JPH1112787A - ガラス製配線基板及びその製造方法 - Google Patents
ガラス製配線基板及びその製造方法Info
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- JPH1112787A JPH1112787A JP16715297A JP16715297A JPH1112787A JP H1112787 A JPH1112787 A JP H1112787A JP 16715297 A JP16715297 A JP 16715297A JP 16715297 A JP16715297 A JP 16715297A JP H1112787 A JPH1112787 A JP H1112787A
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- electroless
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
- C03C2218/115—Deposition methods from solutions or suspensions electro-enhanced deposition
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
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- C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大面積画面でも、低抵抗配線が可能であり、
しかも、実装スペースをコンパクト化し、量産性を上
げ、これによって、ＩＣなどの電子素子を高い信頼性の
元で接続させることができるガラス製配線基板を提供す
る。 【解決手段】 ガラス基板上に金属メッキによる配線を
密着形成したガラス製配線基板において、ガラス基板の
被メッキ面は、無粗面化状態であり、無電解メッキさ
れ、パターニングによって積層メッキの下配線形状を形
成し、その上にメッキによる配線を形成したことを特徴
とする。
しかも、実装スペースをコンパクト化し、量産性を上
げ、これによって、ＩＣなどの電子素子を高い信頼性の
元で接続させることができるガラス製配線基板を提供す
る。 【解決手段】 ガラス基板上に金属メッキによる配線を
密着形成したガラス製配線基板において、ガラス基板の
被メッキ面は、無粗面化状態であり、無電解メッキさ
れ、パターニングによって積層メッキの下配線形状を形
成し、その上にメッキによる配線を形成したことを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基板上の全
面もしくは一部に金属層を形成した、主として、ディス
プレー用基板や電子回路基板などのガラス製配線基板及
びその製造方法に関する。
面もしくは一部に金属層を形成した、主として、ディス
プレー用基板や電子回路基板などのガラス製配線基板及
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、主として、ＩＣなどの電子部品を
ガラス基板上に直接、実装する、所謂、チップ・オン・
ガラス（ＣＯＧ）と云われる手法がある。特に、この量
産化されている方式には、フリップチップ方式（導電性
接着剤で基板導電部とチップとを接続する方式）とワイ
ヤボンディング方式とを挙げることができる。
ガラス基板上に直接、実装する、所謂、チップ・オン・
ガラス（ＣＯＧ）と云われる手法がある。特に、この量
産化されている方式には、フリップチップ方式（導電性
接着剤で基板導電部とチップとを接続する方式）とワイ
ヤボンディング方式とを挙げることができる。
【０００３】この場合、チップが接続されるガラス基板
側には、予めバンプなどを設けた配線が形成されるので
あるが、このために、従来から、ガラスやセラミックス
上に密着性のよい導電層を形成する方法として、スパッ
タリングにより、ＩＴＯをガラス基板上に成膜し、無電
解Ｎｉメッキで配線部を積み上げる方法や、金属含有ペ
ーストをスクリーン印刷などによりパターン形成し、焼
成することにより、配線とする方法（特開昭６４−６７
８４０号公報を参照）が知られている。また、ＣＯＧを
実現した例として、透明電極上にメッキされたＮｉ、金
の膜上に駆動用半導体素子を搭載する技術（特開平２−
６９７２０号公報、および、特開平８−２７１８６９号
公報を参照）がある。
側には、予めバンプなどを設けた配線が形成されるので
あるが、このために、従来から、ガラスやセラミックス
上に密着性のよい導電層を形成する方法として、スパッ
タリングにより、ＩＴＯをガラス基板上に成膜し、無電
