JPH11131146A - 連続的に鋳造された薄いストリップから鉄−ニッケル系合金のストリップを製造する方法 - Google Patents
連続的に鋳造された薄いストリップから鉄−ニッケル系合金のストリップを製造する方法Info
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- JPH11131146A JPH11131146A JP23405698A JP23405698A JPH11131146A JP H11131146 A JPH11131146 A JP H11131146A JP 23405698 A JP23405698 A JP 23405698A JP 23405698 A JP23405698 A JP 23405698A JP H11131146 A JPH11131146 A JP H11131146A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 直接鋳造によって得られる薄いストリップか
ら十分に低い保磁力を有する鉄-ニッケル系合金の冷間
圧延ストリップを製造する方法を提供する。 【解決手段】 ２５〜５０重量％のニッケル、および５
０〜７５重量％の鉄を含有する鉄-ニッケル系の合金か
らなるストリップを製造するための方法であって、薄い
ストリップが１０mm未満の厚さを有するように連続的に
鋳造されて、この薄いストリップが圧延されて、圧延の
前または後に、ｔ ≧ ０.５×１０-12 exp（３８０００
／（Ｔ＋２７３））の式が成り立つような温度Ｔ（℃）
と時間ｔ（hours）において温度保持することからなる
均質化処理が行われて、それによって、０.４％未満の
ニッケルの「標準程度の偏析」が得られることを特徴と
する方法が提供される。
ら十分に低い保磁力を有する鉄-ニッケル系合金の冷間
圧延ストリップを製造する方法を提供する。 【解決手段】 ２５〜５０重量％のニッケル、および５
０〜７５重量％の鉄を含有する鉄-ニッケル系の合金か
らなるストリップを製造するための方法であって、薄い
ストリップが１０mm未満の厚さを有するように連続的に
鋳造されて、この薄いストリップが圧延されて、圧延の
前または後に、ｔ ≧ ０.５×１０-12 exp（３８０００
／（Ｔ＋２７３））の式が成り立つような温度Ｔ（℃）
と時間ｔ（hours）において温度保持することからなる
均質化処理が行われて、それによって、０.４％未満の
ニッケルの「標準程度の偏析」が得られることを特徴と
する方法が提供される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、直接鋳造法によっ
て得られた薄いストリップから得られた鉄-ニッケル系
合金からなるストリップの製造に関する。
て得られた薄いストリップから得られた鉄-ニッケル系
合金からなるストリップの製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】鉄-ニッケル系合金は周知であり、それ
らの磁性や膨張特性のために用いられている。その化学
組成は、主として、２５〜５０重量％のニッケル、５０
〜７５重量％の鉄、および任意にコバルト、クロム、お
よびモリブデンから選択される少なくとも一種の合金元
素が５重量％未満からなる。例えば、約３６％のニッケ
ルまたは約３３％のニッケル、約４％のコバルト、残部
実質的に鉄、任意に数種の補足的な元素が少量、および
不純物を含有し、非常に低い膨張率を有する合金が知ら
れている。これら低膨張率の合金は、それらの良好な磁
性の故にも用いられていて、特に一般に１０分の１mm〜
１０分の数mmの厚さを有する冷間圧延ストリップの形態
で用いられている。得られる磁性は特に、５５Ａ/ｍ未
満の保磁力によって特徴づけられる。
らの磁性や膨張特性のために用いられている。その化学
組成は、主として、２５〜５０重量％のニッケル、５０
〜７５重量％の鉄、および任意にコバルト、クロム、お
よびモリブデンから選択される少なくとも一種の合金元
素が５重量％未満からなる。例えば、約３６％のニッケ
ルまたは約３３％のニッケル、約４％のコバルト、残部
実質的に鉄、任意に数種の補足的な元素が少量、および
不純物を含有し、非常に低い膨張率を有する合金が知ら
れている。これら低膨張率の合金は、それらの良好な磁
性の故にも用いられていて、特に一般に１０分の１mm〜
１０分の数mmの厚さを有する冷間圧延ストリップの形態
