JPH11135884A - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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- JPH11135884A JPH11135884A JP9297320A JP29732097A JPH11135884A JP H11135884 A JPH11135884 A JP H11135884A JP 9297320 A JP9297320 A JP 9297320A JP 29732097 A JP29732097 A JP 29732097A JP H11135884 A JPH11135884 A JP H11135884A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価かつ高信頼度の自励発振型レーザ装置を
得る。 【解決手段】 クラッド層５のアルミ組成をグレーテッ
ドに変化させることにより、１回のエッチングで、電流
注入幅をレーザ光の導波幅より小さくして、自励発振型
レーザ装置を得る。
得る。 【解決手段】 クラッド層５のアルミ組成をグレーテッ
ドに変化させることにより、１回のエッチングで、電流
注入幅をレーザ光の導波幅より小さくして、自励発振型
レーザ装置を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＤＶＤや光磁気デ
ィスク等の光ディスク装置に用いられる半導体レーザ装
置に関する。
ィスク等の光ディスク装置に用いられる半導体レーザ装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク装置用の光源として半導体レ
ーザ装置を用いる際には、半導体レーザの雑音を低レベ
ルに抑えておく必要がある。ところが、単一縦モードで
レーザ発振する半導体レーザでは、以下の様に雑音が誘
起され、実用上の不具合が生じる。例えば、光ディスク
からの反射光が半導体レーザに戻り、相互に干渉し、さ
らに環境温度の変化に起因して半導体レーザの発振モー
ドがホッピングすることによる雑音の増加がある。これ
らを回避するためには、高周波を重畳することによる発
振スペクトルのマルチモード化及び半導体レーザの自励
発振化が有効である。但し、高周波を重畳する場合に
は、高周波素子が必要となるため、部品点数の増加を招
き、コストアップの原因となるため、自励発振化の方が
望ましい。
ーザ装置を用いる際には、半導体レーザの雑音を低レベ
ルに抑えておく必要がある。ところが、単一縦モードで
レーザ発振する半導体レーザでは、以下の様に雑音が誘
起され、実用上の不具合が生じる。例えば、光ディスク
からの反射光が半導体レーザに戻り、相互に干渉し、さ
らに環境温度の変化に起因して半導体レーザの発振モー
ドがホッピングすることによる雑音の増加がある。これ
らを回避するためには、高周波を重畳することによる発
振スペクトルのマルチモード化及び半導体レーザの自励
発振化が有効である。但し、高周波を重畳する場合に
は、高周波素子が必要となるため、部品点数の増加を招
き、コストアップの原因となるため、自励発振化の方が
望ましい。
【０００３】図３は、特開平６−１３７０９号公報に示
された自励発振型の半導体レーザ装置を示す図である。
図において、レーザ光が導波される領域は、活性層８を
中心として第１クラッド層７の突起部分３０全体に広が
っている。一方、電流により注入されるキャリア密度
は、第２クラッド層２１の直下で最大となり、第１クラ
ッド層７の突起部分３０の端ではキャリア密度が低く、
可飽和吸収体となるため、安定して自励発振動作を得る
ことができる。
された自励発振型の半導体レーザ装置を示す図である。
図において、レーザ光が導波される領域は、活性層８を
中心として第１クラッド層７の突起部分３０全体に広が
っている。一方、電流により注入されるキャリア密度
は、第２クラッド層２１の直下で最大となり、第１クラ
ッド層７の突起部分３０の端ではキャリア密度が低く、
可飽和吸収体となるため、安定して自励発振動作を得る
ことができる。
【０００４】図中、１はｐ側電極、２はｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層、４はｎ型ＧａＡｓブロック層、９はｎ型
（ＡｌyＧａ1-y）Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、１０はｎ型Ｇ
ａＡｓ基板、１１はｎ側電極を示している。
ンタクト層、４はｎ型ＧａＡｓブロック層、９はｎ型
（ＡｌyＧａ1-y）Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、１０はｎ型Ｇ
ａＡｓ基板、１１はｎ側電極を示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の自励発振型レー
ザ装置の第一の問題点は、上記例に見られるように安定
した自励発振動作を得るために、クラッド層７、２１が
２段階となっており、エッチングを２回行う必要がある
ことである。その結果として、それぞれのエッチングを
制御性良く行う必要があり、工数がかかりコストアップ
となる。このため、工程能力を維持しにくい、管理上問
題が起きやすいなどの問題がある。
ザ装置の第一の問題点は、上記例に見られるように安定