解Ｎｉメッキで配線部を積み上げる方法や、金属含有ペ
ーストをスクリーン印刷などによりパターン形成し、焼
成することにより、配線とする方法（特開昭６４−６７
８４０号公報を参照）が知られている。また、ＣＯＧを
実現した例として、透明電極上にメッキされたＮｉ、金
の膜上に駆動用半導体素子を搭載する技術（特開平２−
６９７２０号公報、および、特開平８−２７１８６９号
公報を参照）がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
ディスプレーなどにガラス基板を用いることが多くな
り、特に、大画面化した時の配線抵抗値の低抵抗化が不
可欠になってきている。これは、大画面化される場合、
当然、配線長も長くなるので、配線抵抗値を低くする必
要があるからである。つまり、配線抵抗値が高いと、印
加した電力が熱変換され、これが更に抵抗値の上昇をも
たらし、所要の電力が入らなくなってしまうためであ
り、また、この低抵抗化のために、配線を厚く、太くし
なければならないという問題点が残される。
ディスプレーなどにガラス基板を用いることが多くな
り、特に、大画面化した時の配線抵抗値の低抵抗化が不
可欠になってきている。これは、大画面化される場合、
当然、配線長も長くなるので、配線抵抗値を低くする必
要があるからである。つまり、配線抵抗値が高いと、印
加した電力が熱変換され、これが更に抵抗値の上昇をも
たらし、所要の電力が入らなくなってしまうためであ
り、また、この低抵抗化のために、配線を厚く、太くし
なければならないという問題点が残される。
【０００５】その一例を挙げると、現在、プラズマディ
スプレーなどには、印刷ペーストを多層塗りして焼成す
るケースが多く、この場合、焼成後の配線は多孔質であ
り、また、ペースト成分中の有機物も、低抵抗化を妨げ
る一因となる。また、現在のこのような無粗化ガラス基
板上への導電層形成は、スパッタリングによるＩＴＯ成
膜が一般的である。しかし、ＩＴＯ膜では、体積抵抗率
が１０Ｅ−４Ωｃｍのオーダーと、メッキ膜より２ケタ
近く高抵抗であることと、成膜装置を用いることによる
スループット（量産性）とが問題になっている。
スプレーなどには、印刷ペーストを多層塗りして焼成す
るケースが多く、この場合、焼成後の配線は多孔質であ
り、また、ペースト成分中の有機物も、低抵抗化を妨げ
る一因となる。また、現在のこのような無粗化ガラス基
板上への導電層形成は、スパッタリングによるＩＴＯ成
膜が一般的である。しかし、ＩＴＯ膜では、体積抵抗率
が１０Ｅ−４Ωｃｍのオーダーと、メッキ膜より２ケタ
近く高抵抗であることと、成膜装置を用いることによる
スループット（量産性）とが問題になっている。
【０００６】そこで、メッキの手段にて、ガラス基板上
に各種微細配線や微細な電極を形成する方法が提唱され
た。この場合、図７に示すように、ガラス基板４１とメ
ッキ膜４２との密着性を確保するために、従来法のよう
に、ガラス基板４１を粗面化してしまうと、両者の界面
４３でのアンカー効果を期待できる代わりに、粗化した
形状がそのままメッキ膜４２上に現れ、図８に示すよう
に、例えば、貴金属で電極４４を薄く形成した場合に、
下地の無電解メッキ膜の一部が、図中符号４５で示すよ
うに、電極表面に出てしまって、形状精度が出ないとい
う問題があり、電子部品との接続の信頼性が低下し、電
極としての特性が失われてしまう虞がある。
に各種微細配線や微細な電極を形成する方法が提唱され
た。この場合、図７に示すように、ガラス基板４１とメ
ッキ膜４２との密着性を確保するために、従来法のよう
に、ガラス基板４１を粗面化してしまうと、両者の界面
４３でのアンカー効果を期待できる代わりに、粗化した
形状がそのままメッキ膜４２上に現れ、図８に示すよう
に、例えば、貴金属で電極４４を薄く形成した場合に、
下地の無電解メッキ膜の一部が、図中符号４５で示すよ
うに、電極表面に出てしまって、形状精度が出ないとい
う問題があり、電子部品との接続の信頼性が低下し、電
極としての特性が失われてしまう虞がある。
【０００７】このような事情で、ガラスを粗さない状
態、例えば、フロートガラスや研磨ガラスのような、鏡
面状態のガラス基板を使用することが必要となる。ま
た、ディスプレー開発の動向は、現在、軽量薄型コンパ
クトの方向を目指しており、実装も、当然、小型化が求
められている現状である。
態、例えば、フロートガラスや研磨ガラスのような、鏡
面状態のガラス基板を使用することが必要となる。ま
た、ディスプレー開発の動向は、現在、軽量薄型コンパ
クトの方向を目指しており、実装も、当然、小型化が求
められている現状である。
【０００８】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