で用いられている。得られる磁性は特に、５５Ａ/ｍ未
満の保磁力によって特徴づけられる。
【０００３】そのような冷間圧延ストリップを製造する
ために、合金は１００mm超の厚さを有するインゴットま
たはスラブの形に鋳造され、次いで熱間圧延されて５mm
未満の厚さを有する熱間圧延ストリップが得られる。次
いで、この熱間圧延ストリップは冷間圧延されて冷間圧
延ストリップが得られ、これに再結晶焼なまし処理が約
７５０℃の温度で施される。この方法の欠点は、広範囲
の熱間圧延操作を必要とすることである。
ために、合金は１００mm超の厚さを有するインゴットま
たはスラブの形に鋳造され、次いで熱間圧延されて５mm
未満の厚さを有する熱間圧延ストリップが得られる。次
いで、この熱間圧延ストリップは冷間圧延されて冷間圧
延ストリップが得られ、これに再結晶焼なまし処理が約
７５０℃の温度で施される。この方法の欠点は、広範囲
の熱間圧延操作を必要とすることである。
【０００４】熱間圧延を制限するかまたは省くために、
合金を１０mm未満の厚さを有する薄いストリップの形に
直接連続的に鋳造することができる。これを行うために
連続鋳造機械を用いることができ、これにおいて、水平
軸を有する二つの回転するロールの間で薄いストリップ
が鋳造される。しかし、本願発明者は、連続的に鋳造さ
れた薄いストリップから得られた冷間圧延ストリップ
は、驚くべきことに、インゴットまたはスラブから得ら
れた冷間圧延ストリップよりもかなり高い保磁力を有す
ることを見いだした。
合金を１０mm未満の厚さを有する薄いストリップの形に
直接連続的に鋳造することができる。これを行うために
連続鋳造機械を用いることができ、これにおいて、水平
軸を有する二つの回転するロールの間で薄いストリップ
が鋳造される。しかし、本願発明者は、連続的に鋳造さ
れた薄いストリップから得られた冷間圧延ストリップ
は、驚くべきことに、インゴットまたはスラブから得ら
れた冷間圧延ストリップよりもかなり高い保磁力を有す
ることを見いだした。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、薄い
ストリップの直接鋳造によって得られる薄いストリップ
から製造される冷間圧延ストリップであって、インゴッ
トまたはスラブから製造された同様の合金のストリップ
の磁性と同程度に満足できる磁性を有する鉄-ニッケル
系の冷間圧延ストリップを製造するための方法を提供す
ることによって、上記の欠点を改善することである。
ストリップの直接鋳造によって得られる薄いストリップ
から製造される冷間圧延ストリップであって、インゴッ
トまたはスラブから製造された同様の合金のストリップ
の磁性と同程度に満足できる磁性を有する鉄-ニッケル
系の冷間圧延ストリップを製造するための方法を提供す
ることによって、上記の欠点を改善することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的のため、本発明
によれば、主として、２５〜５０重量％のニッケル、５
０〜７５重量％の鉄、および任意に特にコバルト、クロ
ム、モリブデン、マンガン、ケイ素、バナジウム、タン
タル、チタン、およびアルミニウムから選択される一種
または二種以上の合金元素が８重量％未満、残部が精練
工程から生じた不純物を含有する鉄-ニッケル系の合金
からなるストリップを製造するための方法であって、薄
いストリップが１０mm未満の厚さを有するように連続的
に鋳造されて、この薄いストリップが圧延されて、圧延
の前または後に、 ｔ ≧ ０.５×１０-12 exp（３８０００／（Ｔ＋２７
３）） の式が成り立つような温度Ｔ（℃）と時間ｔ（hours）
において温度保持することからなる均質化処理が行われ
て、それによって、０.４％未満のニッケルの「標準程
度の偏析」（standard degree of segregation）が得ら
れる、という方法が提供される。
によれば、主として、２５〜５０重量％のニッケル、５
０〜７５重量％の鉄、および任意に特にコバルト、クロ
ム、モリブデン、マンガン、ケイ素、バナジウム、タン
タル、チタン、およびアルミニウムから選択される一種
または二種以上の合金元素が８重量％未満、残部が精練
工程から生じた不純物を含有する鉄-ニッケル系の合金
からなるストリップを製造するための方法であって、薄
いストリップが１０mm未満の厚さを有するように連続的
に鋳造されて、この薄いストリップが圧延されて、圧延
の前または後に、 ｔ ≧ ０.５×１０-12 exp（３８０００／（Ｔ＋２７