した自励発振動作を得るために、クラッド層７、２１が
２段階となっており、エッチングを２回行う必要がある
ことである。その結果として、それぞれのエッチングを
制御性良く行う必要があり、工数がかかりコストアップ
となる。このため、工程能力を維持しにくい、管理上問
題が起きやすいなどの問題がある。
【０００６】本発明の目的は、より低コスト、高信頼度
の半導体レーザ装置を提供することにある。
の半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による半導体レーザ装置においては、第１導
電型の基板上に、第１導電型のクラッド層と、活性層
と、第２導電型の第１クラッド層との積層を有し、第１
クラッド層上に電流注入領域が形成された半導体レーザ
装置であって、電流注入領域は、層厚方向に幅を変化さ
せたくびれ状をなし、電流注入幅は、レーザ光の導波幅
より小さいものである。
め、本発明による半導体レーザ装置においては、第１導
電型の基板上に、第１導電型のクラッド層と、活性層
と、第２導電型の第１クラッド層との積層を有し、第１
クラッド層上に電流注入領域が形成された半導体レーザ
装置であって、電流注入領域は、層厚方向に幅を変化さ
せたくびれ状をなし、電流注入幅は、レーザ光の導波幅
より小さいものである。
【０００８】また、電流注入領域は、第２導電型の第２
クラッド層であり、該第２クラッド層は、アルミを含
み、アルミ組成は、層厚方向に変えて積層されたもので
ある。
クラッド層であり、該第２クラッド層は、アルミを含
み、アルミ組成は、層厚方向に変えて積層されたもので
ある。
【０００９】また、第２導電型の第２クラッド層は、
（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐグレーデソド第２クラッ
ド層であり、アルミ組成は、層厚方向の上方に向け途中
までは、直線的に増大させ、次いで直線的に減少させた
ものである。
（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐグレーデソド第２クラッ
ド層であり、アルミ組成は、層厚方向の上方に向け途中
までは、直線的に増大させ、次いで直線的に減少させた
ものである。
【００１０】また、第２導電型の第２クラッド層は、層
厚方向にアルミ組成を変化させた３層構造をなすもので
ある。
厚方向にアルミ組成を変化させた３層構造をなすもので
ある。
【００１１】また、本発明による半導体レーザ装置の製
造方法においては、第１導電型の基板上に少なくとも第
１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型のクラ
ッド層とを順次積層する工程と、第２導電型のクラッド
層の一部に絶縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとして第
２導電型のクラッド層をエッチングして電流注入領域を
形成する工程とを有する半導体レーザ装置の製造方法で
あって、電流注入領域の幅を層厚方向に変化させてくび
れ状に形成するものである。
造方法においては、第１導電型の基板上に少なくとも第
１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型のクラ
ッド層とを順次積層する工程と、第２導電型のクラッド
層の一部に絶縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとして第
２導電型のクラッド層をエッチングして電流注入領域を
形成する工程とを有する半導体レーザ装置の製造方法で
あって、電流注入領域の幅を層厚方向に変化させてくび
れ状に形成するものである。
【００１２】また、電流注入領域は、アルミを含み、ア
ルミ組成を層厚方向に変化させるものである。
ルミ組成を層厚方向に変化させるものである。
【００１３】また、アルミ組成は、層厚方向に３段階に
変化させるものである。
変化させるものである。
【００１４】本発明においては、電流注入領域のクラッ
ド層の中央部でアルミ組成が大きくなっているため、酸
化物をマスクとして窒化物系のエッチング液でクラッド
層をエッチングすると、アルミ組成が高い領域のエッチ
ングレートは高いため、電流注入領域は層厚方向に幅が
変化して、その形状がくびれ状となる。くびれ部分を活
性層に近づけておくようにアルミ組成を設定すると、電
流注入によりゲインを有する活性層領域はくびれ部分の
幅程度となる。これは、電流注入領域の端部程度の幅が
ある光導波領域に比べて電流注入幅が小さく、光導波領
域の端部が可飽和吸収体となり、自励発振動作を得るこ
とができる。
ド層の中央部でアルミ組成が大きくなっているため、酸
化物をマスクとして窒化物系のエッチング液でクラッド
層をエッチングすると、アルミ組成が高い領域のエッチ
ングレートは高いため、電流注入領域は層厚方向に幅が
変化して、その形状がくびれ状となる。くびれ部分を活
性層に近づけておくようにアルミ組成を設定すると、電
流注入によりゲインを有する活性層領域はくびれ部分の
幅程度となる。これは、電流注入領域の端部程度の幅が
ある光導波領域に比べて電流注入幅が小さく、光導波領
域の端部が可飽和吸収体となり、自励発振動作を得るこ
とができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の第１の実施の形態を実施例１に基づいて説明する。