ので、その目的とするところは、表面が無粗面であるガ
ラス基板（以下、無粗化ガラス基板と称す）上に、低抵
抗配線を密着性良く形成することで、大面積画面でも、
低抵抗配線が可能であり、しかも、実装スペースをコン
パクト化し、量産性を上げ、これによって、ＩＣなどの
電子素子を高い信頼性の元で接続させることができるガ
ラス製配線基板を提供することにある。
ので、その目的とするところは、表面が無粗面であるガ
ラス基板（以下、無粗化ガラス基板と称す）上に、低抵
抗配線を密着性良く形成することで、大面積画面でも、
低抵抗配線が可能であり、しかも、実装スペースをコン
パクト化し、量産性を上げ、これによって、ＩＣなどの
電子素子を高い信頼性の元で接続させることができるガ
ラス製配線基板を提供することにある。
【０００９】また、本発明の第２の目的とするところ
は、このような性能のガラス製配線基板を、メッキプロ
セスのみで、無粗化ガラス基板上に低抵抗で密着のよい
配線を形成することができる製造方法を提供することに
ある。
は、このような性能のガラス製配線基板を、メッキプロ
セスのみで、無粗化ガラス基板上に低抵抗で密着のよい
配線を形成することができる製造方法を提供することに
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、ガラス基板上に金属メッキによる配線
を密着形成したガラス製配線基板において、ガラス基板
の被メッキ面は、無粗面化状態であり、無電解メッキさ
れ、パターニングによって積層メッキの下配線形状を形
成し、その上にメッキによる配線を形成している。
め、本発明では、ガラス基板上に金属メッキによる配線
を密着形成したガラス製配線基板において、ガラス基板
の被メッキ面は、無粗面化状態であり、無電解メッキさ
れ、パターニングによって積層メッキの下配線形状を形
成し、その上にメッキによる配線を形成している。
【００１１】また、本発明では、ガラス基板上に金属メ
ッキによる配線を密着形成するガラス製配線基板の製造
方法において、被メッキ面が無粗面化状態であるガラス
基板の上に、無電解メッキを施した後、パターニングに
よって積層メッキによる下配線形状を形成し、その上に
メッキによる配線を形成することで、画像表示用配線や
ＩＣなどの電気素子を同一基板上で密着形成することを
特徴とする。
ッキによる配線を密着形成するガラス製配線基板の製造
方法において、被メッキ面が無粗面化状態であるガラス
基板の上に、無電解メッキを施した後、パターニングに
よって積層メッキによる下配線形状を形成し、その上に
メッキによる配線を形成することで、画像表示用配線や
ＩＣなどの電気素子を同一基板上で密着形成することを
特徴とする。
【００１２】なお、その実施の形態として、前記パター
ニングには、ネガレジストを用いており、これによっ
て、無電解メッキ膜から下配線形状を形成すると共に、
前記ネガレジストを剥離することなく、ガラス基板上の
露出した無電解メッキ膜の部分にメッキすることで所要
の配線形状を形成し、その上で、前記ネガレジストおよ
びこれが重なる部分の無電解メッキ膜をガラス基板上か
ら除去するのである。
ニングには、ネガレジストを用いており、これによっ
て、無電解メッキ膜から下配線形状を形成すると共に、
前記ネガレジストを剥離することなく、ガラス基板上の
露出した無電解メッキ膜の部分にメッキすることで所要
の配線形状を形成し、その上で、前記ネガレジストおよ
びこれが重なる部分の無電解メッキ膜をガラス基板上か
ら除去するのである。
【００１３】また、前記ネガレジストを形成する際、ガ
ラス基板周辺部に、ネガレジストを形成しない無電解メ
ッキ膜の領域を、一部、残して、これを電気メッキの際
の電力供給部とする。更に、前記ガラス基板上に形成す
る無電解メッキ膜が無電解パラジウム−リンメッキ、も
しくは、無電解ニッケル−リンメッキで形成されること
が好ましい。また、前記パターニングの後、露出した下
地の無電解メッキ膜に対して積層する金属メッキには、
銀を用いた電気メッキ手法が用いられる。
ラス基板周辺部に、ネガレジストを形成しない無電解メ
ッキ膜の領域を、一部、残して、これを電気メッキの際
の電力供給部とする。更に、前記ガラス基板上に形成す
る無電解メッキ膜が無電解パラジウム−リンメッキ、も
しくは、無電解ニッケル−リンメッキで形成されること
が好ましい。また、前記パターニングの後、露出した下
地の無電解メッキ膜に対して積層する金属メッキには、
銀を用いた電気メッキ手法が用いられる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
〜図 を参照して、具体的に説明する。即ち、本発明
において、所要のガラス製配線基板を製作するに際は、
まず、無粗化ガラス基板上に密着性良く、無電解メッキ
