム３、ソルダーレジスト４、
デバイスホール５、バンプ６、封止樹脂７、半導体チッ
プ８、高熱伝導性接着剤９、絶縁性接着剤１０、絶縁性
接着剤１１、電極パッド１２、導電性接着剤１３、導電
性接着剤１４、スルーホール１５、ベースフィルム開口
部１６、インナーリード（または金属配線）１７等を有
して構成される。
【００２４】第１の実施形態に係る半導体装置および半
導体装置の製造方法の変化例において、まず、図２
（ａ）、（ｂ）に示されるように、半導体チップ８及び
インナーリード１７と電極パッド１２、スルーホール１
５を備えたベースフィルム３が用意される。インナーリ
ード１７のデバイスホール５側端部は、半導体チップ８
上のチップ電極２２にボンディングによって電気的に接
続される。デバイスホール５内の半導体チップ８は、封
止樹脂７によって封止される。これらのことは、第１の
実施形態の放熱板を有しない場合（図１（ａ），
（ｂ））と同様である。
導体装置の製造方法の変化例において、まず、図２
（ａ）、（ｂ）に示されるように、半導体チップ８及び
インナーリード１７と電極パッド１２、スルーホール１
５を備えたベースフィルム３が用意される。インナーリ
ード１７のデバイスホール５側端部は、半導体チップ８
上のチップ電極２２にボンディングによって電気的に接
続される。デバイスホール５内の半導体チップ８は、封
止樹脂７によって封止される。これらのことは、第１の
実施形態の放熱板を有しない場合（図１（ａ），
（ｂ））と同様である。
【００２５】次に図２（ｃ）に示すように、パッケージ
を上下反転させ、ベースフィルム３（図では、上側に向
けられた面）に導電性接着剤１３をスルーホール１５を
埋め込みながら塗布するのに加え、半導体チップ８上に
高熱伝導性接着剤９を塗布する。さらに図２（ｄ）に示
すように、予め枠型補強板２と放熱板１とを導電性接着
剤１４を用いて機械的に固定するとともに電気的に接合
する。これを図２（ｅ）に示すとおり、導電性接着剤１
３及び高熱伝導性接着剤９を介してベースフィルム３の
周辺部と半導体チップ８に接着し固定させる。最後に、
図２（ｆ）に示すように、ソルダーレジスト４によって
覆われていない電極パッド１２上には、半田等によりボ
ール状のバンプ６が形成され、これらのバンプ６は外部
接続電極部材として使用される。
を上下反転させ、ベースフィルム３（図では、上側に向
けられた面）に導電性接着剤１３をスルーホール１５を
埋め込みながら塗布するのに加え、半導体チップ８上に
高熱伝導性接着剤９を塗布する。さらに図２（ｄ）に示
すように、予め枠型補強板２と放熱板１とを導電性接着
剤１４を用いて機械的に固定するとともに電気的に接合
する。これを図２（ｅ）に示すとおり、導電性接着剤１
３及び高熱伝導性接着剤９を介してベースフィルム３の
周辺部と半導体チップ８に接着し固定させる。最後に、
図２（ｆ）に示すように、ソルダーレジスト４によって
覆われていない電極パッド１２上には、半田等によりボ
ール状のバンプ６が形成され、これらのバンプ６は外部
接続電極部材として使用される。
【００２６】＜第２の実施形態＞次に図３（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）を参照して、本発明の第２の実
施形態を説明する。図３（ａ）に示すように、半導体チ
ップ８及びインナーリード１７を備えたベースフィルム
３が用意され、インナーリード１７のデバイスホール５
の側端部は、半導体チップ８上のチップ電極２２にボン
ディングによって電気的に接続される。これらのこと
は、第１の実施形態と同様である。第２の実施形態で
は、ベースフィルム３上に設けたベースフィルム開口部
１６またはデバイスホール内またはベースフィルム外周
部に、半導体チップ８のチップ電極２２と接続させる以
外にリードを突出させる、つまり、突出リード（または
突出部）１７１を設ける点で、第１の実施形態とは異な
っている。
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）を参照して、本発明の第２の実
施形態を説明する。図３（ａ）に示すように、半導体チ
ップ８及びインナーリード１７を備えたベースフィルム
３が用意され、インナーリード１７のデバイスホール５
の側端部は、半導体チップ８上のチップ電極２２にボン
ディングによって電気的に接続される。これらのこと
は、第１の実施形態と同様である。第２の実施形態で
は、ベースフィルム３上に設けたベースフィルム開口部
１６またはデバイスホール内またはベースフィルム外周
部に、半導体チップ８のチップ電極２２と接続させる以
外にリードを突出させる、つまり、突出リード（または