の第１の実施の形態を実施例１に基づいて説明する。
【００１６】図１は、本発明の自励発振型半導体レーザ
装置の実施例の構成を示す断面図。図２は、その製造方
法を示す工程図である。
装置の実施例の構成を示す断面図。図２は、その製造方
法を示す工程図である。
【００１７】ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、以下の層を結
晶成長する。この実施の形態において、結晶成長には、
有機金属気相成長法を用いているが、その他、分子線ビ
ームエピタキシ法、液層成長法でもよい。
晶成長する。この実施の形態において、結晶成長には、
有機金属気相成長法を用いているが、その他、分子線ビ
ームエピタキシ法、液層成長法でもよい。
【００１８】図２（ａ）において、ｎ型（ＡｌyＧａ1-y
Ｉｎ）0.5Ｐクラッド層９を１μｍ、活性層Ｇａ0.5Ｉｎ
0.5Ｐ層８を０．０５μｍ、ｐ型（ＡｌyＧａ1-yＩｎ）
0.5Ｐ第１クラッド層７を０．２μｍ、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ
0.5Ｐエッチングストップ層６を０．０５μｍ、ｐ型
（ＡｌxＧａ1-xＩｎ）0.5Ｐグレーデッド第２クラッド
層５を０．８μｍ、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐヘテロバッフ
ァ層３を０．１μｍ積層する。なお、ｙは０．４〜０．
７であるが、本実施例では０．５とする。第２クラッド
層５のアルミ組成は、層厚方向に変えて積層しており、
本実施形態では、活性層近傍のｘ＝０．５から、０．２
μｍ積層後でｘ＝０．８と、直線的に増加させている。
また、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ層６の
界面近傍ではｘ＝０．５と直線的に減少させている。
Ｉｎ）0.5Ｐクラッド層９を１μｍ、活性層Ｇａ0.5Ｉｎ
0.5Ｐ層８を０．０５μｍ、ｐ型（ＡｌyＧａ1-yＩｎ）
0.5Ｐ第１クラッド層７を０．２μｍ、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ
0.5Ｐエッチングストップ層６を０．０５μｍ、ｐ型
（ＡｌxＧａ1-xＩｎ）0.5Ｐグレーデッド第２クラッド
層５を０．８μｍ、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐヘテロバッフ
ァ層３を０．１μｍ積層する。なお、ｙは０．４〜０．
７であるが、本実施例では０．５とする。第２クラッド
層５のアルミ組成は、層厚方向に変えて積層しており、
本実施形態では、活性層近傍のｘ＝０．５から、０．２
μｍ積層後でｘ＝０．８と、直線的に増加させている。
また、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ層６の
界面近傍ではｘ＝０．５と直線的に減少させている。
【００１９】次に図２（ｂ）において、ＣＶＤ法により
成長表面にＳｉＯ2３１を０．２μｍ積層し、ホトリソ
グラフィー法によりＳｉＯ2３１を５μｍのストライプ
を残して除去する。それから臭化物系のエッチング液に
より上記ＳｉＯ2３１をマスクとしてエッチングを行
う。臭化物系のエッチング液ではアルミ組成が高いほど
エッチングレートが高いため、マスクの下部はくびれ状
となる。実施例ではｐ型第２クラッド層５の底部の幅が
４μｍに対し、くびれ部の幅は２．５μｍとなる。
成長表面にＳｉＯ2３１を０．２μｍ積層し、ホトリソ
グラフィー法によりＳｉＯ2３１を５μｍのストライプ
を残して除去する。それから臭化物系のエッチング液に
より上記ＳｉＯ2３１をマスクとしてエッチングを行
う。臭化物系のエッチング液ではアルミ組成が高いほど
エッチングレートが高いため、マスクの下部はくびれ状
となる。実施例ではｐ型第２クラッド層５の底部の幅が
４μｍに対し、くびれ部の幅は２．５μｍとなる。
【００２０】次に、図２（ｃ）に示すように上記ＳｉＯ
2３１をマスクとして、ブロック層となるｎ型ＧａＡｓ
層４を選択成長する。続いてＳｉＯ2３１をバッファー
ドフッ酸でエッチングした後、図２（ｄ）のようにｐ型
ＧａＡｓコンタクト層２を結晶成長し、ｐ側電極１を形
成して、図１に示す半導体レーザ装置に加工した後、個
片に切り出し、パッケージに組み込んで完成する。
2３１をマスクとして、ブロック層となるｎ型ＧａＡｓ
層４を選択成長する。続いてＳｉＯ2３１をバッファー
ドフッ酸でエッチングした後、図２（ｄ）のようにｐ型
ＧａＡｓコンタクト層２を結晶成長し、ｐ側電極１を形
成して、図１に示す半導体レーザ装置に加工した後、個
片に切り出し、パッケージに組み込んで完成する。
【００２１】次に、本発明の実施の形態の動作につい
て、図１を参照して詳細に説明する。
て、図１を参照して詳細に説明する。
【００２２】ｎ型電極１１及びｐ型電極１間に電位をか
けると、ホールがｐ型ＧａＡｓコンタクト層２からｐ型
（ＡｌxＧａ1-xＩｎ）0.5Ｐグレーデッド第２クラッド
層５、ｐ型（ＡｌyＧａ1-yＩｎ）0.5Ｐ第１クラッド層
７を経て活性層８に注入される。一方、電子は、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１０からｎ型（ＡｌyＧａ1-yＩｎ）0.5Ｐク
ラッド層９を経て活性層８に注入され、発光、すなわち
レーザ発振に至る。