を施す。その後、フォトリソによるパターニングにより
配線構造を形成し、下地層となる該配線構造上に、メッ
キにより、積層メッキを形成する。この際、予めＩＣな
どの電気素子を同一基板上に実装できように、メッキ配
線を形成するのである。
〜図 を参照して、具体的に説明する。即ち、本発明
において、所要のガラス製配線基板を製作するに際は、
まず、無粗化ガラス基板上に密着性良く、無電解メッキ
を施す。その後、フォトリソによるパターニングにより
配線構造を形成し、下地層となる該配線構造上に、メッ
キにより、積層メッキを形成する。この際、予めＩＣな
どの電気素子を同一基板上に実装できように、メッキ配
線を形成するのである。
【００１５】更に、これらを具体的に述べる。図１は、
本発明に関する無粗化ガラス基板上に無電解メッキを施
した状況を模式的に示している。なお、図中、符号１は
無粗化ガラス基板、２は無電解メッキ膜、３はガラス基
板１と無電解メッキ膜２の界面を表している。このよう
なガラス配線基板では、図２に示すように、無粗化ガラ
ス基板１上に形成した無電解メッキ膜２上に、貴金属電
極４を形成した場合、従来例で説明したような、下地膜
である無電解メッキ膜の悪影響がでず、また、形状精度
も満足される。
本発明に関する無粗化ガラス基板上に無電解メッキを施
した状況を模式的に示している。なお、図中、符号１は
無粗化ガラス基板、２は無電解メッキ膜、３はガラス基
板１と無電解メッキ膜２の界面を表している。このよう
なガラス配線基板では、図２に示すように、無粗化ガラ
ス基板１上に形成した無電解メッキ膜２上に、貴金属電
極４を形成した場合、従来例で説明したような、下地膜
である無電解メッキ膜の悪影響がでず、また、形状精度
も満足される。
【００１６】次に、本発明のガラス配線基板の製造プロ
セスを説明する。図３は、本発明に係わるガラス配線基
板の製造プロセスのフロー模式図である。前述のよう
に、無粗化ガラス基板１上に無電解メッキ膜２を形成し
た後（図５の（１）を参照）、ポジレジスト５を形成す
る（図５の（２）を参照）。
セスを説明する。図３は、本発明に係わるガラス配線基
板の製造プロセスのフロー模式図である。前述のよう
に、無粗化ガラス基板１上に無電解メッキ膜２を形成し
た後（図５の（１）を参照）、ポジレジスト５を形成す
る（図５の（２）を参照）。
【００１７】次に、露光現像（パターニング）をした後
（図５の（３）を参照）、残ったレジストを、メッキレ
ジストとして、無電解メッキ膜２の露出面上に電解メッ
キ６を行う（図５の（４）を参照）。そして、レジスト
５を剥離し（図５の（５）を参照）、エッチングによ
り、下地層の不要な部分（無電解メッキ膜２の露出した
部分）を除去することにより（図５の（６）を参照）、
無粗化ガラス基板１上に密着のよい導電層７を形成した
ガラス製配線基板を完成する。
（図５の（３）を参照）、残ったレジストを、メッキレ
ジストとして、無電解メッキ膜２の露出面上に電解メッ
キ６を行う（図５の（４）を参照）。そして、レジスト
５を剥離し（図５の（５）を参照）、エッチングによ
り、下地層の不要な部分（無電解メッキ膜２の露出した
部分）を除去することにより（図５の（６）を参照）、
無粗化ガラス基板１上に密着のよい導電層７を形成した
ガラス製配線基板を完成する。
【００１８】なお、本発明の製造方法において、メッキ
配線は、ほぼ純金属に近い状態で析出しているため、印
刷などの手法で行われる金属ペースト焼成配線と比較し
て、数分の１の抵抗値での配線が可能となる。更に、こ
のパターニングの際、ディスプレーの画面を形成する配
線形成のみならず、電子部品の実装部の一部を、同時に
パターニングしてしまうことが可能なので、これによ
り、ディスプレー用ガラス製配線基板に電子部品の実装
が可能となる（図４を参照）。ここで、符号９はディス
プレー画面の配線部分、１０は電子部品の装着のための
電極、１１は引出し用端子電極を示し、更に、１２は電
子部品の装着のための配線エリア（内部は図示せず）を
示す。
配線は、ほぼ純金属に近い状態で析出しているため、印
刷などの手法で行われる金属ペースト焼成配線と比較し
て、数分の１の抵抗値での配線が可能となる。更に、こ
のパターニングの際、ディスプレーの画面を形成する配
線形成のみならず、電子部品の実装部の一部を、同時に
パターニングしてしまうことが可能なので、これによ
り、ディスプレー用ガラス製配線基板に電子部品の実装
が可能となる（図４を参照）。ここで、符号９はディス
プレー画面の配線部分、１０は電子部品の装着のための
電極、１１は引出し用端子電極を示し、更に、１２は電
子部品の装着のための配線エリア（内部は図示せず）を
示す。
【００１９】従来手法では、無粗化ガラス基板上に無電