突出部）１７１を設ける点で、第１の実施形態とは異な
っている。
【００２７】この突出リード１７１は、図３（ｂ）接合
部１８、１９、２０に示すとおり、枠型補強板２上に接
合される。このとき枠型補強板２は、導電性接着剤１３
（または絶縁性接着剤）を介して第１の実施形態と同様
な方法で予めベースフィルム３に接着、固定されてい
る。この後、図３（ｃ）、（ｄ）に示すように、半導体
チップ８を封止樹脂７で封止され、ソルダーレジスト４
によって覆われていない電極パッド１２上には半田等に
よりボール上のバンプ６が形成される。これらのバンプ
６を外部接続電極部材として使用する点は、第１の実施
形態と同様である。
部１８、１９、２０に示すとおり、枠型補強板２上に接
合される。このとき枠型補強板２は、導電性接着剤１３
（または絶縁性接着剤）を介して第１の実施形態と同様
な方法で予めベースフィルム３に接着、固定されてい
る。この後、図３（ｃ）、（ｄ）に示すように、半導体
チップ８を封止樹脂７で封止され、ソルダーレジスト４
によって覆われていない電極パッド１２上には半田等に
よりボール上のバンプ６が形成される。これらのバンプ
６を外部接続電極部材として使用する点は、第１の実施
形態と同様である。
【００２８】＜第２の実施形態の変化例＞次に図４
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、及び（ｆ）
を参照して、本発明の第２の実施形態の半導体装置およ
び半導体装置の製造方法に係わる変化例（または応用
例）を説明する。本変化例は、第２の実施形態の半導体
装置に、さらに、放熱板を有する場合である。
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、及び（ｆ）
を参照して、本発明の第２の実施形態の半導体装置およ
び半導体装置の製造方法に係わる変化例（または応用
例）を説明する。本変化例は、第２の実施形態の半導体
装置に、さらに、放熱板を有する場合である。
【００２９】図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すよう
に、半導体チップ８及びインナーリード１７を備えたベ
ースフィルム３が用意され、インナーリード１７のデバ
イスホール５側端部は、半導体チップ８上のチップ電極
２２にボンディングによって電気的に接続される。半導
体チップ８のチップ電極２２と接続させる以外にリード
を突出させて突出リード１７１を構成し、これを枠型補
強板２に接合させる。これらの点は、第２の実施形態の
放熱板を有しない場合（図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ））
と同様である。
に、半導体チップ８及びインナーリード１７を備えたベ
ースフィルム３が用意され、インナーリード１７のデバ
イスホール５側端部は、半導体チップ８上のチップ電極
２２にボンディングによって電気的に接続される。半導
体チップ８のチップ電極２２と接続させる以外にリード
を突出させて突出リード１７１を構成し、これを枠型補
強板２に接合させる。これらの点は、第２の実施形態の
放熱板を有しない場合（図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ））
と同様である。
【００３０】この後、図４（ｄ）のように、ベースフィ
ルム３上に導電性接着剤１４、半導体チップ８上に高熱
伝導性接着剤９を塗布する。またし、図４（ｅ）のよう
に、これらの接着剤を介して放熱板１を、ベースフィル
ム３の周辺部と半導体チップ８に接着し固定させる。最
後に、図４（ｆ）に示すように、ソルダーレジスト４に
よって覆われていない電極パッド１２上には、半田等に
よりボール状のバンプ６が形成され、これらのバンプ６
は外部接続電極部材として使用される。
ルム３上に導電性接着剤１４、半導体チップ８上に高熱
伝導性接着剤９を塗布する。またし、図４（ｅ）のよう
に、これらの接着剤を介して放熱板１を、ベースフィル
ム３の周辺部と半導体チップ８に接着し固定させる。最
後に、図４（ｆ）に示すように、ソルダーレジスト４に
よって覆われていない電極パッド１２上には、半田等に
よりボール状のバンプ６が形成され、これらのバンプ６
は外部接続電極部材として使用される。
【００３１】＜第３の実施形態＞次に図５（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）及び（ｆ）を参照し
て、本発明の第３の実施形態を説明する。図５（ａ）、
（ｂ）に示すように、半導体チップ８及びインナーリー
ド１７を備えたベースフィルム３が用意される。また、