３）） の式が成り立つような温度Ｔ（℃）と時間ｔ（hours）
において温度保持することからなる均質化処理が行われ
て、それによって、０.４％未満のニッケルの「標準程
度の偏析」（standard degree of segregation）が得ら
れる、という方法が提供される。
【０００７】好ましくは、コバルト、クロム、モリブデ
ン、マンガン、ケイ素、バナジウム、タンタル、チタ
ン、およびアルミニウムの含有量の合計は８％以下であ
る。均質化処理は、連続鋳造から直接得られた薄いスト
リップに対して、あるいはこのストリップが熱間圧延さ
れた後に、あるいは冷間圧延処理の後に、行うことがで
きる。好ましくは、均質化処理の後、ストリップの最終
厚さが得られるまで冷間圧延処理が行われ、それによっ
てストリップに制御された集合組織が付与される。ニッ
ケルの含有量が３５〜３７％のとき、ストリップが７５
０℃で１５分間焼なましされた後の保磁力Ｈc は４５Ａ
/ｍ未満である。ニッケルの含有量が３２〜３４％でコ
バルトの含有量が３.５〜６.５％のとき、ストリップが
７５０℃で１５分間焼なましされた後の保磁力Ｈc は５
５Ａ/ｍ未満である。
ン、マンガン、ケイ素、バナジウム、タンタル、チタ
ン、およびアルミニウムの含有量の合計は８％以下であ
る。均質化処理は、連続鋳造から直接得られた薄いスト
リップに対して、あるいはこのストリップが熱間圧延さ
れた後に、あるいは冷間圧延処理の後に、行うことがで
きる。好ましくは、均質化処理の後、ストリップの最終
厚さが得られるまで冷間圧延処理が行われ、それによっ
てストリップに制御された集合組織が付与される。ニッ
ケルの含有量が３５〜３７％のとき、ストリップが７５
０℃で１５分間焼なましされた後の保磁力Ｈc は４５Ａ
/ｍ未満である。ニッケルの含有量が３２〜３４％でコ
バルトの含有量が３.５〜６.５％のとき、ストリップが
７５０℃で１５分間焼なましされた後の保磁力Ｈc は５
５Ａ/ｍ未満である。
【０００８】本発明を以下でさらに詳細に説明するが、
本発明はこれに限定されるものではない。発明者は、鉄
-ニッケル系合金の磁性は凝固から生じる樹枝状晶の間
でのニッケルのミクロ偏析によって影響されるという、
予期せざる現象を見いだした。この影響を論証するため
に、発明者は、冷間圧延ストリップと冷間圧延される熱
間圧延ストリップの両者についてのニッケルのミクロ偏
析を特徴づけることを可能にする「標準程度の偏析」と
いう定義を行った。冷間圧延される熱間圧延ストリップ
は、薄いストリップの連続鋳造によって直接得られ、そ
して任意に熱間圧延工程または補足的な熱処理を受けた
薄いストリップであろう。もっと具体的に言い、そして
指摘を行うために、薄いストリップの連続鋳造によって
直接得られた薄いストリップは、１〜１０mmの厚さを有
する。
本発明はこれに限定されるものではない。発明者は、鉄
-ニッケル系合金の磁性は凝固から生じる樹枝状晶の間
でのニッケルのミクロ偏析によって影響されるという、
予期せざる現象を見いだした。この影響を論証するため
に、発明者は、冷間圧延ストリップと冷間圧延される熱
間圧延ストリップの両者についてのニッケルのミクロ偏
析を特徴づけることを可能にする「標準程度の偏析」と
いう定義を行った。冷間圧延される熱間圧延ストリップ
は、薄いストリップの連続鋳造によって直接得られ、そ
して任意に熱間圧延工程または補足的な熱処理を受けた
薄いストリップであろう。もっと具体的に言い、そして
指摘を行うために、薄いストリップの連続鋳造によって
直接得られた薄いストリップは、１〜１０mmの厚さを有
する。
【０００９】発明者によって定義された「標準程度の偏
析」は、８５０℃で１５分間再結晶焼なましされた０.
２mm未満の厚さの冷間圧延された薄板の厚さを通しての
ニッケル含有量の分布の標準偏差の公平な見積もりであ
る。この標準程度の偏析を決定するために、厚さを通し
て、表面に垂直な線に沿って１μm毎に分布する複数の
点におけるニッケル含有量が、０.２mm未満の厚さの薄
板について、エネルギー分散型分光法（ＥＤＳ）を伴う
走査型電子顕微鏡法によって測定される。すなわち、ニ
ッケル含有量（Ｎi)j （ｊは１からｎまで変化する）の
ｎ個の値が得られ、そしてσNiで示される標準程度の偏
析は次の式を用いて計算される： この式において、（Ｎi)mean は（Ｎi)j の値の相加平
均であり、ｎは測定箇所の数である。
析」は、８５０℃で１５分間再結晶焼なましされた０.