けると、ホールがｐ型ＧａＡｓコンタクト層２からｐ型
（ＡｌxＧａ1-xＩｎ）0.5Ｐグレーデッド第２クラッド
層５、ｐ型（ＡｌyＧａ1-yＩｎ）0.5Ｐ第１クラッド層
７を経て活性層８に注入される。一方、電子は、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１０からｎ型（ＡｌyＧａ1-yＩｎ）0.5Ｐク
ラッド層９を経て活性層８に注入され、発光、すなわち
レーザ発振に至る。
【００２３】レーザ光は、ｎ型ＧａＡｓブロック層４で
吸収を受けることにより活性層８に平行方向の屈折率ス
テップを受けることにより横モードが制御される。その
結果、導波されるレーザ光はｐ型グレーデッド第２クラ
ッド層５とｎ型ＧａＡｓブロック層４の境界近傍にまで
広がる。
吸収を受けることにより活性層８に平行方向の屈折率ス
テップを受けることにより横モードが制御される。その
結果、導波されるレーザ光はｐ型グレーデッド第２クラ
ッド層５とｎ型ＧａＡｓブロック層４の境界近傍にまで
広がる。
【００２４】ｐ型（ＡｌxＧａ1-xＩｎ）0.5Ｐグレーデ
ッド第２クラッド層５の形状が層厚方向に幅が変化して
くびれ形状となっているため、キャリアが活性層８に主
に注入され、ゲインが生じる領域は、くびれ幅２．５μ
ｍプラスアルファ程度の領域となる。そのため、ｐ型第
２クラッド層５の底部の端では、ゲインが不足し、吸収
領域となる。一方、導波されるレーザ光は、上記に示す
ように、より広い領域に広がっているため、この吸収領
域が可飽和吸収体となる。その結果、自励発振動作を得
ることができる。
ッド第２クラッド層５の形状が層厚方向に幅が変化して
くびれ形状となっているため、キャリアが活性層８に主
に注入され、ゲインが生じる領域は、くびれ幅２．５μ
ｍプラスアルファ程度の領域となる。そのため、ｐ型第
２クラッド層５の底部の端では、ゲインが不足し、吸収
領域となる。一方、導波されるレーザ光は、上記に示す
ように、より広い領域に広がっているため、この吸収領
域が可飽和吸収体となる。その結果、自励発振動作を得
ることができる。
【００２５】次に、本発明の第二の実施の形態を図３を
用いて説明する。
用いて説明する。
【００２６】この実施形態においては、ｐ型（ＡｌxＧ
ａ1-xＩｎ）0.5Ｐグレーデッド第２クラッド層５以外は
図１と同じである。この実施形態では、ｐ型第２クラッ
ド層５のアルミ組成を層厚方向に３段階に変えて３層構
造としたものであり、積層順にＸ＝０．５を０．２μ
ｍ、ｘ＝０．８を０．２μｍ、ｘ＝０．５を０．４μｍ
としている。この実施形態によれば、グレーデッドなア
ルミ組成の層を形成することが困難であっても、自励発
振型半導体レーザ装置を得ることができる。
ａ1-xＩｎ）0.5Ｐグレーデッド第２クラッド層５以外は
図１と同じである。この実施形態では、ｐ型第２クラッ
ド層５のアルミ組成を層厚方向に３段階に変えて３層構
造としたものであり、積層順にＸ＝０．５を０．２μ
ｍ、ｘ＝０．８を０．２μｍ、ｘ＝０．５を０．４μｍ
としている。この実施形態によれば、グレーデッドなア
ルミ組成の層を形成することが困難であっても、自励発
振型半導体レーザ装置を得ることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来２回
のエッチングが必要であったところ、本発明では１回の
エッチングで電流注入幅をレーザ光の導波幅より小さく
して自励発振型半導体レーザ装置を安定して得ることが
できることにより、以下の効果が見られる。
のエッチングが必要であったところ、本発明では１回の
エッチングで電流注入幅をレーザ光の導波幅より小さく
して自励発振型半導体レーザ装置を安定して得ることが
できることにより、以下の効果が見られる。
【００２８】第一の効果は、工数の削減により、より安
価に自励発振型半導体レーザ装置を製造することができ
ることである。
価に自励発振型半導体レーザ装置を製造することができ
ることである。
【００２９】第二の効果は、制御性が必要とされ信頼度
への影響も大きいエッチング工程の回数が２から１に減
少するため、信頼性を従来より向上することである。
への影響も大きいエッチング工程の回数が２から１に減
少するため、信頼性を従来より向上することである。
【図１】本発明の半導体レーザ装置の実施例の構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、図１の半導体レーザ装置の
製造フローを示す工程図である。
製造フローを示す工程図である。
【図３】本発明の半導体レーザ装置の第二の実施例の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図４】従来の半導体レーザ装置の構成を示す断面図で
ある。
ある。
１ ｐ側電極 ２ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ３ ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐヘテロバッファ層 ４ ｎ型ＧａＡｓブロック層 ５ ｐ型（ＡｌxＧａ1-xＩｎ）0.5Ｐグレーデッド第２
クラッド層 ６ ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ層 ７ ｐ型（ＡｌyＧａ1-yＩｎ）0.5Ｐ第１クラッド層 ８ 活性層 ９ ｎ型（ＡｌyＧａ1-yＩｎ）0.5Ｐクラッド層 １０ ｎ型ＧａＡｓ基板 １１ ｎ型電極 ２１ ｐ型（ＡｌxＧａ1-xＩｎ）0.5Ｐ第２クラッド層 ３１ ＳｉＯ2マスク