インナーリード１７のデバイスホール５側端部は、半導
体チップ８上のチップ電極２２にボンディングによって
電気的に接続され、デバイスホール５内の半導体チップ
８は封止樹脂７によって封止される。これらのことは、
第１の実施形態と同様である。また図３（ｃ）、（ｄ）
に示すように、ベースフィルム３上に導電性接着剤１３
（または絶縁性接着剤）を塗布し、これを介して枠型補
強板２を接着、固定する点も、第１の実施形態と同様で
ある。
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）及び（ｆ）を参照し
て、本発明の第３の実施形態を説明する。図５（ａ）、
（ｂ）に示すように、半導体チップ８及びインナーリー
ド１７を備えたベースフィルム３が用意される。また、
インナーリード１７のデバイスホール５側端部は、半導
体チップ８上のチップ電極２２にボンディングによって
電気的に接続され、デバイスホール５内の半導体チップ
８は封止樹脂７によって封止される。これらのことは、
第１の実施形態と同様である。また図３（ｃ）、（ｄ）
に示すように、ベースフィルム３上に導電性接着剤１３
（または絶縁性接着剤）を塗布し、これを介して枠型補
強板２を接着、固定する点も、第１の実施形態と同様で
ある。
【００３２】第３の実施形態では、図３（ｅ）に示すよ
うに導電性材料からなる金属片２１を、所定の電位を有
する電極パッド１２上から枠型補強板２に向かって差し
込む。これにより、枠型補強板２と電極パッド１２とを
電気的に接続する。このとき、金属片２１は、電極パッ
ド１２から枠型補強板２まで届くのに十分な長さを有す
る。最後に、図５（ｆ）に示すように、ソルダーレジス
ト４によって覆われていない電極パッド１２及び金属片
２１が差し込まれた電極パッド１２上には、半田等によ
りボール状のバンプ６が形成される。これらのバンプ６
は、外部接続電極部材として使用される。
うに導電性材料からなる金属片２１を、所定の電位を有
する電極パッド１２上から枠型補強板２に向かって差し
込む。これにより、枠型補強板２と電極パッド１２とを
電気的に接続する。このとき、金属片２１は、電極パッ
ド１２から枠型補強板２まで届くのに十分な長さを有す
る。最後に、図５（ｆ）に示すように、ソルダーレジス
ト４によって覆われていない電極パッド１２及び金属片
２１が差し込まれた電極パッド１２上には、半田等によ
りボール状のバンプ６が形成される。これらのバンプ６
は、外部接続電極部材として使用される。
【００３３】＜第３の実施形態の変化例＞次に図６
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、及び（ｆ）
を参照して、本発明の第３の実施形態の半導体装置およ
び半導体装置の製造方法に係わる変化例（または応用
例）を説明する。本変化例は、第３の実施形態の半導体
装置に、さらに、放熱板を有する場合である。
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、及び（ｆ）
を参照して、本発明の第３の実施形態の半導体装置およ
び半導体装置の製造方法に係わる変化例（または応用
例）を説明する。本変化例は、第３の実施形態の半導体
装置に、さらに、放熱板を有する場合である。
【００３４】図６（ａ）、（ｂ）に示されるように、半
導体チップ８及びインナーリード１７と電極パッド１
２、スルーホール１５を備えたベースフィルム３が用意
される。また、インナーリード１７のデバイスホール５
側端部は、半導体チップ８上のチップ電極２２にボンデ
ィングによって電気的に接続される。さらに、デバイス
ホール５内の半導体チップ８は、封止樹脂７によって封
止される。これらのことは、第１の実施形態の放熱板を
有しない場合（図５（ａ）、（ｂ））と同様である。
導体チップ８及びインナーリード１７と電極パッド１
２、スルーホール１５を備えたベースフィルム３が用意
される。また、インナーリード１７のデバイスホール５
側端部は、半導体チップ８上のチップ電極２２にボンデ
ィングによって電気的に接続される。さらに、デバイス
ホール５内の半導体チップ８は、封止樹脂７によって封
止される。これらのことは、第１の実施形態の放熱板を
有しない場合（図５（ａ）、（ｂ））と同様である。
【００３５】次に図６（ｃ）、（ｄ）に示すように、ベ
ースフィルム３上に導電性接着剤１４（または絶縁性接
着剤）を、また半導体チップ８上に高熱伝導性接着剤９
を、それぞれ塗布し放熱板１を接着、固定する。その後
図６（ｅ）、（ｆ）に示すように、金属片２１を取り付
けバンプ６を搭載する点は、実施形態３の放熱板１を備
えない場合（図５（ｅ）、（ｆ））と同様である。