解メッキを形成した場合、密着性が十分ではなく、その
後のフォトリソ工程時に、メッキ膜が基板から剥離する
ことが多かったが、本発明の上述の製造方法では、メッ
キ膜の密着性が確保でき、しかも、配線下地層である無
電解メッキ膜上に、より均一な電気メッキを行うことが
できる。そして、本発明では、下地層をパターニングし
たガラス基板上で、電気メッキを行う際、大画面ディス
プレースペックとして必要な低抵抗で、しかも、耐熱性
を持つメッキ層を構成することになる。
解メッキを形成した場合、密着性が十分ではなく、その
後のフォトリソ工程時に、メッキ膜が基板から剥離する
ことが多かったが、本発明の上述の製造方法では、メッ
キ膜の密着性が確保でき、しかも、配線下地層である無
電解メッキ膜上に、より均一な電気メッキを行うことが
できる。そして、本発明では、下地層をパターニングし
たガラス基板上で、電気メッキを行う際、大画面ディス
プレースペックとして必要な低抵抗で、しかも、耐熱性
を持つメッキ層を構成することになる。
【００２０】
〔実施例１〕（ガラス基板／Ｐｄ−Ｐ／Ａｇ配線） 本発明の実施例１として、具体的な構成を説明する。な
お、ガラス製配線基板の製造方法には、図３に示すフロ
ーが採用されている。ここで、無電解メッキには、無電
解Ｐｄ−Ｐメッキが採用される。はじめに、無粗化ガラ
ス基板となる、ほう珪酸ガラス（コーニング製１７３
７）の表面を、強酸および強アルカリで、よく洗浄す
る。その後、アルカリキャタリスト法によるＰｄの核付
与を行い、これを足掛かりに、無電解Ｐｄ−Ｐメッキを
０．１μｍ程、形成した。
お、ガラス製配線基板の製造方法には、図３に示すフロ
ーが採用されている。ここで、無電解メッキには、無電
解Ｐｄ−Ｐメッキが採用される。はじめに、無粗化ガラ
ス基板となる、ほう珪酸ガラス（コーニング製１７３
７）の表面を、強酸および強アルカリで、よく洗浄す
る。その後、アルカリキャタリスト法によるＰｄの核付
与を行い、これを足掛かりに、無電解Ｐｄ−Ｐメッキを
０．１μｍ程、形成した。
【００２１】次に、ネガ型レジスト（東京応化工業製：
ＯＭＲ−８５）膜を、無電解Ｐｄ−Ｐメッキ膜上に２μ
ｍの厚さで形成した。そして、フォトリソグラフィーよ
り、配線や電極を形成したい部分だけに穴が開くよう
に、無電解Ｐｄ−Ｐメッキ膜上に回路パターンを形成し
た。この時、レジストの空孔部は、無電解Ｐｄ−Ｐメッ
キ膜が露出している状態となる。この状態で、ＯＰＣク
リーン９１（奥野製薬製）にて、無電解Ｐｄ−Ｐメッキ
膜を、電気メッキのために、表面清浄および活性化し
た。
ＯＭＲ−８５）膜を、無電解Ｐｄ−Ｐメッキ膜上に２μ
ｍの厚さで形成した。そして、フォトリソグラフィーよ
り、配線や電極を形成したい部分だけに穴が開くよう
に、無電解Ｐｄ−Ｐメッキ膜上に回路パターンを形成し
た。この時、レジストの空孔部は、無電解Ｐｄ−Ｐメッ
キ膜が露出している状態となる。この状態で、ＯＰＣク
リーン９１（奥野製薬製）にて、無電解Ｐｄ−Ｐメッキ
膜を、電気メッキのために、表面清浄および活性化し
た。
【００２２】続いて、図５に概念的に示した噴流式メッ
キ装置にて、電気銀メッキを行った。なお、図中、符号
２３はメッキ液噴射吸入セル、２４は可動陽極、２５は
ＰｔコートＴｉアノード電極、２６はパターニングされ
たガラス基板を示す。本発明に用いたメッキ装置は、メ
ッキ液中に図５に示したユニットが設置され、メッキ中
に垂直に固定したパターニングされたガラス基板に対し
て、可動陽極２４を平行（上下方向）に動作し、その間
に、メッキ液噴射吸入セル２３からメッキ液がガラス基
板２６に対して噴射される。
キ装置にて、電気銀メッキを行った。なお、図中、符号
２３はメッキ液噴射吸入セル、２４は可動陽極、２５は
ＰｔコートＴｉアノード電極、２６はパターニングされ
たガラス基板を示す。本発明に用いたメッキ装置は、メ
ッキ液中に図５に示したユニットが設置され、メッキ中
に垂直に固定したパターニングされたガラス基板に対し
て、可動陽極２４を平行（上下方向）に動作し、その間
に、メッキ液噴射吸入セル２３からメッキ液がガラス基
板２６に対して噴射される。
【００２３】本方式は、従来のプリント配線基板上のス
ルーホールメッキに採用されている方式を改良したもの
であるが、特に、本方式では、ガラス基板下部から上部
方向に向かってメッキ液を押し上げ、絶えず循環する形
式を採用している。なお、この時、より均一な膜質、膜
厚のメッキ膜を実現するために、本発明では、次のよう
なメッキプロセスを提案する。即ち、図６に示すよう
に、本発明に係わる電気メッキ方法で得られたガラス基
板は、無粗化ガラス３１の額縁上に無電解メッキ膜３２
を露出させて、これを電力供給部分としており、ここ
で、符号３３はネガレジスト部分である。