２mm未満の厚さの冷間圧延された薄板の厚さを通しての
ニッケル含有量の分布の標準偏差の公平な見積もりであ
る。この標準程度の偏析を決定するために、厚さを通し
て、表面に垂直な線に沿って１μm毎に分布する複数の
点におけるニッケル含有量が、０.２mm未満の厚さの薄
板について、エネルギー分散型分光法（ＥＤＳ）を伴う
走査型電子顕微鏡法によって測定される。すなわち、ニ
ッケル含有量（Ｎi)j （ｊは１からｎまで変化する）の
ｎ個の値が得られ、そしてσNiで示される標準程度の偏
析は次の式を用いて計算される： この式において、（Ｎi)mean は（Ｎi)j の値の相加平
均であり、ｎは測定箇所の数である。
【００１０】この定義を用いて、特別な処理がない場
合、先行技術によれば、直接の薄いストリップの連続鋳
造によって直接得られた薄い熱間圧延ストリップから形
成された冷間圧延ストリップについてのニッケルの「標
準程度の偏析」は０.５％よりも大きく、一方、インゴ
ットから形成された冷間圧延ストリップについてのそれ
は０.３５％未満である。
合、先行技術によれば、直接の薄いストリップの連続鋳
造によって直接得られた薄い熱間圧延ストリップから形
成された冷間圧延ストリップについてのニッケルの「標
準程度の偏析」は０.５％よりも大きく、一方、インゴ
ットから形成された冷間圧延ストリップについてのそれ
は０.３５％未満である。
【００１１】薄いストリップの連続鋳造から得られた冷
間圧延ストリップを製造するために、上で定義した鉄-
ニッケル系合金がアーク炉内で取鍋内精錬（in-ladle r
efining）を用いて精錬され、この合金は、例えば、３
６％のニッケル含有量と好ましくは０.０２〜０.５％の
マンガン含有量と残部の鉄と精錬工程から生じた不純物
を含有していることが予定される。このようにして得ら
れた溶融合金は、水平かつ互いに平行に配置されていて
１０mm未満（一般には１〜５mm）の幅を有するスリット
を形成する二つのロールを有する薄いストリップの連続
鋳造機械を用いて、薄いストリップの形に鋳造される。
二つのロールは各々の軸の回りで反対方向に回転するこ
とによって合金を下降させ、スリットを通過させる。二
つのロールは内部を循環する水によって冷却され、合金
はロールと接触して冷却され、ロールの間の隙間の幅に
ほぼ等しい厚さを有する凝固したストリップの形でグリ
ップの位置から出てくる。次いで、薄いストリップはコ
イル巻き機によってコイル巻きされてコイルとなり、一
般には放置されて自然冷却される。
間圧延ストリップを製造するために、上で定義した鉄-
ニッケル系合金がアーク炉内で取鍋内精錬（in-ladle r
efining）を用いて精錬され、この合金は、例えば、３
６％のニッケル含有量と好ましくは０.０２〜０.５％の
マンガン含有量と残部の鉄と精錬工程から生じた不純物
を含有していることが予定される。このようにして得ら
れた溶融合金は、水平かつ互いに平行に配置されていて
１０mm未満（一般には１〜５mm）の幅を有するスリット
を形成する二つのロールを有する薄いストリップの連続
鋳造機械を用いて、薄いストリップの形に鋳造される。
二つのロールは各々の軸の回りで反対方向に回転するこ
とによって合金を下降させ、スリットを通過させる。二
つのロールは内部を循環する水によって冷却され、合金
はロールと接触して冷却され、ロールの間の隙間の幅に
ほぼ等しい厚さを有する凝固したストリップの形でグリ
ップの位置から出てくる。次いで、薄いストリップはコ
イル巻き機によってコイル巻きされてコイルとなり、一
般には放置されて自然冷却される。
【００１２】鋳造された後、薄いストリップを任意に熱
間圧延するが、好ましくはこれはストリップが１０５０
〜１３００℃に再加熱された後に行われる。次いで、こ
のようにして得られた熱間圧延ストリップは、酸洗いさ
れた後に冷間圧延され、例えば０.１〜０.２５mmの所望
の最終厚さを有する冷間圧延ストリップが得られる。一
般に、この冷間圧延は、約１０００℃の温度における再