ースフィルム３上に導電性接着剤１４（または絶縁性接
着剤）を、また半導体チップ８上に高熱伝導性接着剤９
を、それぞれ塗布し放熱板１を接着、固定する。その後
図６（ｅ）、（ｆ）に示すように、金属片２１を取り付
けバンプ６を搭載する点は、実施形態３の放熱板１を備
えない場合（図５（ｅ）、（ｆ））と同様である。
【００３６】上記したように、各実施形態では、枠型補
強板に第２の半田ボールを搭載せずにベースフィルムと
接着させるため、詳細な位置あわせを行わず枠型補強板
とベースフィルムを接合できる。これにより工程が削減
される。また、枠型補強板とベースフィルムの接合層を
薄くできる。よって、パッケージ全体の厚みを薄くでき
る。これにより、外形寸法を縮小化できる。さらに、枠
型補強板へのソルダーレジスト塗布工程、半田ボール搭
載等の加工工程を無くし、容易に枠型補強板に任意の電
位を与えることができる。これにより、半導体装置の汎
用性が向上する。
強板に第２の半田ボールを搭載せずにベースフィルムと
接着させるため、詳細な位置あわせを行わず枠型補強板
とベースフィルムを接合できる。これにより工程が削減
される。また、枠型補強板とベースフィルムの接合層を
薄くできる。よって、パッケージ全体の厚みを薄くでき
る。これにより、外形寸法を縮小化できる。さらに、枠
型補強板へのソルダーレジスト塗布工程、半田ボール搭
載等の加工工程を無くし、容易に枠型補強板に任意の電
位を与えることができる。これにより、半導体装置の汎
用性が向上する。
【００３７】尚、上述の実施形態は本発明の好適な実施
の一例である。但し、これに限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施
が可能である。
の一例である。但し、これに限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施
が可能である。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明より明かなように、本発明の
半導体装置および半導体装置の製造方法は、所定のベー
スフィルムの内側にデバイスホールを備え、このデバイ
スホールの周辺部上の片面に少なくとも２つの電極パッ
ドと金属配線を備え、デバイスホール内に半導体チップ
を固定し支持させる。この半導体チップと電極パッドと
を金属配線により電気的に接続し、電極パッド上に導電
性材料からなるボール状のバンプを形成し、ベースフィ
ルム上に導電性材料からなる枠型補強板を備える。本構
成により、任意の電極パッド部のベースフィルム上にス
ルーホールを設け、枠型補強板をベースフィルム上に機
械的に固定し、枠型補強板と電極パッドとをスルーホー
ルを介して電気的に接続する。
半導体装置および半導体装置の製造方法は、所定のベー
スフィルムの内側にデバイスホールを備え、このデバイ
スホールの周辺部上の片面に少なくとも２つの電極パッ
ドと金属配線を備え、デバイスホール内に半導体チップ
を固定し支持させる。この半導体チップと電極パッドと
を金属配線により電気的に接続し、電極パッド上に導電
性材料からなるボール状のバンプを形成し、ベースフィ
ルム上に導電性材料からなる枠型補強板を備える。本構
成により、任意の電極パッド部のベースフィルム上にス
ルーホールを設け、枠型補強板をベースフィルム上に機
械的に固定し、枠型補強板と電極パッドとをスルーホー
ルを介して電気的に接続する。
【００３９】上記の構成によれば、枠型補強板を接着、
固定させる際、ベースフィルム全面に接着剤を塗布して
固定させるため、ベースフィルムと枠型補強板の詳細な
位置あわせが不要となり、組立加工が容易になる。ま
た、任意の電極パッドあるいはリードをベースフィルム
を開口させて直接または導電性接着剤を介して、枠型補
強板を所定の電位にする事ができる点では、従来の構造
と同様の効果が得られる。さらに、これによって枠型補
強板に第２のバンプを搭載せずにベースフィルムと接着
し、枠型補強板を任意の電位にすることができるので、
枠型補強板のバンプ付け工程が不要になる。また、従来
ベースフィルムと枠型補強板の接着部は、第２のバンプ
が形成されている部分のみであったのに比べ、本発明で
はベースフィルム全体に枠型補強板が接着、固定されて
いるので枠型補強板とベースフィルムの接合強度が高
く、製品全体の厚さも薄くできる。
固定させる際、ベースフィルム全面に接着剤を塗布して
固定させるため、ベースフィルムと枠型補強板の詳細な
位置あわせが不要となり、組立加工が容易になる。ま
た、任意の電極パッドあるいはリードをベースフィルム
を開口させて直接または導電性接着剤を介して、枠型補
強板を所定の電位にする事ができる点では、従来の構造