ルーホールメッキに採用されている方式を改良したもの
であるが、特に、本方式では、ガラス基板下部から上部
方向に向かってメッキ液を押し上げ、絶えず循環する形
式を採用している。なお、この時、より均一な膜質、膜
厚のメッキ膜を実現するために、本発明では、次のよう
なメッキプロセスを提案する。即ち、図６に示すよう
に、本発明に係わる電気メッキ方法で得られたガラス基
板は、無粗化ガラス３１の額縁上に無電解メッキ膜３２
を露出させて、これを電力供給部分としており、ここ
で、符号３３はネガレジスト部分である。
【００２４】このネガレジスト部分３３内には、配線パ
ターン（図示せず）が形成されている。実際のメッキで
は、この電力供給部分にもメッキが付くため、額縁部分
の低抵抗化が可能となり、ガラス基板全体として、より
均一に電力を供給することが可能となる。また、ここで
用いている無電解Ｐｄメッキ膜の抵抗値は、１×１０Ｅ
−４Ωｃｍである。このため、本発明の手法を用いない
場合には、膜厚分布が中心部と周辺部とで、１０倍の差
が付いてしまうのである。
ターン（図示せず）が形成されている。実際のメッキで
は、この電力供給部分にもメッキが付くため、額縁部分
の低抵抗化が可能となり、ガラス基板全体として、より
均一に電力を供給することが可能となる。また、ここで
用いている無電解Ｐｄメッキ膜の抵抗値は、１×１０Ｅ
−４Ωｃｍである。このため、本発明の手法を用いない
場合には、膜厚分布が中心部と周辺部とで、１０倍の差
が付いてしまうのである。
【００２５】更に、今回のように、アノード電極を駆動
する方式を採用すると、例えば、定電流状態でのアノー
ド駆動時に電圧変化が生じるが、これを予めキャンセル
するように、電流電圧制御を行い、より均一メッキを行
った。その結果、ガラス基板中心部とその基板周辺部と
の膜厚差を、±２０％以内に抑えることが可能となっ
た。なお、銀メッキ液には、低シアンタイプの高速銀メ
ッキ液を用い、２０Ａ／ｄｍ2、２分間にて、２μｍ厚
のＡｇメッキ配線を形成した。
する方式を採用すると、例えば、定電流状態でのアノー
ド駆動時に電圧変化が生じるが、これを予めキャンセル
するように、電流電圧制御を行い、より均一メッキを行
った。その結果、ガラス基板中心部とその基板周辺部と
の膜厚差を、±２０％以内に抑えることが可能となっ
た。なお、銀メッキ液には、低シアンタイプの高速銀メ
ッキ液を用い、２０Ａ／ｄｍ2、２分間にて、２μｍ厚
のＡｇメッキ配線を形成した。
【００２６】次に、レジストを剥離するのに、ＵＶ（紫
外線）の照射により、レジスト残渣を分解する。その
後、混酸（硝酸、塩酸、酢酸の混合液）によるケミカル
エッチングにより、不必要な部分を除去して、図４に示
すような電子回路パターンを形成した。そして、このガ
ラス基板上に、導電性接着剤でバンプを接着し、電子部
品を実装した。その結果、基本特性を検証したところ、
良好な結果が得られた。
外線）の照射により、レジスト残渣を分解する。その
後、混酸（硝酸、塩酸、酢酸の混合液）によるケミカル
エッチングにより、不必要な部分を除去して、図４に示
すような電子回路パターンを形成した。そして、このガ
ラス基板上に、導電性接着剤でバンプを接着し、電子部
品を実装した。その結果、基本特性を検証したところ、
良好な結果が得られた。
【００２７】〔実施例２〕（ガラス基板／Ｎｉ−Ｐ／Ａ
ｇ配線） この実施例では、実施例１における下地層である無電解
Ｐｄ−Ｐメッキ膜の部分を、よりローコスト材料である
無電解ニッケル−リン膜（Ｎｉ−Ｐ）で形成している。
この製造は、実施例１と同様な手法で行い、電気メッキ
についても、実施例１と同様な銀メッキを施した。その
結果、この実施例においても、ガラス基板と配線との密
着性がよく、配線基板として、十分な性能を持つことが
できた。
ｇ配線） この実施例では、実施例１における下地層である無電解
Ｐｄ−Ｐメッキ膜の部分を、よりローコスト材料である
無電解ニッケル−リン膜（Ｎｉ−Ｐ）で形成している。
この製造は、実施例１と同様な手法で行い、電気メッキ
についても、実施例１と同様な銀メッキを施した。その
結果、この実施例においても、ガラス基板と配線との密
着性がよく、配線基板として、十分な性能を持つことが
できた。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、ガラス
基板上に金属メッキによる配線を密着形成したガラス製
配線基板において、ガラス基板の被メッキ面は、無粗面
化状態であり、無電解メッキされ、パターニングによっ
て積層メッキの下配線形状を形成し、その上にメッキに
よる配線を形成したことを特徴とする。
基板上に金属メッキによる配線を密着形成したガラス製
配線基板において、ガラス基板の被メッキ面は、無粗面