結晶焼なまし処理によって分割される幾つかの工程で行
われる。例示すると、第一の工程で０.５〜２mmの厚さ
にされ、第二の工程で０.１５〜０.３mmの厚さにされ、
最終工程で最終厚さにされる。冷間圧延操作は最終厚さ
を得るためにだけ行われるのではなく、ストリップに好
ましくは「立方晶」型の集合組織を付与し、また、好ま
しくは約８〜９のＡＦＮＯＲインデックスを有する結晶
粒サイズをコントロールするためにも行われる。
間圧延するが、好ましくはこれはストリップが１０５０
〜１３００℃に再加熱された後に行われる。次いで、こ
のようにして得られた熱間圧延ストリップは、酸洗いさ
れた後に冷間圧延され、例えば０.１〜０.２５mmの所望
の最終厚さを有する冷間圧延ストリップが得られる。一
般に、この冷間圧延は、約１０００℃の温度における再
結晶焼なまし処理によって分割される幾つかの工程で行
われる。例示すると、第一の工程で０.５〜２mmの厚さ
にされ、第二の工程で０.１５〜０.３mmの厚さにされ、
最終工程で最終厚さにされる。冷間圧延操作は最終厚さ
を得るためにだけ行われるのではなく、ストリップに好
ましくは「立方晶」型の集合組織を付与し、また、好ま
しくは約８〜９のＡＦＮＯＲインデックスを有する結晶
粒サイズをコントロールするためにも行われる。
【００１３】熱間圧延操作と冷間圧延操作の他に、スト
リップの製造は、時間ｔ（時間）と温度Ｔ（℃）につい
て次の式が成り立つ少なくとも単一の温度保持からなる
均質化処理によって完了される： ｔ ≧ Ａ exp（３８０００／（Ｔ＋２７３）） 係数Ａは０.５×１０-12以上であり、好ましくは１×１
０-12よりも大きい。
リップの製造は、時間ｔ（時間）と温度Ｔ（℃）につい
て次の式が成り立つ少なくとも単一の温度保持からなる
均質化処理によって完了される： ｔ ≧ Ａ exp（３８０００／（Ｔ＋２７３）） 係数Ａは０.５×１０-12以上であり、好ましくは１×１
０-12よりも大きい。
【００１４】幾つかの連続する均質化処理を、温度
Ｔ1、Ｔ2、・・・Ｔn において時間ｔ1、ｔ2、・・・ｔ
n で行うこともできる。この場合、時間と温度について
次の式を用いる： （Ａは０.５×１０-12以上であり、好ましくは１×１０
-12よりも大きい。） これらの条件は、例えば、（薄いストリップの連続鋳造
によって直接得られた）３mmの厚さのストリップについ
て、０.５時間で１１５０℃の温度保持、または１０分
間で１２００℃の温度保持に相当する。
Ｔ1、Ｔ2、・・・Ｔn において時間ｔ1、ｔ2、・・・ｔ
n で行うこともできる。この場合、時間と温度について
次の式を用いる： （Ａは０.５×１０-12以上であり、好ましくは１×１０
-12よりも大きい。） これらの条件は、例えば、（薄いストリップの連続鋳造
によって直接得られた）３mmの厚さのストリップについ
て、０.５時間で１１５０℃の温度保持、または１０分
間で１２００℃の温度保持に相当する。
【００１５】冷間圧延ストリップの最終の冷間圧延が特
に特定の結晶粒サイズと集合組織を付与することを目的
としているとき、製品が薄いほど、製品について均質化
処理を行うのがより効果的かつ実施がより容易であるけ
れども、均質化処理は必ずこの最終の冷間圧延工程の前
に行わなければならない。これが行なわれない場合、組
織が破壊されて結晶粒が粗大化するであろう。
に特定の結晶粒サイズと集合組織を付与することを目的
としているとき、製品が薄いほど、製品について均質化
処理を行うのがより効果的かつ実施がより容易であるけ
れども、均質化処理は必ずこの最終の冷間圧延工程の前
に行わなければならない。これが行なわれない場合、組
織が破壊されて結晶粒が粗大化するであろう。
【００１６】薄いストリップについて均質化処理を完了
した場合、このストリップまたはこれから形成される冷
間圧延ストリップは、０.４％未満または０.３５％相当
のニッケルの「標準程度の偏析」によって特徴づけられ
る。冷間圧延ストリップについてだけ均質化処理を完了
した場合、このストリップだけが０.４％未満または０.