と同様の効果が得られる。さらに、これによって枠型補
強板に第２のバンプを搭載せずにベースフィルムと接着
し、枠型補強板を任意の電位にすることができるので、
枠型補強板のバンプ付け工程が不要になる。また、従来
ベースフィルムと枠型補強板の接着部は、第２のバンプ
が形成されている部分のみであったのに比べ、本発明で
はベースフィルム全体に枠型補強板が接着、固定されて
いるので枠型補強板とベースフィルムの接合強度が高
く、製品全体の厚さも薄くできる。
【図１】本発明の半導体装置および半導体装置の製造方
法の第１の実施形態を説明する工程図である。
法の第１の実施形態を説明する工程図である。
【図２】第１の実施形態の変化例であり、放熱板を有す
る構成を表した工程図である。
る構成を表した工程図である。
【図３】第２の実施形態を説明する工程図である。
【図４】第２の実施形態の変化例であり、放熱板を有す
る構成を表した工程図である。
る構成を表した工程図である。
【図５】第３の実施形態を説明する工程図である。
【図６】第３の実施形態の変化例であり、放熱板を有す
る構成を表した工程図である。
る構成を表した工程図である。
【図７】従来の実施形態を説明する工程図である。
【図８】従来の実施形態の変化例であり、放熱板を有す
る構成を表した工程図である。
る構成を表した工程図である。
１ 放熱板 ２ 枠型補強板 ３ ベースフィルム ４ ソルダーレジスト ５ デバイスホール ６ バンプ ７ 封止樹脂 ８ 半導体チップ ９ 高熱伝導性接着剤 １０ 絶縁性接着剤 １１ 絶縁性接着剤 １２ 電極パッド １３ 導電性接着剤 １４ 導電性接着剤 １５ スルーホール １６ ベースフィルム開口部 １７ インナーリード １８ 接合部 １９ 接合部 ２０ 接合部 ２１ 金属片 ２２ チップ電極 ２３ バンプ ２４ ソルダーレジスト ２５ 金属板
Claims (8)
- 【請求項１】 内側にデバイスホール（５）を備え該デ
バイスホールの周辺部上の片面に少なくとも２つの電極
パッド（１２）と金属配線（１７）を有するベースフィ
ルム（３）と、 前記デバイスホール（５）内に固定し支持された半導体
チップ（８）と、 該半導体チップ（８）と前記電極パッド（１２）とを電
気的に接続する金属配線（１７）と、 前記電極パッド（１２）上に形成された導電性材料から
なるボール状のバンプ（６）と、 前記ベースフィルム（３）上に機械的に固定された導電
性材料からなる枠型補強板（２）とを備え、 任意の電極パッド部のベースフィルム上にスルーホール
（１５）を設け、前記枠型補強板（２）を前記ベースフ
ィルム（３）上に機械的に固定し、前記枠型補強板
（２）と前記電極パッド（１２）とをスルーホール（１
５）を介して電気的に接続したことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項２】 前記ベースフィルム（３）上への前記枠
型補強板（２）の機械的な固定、および前記スルーホー
ル（１５）を介しての前記枠型補強板（２）と前記電極
パッド（１２）との電気的な接続は、所定の導電性接着
剤（１３）によることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置。 - 【請求項３】 前記半導体装置は、さらに、前記ベース
フィルム（３）上の任意の金属配線（１７）をデバイス
ホール内又はベースフィルム外周部又はベースフィルム
上の任意の位置のスルーホール内に突出させた突出部
（１７１）を形成し、該突出部（１７１）と前記枠型補
強（２）とを電気的に接続したことを特徴とする請求項
１または２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記ベースフィルム（３）上への前記枠
型補強板（２）の機械的な固定には所定の絶縁性接着剤
を用い、前記スルーホール（１５）を介しての前記枠型
補強板（２）と前記電極パッド（１２）との電気的な接
続は、所定の金属片を用いて前記絶縁性接着剤層を貫通
させて行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項５】 前記ベースフィルム上の任意の金属配線
と枠型補強板とをデバイスホール内又はベースフィルム
外周部又はベースフィルム上の任意の位置のスルーホー
ル内に、他の導電性材料を用いて電気的に接続したこと
を特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記半導体装置は、さらに、放熱のため
の熱伝導性基板による放熱板を備え、該放熱板は前記枠
型補強板と電気的に接続され、該枠型補強板と放熱板と
を同一の電位としたことを特徴とする請求項１から５の