化状態であり、無電解メッキされ、パターニングによっ
て積層メッキの下配線形状を形成し、その上にメッキに
よる配線を形成したことを特徴とする。
【００２９】また、本発明は、ガラス基板上に金属メッ
キによる配線を密着形成するガラス製配線基板の製造方
法において、被メッキ面が無粗面化状態であるガラス基
板の上に、無電解メッキを施した後、パターニングによ
って積層メッキによる下配線形状を形成し、その上にメ
ッキによる配線を形成することで、画像表示用配線やＩ
Ｃなどの電気素子を同一基板上で密着形成することを特
徴とする。
キによる配線を密着形成するガラス製配線基板の製造方
法において、被メッキ面が無粗面化状態であるガラス基
板の上に、無電解メッキを施した後、パターニングによ
って積層メッキによる下配線形状を形成し、その上にメ
ッキによる配線を形成することで、画像表示用配線やＩ
Ｃなどの電気素子を同一基板上で密着形成することを特
徴とする。
【００３０】従って、以下のような効果が得られる。 （１）印刷ペースト焼成配線をより低抵抗化が可能であ
る。 （２）無粗化ガラス上への配線のため、電極形成を精度
良く形成できる。 （３）焼成炉や真空成膜装置を使用することなく、配線
形成ができるため、スループット（量産性）を上げるこ
とが可能となる。 （４）ディスプレー配線基板の上に直接、実装ができる
ことから、小スペース化が可能となった。
る。 （２）無粗化ガラス上への配線のため、電極形成を精度
良く形成できる。 （３）焼成炉や真空成膜装置を使用することなく、配線
形成ができるため、スループット（量産性）を上げるこ
とが可能となる。 （４）ディスプレー配線基板の上に直接、実装ができる
ことから、小スペース化が可能となった。
【図１】本発明の実施の形態に係わる無粗化基板上に無
電解メッキ膜を施した状態の断面模式図である。
電解メッキ膜を施した状態の断面模式図である。
【図２】同じく、無粗化基板上に無電解メッキ膜を施し
た面上に、更に電極を設けた状態を示す断面模式図であ
る。
た面上に、更に電極を設けた状態を示す断面模式図であ
る。
【図３】本発明に係わるガラス製配線基板の製造プロセ
スのフロー図である。
スのフロー図である。
【図４】ディスプレー用配線と電子部品を同一基板上へ
実装したガラス製配線基板を示す平面図である。
実装したガラス製配線基板を示す平面図である。
【図５】本発明に係わる噴流式メッキ装置の概念図であ
る。
る。
【図６】本発明に係わる電気メッキ方法の基板にて説明
した概念図である。
した概念図である。
【図７】同じく、従来の粗面化した基板上に無電解メッ
キ膜を施した状態の断面模式図である。
キ膜を施した状態の断面模式図である。
【図８】同じく、前記無電解メッキ膜を施した面上に電
極を設けた基板の断面模式図である。
極を設けた基板の断面模式図である。
１ 無粗化ガラス基板 ２ 無電解メッキ膜 ３ ガラス基板とメッキ膜の界面 ４ 貴金属電極 ５ レジスト ６ 電解メッキ ７ 導電層 ９ ディスプレー画面の配線部分 １０ 電子部品装着電極 １１ 引き出し電極 １２ 電子部品装着エリア ２３ メッキ液噴射吸入セル ２４ 可動陽極 ２５ ＰｔコートＴｉ電極 ２６ パターニングされたガラス基板 ３１ ガラス基板 ３２ 無電解メッキ膜の電力供給部分 ３３ レジスト部分 ４１ 表面を粗化したガラス基板 ４２ 無電解メッキ膜 ４３ ガラス基板とメッキ膜の界面 ４４ 貴金属電極 ４５ 電極領域に下地の無電解メッキ膜が露出してい
る箇所
る箇所
Claims (6)
- 【請求項１】 ガラス基板上に金属メッキによる配線を
密着形成したガラス製配線基板において、ガラス基板の
被メッキ面は、無粗面化状態であり、無電解メッキさ
れ、パターニングによって積層メッキの下配線形状を形
成し、その上にメッキによる配線を形成したことを特徴
とするガラス製配線基板。 - 【請求項２】 ガラス基板上に金属メッキによる配線を
密着形成するガラス製配線基板の製造方法において、被
メッキ面が無粗面化状態であるガラス基板の上に、無電
解メッキを施した後、パターニングによって積層メッキ
による下配線形状を形成し、その上にメッキによる配線
を形成することで、画像表示用配線やＩＣなどの電気素
子を同一基板上で密着形成することを特徴とするガラス
製配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記パターニングには、ネガレジストを
用いており、これによって、無電解メッキ膜から下配線
形状を形成すると共に、前記ネガレジストを剥離するこ
となく、ガラス基板上の露出した無電解メッキ膜の部分
にメッキすることで所要の配線形状を形成し、その上
で、前記ネガレジストおよびこれが重なる部分の無電解
メッキ膜をガラス基板上から除去することを特徴とする