３５％相当のニッケルの「標準程度の偏析」によって特
徴づけられる。
した場合、このストリップまたはこれから形成される冷
間圧延ストリップは、０.４％未満または０.３５％相当
のニッケルの「標準程度の偏析」によって特徴づけられ
る。冷間圧延ストリップについてだけ均質化処理を完了
した場合、このストリップだけが０.４％未満または０.
３５％相当のニッケルの「標準程度の偏析」によって特
徴づけられる。
【００１７】本発明に従う冷間圧延ストリップが主とし
て３５〜３７％のニッケルを含有する低膨張率合金から
なる場合、７５０℃において１５分間焼なましした後の
その保磁力Ｈc は４５Ａ/ｍ未満である。冷間圧延スト
リップが主として３２〜３４％のニッケルと３.５〜６.
５％のコバルトを含有する低膨張率合金からなる場合、
７５０℃において１５分間焼なましした後のその保磁力
Ｈc は５５Ａ/ｍ未満である。
て３５〜３７％のニッケルを含有する低膨張率合金から
なる場合、７５０℃において１５分間焼なましした後の
その保磁力Ｈc は４５Ａ/ｍ未満である。冷間圧延スト
リップが主として３２〜３４％のニッケルと３.５〜６.
５％のコバルトを含有する低膨張率合金からなる場合、
７５０℃において１５分間焼なましした後のその保磁力
Ｈc は５５Ａ/ｍ未満である。
【００１８】
【実施例】例示として、３６％のニッケルと０.３％の
マンガン、残部が鉄と精錬工程から生じた不純物を含有
する合金を用いて直接鋳造した二つの薄いストリップで
あるＴＳＣＣ３とＴＳＣＣ２、およびインゴット鋳造し
た二つのものＩＣ１とＩＣ２の間で比較を行う。厚さ
０.１２mmの冷間圧延ストリップがこれらの鋳造品から
製造され、７５０℃および８５０℃で焼なましされた。
鋳造品ＩＣ１およびＩＣ２からのインゴットがまず熱間
圧延されて厚さ３mmの熱間圧延ストリップが形成され、
次いで最終厚さまで冷間圧延された。比較のための冷間
圧延ストリップであるＩＳ１とＩＳ２がこのようにして
得られた。
マンガン、残部が鉄と精錬工程から生じた不純物を含有
する合金を用いて直接鋳造した二つの薄いストリップで
あるＴＳＣＣ３とＴＳＣＣ２、およびインゴット鋳造し
た二つのものＩＣ１とＩＣ２の間で比較を行う。厚さ
０.１２mmの冷間圧延ストリップがこれらの鋳造品から
製造され、７５０℃および８５０℃で焼なましされた。
鋳造品ＩＣ１およびＩＣ２からのインゴットがまず熱間
圧延されて厚さ３mmの熱間圧延ストリップが形成され、
次いで最終厚さまで冷間圧延された。比較のための冷間
圧延ストリップであるＩＳ１とＩＳ２がこのようにして
得られた。
【００１９】薄いストリップの直接鋳造によって得られ
た薄いストリップは３mmの厚さを有し、下記の幾つかの
冷間圧延ストリップを製造するために用いられた： − 冷間圧延によって直接得られた、比較のためのＴＳ
３ＣとＴＳ２Ｃ、 − 冷間圧延の他に均質化処理を受けた、本発明に従う
ＴＳ３Ｉ１、ＴＳ３Ｉ２、ＴＳ３Ｉ３、ＴＳ２Ｉ１、お
よびＴＳ２Ｉ２ 均質化処理は下記の通りであった： − ＴＳ３Ｉ１： １１５０℃において３０分間の温度
保持、 − ＴＳ３Ｉ２： １２５０℃において３０分間の温度
保持、 − ＴＳ３Ｉ３： １２００℃において２０分間の温度
保持、次いで加工度５０％の冷間圧延工程、および − ＴＳ２Ｉ２： １２５０℃において３０分間の温度
保持、次いで加工度３５％の熱間圧延工程。
た薄いストリップは３mmの厚さを有し、下記の幾つかの
冷間圧延ストリップを製造するために用いられた： − 冷間圧延によって直接得られた、比較のためのＴＳ
３ＣとＴＳ２Ｃ、 − 冷間圧延の他に均質化処理を受けた、本発明に従う
ＴＳ３Ｉ１、ＴＳ３Ｉ２、ＴＳ３Ｉ３、ＴＳ２Ｉ１、お
よびＴＳ２Ｉ２ 均質化処理は下記の通りであった： − ＴＳ３Ｉ１： １１５０℃において３０分間の温度
保持、 − ＴＳ３Ｉ２： １２５０℃において３０分間の温度
保持、 − ＴＳ３Ｉ３： １２００℃において２０分間の温度
保持、次いで加工度５０％の冷間圧延工程、および − ＴＳ２Ｉ２： １２５０℃において３０分間の温度
保持、次いで加工度３５％の熱間圧延工程。
【００２０】このようにして得られた全ての冷間圧延ス
トリップについて、ニッケルの「標準程度の偏析」
σNi、保磁力Ｈc 、および透磁率μmax,dc が測定され
た。結果は次の通りであった：
トリップについて、ニッケルの「標準程度の偏析」
σNi、保磁力Ｈc 、および透磁率μmax,dc が測定され
た。結果は次の通りであった：
【００２１】これらの結果は、一方において、連続的に
鋳造した薄いストリップから冷間圧延ストリップを、均
質化処理を行わずに直接製造することによって、７５０
℃で１５分間の熱処理後に５０Ａ/ｍ未満の保磁力を得
ることはできない、ということを示している。この値は
インゴットから形成されたストリップについては困難を
伴わずに得られる。しかし、連続的に鋳造した薄いスト
リップから形成される冷間圧延ストリップの製造が、ニ
ッケルの偏析を０.４％以下にする均質化処理によって
完了するとき、４５Ａ/ｍ未満の保磁力が得られる。
鋳造した薄いストリップから冷間圧延ストリップを、均
質化処理を行わずに直接製造することによって、７５０
℃で１５分間の熱処理後に５０Ａ/ｍ未満の保磁力を得
ることはできない、ということを示している。この値は