何れか１項に記載の半導体装置。 - 【請求項７】 所定のベースフィルム（３）の内側にデ
バイスホール（５）を備える工程と、 該デバイスホールの周辺部上の片面に少なくとも２つの
電極パッド（１２）と金属配線（１７）を備える工程
と、 前記デバイスホール（５）内に半導体チップ（８）を固
定し支持させる工程と、 該半導体チップ（８）と前記電極パッド（１２）とを金
属配線（１７）により電気的に接続する工程と、 前記電極パッド（１２）上に導電性材料からなるボール
状のバンプ（６）を形成する工程と、 前記ベースフィルム（３）上に導電性材料からなる枠型
補強板（２）を備え機械的に固定する工程とを有し、 任意の電極パッド部のベースフィルム上にスルーホール
（１５）を設け、前記枠型補強板（２）を前記ベースフ
ィルム（３）上に機械的に固定し、前記枠型補強板
（２）と前記電極パッド（１２）とをスルーホール（１
５）を介して電気的に接続したことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記ベースフィルム（３）上への前記枠
型補強板（２）の機械的な固定、および前記スルーホー
ル（１５）を介しての前記枠型補強板（２）と前記電極
パッド（１２）との電気的な接続は、所定の導電性接着
剤（１３）によることを特徴とする請求項７記載の半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9303826A JP3045121B2 (ja) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9303826A JP3045121B2 (ja) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145187A true JPH11145187A (ja) | 1999-05-28 |
| JP3045121B2 JP3045121B2 (ja) | 2000-05-29 |
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ID=17925779
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|---|---|---|---|
| JP9303826A Expired - Fee Related JP3045121B2 (ja) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3045121B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6016500A (en) * | 1996-10-11 | 2000-01-18 | Sun Microsystems, Inc. | Leasing for failure detection |
| KR101234164B1 (ko) | 2011-06-13 | 2013-02-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 방열성을 향상시킨 반도체 패키지 |
| JP2019064162A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | ブラザー工業株式会社 | 電子デバイス |
-
1997
- 1997-11-06 JP JP9303826A patent/JP3045121B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6016500A (en) * | 1996-10-11 | 2000-01-18 | Sun Microsystems, Inc. | Leasing for failure detection |
| KR101234164B1 (ko) | 2011-06-13 | 2013-02-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 방열성을 향상시킨 반도체 패키지 |
| JP2019064162A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | ブラザー工業株式会社 | 電子デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3045121B2 (ja) | 2000-05-29 |
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