請求項２に記載のガラス製配線基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記ネガレジストを形成する際、ガラス
基板周辺部に、ネガレジストを形成しない無電解メッキ
膜の領域を、一部、残して、これを電気メッキの際の電
力供給部とすることを特徴とする請求項３記載のガラス
製配線基板の製造方法。 - 【請求項５】 前記ガラス基板上に形成する無電解メッ
キ膜が無電解パラジウム−リンメッキ、もしくは、無電
解ニッケル−リンメッキで形成されることを特徴とする
請求項２〜４の何れかに記載のガラス製配線基板の製造
方法。 - 【請求項６】 前記パターニングの後、露出した下地の
無電解メッキ膜に対して積層する金属メッキには、銀を
用いた電気メッキ手法が用いられることを特徴とする請
求項２〜５の何れかに記載のガラス製配線基板の製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16715297A JPH1112787A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | ガラス製配線基板及びその製造方法 |
| DE69735406T DE69735406T2 (de) | 1996-10-25 | 1997-10-24 | Glasschaltungssubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US08/956,700 US6156413A (en) | 1996-10-25 | 1997-10-24 | Glass circuit substrate and fabrication method thereof |
| EP97308509A EP0838980B1 (en) | 1996-10-25 | 1997-10-24 | Glass circuit substrate and fabrication method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16715297A JPH1112787A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | ガラス製配線基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1112787A true JPH1112787A (ja) | 1999-01-19 |
Family
ID=15844395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16715297A Pending JPH1112787A (ja) | 1996-10-25 | 1997-06-24 | ガラス製配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1112787A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7470865B2 (en) | 1999-05-27 | 2008-12-30 | Hoya Corporation | Multilayer printed wiring board and a process of producing same |
| JP2009516775A (ja) * | 2005-10-11 | 2009-04-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 液晶ディスプレイ用のガラス基板上に、パターン形成された導電層を作成するための方法および装置 |
-
1997
- 1997-06-24 JP JP16715297A patent/JPH1112787A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7470865B2 (en) | 1999-05-27 | 2008-12-30 | Hoya Corporation | Multilayer printed wiring board and a process of producing same |
| JP2009516775A (ja) * | 2005-10-11 | 2009-04-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 液晶ディスプレイ用のガラス基板上に、パターン形成された導電層を作成するための方法および装置 |
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