インゴットから形成されたストリップについては困難を
伴わずに得られる。しかし、連続的に鋳造した薄いスト
リップから形成される冷間圧延ストリップの製造が、ニ
ッケルの偏析を０.４％以下にする均質化処理によって
完了するとき、４５Ａ/ｍ未満の保磁力が得られる。
【００２２】さらに、本発明に従うストリップは２０〜
１００℃において０.９９×１０-6の膨張率、９の結晶
粒サイズＧAFNOR 、｛１００｝＜００１＞立方晶組織、
および極密度（pole density）ｌ/ｌ0＝５、を有し、７
５０℃で１５分間の再結晶熱処理後に組織が等方性であ
った。
１００℃において０.９９×１０-6の膨張率、９の結晶
粒サイズＧAFNOR 、｛１００｝＜００１＞立方晶組織、
および極密度（pole density）ｌ/ｌ0＝５、を有し、７
５０℃で１５分間の再結晶熱処理後に組織が等方性であ
った。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョルジュ・クーデルション フランス共和国58160 ソーヴィニー・ レ・ボア，ルート・デ・レタン 43 (72)発明者 ピエール・クレメール フランス共和国58000 ネベル，ビス・リ ュー・ガンベッタ 25 (72)発明者 マリー・ポール・ソリニャック フランス共和国58160 ル・フェルメト, レ・ロージェ
Claims (8)
- 【請求項１】 主として、２５〜５０重量％のニッケ
ル、５０〜７５重量％の鉄、および任意に特にコバル
ト、クロム、モリブデン、マンガン、ケイ素、バナジウ
ム、タンタル、チタン、およびアルミニウムから選択さ
れる一種または二種以上の合金元素が８重量％未満、残
部が精練工程から生じた不純物を含有する鉄-ニッケル
系の合金からなるストリップを製造するための方法にお
いて、薄いストリップが１０mm未満の厚さを有するよう
に連続的に鋳造されて、この薄いストリップが圧延され
て、圧延の前または後に、 ｔ ≧ ０.５×１０-12 exp（３８０００／（Ｔ＋２７
３）） の式が成り立つような温度Ｔ（℃）と時間ｔ（hours）
において温度保持することからなる均質化処理が行われ
て、それによって、０.４％未満のニッケルの「標準程
度の偏析」が得られることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 ニッケルの標準程度の偏析が０.３５％
未満であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 均質化処理が、連続鋳造から直接得られ
た薄いストリップについて行われることを特徴とする、
請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項４】 均質化処理が、連続鋳造から得られた薄
いストリップが熱間圧延された後に行われることを特徴
とする、請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項５】 均質化処理が、冷間圧延工程の後に行わ
れることを特徴とする、請求項１または２に記載の方
法。 - 【請求項６】 均質化処理の後、冷間圧延工程がストリ
ップの最終厚さが得られるまで行われ、それによってス
トリップに制御された組織が付与されることを特徴とす
る、請求項１から５のいずれかに記載の方法。 - 【請求項７】 合金の化学組成が、ニッケルの含有量が
３５〜３７％であり、ストリップが７５０℃において１
５分間焼なましされた後の保磁力Ｈc が４５Ａ/ｍ未満
であるような組成であることを特徴とする、請求項１か
ら６のいずれかに記載の方法。 - 【請求項８】 合金の化学組成が、ニッケルの含有量が
３２〜３４％であり、コバルトの含有量が３.５〜６.５
％であり、ストリップが７５０℃において１５分間焼な
ましされた後の保磁力Ｈc が５５Ａ/ｍ未満であるよう
な組成であることを特徴とする、請求項１から６のいず
れかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9710533A FR2767538B1 (fr) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | Procede de fabrication d'une bande en alliage du type fer-nickel a partir d'un demi produit de coulee continue |
| FR9710533 | 1997-08-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11131146A true JPH11131146A (ja) | 1999-05-18 |
Family
ID=9510417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23405698A Pending JPH11131146A (ja) | 1997-08-21 | 1998-08-20 | 連続的に鋳造された薄いストリップから鉄−ニッケル系合金のストリップを製造する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0905263A1 (ja) |