クラッド層 ６ ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ層 ７ ｐ型（ＡｌyＧａ1-yＩｎ）0.5Ｐ第１クラッド層 ８ 活性層 ９ ｎ型（ＡｌyＧａ1-yＩｎ）0.5Ｐクラッド層 １０ ｎ型ＧａＡｓ基板 １１ ｎ型電極 ２１ ｐ型（ＡｌxＧａ1-xＩｎ）0.5Ｐ第２クラッド層 ３１ ＳｉＯ2マスク
Claims (7)
- 【請求項１】 第１導電型の基板上に、第１導電型のク
ラッド層と、活性層と、第２導電型の第１クラッド層と
の積層を有し、第１クラッド層上に電流注入領域が形成
された半導体レーザ装置であって、 電流注入領域は、層厚方向に幅を変化させたくびれ状を
なし、電流注入幅は、レーザ光の導波幅より小さいこと
を特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 電流注入領域は、第２導電型の第２クラ
ッド層であり、該第２クラッド層は、アルミを含み、 アルミ組成は、層厚方向に変えて積層されたものである
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 第２導電型の第２クラッド層は、（Ａｌ
xＧａ1-x）0.5Ｉｎ0 .5Ｐグレーデソド第２クラッド層で
あり、 アルミ組成は、層厚方向の上方に向け途中までは、直線
的に増大させ、次いで直線的に減少させたものであるこ
とを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 第２導電型の第２クラッド層は、層厚方
向にアルミ組成を変化させた３層構造をなすものである
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 第１導電型の基板上に少なくとも第１導
電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型のクラッド
層とを順次積層する工程と、第２導電型のクラッド層の
一部に絶縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとして第２導
電型のクラッド層をエッチングして電流注入領域を形成
する工程とを有する半導体レーザ装置の製造方法であっ
て、電流注入領域の幅を層厚方向に変化させてくびれ状
に形成することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方
法。 - 【請求項６】 電流注入領域は、アルミを含み、アルミ
組成を層厚方向に変化させることを特徴とする請求項５
に記載の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項７】 アルミ組成は、層厚方向に３段階に変化
させることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29732097A JP3173443B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29732097A JP3173443B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135884A true JPH11135884A (ja) | 1999-05-21 |
| JP3173443B2 JP3173443B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=17844989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29732097A Expired - Fee Related JP3173443B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3173443B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003218465A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Sharp Corp | ストライプ導波構造型半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| US7065116B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element and manufacturing method for the same |
| KR101028276B1 (ko) | 2004-06-07 | 2011-04-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
-
1997
- 1997-10-29 JP JP29732097A patent/JP3173443B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3173443B2 (ja) | 2001-06-04 |
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