| JP (1) | JPH11131146A (ja) |
| CN (1) | CN1083894C (ja) |
| FR (1) | FR2767538B1 (ja) |
| TW (1) | TW416873B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10146301C1 (de) * | 2001-09-19 | 2002-07-18 | Krupp Vdm Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Metallbandes aus einer Eisen-Nickel-Legierung für gespannte Schattenmasken |
| CN101181773B (zh) * | 2007-12-17 | 2010-06-02 | 西部金属材料股份有限公司 | 具有高深冲性能和高晶粒度等级的钽长带制备方法 |
| CN102716906B (zh) * | 2012-07-10 | 2015-04-01 | 冶科金属有限公司 | 一种高板形ic引线框架用铁镍带材的生产方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6056053A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-01 | Nippon Mining Co Ltd | シャドウマスク用素材 |
| JPS61223188A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-03 | Nippon Mining Co Ltd | エツチング時のスジむらの発生を抑制したシヤドウマスク用鉄−ニツケル系合金 |
| JPH0668128B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1994-08-31 | 新日本製鐵株式会社 | シャドウマスク用のＦｅ−Ｎｉ合金板の製造方法 |
| FR2641796B1 (fr) * | 1988-08-19 | 1993-01-08 | Nippon Yakin Kogyo Co Ltd | Procede de production d'alliages de la serie fe-ni-b ayant un effet moderateur ameliore de la presence de trainees pendant la gravure |
| JP2723718B2 (ja) * | 1991-09-27 | 1998-03-09 | ヤマハ株式会社 | シャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金 |
| FR2727131B1 (fr) * | 1994-11-23 | 1996-12-13 | Imphy Sa | Alliage fer-nickel a faible coefficient de dilatation |
| FR2728724B1 (fr) * | 1994-12-27 | 1997-01-24 | Imphy Sa | Procede de fabrication d'un masque d'ombre en alliage fer-nickel |
| JPH09143625A (ja) * | 1995-11-27 | 1997-06-03 | Nikko Kinzoku Kk | シャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ系合金素材 |
-
1997
- 1997-08-21 FR FR9710533A patent/FR2767538B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-08-07 EP EP98402020A patent/EP0905263A1/fr not_active Withdrawn
- 1998-08-20 CN CN98118466A patent/CN1083894C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-20 JP JP23405698A patent/JPH11131146A/ja active Pending
- 1998-09-14 TW TW87113819A patent/TW416873B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW416873B (en) | 2001-01-01 |
| FR2767538B1 (fr) | 2001-05-11 |
| CN1213005A (zh) | 1999-04-07 |
| CN1083894C (zh) | 2002-05-01 |
| EP0905263A1 (fr) | 1999-03-31 |
| FR2767538A1 (fr) | 1999-02-26 |
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